集成电路的发展
(完整word版)集成电路发展史
集成电路发展史11集成电路的发展历史1—-1。
1世界集成电路的发展历史1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑； 1950年:结型晶体管诞生；1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年:场效应晶体管发明；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F。
M.Wanlass和C。
T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95％以上的集成电路芯片都是基于CMO S工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列（50门)；1967年：应用材料公司(Applied Materials）成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现;1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明;1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；1978年:64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临;1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后,IBM基于8088推出全球第一台PC；1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;1985年:80386微处理器问世，20MHz；1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI)阶段；1989年：1Mb DRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0。
集成电路的发展历程
集成电路的发展历程
集成电路的发展可以追溯到20世纪50年代初。
当时，电子学家开始面临着一个问题，即在电子设备中集成各种组件（如晶体管、电容器和电阻器）时，这些组件之间的互联非常复杂且耗时。
为了解决这个问题，人们开始寻找能够将多个组件集成到单一芯片上的方法。
在此后的几十年里，集成电路的发展经历了几个重要的阶段。
首先是小规模集成电路（SSI）的出现。
在SSI中，数十个组件可以集成到一个芯片上。
这种集成方法的出现极大地简化了电子设备的制造过程，使得设备更加小巧、可靠且更便宜。
接下来是中规模集成电路（MSI）的发展。
在MSI中，几百个组件可以集成到一个芯片上。
这种集成方法的出现进一步增加了电子设备的功能和性能。
例如，MSI使得计算机的处理能力大幅提高，打开了个人计算机的时代。
到了20世纪70年代，大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）开始出现。
在LSI中，数千个组件可以集成到一个芯片上，而VLSI进一步将数十万个组件集成到一个芯片上。
这种集成方法的出现极大地推动了计算机和通信技术的发展。
随着科技的不断进步，人们对集成电路的需求越来越高，这促使着集成电路的发展不断推入新的阶段。
例如，现在已经出现了超大规模集成电路（ULSI）和全球规模集成电路（GSI），其中ULSI可以集成数十亿个组件，而GSI更是可以集成数百
亿个组件。
总的来说，集成电路的发展历程可以概括为从小规模集成电路到中规模集成电路、大规模集成电路，再到超大规模集成电路和全球规模集成电路。
每一次的发展都极大地推动了电子技术的进步，并为人们的生活带来了巨大的便利和创新。
集成电路发展历程
集成电路发展历程第一阶段：20世纪40年代-50年代，集成电路的诞生与初步发展在二战后的年代，电子技术得到了迅猛发展，但传统的电子元器件（如管子、电容器、电感器等）的体积庞大、重量沉重，且耗电量较高。
