BZT52C3V0齐纳二极管
FOSAN富信电子 二级管 BZT52B2V4-BZT52B43-产品规格书
BZT52B2V4-BZT52B43
■Electrical Characteristics 电特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
Type
VZ(V) @IZT=5mA
MIN. MAX.
DIFFERENTIAL RESISTANCE rdif(Ω)
BZT52B30 29.4 30.6 70 300 30 80 24.4 26.6 29.4 0.05 21 WQ
BZT52B33 32.3 33.7 75 325 35 80 27.4 29.7 33.4 0.05 23.1 WR
BZT52B36 35.2 36.8 80 350 35 90 30.4 33.0 37.4 0.05 25.2 WS
BZT52B6V2 6.07 6.32 80 400 15 40 -2.0 1.2 2.5 3 4 WA
BZT52B6V8 6.66 6.94 40 150 6 10 0.4 2.3 3.7 2 4 WB
BZT52B7V5 7.35 7.65 30
80
6 15 1.2 3.0 4.5 1 5 WC
BZT52B8V2 8.04 8.36 30
80
6 15 2.5 4.0 5.3 0.7 5 WD
BZT52B9V1 8.92 9.28 40
80
6 15 3.2 4.6 6.2 0.5 6 WE
BZT52B10 9.8 10.2 40 100 6 15 3.8 5.5 7.0 0.2 7 WF
BZT52B11 10.8 11.2 50 150 8 20 4.5 6.4 8.0 0.1 8 WG
@IZK=1mA
齐纳二极管
齐纳二极管齐纳二极管(又叫稳压二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。
引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。
2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术.稳压(齐纳)二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener diode）是一种特殊的二极管，它在逆向电压下具有稳定的电压特性。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理，包括其结构、特性以及应用。
一、结构齐纳二极管的结构与普通二极管相似，由P型和N型半导体材料组成。
它的结构中添加了掺杂浓度较高的杂质，使得在逆向电压下，齐纳二极管能够产生稳定的击穿电压。
二、工作原理当齐纳二极管处于正向电压下时，其行为与普通二极管相同，导通电流。
但当齐纳二极管处于逆向电压下时，其特殊的工作原理开始显现。
1. 正常工作区域当逆向电压小于齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管处于正常工作区域。
此时，齐纳二极管的电流非常小，几乎可以忽稍不计。
因此，齐纳二极管在这个区域内可以作为一个普通的二极管使用。
2. 齐纳击穿区域当逆向电压大于齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管进入齐纳击穿区域。
在这个区域内，齐纳二极管的电流迅速增加，但电压保持在击穿电压的范围内。
这种特性使得齐纳二极管能够稳定地提供一个固定的电压。
三、特性齐纳二极管具有以下特性：1. 齐纳电压（Zener voltage）：齐纳二极管的击穿电压，也是其最重要的特性之一。
齐纳电压可以通过选择合适的杂质浓度来控制。
2. 齐纳电流（Zener current）：当齐纳二极管处于击穿电压下时，齐纳电流开始流动。
齐纳电流的大小取决于外部电路的负载和齐纳二极管的特性。
3. 温度系数（Temperature coefficient）：齐纳二极管的电压特性受温度影响较小。
正常情况下，齐纳二极管的电压在温度变化时变化较小。
四、应用齐纳二极管由于其稳定的电压特性，被广泛应用于各种电子电路中。
以下是一些常见的应用场景：1. 稳压器（Voltage regulator）：齐纳二极管可以用作稳压器的关键元件。
通过将齐纳二极管连接在逆向电压下，可以实现对电路的稳定电压输出。
2. 过压保护（Overvoltage protection）：齐纳二极管可以用于保护电路免受过高的电压损坏。
齐纳二极管稳压二极管工作原理主要参数
齐纳二极管（稳压二极管）工作原理及主要参数齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV（逆向峰值电压）值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。
齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。
若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。
一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压（Vz）从数伏特至上百伏特都有。
一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。
dz3w上有个在线计算器，电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数.齐纳二极管工作原理齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值（几乎等于崩溃电压），下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。
齐纳二极管（又叫稳压二极管）它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用. 其伏安特性，稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。
