模拟电子技术总结复习资料
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为，锗材料约为。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下: 假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
超详细模电总结复习资料-模拟电子技术基础(完整版)
第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅Si 、锗Ge)。
2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体---- *P 型半导体: *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
* 转型--- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN 结的接触电位差* PN 结的单向导电性8. PN 结的伏安特性--- 硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为。
0.2~0.3V--- 正偏导通，反偏截止。
二. * * * *半导体二极管单向导电性------二极管伏安特性正向导通，反向截止。
---- 同ＰＮ结。
正向导通压降------ 硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。
死区电压------ 硅管0.5V ，锗管0.1V 。
3. 分析方法------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V 阴( 正偏) ，二极管导通( 短路);若V <V 阴( 反偏) ，二极管截止( 开路) 。
阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若若V 阳V 阳阴( 正偏阴( 反偏) ，二极管导通) ，二极管截止( 短路);( 开路) 。
>V<V* 三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路* 稳压二极管的特性接。
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，首先要了解半导体的特性。
半导体材料，如硅和锗，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体中的载流子有自由电子和空穴。
本征半导体，即纯净的半导体，在一定温度下，自由电子和空穴的浓度相等。
而杂质半导体，通过掺入不同杂质，可以形成 N 型半导体（多数载流子为电子）和 P 型半导体（多数载流子为空穴）。
PN 结是半导体器件的核心结构。
当 P 型半导体和 N 型半导体结合时，会形成空间电荷区，产生内建电场。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
二、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极和封装构成的。
其伏安特性是非线性的，正向导通时，电压超过开启电压后，电流迅速增加；反向截止时，只有很小的反向饱和电流。
二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压等。
在实际电路中，二极管常用于整流、限幅、钳位等。
例如，在整流电路中，利用二极管的单向导电性，将交流电压转换为直流电压。
三、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管的三个电极分别是基极（b）、集电极（c）和发射极（e）。
要使三极管处于放大状态，需要满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
三极管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
在放大电路中，三极管通过对基极电流的控制来实现对集电极电流的放大。
四、基本放大电路基本放大电路有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
共射极放大电路的电压放大倍数较大，输入输出信号反相；共集电极放大电路的电压放大倍数接近 1，输入输出信号同相，具有电流放大和功率放大作用，常用于阻抗匹配；共基极放大电路的频率特性较好，适用于高频电路。
放大电路的性能指标包括放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带等。
为了改善放大电路的性能，常常引入负反馈。
负反馈可以提高放大电路的稳定性、减小非线性失真、扩展通频带等。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结材料
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
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第一章第一章 半导体二极管半导体二极管半导体二极管一.半导体的基础知识1.1.半导体半导体半导体---------导电能力介于导体和绝缘体之间的物质导电能力介于导体和绝缘体之间的物质导电能力介于导体和绝缘体之间的物质((如硅Si Si、、锗Ge)Ge)。