这使得科学家迫切需要一种更小巧、更高效的电子元器件。
于是，在1949年，美国贝尔实验室的研究人员物理学家威廉·肖克利（William Shockley）发明了晶体管，实现了对电流的控制和放大功能，从而奠定了集成电路的基础。
第二阶段：20世纪60年代，集成电路的商业化与产业化随着集成电路技术的逐渐成熟，1961年德州仪器公司的杰克·基尔比首次将集成电路商业化，并于1962年开始批量生产。
随后，其他公司也纷纷加入到集成电路产业的竞争中。
集成电路的商业化和产业化导致了产量的大幅增加，使得集成电路逐渐成为电子行业的核心技术。
第三阶段：20世纪70年代-80年代，集成电路技术的快速发展与应用拓展到了70年代，固态电子器件的集成度不断提高，集成电路中的元件数逐渐增多，集成度也逐步提升。
1971年，Intel公司推出了第一款商用微处理器，引领了个人计算机时代的到来。
80年代，集成电路的应用领域不断拓展，电视机、计算机、通信设备等各个领域都开始广泛使用集成电路。
第四阶段：90年代至今，集成电路的微型化与功能集成随着科技的不断进步，集成电路的微型化和功能集成越来越成为主流趋势。
90年代以后，集成电路技术在芯片制造工艺、集成度、功耗和性能等方面取得了巨大的突破。
微型化的集成电路使得电子设备的体积大为减小，性能大幅提升。
如今，集成电路应用于手机、平板电脑、汽车、物联网等众多领域，为人们的工作和生活带来了极大的便利。
集成电路产业现状及发展趋势
集成电路产业现状及发展趋势1. 集成电路的基本概念说起集成电路，很多人可能会觉得它很高大上，其实它就是把好多电子元件“搬进”一个小小的芯片里。
这就好比把一群小伙伴聚在一起，大家一起玩耍，省时省力还节省空间。
想象一下，如果每个小伙伴都要单独玩，肯定会乱成一锅粥，但把他们都放在一个地方，不但能更好地合作，还能一起搞事情，效率倍增！如今，集成电路几乎无处不在，从我们的手机到汽车，再到冰箱，甚至是一些智能家居产品，都离不开它。
可见，这玩意儿在现代生活中扮演了多么重要的角色。
2. 产业现状2.1 发展现状如今，集成电路产业简直是风头无两，像是春天里的百花齐放，各种技术层出不穷。
数据显示，全球集成电路的市场规模已经达到万亿级别，这可不是小数字啊！而且，随着人工智能、物联网等新兴技术的崛起，对集成电路的需求更是如雨后春笋般冒出来。
就拿智能手机来说，现代的手机几乎可以说是集成电路的“移动博物馆”，各种功能、各种应用都离不开这些小小的芯片。
而且，集成电路的制造工艺也在不断升级，5纳米、3纳米的工艺层出不穷，让人眼花缭乱，简直是科技的奇迹。
2.2 行业竞争不过，话说回来，竞争也是异常激烈的。
就像一场没有硝烟的战争，各大企业为了争夺市场份额，拼得不可开交。
无论是英特尔、AMD还是国内的华为、台积电，都是各显神通。
谁都不想错过这个金矿，大家都在拼命加码研发，试图抢占先机。
市场上的产品更新换代速度也快得让人目不暇接，谁能在这场比赛中脱颖而出，真的是个难题。
3. 未来发展趋势3.1 技术革新谈到未来的发展趋势，首先得提提技术革新。
未来的集成电路会更加智能化，像是“未来科技感”的代名词。
比如说，量子计算、神经形态计算等新技术都有望在集成电路中大展拳脚。
想象一下，如果我们的电脑能像人脑一样快速处理信息，那可真是天上掉下来的馅饼，简直让人期待不已！而且，环保和节能也是大势所趋，如何让芯片在高性能的同时，更加节能降耗，是未来研发的重点。
集成电路产业现状及发展趋势
集成电路产业现状及发展趋势
中国集成电路产业正在发展，具有稳定而多元的产业结构，包括处理器、存储器、射频系统、电源管理芯片、数据采集系统、智能家居等多个
产品分类。
根据前期统计数据，集成电路行业的总产值2024年达到了619.6亿元。
从产业发展趋势来看，当前，工业自动化、智能家居、消费类移动设备、医疗设备及服务等应用领域正在大力发展，带动了集成电路的研发和
应用，对集成电路产业带来了活力。
另外，当前，政府的政策支持也在为集成电路产业的发展奠定基础。