这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图 1.15）。
BZT52C3V3-F中文资料
BZT52C2V4-F – BZT52C51-F410mW Two TerminalsSMD Zener Diodes410mW Two Terminals SMD Zener DiodesFeatures• Planar Die Construction • 410mW Power Dissipation • Zener Voltage 2.4v to 51v • RoHS ComplianceMechanical DataCase: SOD-123F, molded plasticEpoxy: Plastic package has UL flammability 94V-0 Terminals: Solderable per MIL-STD-202G,Method 208 Polarity: Color band denotes cathode Approx Weight:0.01 gramsMaximum Ratings (T Ambient =25ºC unless noted otherwise)SymbolDescriptionValueUnit ConditionsV F Forward Voltage Drop 0.9 V IF=10mAP tot Power Dissipation410mWTa=25 °C (Note 1)I FSM Peak Forward Surge Current,8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)2.0 A (Note 2) T J Operating Junction Temperature 150 °C T STGStorage Temperature Range-55 to 150°CNote: 1. Mounted on 5.0mm ²(0.13mm thick ) land areas2. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulsesper minute maximumSOD-123FElectrical Characteristics(T Ambient=25ºC unless noted otherwise)Norminal Zener Voltage@ I ZTTest CurrentV Z(V) Max. Zener ImpedanceMax. ReverseLeakage CurrentI R @ V RPart NO. MarkingCodeNom. Min. Max. I ZT(mA)Z ZT@I ZTZ ZK@I ZK I ZK(mA)I R(μA) V R(V)BZT52C2V4-F W1 2.4 2.28 2.56 5 85 600 1 - - BZT52C2V7-F W2 2.7 2.5 2.9 5 83 500 1 - - BZT52C3V0-F W3 3.0 2.8 3.2 5 95 500 1 - - BZT52C3V3-F W4 3.3 3.1 3.5 5 95 500 1 - - BZT52C3V6-F W5 3.6 3.4 3.8 5 95 500 1 - - BZT52C3V9-F W6 3.9 3.7 4.1 5 95 500 1 - - BZT52C4V3-F W7 4.3 4.0 4.6 5 95 500 1 - - BZT52C4V7-F W8 4.7 4.4 5.0 5 78 500 1 - - BZT52C5V1-F W9 5.1 4.8 5.4 5 60 480 1 0.1 0.8 BZT52C5V6-F WA 5.6 5.2 6.0 5 40 400 1 0.1 1 BZT52C6V2-F WB 6.2 5.8 6.6 5 10 200 1 0.1 2 BZT52C6V8-F WC 6.8 6.4 7.2 5 8 150 1 0.1 3 BZT52C7V5-F WD 7.5 7.0 7.9 5 7 50 1 0.1 5 BZT52C8V2-F WE 8.2 7.7 8.7 5 7 50 1 0.1 6 BZT52C9V1-F WF 9.1 8.5 9.6 5 10 50 1 0.1 7 BZT52C10-F WG 10 9.4 10.6 5 15 70 1 0.1 7.5 BZT52C11-F WH 11 10.4 11.6 5 20 70 1 0.1 8.5 BZT52C12-F WI 12 11.4 12.7 5 20 90 1 0.1 9 BZT52C13-F WK 13 12.4 14.1 5 25 110 1 0.1 10 BZT52C15-F WL 15 13.8 15.6 5 30 110 1 0.1 11 BZT52C16-F WM 16 15.3 17.1 5 40 170 1 0.1 12 BZT52C18-F WN 18 16.8 19.1 5 50 170 1 0.1 14 BZT52C20-F WO 20 18.8 21.2 5 50 220 1 0.1 15 BZT52C22-F WP 22 20.8 23.3 5 55 220 1 0.1 17 BZT52C24-F WR 24 22.8 25.6 5 80 220 1 0.1 18 BZT52C27-F WS 27 25.1 28.9 5 80 250 1 0.1 20 BZT52C30-F WT 30 28 32 5 80 250 1 0.1 22.5 BZT52C33-F WU 33 31 35 5 80 250 1 0.1 25 BZT52C36-F WW 36 34 38 5 90 250 1 0.1 27 BZT52C39-F WX 39 37 41 5 90 300 1 0.1 29 BZT52C43-F WY 43 40 46 5 100 700 1 0.1 32 BZT52C47-F WZ 