2.2.特性特性特性---------光敏光敏光敏、、热敏和掺杂特性热敏和掺杂特性。
3.3.本征半导体本征半导体本征半导体------------纯净的具有单晶体结构的半导体纯净的具有单晶体结构的半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 4. 两种载流子两种载流子 --------带有正带有正带有正、、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.5.杂质半导体杂质半导体杂质半导体------------在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性体现的是半导体的掺杂特性。
*P *P 型半导体型半导体:: 在本征半导体中掺入微量的三价元素在本征半导体中掺入微量的三价元素（（多子是空穴多子是空穴，，少子是电子少子是电子））。
*N *N 型半导体型半导体: : : 在本征半导体中掺入微量的五价元素在本征半导体中掺入微量的五价元素在本征半导体中掺入微量的五价元素（（多子是电子多子是电子，，少子是空穴少子是空穴））。
6. 6. 杂质半导体的特性杂质半导体的特性杂质半导体的特性*载流子的浓度载流子的浓度---------多子浓度决定于杂质浓度多子浓度决定于杂质浓度多子浓度决定于杂质浓度，，少子浓度与温度有关少子浓度与温度有关。
*体电阻体电阻---------通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型转型---------通过改变掺杂浓度通过改变掺杂浓度通过改变掺杂浓度，，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN * PN 结的接触电位差结的接触电位差---------硅材料约为硅材料约为0.6~0.8V 0.6~0.8V，，锗材料约为0.2~0.3V 0.2~0.3V。
* PN * PN 结的单向导电性结的单向导电性---------正偏导通正偏导通正偏导通，，反偏截止反偏截止。
8. PN 结的伏安特性二. . 半导体二极管半导体二极管半导体二极管**单向导电性单向导电性------------------正向导通正向导通正向导通，，反向截止反向截止。
**二极管伏安特性二极管伏安特性------------同同ＰＮＰＮ结结。
**正向导通压降正向导通压降------------------硅管硅管0.6~0.7V 0.6~0.7V，，锗管0.2~0.3V 0.2~0.3V。
**死区电压死区电压------------------硅管硅管0.5V 0.5V，，锗管0.1V 0.1V。
3.3.分析方法分析方法分析方法------------------将二极管断开将二极管断开将二极管断开，，分析二极管两端电位的高低分析二极管两端电位的高低:: 若若 V 阳 >V 阴( ( 正偏正偏正偏 )，二极管导通二极管导通((短路短路););); 若若 V 阳 <V 阴( ( 反偏反偏反偏 )，二极管截止二极管截止((开路开路))。
1）图解分析法图解分析法该式与伏安特性曲线该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q 。
2) 2) 等效电路法等效电路法等效电路法直流等效电路法直流等效电路法直流等效电路法*总的解题手段总的解题手段------------将二极管断开将二极管断开将二极管断开，，分析二极管两端电位的高低分析二极管两端电位的高低:: 若若 V 阳 >V 阴( ( 正偏正偏正偏 )，二极管导通二极管导通((短路短路););); 若若 V 阳 <V 阴( ( 反偏反偏反偏 )，二极管截止二极管截止((开路开路))。
*三种模型三种模型微变等效电路法微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性稳压二极管的特性---------正常工作时处在正常工作时处在PN 结的反向击穿区结的反向击穿区，，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章第二章 三极管及其基本放大电路三极管及其基本放大电路三极管及其基本放大电路一. . 三极管的结构三极管的结构三极管的结构、、类型及特点类型及特点 1.1.类型类型类型---------分为分为NPN 和PNP 两种两种。
2.2.特点特点特点---------基区很薄基区很薄基区很薄，，且掺杂浓度最低且掺杂浓度最低；；发射区掺杂浓度很高发射区掺杂浓度很高，，与基区接触与基区接触 面积较小面积较小面积较小；；集电区掺杂浓度较高集电区掺杂浓度较高，，与基区接触面积较大与基区接触面积较大。
二. . 三极管的工作原理三极管的工作原理三极管的工作原理 1. 1. 三极管的三种基本组态三极管的三种基本组态三极管的三种基本组态2. 2. 三极管内各极电流的分配三极管内各极电流的分配三极管内各极电流的分配* * 共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流称为穿透电流称为穿透电流。
3. 3. 共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线 *输入特性曲线输入特性曲线---------同二极管同二极管同二极管。
* * 输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线(饱和管压降饱和管压降，，用U CES 表示表示放大区放大区---------发射结正偏发射结正偏发射结正偏，，集电结反偏集电结反偏。