从2024年“长江西部经济发展行动计划”，到2024年“中国制造2025”，以及2024年发布的“中国制造2025”，都有力地推动了集成电
路产业的发展。
未来，随着科技研发以及政府政策的提供，以及成本降低、应用普及、供应链优化等因素对集成电路产业造成更大影响。
集成电路产业将以更快
的速度发展，并蓬勃发展。
总的来说，集成电路产业的结构正在改变，新技术应用正在加速，未
来在政府支持下，集成电路产业将迎来更多的发展机遇，朝着更高的发展
方向发展。
集成电路发展历史
集成电路发展历史
集成电路是指将众多微小的电子元器件集成在同一个晶片上的电路，它是电子技术发展的重要里程碑之一。
以下是集成电路发展的几个阶段：1.1958年，第一块集成电路芯片由美国德州仪器公司发明。
这一阶段的芯片主要采用第一代技术，也称为“小规模集成电路”，通常集成10-20个晶体管。
2.1961年，集成度进一步提高，第二代集成电路出现，一般包含几百个晶体管。
3.1964年，第三代集成电路出现，集成度达到了几千个晶体管。
美国英特尔公司生产的4004微处理器就是这一时期的代表。
4.1971年，第四代集成电路出现，集成度已经上升到了数万个甚至几十万个晶体管。
这一阶段采用的工艺是互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺，极大地提高了集成电路的可靠性和稳定性。
5.1980年代以后，出现了大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）等技术，集成度更高，数量更多，体积更小，功耗更低，性能更强。
今天，集成电路的应用已经渗透到了各个领域，如计算机、手机、通讯、医疗、汽车等等，推动了人类社会信息化的进程，并成为现代科技发展的重要支撑。
集成电路的现状及其发展趋势
集成电路的现状及其发展趋势集成电路是现代电子领域中极为重要的一种电子元件，它在各种电子设备、通信设备、计算机及各种智能设备中发挥着关键作用。
随着科技的不断进步，集成电路领域也在不断发展和创新，不断推动着整个电子行业的发展。
本文将就集成电路的现状及其发展趋势进行探讨。
一、集成电路的现状集成电路是一种将数百万甚至数十亿个晶体管、电容器、电阻器等电子器件集成到一块芯片上的微电子器件。
目前，集成电路已经广泛应用于各种电子设备中，包括智能手机、平板电脑、电视机、汽车、医疗设备等。
随着人们对电子产品性能要求的不断提高，集成电路的功能和性能也在不断进化。
摩尔定律提出了集成电路的功能每隔18-24个月翻倍，使得集成电路的功能和性能不断提升。
集成电路的制造工艺也在不断进步，从最初的0.35微米工艺逐步发展到目前的7纳米工艺，使得芯片的功耗和体积得到了大幅度的缩小。
集成电路在技术和应用上都取得了长足的进步，成为电子行业的核心推动力量。
二、集成电路的发展趋势1.智能化随着人工智能、物联网、云计算等新兴技术的发展，对集成电路的智能化要求越来越高。
未来的集成电路将更加注重智能化和自主学习能力，能够适应各种不同的应用场景，并在其中发挥最大的效益。
智能手机需要更加智能的处理器芯片、更加节能的功率管理芯片；自动驾驶汽车需要更加精密的感知处理芯片、更加稳定的通信芯片等。
未来集成电路的发展趋势将向着智能化方向不断前进。
2.高性能和低功耗在移动互联网、大数据、云计算等新兴领域的发展下，对集成电路的性能和功耗也提出了更高的要求。
未来集成电路需要在提高性能的将功耗控制在最低限度。
这就需要在芯片制造工艺、结构设计、封装技术等方面不断创新，以实现高性能和低功耗的平衡，满足不同应用领域的需求。
3.多功能集成未来的集成电路将向着多功能集成的方向不断发展。
随着电子产品功能的不断增加，对芯片的功能集成也提出了更高的要求。
未来的集成电路不仅需要在性能和功耗上有所突破，还需要具备更多的功能，传感器接口、无线通信接口、图像处理接口等，以满足电子产品的多样化和个性化需求。
集成电路的发展历程
集成电路的发展历程1 微处理器的发展可编程的集成电路，又称为微处理器，由1971年最先进的Intel 4004开始，一直成为智能电子产品的必备技术。