47 44 50 5 100 750 1 0.1 35Fig.2- Typical Forward CharacteristicV F , Forward Voltage (V)Fig.1- Power DissipationTemperature (°C)Norminal Zener Voltage@ I ZTTest CurrentV Z (V)Max. Zener ImpedanceMax. ReverseLeakage CurrentI R @ V RPart NO.Marking CodeNom.Min.Max.I ZT (mA)Z ZT @ I ZT Z ZK @ I ZK I ZK (mA)I R (μA)V R (V)BZT52C51-F XA 51 48 54 5 100 750 10.138Typical Characteristics CurvesI F , F o r w a r d C u r r e n t (m A )Fig.3-Typical Zener ImpedanceVz, Normal Zener Voltage (V)Z Z T , D y n a m i c I m p e d a n c e , (Ω)P t o t , P o w e r D i s s i p a t i o n (m W )Dimensions in mmSOD-123FHow to contact us。
BZT52C2V0T和BZT52C36T表面挂载正电极胶囊晶体管商品说明书
Features∙ Small, Low Profile Surface Mount Package∙ Flat Lead Package Design for Low Profile and High Power Dissipation∙ Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ∙ Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ∙ Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability ∙ PPAP Capable (Note 4)Mechanical Data∙ Case: SOD523∙ Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ∙ Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 ∙ Terminal Connections: Cathode Band∙ Terminals: Finish - Matte Tin Annealed over Alloy 42 Leadframe.∙Weight: 0.001 grams (Approximate)Ordering Information (Note 5)*For (Type Number), please see the Electrical Characteristics Table. Example: 6.2V Zener = BZT52C6V2T-7.Notes: 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. 2. See /quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Hal ogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. Automotive products are AEC-Q101 qualified and are PPAP capable. Automotive, AEC-Q101 and standard products are electrically and thermallythe same, except where specified. For more information, please refer to https:///quality/product-compliance-definitions/.5. For packaging details, go to our website at https:///design/support/packaging/diodes-packaging/.6. Dispensed in every other cavity of the tape.Marking InformationTop ViewXX = Product Type Marking Code(See Electrical Characteristics Table)x x SOD523XXMaximum Ratings(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.Thermal Characteristics(@T = +25°C, unless otherwise specified.)Notes: 7. Part mounted on FR-4 PC board, single-sided, 2oz. copper with pad area 1.92mm2.8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.0.150.30P,POWERDISSIPATION(W)DT, AMBIENT TEMPERATURE (C)Fig. 1 Power Derating CurveA°0.457I,ZENERCURRENT(mA)ZV, ZENER VOLTAGE (V)Fig. 2 Typical Zener Breakdown CharacteristicsZI,ZENERCURRENT(mA)ZV, ZENER VOLTAGE (V)Fig. 3 Typical Zener Breakdown CharacteristicsZC,TOTALCAPACITANCE(pF)T1001V, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Fig. 4 Typical T otal Capacitance vs. Nominal Zener VoltageZPackage Outline DimensionsPlease see /package-outlines.html for the latest version.SOD523Suggested Pad LayoutPlease see /package-outlines.html for the latest version.SOD523c c。
