集成电路工艺技术发展趋势
集成电路的现状及其发展趋势
集成电路的现状及其发展趋势随着科技的飞速发展，集成电路已成为现代电子设备的基石。
本文将简要介绍集成电路的发展现状，并从技术、市场、需求等多个角度探讨其未来发展趋势。
集成电路是一种将电路元件、半导体器件、电阻电容等组装在半导体芯片上形成电子系统的技术。
自20世纪50年代集成电路的诞生以来，其已经经历了数个发展阶段，从SSI（小型集成电路）到MSI（中型集成电路）再到LSI（大规模集成电路）和VLSI（超大规模集成电路），集成度不断提高，成为现代电子信息产业的基础。
据相关统计数据，全球集成电路市场规模已从2016年的1910亿美元增长至2020年的2690亿美元，年复合增长率达2%。
其中，亚太地区市场规模占比最大，其次是北美和欧洲。
中国作为全球最大的集成电路市场，市场规模不断扩大，成为全球集成电路产业的重要引擎。
集成电路产业链包括芯片设计、制造、封装和测试等环节。
目前，全球集成电路产业格局呈现多元化特点，芯片设计、制造、封装和测试环节相互独立，形成分工明确、高度专业化的产业链。
在中国，集成电路产业链各环节也得到了快速发展，但仍存在一定的短板，如芯片制造环节仍需提高自主创新能力。
从全球竞争格局来看，英特尔、三星和台积电等国际巨头在集成电路领域处于领先地位。
在中国，海思、紫光展锐、中芯国际等企业在国内集成电路市场中具有较强竞争力。
随着技术进步和市场需求的变化，竞争格局也会不断演变。
随着科技的不断发展，集成电路技术将不断进步。
在未来，技术创新将成为集成电路发展的关键驱动力。
例如，5G、人工智能、物联网等新技术的普及将推动集成电路向更高速、更低功耗、更小尺寸的方向发展。
三维封装、Chiplet等先进技术也将进一步提高集成电路的性能和集成度。
随着集成电路技术的进步，其应用领域也将不断拓展。
未来，集成电路将不仅应用于智能手机、计算机等传统领域，还将深入到智能家居、可穿戴设备、物联网等新兴领域。
同时，随着汽车智能化程度的提高，汽车电子领域也将成为集成电路的重要应用市场。
中国集成电路发展趋势
中国集成电路发展趋势
中国的集成电路（IC）产业在近年来取得了显著的发展，并且在国际上崭露头角。
以下是中国集成电路发展的趋势：
1.技术创新与研发投入：中国在集成电路领域的研发投入持续增加，涵盖了半导体工艺、设计、封装测试等多个领域。
中国在芯片制造、人工智能、物联网等领域进行了大规模投资，推动技术创新。
2.自主研发能力：中国政府和企业正在积极鼓励本土企业提高自主研发能力，减少对进口技术的依赖。
这包括开展国产化的芯片设计、制造和封装测试。
3.产业链完善：中国正逐渐完善整个集成电路产业链，包括芯片设计、制造、封装测试、设备、材料等多个环节。
这有助于提高国内集成电路产业的竞争力。
4.国际竞争力：中国的集成电路企业逐渐在国际市场上崭露头角，提高了自身的国际竞争力。
一些中国企业开始在全球范围内提供芯片和解决方案。
5.政策支持：中国政府一直在支持集成电路产业的发展，提供资金、税收政策和政策框架等支持，以吸引更多的投资和人才。
6.应用领域多元化：集成电路在各个领域都有广泛的应用，包括人工智能、物联网、云计算、自动驾驶等。
中国正积极探索并拓展不同领域的应用，以满足市场需求。
7.国际合作：中国与国际上的集成电路领域企业和研究机构进行合作，以促进技术交流和创新。
8.可持续发展：中国集成电路产业也越来越重视可持续发展，包括绿色制造、能源效率和环保措施。
总的来说，中国的集成电路产业正在迅速发展，取得了显著的成就。
政府、企业和研究机构都在共同努力，以推动这一产业的不断创新和增长。
随着技术的不断进步和国际市场的逐渐开放，中国集成电路产业有望继续壮大。
集成电路制造技术的发展趋势
集成电路制造技术的发展趋势