Intel 4004有4位，包括有2300个晶体管集成在一个小正方形的芯片上，它可以完成算术和逻辑运算，可以用来控制数字设备的行为。
紧接着，8086和80286这两款微处理器的发布，成为微处理器的标志性产品。
这两款微处理器令PC变得简单，因此PC爆发式地变得普及，带动更多软硬件产品才获得了普及。
随着计算能力和芯片尺寸的不断提高，微处理器日益变得强大。
比如Intel Pentium处理器，它有更快的处理速度，并且支持多种计算机指令，能更加灵活地处理用户需求，具有更强的可编程性和模块化性，是衡量一种处理器的主流标准。
后来，Intel还发布了多款中超高性能的处理器，如Core 2 Duo，一次又一次地提高了微处理器性能。
2 个人主机的发展到了1994年，IBM发布了自己的个人电脑，可以说这是个人电脑被公认的里程碑。
个人电脑用软件控制硬件，被普遍使用，应用领域也更广泛。
主要面向的用户是可以安装各种软件进行数据处理的家庭和日常用户，把计算机硬件和软件部署在这些家庭和日常用户群体中。
这些定义了个人电脑所支持的功能和服务，如家庭办公和多媒体等。
3 智能手机的发展智能手机也是一种可编程集成电路，它把微处理器及一些其它元器件封装在一个板子上，形成一个智能系统，可以实现地图导航、语音识别等大量功能。
智能手机的发展从2000年开始，苹果(Apple)首款iPhone手机，是当时最具创新意义的无线移动终端。
此后，安卓(Android)智能手机也得以出现，彻底改变了人们使用手机的方式，使用户界面得到了极大的美化和优化，同时拥有更多的应用程序，使智能手机拥有了更多的功能性和实用性。
4 未来发展未来发展，微处理器将变得越来越强大，性能将变得不断提高，把更多的功能嵌入到可编程集成电路上，让其成为人类感知和运算的核心因素。
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集成电路发展历史以及趋势的探讨前言历史上第一个晶体管于60年前—1947年12月16日诞生于美国新泽西州的贝尔实验室(Bell Laboratories)。
发明者威廉·肖克利(William Shockley)、约翰·巴丁(John Bardeen)和沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)为此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。
固态半导体(solid-state)的发明使得之后集成电路的发明成为可能。
这一杰出成就为世界半导体产业的发展奠定了基础。
之后的60年里，半导体技术的发展极大地提升了劳动生产力，促进了世界经济的发展，改善了人们的生活水平。
美国半导体协会(SIA)总裁乔治·斯卡利思(George Scalise)曾经说过：“60年前晶体管的发明为这个不断发展的世界带来了巨大的变革，这一历史性的里程碑式的发明，意义不容小觑。
晶体管是无数电子产品的关键组成部分，而这些电子产品几乎对人类生活的各个方面都带来了革命性的变化。
2007年，全世界的微电子行业为地球上每一个男人、女人和小孩各生产出9亿个晶体管—总计达6,000,000,000,000,000,000(六百亿亿)个, 产业销售额超过2570亿美元”。
回顾晶体管的发明和集成电路产业的发展历程, 我们可以看到，60年前晶体管的发明并非一个偶然事件，它是在世界一流的专业技术人才的努力下，在鼓励大胆创新的环境中，在政府的鼓励投资研发的政策支持下产生的。
同时，我们也可以看到集成电路产业从无到有并高速发展是整个业界相互合作和共同创新的结果。
1.１发现半导体技术1833年，英国物理学家迈克尔·法拉第(Michael Faraday)在研究硫化银晶体的导电性时，发现了硫化银晶体的电导率随温度升高而增加这一“特别的现象”。
这一特征正好与铜和其他金属的情况相反。
迈克尔·法拉第(Michael Faraday)的这一发现使人们对半导体效应开始有了认识。