稳压二极管bzt52c参数
稳压二极管bzt52c参数一、稳压二极管BZT52C的基本概念稳压二极管BZT52C是一种半导体器件，具有稳定的电压输出特性。
它主要用于电压稳压、电源保护等电子电路中，以确保电路的正常工作。
BZT52C 是该稳压二极管的型号，代表着其具有特定的电压、电流等参数。
二、稳压二极管BZT52C的参数解析1.静态参数静态参数主要包括额定电压、额定电流、功率等。
这些参数决定了稳压二极管的电压稳定性能和电流承受能力。
例如，BZT52C的额定电压为5.0V，额定电流为100mA，功率为500mW。
2.动态参数动态参数包括开关速度、输出电压纹波等。
这些参数影响稳压二极管的响应速度和输出电压的稳定性。
BZT52C的开关速度较快，能够应对高频开关电源的需求；输出电压纹波较低，有助于提高电路的性能。
3.温度特性温度特性反映了稳压二极管在不同温度下的性能变化。
BZT52C的温度范围为-55℃至150℃，在正常工作范围内，温度对稳压性能的影响较小。
三、BZT52C稳压二极管的应用领域BZT52C稳压二极管广泛应用于各类电子产品，如电源适配器、充电器、通信设备、家电控制电路等。
它可以为电路提供稳定的电压，保护电路免受电压波动的影响，保证设备的正常运行。
四、如何选择合适的BZT52C稳压二极管1.了解需求在选择BZT52C稳压二极管时，首先要了解电路的需求，包括工作电压、工作电流、稳定性要求等。
2.比较参数根据电路需求，挑选具有合适静态参数、动态参数和温度特性的BZT52C 稳压二极管。
注意比较不同品牌、不同型号的参数差异，以确保性能满足要求。
3.考虑品质与价格在满足性能要求的基础上，考虑品质和价格。
选择知名品牌、信誉良好的供应商，以确保产品质量和售后服务。
同时，合理控制成本，选用性价比高的BZT52C稳压二极管。
五、使用BZT52C稳压二极管的注意事项1.焊接时，注意焊接温度和时间，避免损坏稳压二极管。
2.安装时，确保接触良好，避免松动导致性能下降。
稳压二极管bzt52c参数
稳压二极管bzt52c参数（最新版）目录1.稳压二极管的概念与作用2.稳压二极管的特性3.BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数4.稳压二极管的使用方法与注意事项5.稳压二极管在实际应用中的优势正文一、稳压二极管的概念与作用稳压二极管，又称齐纳二极管，是一种利用 PN 结反向击穿状态工作的半导体器件。
稳压二极管的主要作用是提供稳定的电压，以保证电路中其他元件正常工作。
在电路中，稳压二极管可以作为稳压器或电压基准元件使用。
二、稳压二极管的特性稳压二极管具有以下特性：1.击穿电压：稳压二极管有一个临界反向击穿电压，当电压超过这个值时，二极管将进入击穿状态。
2.陡特性：在击穿电压范围内，稳压二极管的电压基本保持不变，即使电流变化很大。
3.温度稳定性：稳压二极管的击穿电压和陡特性受温度影响较小。
三、BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数BZT52C5V1S 是一款常见的稳压二极管型号，其参数如下：1.击穿电压：5V2.额定电流：50mA3.动态电阻：100MΩ4.静态电阻：500MΩ5.漏电流：小于 1nA四、稳压二极管的使用方法与注意事项1.稳压二极管应在直流电路中使用，不能直接用于交流电路。
2.稳压二极管的击穿电压应根据电路需求选择，以保证其在工作状态下具有稳定的电压。
3.稳压二极管在电路中可串联使用，以获得更高的稳定电压。
4.稳压二极管在使用过程中，应注意其最大电流和额定功率，避免超过其承受范围。
五、稳压二极管在实际应用中的优势1.结构简单：稳压二极管结构简单，制作工艺成熟，使用方便。
2.稳定性高：稳压二极管具有较高的电压和电流稳定性，可提供可靠的电压参考。
3.耐压能力强：稳压二极管具有较强的耐压能力，可保护电路免受电压波动的影响。
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600 BZT52C2V4 WX 600 BZT52C2V7 W1 600 BZT52C3V0 W2 600 BZT52C3V3 W3 600 BZT52C3V6 W4 600 BZT52C3V9 W5 600 BZT52C4V3 W6 500 BZT52C4V7 W7 480 BZT52C5V1 W8 400 BZT52C5V6 W9 150 BZT52C6V2 WA 80 BZT52C6V8 WB 80 BZT52C7V5 WC 80 BZT52C8V2 WD 100 BZT52C9V1 WE 150 WF BZT52C10 150 WG BZT52C11 150 WH BZT52C12 170 WI BZT52C13 200 WJ BZT52C15 200 WK BZT52C16 225 WL BZT52C18 225 WM BZT52C20 250 WN BZT52C22 250 WO BZT52C24 300 WP BZT52C27 300 WQ BZT52C30 325 WR BZT52C33 350 WS BZT52C36 350 WT BZT52C39 Note: 1.Device mounted on ceramie PCB:7.6mmx9.4mmx0.87mm with pad areas 25mm2. 2.Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. 3.When provided, otherwise,parts are provided with date code only,and type number identifications appears on reel only. 4.f=1KHz