截止区截止区---------发射结反偏发射结反偏发射结反偏，，集电结反偏集电结反偏。
4. 4. 温度影响温度影响温度影响温度升高温度升高，，输入特性曲线向左移动输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO 、 I CEO 、 I C 以及β均增加均增加。
三. . 低频小信号等效模型低频小信号等效模型低频小信号等效模型（（简化简化）） h ie ------输出端交流短路时的输入电阻输出端交流短路时的输入电阻输出端交流短路时的输入电阻，， 常用常用r be 表示表示；；h fe ------输出端交流短路时的正向电流传输比输出端交流短路时的正向电流传输比输出端交流短路时的正向电流传输比，， 常用常用常用ββ表示表示；；四. . 基本放大电路组成及其原则基本放大电路组成及其原则基本放大电路组成及其原则 1. VT 1. VT、、 V CC 、 R b 、 R c 、C 1、C 2的作用的作用。
2.2.组成原则组成原则组成原则------------能放大能放大能放大、、不失真、能传输能传输。
五. . 放大电路的图解分析法放大电路的图解分析法放大电路的图解分析法 1. 1. 直流通路与静态分析直流通路与静态分析直流通路与静态分析**概念------直流电流通的直流电流通的回路。
**画法------电电容视为开路为开路。
**作用作用------确定静态工作点定静态工作点**直流负载线直流负载线------由V CC =I C R C +U CE 确定的直线定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响静态工作点的影响11）改变R b ：Q 点将沿直流负载线上下移动移动。
22）改变R c ：Q 点在I BQ 所在的那条输出特性曲线上移动移动。
33）改变V CC ：直流负载线平移，Q 点发生移动移动。
2. 2. 交流通路与动态分析交流通路与动态分析交流通路与动态分析 *概念------交流电流流通的交流电流流通的回路*画法------电电容视为短路,理想直流电压源视为短路为短路。
*作用作用---------分析信号分析信号被放大的过程。
*交流负载线交流负载线--------- 连接Q 点和V CC ’点 V CC ’= U CEQ +I CQ R L ’的 直线直线直线。
3. 3. 静态工作点与静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q 点设置过低过低*失真现象------NPN NPN 管削顶，PNP 管削底。
*消除方法方法------减小R b ，提高Q 。
（2） 饱和失真*产生原因---Q 点设置过高过高*失真现象------NPN NPN 管削底，PNP 管削顶。
*消除方法方法---------增大增大R b 、减小R c 、增大V CC 。
4. 4. 放大器的动态放大器的动态范围（1） U opp ------是是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围**当（U CEQ －U CES ）＞（V CC ’ ’ －－ U CEQ ）时，受截止失真限制，U OPP =2U OMAX =2I CQ R L ’。
*当（U CEQ －U CES ）＜（V CC ’ ’ －－ U CEQ ）时，受饱和失真限制，U OPP =2U OMAX =2 （U CEQ －U CES 。
）。
*当（U CEQ －U CES ）＝（V CC ’ ’ －－ U CEQ ，），放大器将有最大的不放大器将有最大的不失真输出电压输出电压。
六. . 放大电路的等效电路法放大电路的等效电路法放大电路的等效电路法1. 静态分析静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q 点在放大区的条件欲使Q 点不进入饱和区入饱和区，，应满足R B ＞βRc 。
2.放大电路的动态分析* * 放大放大倍数* * 输入电阻输入电阻输入电阻* * 输出电阻输出电阻输出电阻七. 分压式稳定工作点共射分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法放大电路的等效电路法放大电路的等效电路法 1．静态分析静态分析2．动态分析动态分析 *电压放大倍数在R e 两端并一电解电容C e 后输入电阻输入电阻在R e 两端并一电解电容C e 后* * 输出电阻输出电阻输出电阻八. . 共集电极基本放大电路共集电极基本放大电路共集电极基本放大电路1．静态分析静态分析2．动态分析 * * 电压放大电压放大倍数* * 输入电阻输入电阻输入电阻* * 输出电阻输出电阻输出电阻3. 3. 电路特点电路特点* * * 电压放大电压放大倍数为正数为正，，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* * * 输入电阻高输入电阻高输入电阻高，，输出电阻低输出电阻低。
第三章 场效应管及其基本放大电路一. . 结型结型场效应管（ JFE T ） 1.1.结构示结构示意图和电路符号2. 2. 输出特性曲线输出特性曲线（（可变电阻区可变电阻区、、放大区放大区、、截止区截止区、、击穿区击穿区））转移特性曲线转移特性曲线U P ---------- 截止电压截止电压二. . 绝缘绝缘栅型场效应管（MO S FE T ）分为增强型（EMO S ）和耗尽型（DMO S ）两种两种。