随着科技的不断发展和创新，集成电路制造技术也在不断地进步和完善。
以下是集成电路制造技术的发展趋势：
1. 前沿制造技术：随着半导体器件的尺寸越来越小，制造技术也在不断地进步。
现在，一些前沿技术已经开始应用于集成电路的制造中，例如：极紫外光（EUV）光刻技术、多重紫外光（MUX）光刻技术、三维集成电路等。
这些技术的应用可以提高集成电路的性能和制造效率。
2. 智能制造：智能制造是指利用现代化信息技术、先进的制造技术、智能化的生产设备和智能化的管理模式，实现制造业数字化、网络化、智能化的生产方式。
在集成电路制造中，智能制造可以提高制造效率和产品品质，降低制造成本和能源消耗。
3. 环保技术：随着环保意识的提高，环保技术也成为了集成电路制造的发展趋势之一。
例如：使用低温制造技术可以降低能源消耗和环境污染，回收利用废弃物料可以减少资源浪费和环境污染。
4. 精细制造：精细制造是指通过精细的加工和制造工艺，实现更高的制造精度和品质。
在集成电路制造中，精细制造可以提高集成电路的性能和可靠性，同时也提高了生产效率和降低了制造成本。
总之，集成电路制造技术的发展趋势是不断进步和完善，随着新技术的应用，集成电路的性能和制造效率将会不断提高，同时也会更加环保、智能化和精细化。
集成电路的现状及其发展趋势
集成电路的现状及其发展趋势集成电路（Integrated Circuit，IC）是由晶体管、电容、电感和电阻等电子元器件组成的电路在单个小硅片上的微细制造。
它的出现极大地推动了电子技术的发展，并为计算机、通信、电子产品等诸多行业提供了基础支持。
那么，集成电路的现状及其发展趋势是怎样的呢？就集成电路的现状而言，随着科技的进步和市场的需求，集成电路技术在各个方面都取得了巨大的成就。
目前，集成电路已经逐渐实现了小型化、高密度和高性能的发展。
传统的集成电路以硅作为材料，而近些年来，新型材料如石墨烯、碳纳米管等也开始应用到集成电路领域，为集成电路的发展开辟了新的道路。
集成电路的发展趋势主要体现在以下几个方面：1. 小型化和高密度：随着科技的进步，集成电路的尺寸越来越小，元器件的排列密度也越来越高。
尤其是在移动设备领域，对于更加紧凑和轻便的产品设计要求，集成电路必须不断追求小型化和高密度化。
2. 低功耗和低电压：随着节能环保理念的普及，集成电路在工作时需要尽量降低功耗和工作电压。
这就对集成电路设计提出了更高的要求，需要采用更加先进的工艺和设计方法，以实现低功耗和低电压运行。
3. 多功能化和高性能：随着科技的发展和市场需求的变化，集成电路需要具备更多的功能和更高的性能。
集成电路需要支持更高的数据传输速率、更低的时延、更强的信号处理能力等。
这就需要集成电路设计师不断创新和突破，提升集成电路的功能和性能。
4. 材料的创新和应用：为了满足集成电路对于小型化、高密度和高性能的要求，材料创新是非常关键的。
通过研发新型材料，如石墨烯、碳纳米管等，可以大大提升集成电路的性能和可靠性，并拓宽集成电路的应用领域。
5. 可编程和自适应：在未来的发展中，集成电路需要具备更高的智能化和自适应性能。
可编程逻辑器件可以根据不同的任务和需求进行自我调整和优化，提高系统的灵活性和效率。
集成电路作为现代电子技术的核心，其发展趋势主要体现在小型化、高密度、低功耗、多功能化、高性能、材料创新和自适应等方面。
集成电路技术发展趋势研究
集成电路技术发展趋势研究随着信息技术的不断发展，集成电路技术也在不断地更新和进步。
现在，我们已经进入了第五代集成电路的时代，而未来的集成电路技术发展也将会朝着更加高端和专业化的方向发展。
本文将会从三个方面来分析未来的集成电路技术发展趋势。
一、智能化智能化是未来集成电路技术发展的一个重要趋势。
智能化的核心在于将人工智能技术与集成电路技术相结合，实现设备智能化。