Vz@Izr Izr Zzr@Izr Nom(V) Min(V) Max(V) mA 2.2 5 2.4 2.6 100 2.5 5 2.7 2.9 100 2.8 5 3.0 3.2 95 3.1 5 3.3 3.5 95 3.4 5 3.6 3.8 90 3.7 5 3.9 4.1 90 4.0 5 4.3 4.6 90 4.4 5 4.7 5.0 80 4.8 5 5.1 5.4 60 5.2 5 5.6 6.0 40 5.8 5 6.2 6.6 10 6.4 5 6.8 7.2 15 7.0 5 7.5 7.9 15 7.7 5 8.2 8.7 15 8.5 5 9.1 9.6 15 9.4 10 10.6 5 20 10.4 11.6 5 11 20 11.4 12.7 5 12 25 12.4 14.1 5 13 30 13.8 15.6 5 15 30 15.3 17.1 5 16 40 16.8 19.1 5 18 45 18.8 21.2 5 20 55 20.8 23.3 5 22 55 22.8 25.6 5 24 70 25.1 28.9 2 27 80 28.0 32.0 2 30 80 31.0 35.0 2 33 80 34.0 38.0 2 36 90 37.0 41.0 2 39 130
SYMBOLS
Value 0.9 500 305 -65 to +150
UNITS V mW
VF Pd RΘJA TJ,TSTG
C/W
C
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ TA=25C unless otherwise specified)
Type Number
Type Code
Zener Voltage Range (Note 2)
Maximum Zener Impedance (Note 4) Zzr@Izk Izk mA 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
Typical Temperature Test Current Coefficent @Izrc Min -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -2.7 -2.0 0.4 1.2 2.5 3.2 3.8 4.5 5.4 6.0 7.0 9.2 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 21.4 24.4 27.4 30.4 33.4 mV / C Max 0 0 0 0 0 0 0 0.2 1.2 2.5 3.7 4.5 5.3 6.2 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 13.0 14.0 16.0 18.0 20.0 22.0 25.3 29.4 33.4 37.4 41.2 @Izrc mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2
Maximum ratings (Tamb=25C unless otherwise specified) PARAMETER Forward voltage@IF=10mA Power dissipation (Note1) Thermal resistance, Junction to ambient air (Note1) Operating and storage temperature range
3.86(0.152) 3.56(0.145)
2.84(0.112) 2.54(0.100)
3.9(0.154) 3.7(0.146)
2.7(0.106) 2.6(0.102)
MECHANICAL DATA
.71(0.028) .50(0.020) .15(.006) MAX 1.35(.053) .94(.037) .135(.005) .127(.004) 0.6(.023) 0.5(.020) 1.15(.045) 1.05(.041)
【 领先的片式无源器件整合供应商BZT52C39
ZENER DIODE
SOD-123
1.80(.071) 1.40(.055) 1.65(.065) 1.55(.061)
FEATURES
Planar die construction 500mW power dissipation on ceramic PCB General purpose medium current Ideally suited for automated assembly processes
.25(.010) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case
Dimensions in millimeters and (inches)
Maximum Reverse Current Ir uA 50 20 10 5 5 3 3 3 2 1 3 2 1 0.7 0.5 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 Vr V 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 2.0 4.0 4.0 5.0 5.0 6.0 7.0 8.0 8.0 8.0 10.5 11.2 12.6 14.0 15.4 16.8 18.9 21.0 23.1 25.2 27.3
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
|样品申请单模板
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