1874年，德国物理学家费迪南·布劳恩(FerdinandBraun)在研究晶体和电解液的导电性质时发现电流仅能单方向通过金属探头和方铅晶体的接触点。
费迪南·布劳恩(Ferdinand Braun)记录和描述了这一半导体二极管的“触点式整流效应”。
基于这个发现，印度加尔各答大学总统学院物理学教授博斯爵士(Jagadis Chandra Bose)提出了把“半导体晶体整流器”用作探测无线电波的应用并申请了专利(1901年)。
波兰出生的美国物理学家朱利叶(Julius Lilienfeld)在研究硫化铜半导体特性时，设想了一个三极半导体器件“场效应晶体管”，并在1926年提交了一项基于硫化铜半导体特性的三极放大器专利。
在以后的几十年中，人们一直尝试着去制作这样的器件。
半导体物理现象的发现，激发了人们对其理论上的研究。
1931年，当时在德国做研究的英国剑桥大学物理学家艾伦·威尔逊(Alan Wilson)发表了用量子力学解释半导体基本特性的观点并出版了《半导体电子理论》。
七年后，鲍里斯(Boris Davydov)(苏联)，莫特(Nevill Mott) (英国)和沃尔特(Walter Schottky) (德国)也独立地解释了半导体整流这一特性。
在20世纪30年代中期，美国贝尔实验室的电化学家拉塞尔(Russell Ohl)在研究用硅整流器件探测雷达信号时，发现硅整流器探测信号的能力随着硅晶体纯度的提高而增强. 并且，在1940年2月的一次实验中，拉塞尔(Russell Ohl)在测试一块硅晶体的时候。
惊奇地发现当硅晶体暴露在强光下电流会增大。
在此发现的基础上拉塞尔(Russell Ohl)提出了p-n结的概念和硅的光电效应理论，这一发现带来了以后结型晶体管和太阳能电池的发展。
1.2“触点式”晶体管的发明1945年初，威廉·肖克利(William Shockley)在美国贝尔实验室组织了一个固态物理研究组。
这个研究组除了从事其他研究之外，还开展试图用半导体替换不太坚固的真空管和应用于贝尔电话系统中的机电开关的研究。
同年4月，威廉·肖克利(WilliamShockley)基于几年前开发的锗和硅技术构想了一个“场效应”放大器和开关，但实验并不成功。
一年后，理论物理学家约翰·巴丁(John Bardeen)指出半导体表面的电子可能会阻碍电场渗入材料，从而抵消了任何效应。
约翰·巴丁(John Bardeen)与实验物理学家沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)一起开始研究这些“表面态”的特性。
1947年12月16日，他们的研究导致了第一个半导体放大器的成功。
约翰·巴丁与沃尔特·布拉顿使用一个塑料楔块将两个距离很近的金接触点固定到了小块高纯锗表面上，一个接触点的电压调制了电流流向另一个点，从而使得输入信号放大至100倍。
1.3晶体管名字的由来每一项新发明都需要一个名称，贝尔实验室最初设想了好几个，包括“半导体三极真空管”，“固态三极真空管”，“表面状态三极真空管”，“晶体三极真空管”，“Iotatron”等。
但最终采用了约翰·皮尔斯(John Pierce)提出的“晶体管”一词。
约翰·皮尔斯(JohnPierce)回忆说：“我之所以提出这个名字，着重考虑了该器件是做什么的。
那时，它本应该是电子管的复制品。
电子管有跨导，晶体管就应该有跨阻。
此外，这个器件的名称应当与变阻器，电热调节器等其它器件名称相匹配，于是我建议采用“晶体管”这个名字”。
1.4结型晶体管的诞生由于“触点式”晶体管脆弱的机械构造，生产和应用都受到限制。
美国贝尔实验室的威廉·肖克利(William Shockley)开始设想用p-n结效应研发一种新的晶体管结构。
基于对p-n结效应理论的理解，威廉·肖克利(William Shockley)提出带正电荷的“空穴”并不仅在表面运动，它们也应能渗透并穿过锗晶体，称作“少数载流子注入”，这个设想是结型晶体管能实现的关健。
基于此概念，结型晶体管可以由三个区域的材料组成：n-型/p-n结/p-型。
1948年实验取得了成功，威廉·肖克利(William Shockley)申请了专利并在1949发表了这一结果。