未来，随着人工智能技术的不断发展，集成电路技术将会在计算能力、存储空间和通信能力等方面得到更大程度的提升，从而实现更加高效和专业化的智能化应用。
例如，在智能医疗领域，集成电路的智能化应用可以实现更加精准的医疗诊断和治疗，以及更加高效的医疗管理和协同。
在智能家居领域，集成电路的智能化应用可以实现房屋和设备的智能控制和监测，以及各种家居设备之间的智能联动和互通，为现代家居生活带来更多的便利和舒适。
二、高速化高速化是未来集成电路技术发展的另一个重要趋势。
随着互联网、云计算和大数据等技术的不断发展，对于大规模数据处理和高速通信的需求也在不断增长。
未来的集成电路技术将会更加注重高速化和低延迟的特性，以更好地满足数据处理和通信的需求。
例如，在高速网络领域，集成电路的高速化应用可以实现更加快速和稳定的网络连接，从而提升网络传输的效率和质量。
在高速计算领域，集成电路的高速化应用可以实现更加快速和精准的计算，从而提高计算效率和精度，为现代科学研究和工程设计带来更多的便利和效益。
三、生态化生态化是未来集成电路技术发展的另一个重要趋势。
生态化的核心在于打造一个开放、合作和共享的生态系统，实现各种应用之间的互通和融合。
未来，集成电路技术将会更加关注生态化的特性，打造一个拥有多样性和可持续性的生态系统。
例如，在智能交通领域，集成电路技术的生态化应用可以实现不同交通设备之间的互通和互联，从而提高交通系统的效率和安全性。
在智能城市领域，集成电路技术的生态化应用可以实现不同城市设施和服务之间的共享和协同，从而提高城市的效能和居民的生活质量。
谈谈集成电路发展现状及未来趋势
谈谈集成电路发展现状及未来趋势
一、集成电路的发展现状
集成电路是当今电子工业的主要组成部分之一，是信息产业核心技术，已经在各个领域得到了广泛应用。
现在，集成电路的技术水平不断提高，生产规模逐年扩大，应用领域不断拓展，已成为国际竞争的重要
领域之一。
二、集成电路的未来趋势
1.工艺技术不断进步
集成电路从诞生之初就面临着大规模集成、高性能、高可靠性和低功
耗等方面的挑战。
未来，随着集成电路的应用领域越来越广泛，对工
艺技术的高要求也将更为明显。
2.应用场景进一步扩大
未来的集成电路将在人工智能、云计算、大数据处理等领域中得到更
为广泛的应用。
同时，无人机、智能家居、自动驾驶等新兴市场的爆
发也将进一步推动集成电路应用的发展。
3.芯片功耗追求更低
未来的集成电路不仅要求大规模集成，还将追求更低的功耗，为电子
设备的高效、低能耗运行提供更强的支持。
为此，将出现更多智能功
耗优化的技术和方案。
4.多元化的架构模式
未来的集成电路将朝着多核、多处理器和异构计算的方向发展，构建更加灵活、高效的架构模式。
这些新的架构模式将更好地适应不同领域和设备的需求，提高设备的计算和处理性能。
5.芯片安全不断提升
未来随着互联网的发展，芯片的安全环境也将更为复杂、艰巨，为了保证芯片的安全性，未来的集成电路制造业将依托更加安全的芯片设计和制造技术，提供更加安全的平台。
集成电路工程领域技术发展趋势
集成电路工程领域技术发展趋势集成电路工程领域一直以来都是电子科技发展的核心，随着科技的不断进步，集成电路工程领域也在不断发展和创新。
在本文中，我们将探讨集成电路工程领域的技术发展趋势。
随着物联网的兴起，集成电路工程领域将更加注重低功耗和高性能。
物联网设备需要长时间工作，因此低功耗的集成电路设计变得尤为重要。
同时，为了满足物联网时代海量的数据处理需求，集成电路的性能也需要不断提高。
因此，未来的集成电路设计将更加注重功耗和性能的平衡。
和机器学习的快速发展对集成电路工程领域提出了新的挑战和机遇。
算法对计算能力和存储能力的需求非常高，因此高性能的集成电路设计将成为重点。
随着神经网络的广泛应用，神经网络专用集成电路(ASIC)设计将成为一个重要的方向。
再者，随着5G通信技术的普及，集成电路工程领域将更加注重高速和低延迟的数据处理能力。
5G网络需要处理更多的数据，因此对集成电路的性能要求更高。
未来的集成电路设计将更加注重数据处理速度和延迟的优化。
另外，随着绿色能源和可持续发展的重要性日益增加，集成电路工程领域也将更加注重环保和可持续性。
集成电路制造过程中的材料选择和生产过程将对环境产生更少的影响。
同时，集成电路的设计和制造过程也将更加注重能源的高效利用。
随着摩尔定律的逐渐放缓，集成电路工程领域将更加注重创新和突破。
传统的集成电路设计和技术将逐渐达到物理极限，因此需要寻找新的设计和制造方法。
例如，三维集成电路设计、纳米级集成电路制造技术以及新型材料的研究将成为未来的重要方向。
集成电路工程领域的技术发展趋势包括低功耗和高性能的设计、和机器学习专用集成电路设计、高速和低延迟的数据处理能力、环保和可持续性、以及创新和突破。
这些趋势将对集成电路工程领域的发展产生重要影响，为未来的科技和创新提供更多可能性。
集成电路工程领域正迎来前所未有的发展机遇，这既是挑战也是突破的契机。
低功耗、高性能的设计要求使得工程师们必须对电路的每一个细节进行精心优化，以便在微小的芯片上实现更加强大的功能。
集成电路的制造工艺与发展趋势
集成电路的制造工艺与发展趋势集成电路是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、消费电子、汽车电子等领域。
随着科技的不断进步，集成电路制造工艺也在不断发展。
下面将详细介绍集成电路制造工艺与发展趋势。
一、集成电路制造工艺1. 掩膜制作：通过光刻技术，将集成电路的设计图案绘制在光刻胶上，然后通过曝光和显影等步骤，制作出掩膜。
2. 清洗和蚀刻：将掩膜覆盖在硅片上，然后进行清洗，去除表面的杂质。
接着进行蚀刻，将掩膜图案暴露在硅片表面。
3. 沉积：使用化学气相沉积、物理气相沉积等方法，在硅片表面沉积上一层薄膜，常用的有氮化硅、氧化硅等。
4. 电镀：通过电解方法，在薄膜上电镀上一层金属薄膜，如铜、铂等，用于导电和连接电路中的元件。
5. 线路化：使用光刻技术，在薄膜上绘制导线、晶体管等电路元件。
然后通过金属蒸镀或电镀方法填充导线，形成完整的电路结构。
6. 封装：将制造好的芯片封装在塑料或陶瓷封装中，以保护芯片并方便与外界连接。
二、集成电路制造工艺的发展趋势1. 微缩化：随着技术的进步，集成电路的元件结构和线宽越来越小。
目前，主流制造工艺已经实现亚微米级别的线宽。
微缩化使得芯片的性能提高、功耗降低，并能够把更多的电路集成在一个芯片中。
2. 三维集成：为了提高集成度和性能，三维集成成为未来的发展方向。
通过堆叠多层芯片，可以实现更高的密度和更快的信号传输速度。
3. 更环保的制造过程：随着人们对环境保护的意识增强，集成电路制造过程也在朝着更环保的方向发展。
研究人员正在探索替代有害化学物质的材料和工艺，以减少对环境的污染。
4. 更高的集成度：随着技术的发展，未来的集成电路将实现更高的集成度。
通过设计更多的功能和更复杂的结构，可以实现更多的应用和更好的性能。
5. 新材料的应用：为了满足更高的性能需求，研究人员正在开发新的材料，如石墨烯、二维材料等，以用于集成电路制造。
总结：集成电路制造工艺是实现电子产品中心处理器及其他电子元件的制造过程。
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22nm和45 m已进入大生产 16nm技术也已经开发完成，正在进入大生产，具备大生产的
条件。当然仍有许多开发与研究工作要做，例如IP模块的开 发，为EDA服务的器件模型模拟开发以及基于上述加工工艺的 产品开发等