制作结型晶体管需要用大块的单晶锗，美国贝尔实验室的化学家戈登(GordonTeal)用锗的“晶种”从熔化的锗中拉伸单晶并用简陋的设备生长了大块单晶锗。
在这个过程中，戈登(Gordon Teal)与摩根·斯帕克斯(Morgan Sparks)发现p-n结可以通过在熔化的锗中“掺杂”的方法得到，他们协同制作了n-p-n 结型型晶体管。
这种“生长的p-n结型的晶体管”有着优良的特性。
1.5贝尔实验室授权晶体管技术二十世纪四十年代末到五十年代，为促进晶体管和其他固态器件的发展，美国贝尔实验室迸行了一项针对半导体技术的“基础性研发”项目。
在电气工程师杰克·莫顿(Jack Morton)的带领下，这一项目研发出了“区域提纯”以及生长大块单晶锗和单晶硅的技术。
实验室还研发了形成p-n结、半导体表面处理、固定金属连线的制造技术。
同时，实验室还研发了使用晶体管的逻辑电路及设备。
杰克·莫顿(Jack Morton)倡议贝尔实验室应与其他研究者和公司共享这项晶体管技术，因为贝尔实验室和其总公司AT&T能够从它人的技术进步中获益。
因此，在20世纪50年代他们主办了三次研讨会，让其他科学家和工程师参观了贝尔实验室，了解这项新的半导体技术的第一手资料。
其中1951年举办的第一次会议专门面向国防的应用。
2.1“集成电路”的发明当电子设备变得复杂时，人们开始寻找相对简单的方法把成千上万的晶体管、电阻、电容等连接起来。
1952到1957年期间，英国、日本和美国的科学家们都在做不同的尝试。
这些早期的“集成”并没有提供一个可以被广泛应用的”联接”方法。
1958年12月，德州仪器的杰克·基尔比(Jack Kilby)用蚀刻的方法在一块锗台面型p-n-p晶体管晶片上来形成晶体管、电容器和电阻器区域，并用细的金线将这些区连接起来以展示一个振荡点器的功能。
一周之后，他又用同样方法制作了一个放大器。
德州仪器于1959年3月宣布了“固态电路”的概念并于1960年3月介绍了其第一批商用器件，包括二进制触发器等。
然而，“细的金连线”并非是一个实用的生产方法，也无法解决辨认“线头”的问题。
这个方法被后来罗伯特·诺伊思(Robert Noyce)所发明的“金属蒸镀连线”方法所取代。
2.2平面工艺的发明导致了单片集成电路的发明在1959年，飞兆半导体的物理学家吉恩·霍尔尼(Jean Hoerni)为了解决台面晶体管的可靠性问题而发明了平面工艺，这个工艺的关键是用氧化层去保护p-n结的表面而不受污染。
这一发明使半导体生产发生了革命性的变化。
平面工艺制造的器件不仅显示了更佳的电性能–使用氧化保护层使漏电流显著降低，这对于计算机的逻辑设计极为关键。
它还使得只从晶圆的一面来制造一块集成电路的所有组件成为可能。
为了进一步开发平面工艺的其他用途，飞兆半导体的合作创立者罗伯特·诺伊思(Robert Noyce)构思了制作单片集成电路的想法。
通过在保护性氧化层上蒸镀铝金属线将分散在硅面上的电极、晶体管、电阻器和电容器互相连接起来。
这样，人们便可在单硅片上制造完整的电路。
用“蒸镀铝金属线”来取代“细的金连线”为杰克·基尔比(Jack Kilby)的固态电路提供了一个实用的方法。
罗伯特·诺伊思(Robert Noyce)在1959年申请了可以大规模生产的单片集成电路结构的专利。
随后，飞兆半导体的创立者之一杰伊(Jay Last)根据霍尔尼平面工艺和诺伊思单片集成电路结构的方法，在1960年成功研发了第一块商用集成电路–双稳态逻辑电路由4个晶体管和5个电阻组成。
3.1金属氧化物半导体(MOS)和互补型金属氧化物半导体(CMOS)的发明1959年，美国贝尔实验室的约翰·艾特拉(John Atalla)和道旺·卡恩(DawonKahng)研发了首个绝缘栅场效应晶体管(FET)。
他们的成功要素是通过控制“表面态”的影响使得电场能渗入半导体材料。
在研究热生长硅氧化层的过程中，他们发现在金属层(M–栅)，氧化层(O–绝缘)和硅层(S–半导体)的结构中,这些“表面态”会在硅和其氧化物的交接处大大降低。
这样, 加在栅上的电场能通过氧化层影响硅层，这就是MOS名称的由来。