在7nm 正在研发阶段，最关键的加工工艺—光刻技术还是一 个大问题，尚未解决
参数 器件尺寸L, W, tox等
电源电压 掺杂浓度 阈值电压
电流 负载电容 电场强度 门延迟时间
功耗 功耗密度 功耗延迟积
栅电容 面积
集成密度
CE(恒场)律 1/ 1/ 1/ 1/ 1/ 1 1/ 1/2 1 1/3 1/2 2
CV(恒压)律 1/ 1 2 1
1/
Si SiO2
扩散区
正胶光刻过程演示
1. 生长SiO2 2. 涂胶 3. 曝光 4. 显影 5. 腐蚀SiO2 6. 去胶
Si
SiO 2未曝光的正胶 已曝光的正胶
离子注入及退火过程演示 高能注入离子
1. 离子注入 2. 退火
Si
SiO2 未经退火的注入区 退火后的注入区
金属化过程演示
E
N
1.金属化层Ⅰ 2.金属化Ⅰ光刻 3.介质 4.介质光刻及平整化 5.金属化层Ⅱ 6.金属化Ⅱ光刻
倍，Cox增大了倍，因此，IDS缩小倍。门
延迟时间tpd为：
t
pd
VDS CL I DS
CL WLC ox
» 其中VDS、IDS、CL均缩小了倍，所以tpd也缩
小了倍。标志集成电路性能的功耗延迟积
PWtpd则缩小了3倍。
阈值电压不可能缩的太小 源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小 电源电压标准的改变会带来很大的不便
新材料技术
栅介质的限制
经验关系: LTox Xj1/3
硅化物
重掺杂多晶硅
SiO2
年份 技术 等效栅氧化层厚度(nm)
对栅介质层的要求
1999 2001 2003 2006 2009 2012 2015 0.18 0.15 0.13 0.10 0.07 0.05 0.02 4—5 2—3 2—3 1.5—2 <1.5 <1.0 <1.0
1/2
3 1/ 1/2 2
QCE(准恒场)律 1/ / / 2/ 1/ 1/ 3/2 3 2/3 1/2 2
» 氧化扩散 » 光刻 » 离子注入 » 金属化 » LPCVD二氧化硅淀积 » LPCVD多晶硅淀积
扩散过程演示
扩散源
能带结构的变化
Si BJT
能带变化 SiGe HBT
基区高掺杂条件 下仍然有高的电 子注入效率。
突破了普通Si器件增益、 频率、噪声之间不可调和 的矛盾关系，并附带优异 的负温度系数。
优异的模拟SiGe HBT+CMOS
=SiGe BiCMOS
=高性能模数混合信号电路！
以SiGe典型技术领头羊的IBM公司技术发展图
多层金属（如：Ti /TiN、W、CU等）互连 已在0.13um以下技术中使用；同时低介电 常数绝缘材料的使用对提高可靠性也是一 个支撑；
光互连是解决引线变细后带来的线电阻增 大问题的最佳途径。
互连技术与器件特征尺寸的缩小 （资料来源：Solidstate Technology Oct.,1998）
IC设计与制电造路技(I术C)水的平设的计提思高想， 是 IC规模越不来越同大的，，已它可是以微在一电个子技 芯片上集成术10领8~1域09的个晶一体场管革命。
系统芯片
System On A Chip
将(整简个称系SO统C集) 成在 一个微电子芯片上
电、光、 声、热、 磁力等 外界信 号的采 集—各 种传感 器
B
P N
C SiO2
LPCVD二氧化硅淀积
N+
LPCVD 多晶硅
N+
P+
P阱
热氧化SiO2
P+
N型衬底 LPCVD SiO2
二、集成电路国内外发展现状
25
二、国内外集成电路状况
国外发展迅速，公司很多，IBM、JAZZ、MAXIM、Infinen 、Conexant、On Semi、Philips 、Alcatel 、ST、Motorola、 NEC、ADI、Hitachi、AT&T Bell、 SiGe、AMS、NS、TI 、ADI、NXP、ATMEL、三星、TSMC......等公司
硅基集成电路 发展的基石
随着器件缩小 致亚50纳米
得以使微电 子产业高速 和持续发展
SiO2无法适应亚50纳米器件的要求
寻求介电常数大的高K材料来替代SiO2
14nm 5nm
21世纪硅集成电路技术的三个主要发展方向
特征尺寸继续等比例缩小（难度越来越大， 成本越来越高！）
集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)
半导体芯片上的晶体管数目每两年翻两番
存储器容量 60%/年 每三年，翻两番
10 G 1G
100 M 10 M 1M 100 K 10 K 1K 0.1 K
1970
1980
1990
2000 2010
芯片上的晶体管数目 微处理器性能每三年翻两番
1.E+9
1.E+8 1.E+7 1.E+6 1.E +5 1.E+4 1.E+3
在国家大力支持下，集成电路取得了长足的进步 ，国内集成电路产业销售突破了3000亿人民币， 2011年-2015年年均增长率达到了23%。为我国 集成电路产业的发展起到了重要的促进作用。
三、集成电路技术发展趋势
29
三、集成电路主要技术与发展趋势
» 支撑集成电路发展的主要技术：
特征尺寸继续等比例缩小 互连技术 SOI与SiGe技术 新材料
军用集成电路研制生产单位：航天771所、中国电科24所 、47所、58所，最细线宽达到了0.25微米，主要工艺是 CMOS、BICMOS、 CBIP、SOI CBIP、SOI CMOS工艺 ，研制生产高性能的集成电路产品（如抗加集成电路） 满足军用需要。
与国外有做较大的差距！
二、国内外集成电路状况
各位同学选择这个方向既是把握住了社会发展的主流方向，同时也是展 示自己才华的平台，好好努力！
MOSFET的基本结构和图形
n-MOSFET
G
G
p-MOSFET
» 1965年Intel公司的创始人之一Gordon E. Moore预言 集成电路产业的发展规律
集成电路的集成度每三年增长四倍 特征尺寸每三年缩小 2 倍
GPIO ,etc
第二代 第三代 将来
System On A Chip
集成电路走向系统芯片
IC的速度很高、功耗很小，但由于 PCB板中的连线延时、噪声、可靠 性以及重量等因素的限制，已无法 满足性能日益提高的整机系统的要求
在需求牵引和技术 推动的双重作用下分源自集成电路立元
IC
件 系统芯片(SOC)与集成
i80386DX:275,000
m68030:273,000
i80286:134,000 m68020:190,000
m68000:68,000 i8086:28,000 M6800:
4,000 i8080:6,000
i4004:2,300
’70 ’74 ’78 ’82 ’86 ’90 ’94 ’98 ’2002
栅介质的限制
Tox
t多晶硅耗尽
+ t栅介质层
+ t量子效应
由多晶硅耗尽效应引起的等效厚度 : t多晶硅耗尽 由量子效应引起的等效厚度: t量子效应
0.～5nm ～ 0.5nm
等效栅介质层的总厚度： Tox > 1nm + t栅介质层 限制：等效栅介质层的总厚度无法小于1nm
栅介质的限制
SiO2（＝3.9） SiO2/Si 界面
集成电路工艺技术发展现状与趋势
张正元
1
目录
一、概述 二、集成电路工艺发展现状
三、集成电路技术发展趋势 四、声光电公司集成电路发展思路
2
一、概述
3
集成电路是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战 略性、基础性和先导性产业。
2015年中国集成电路进口额达14303.4亿元，同比增加7%，出口金额达 4312.6亿元，同比增加15.4%。连续第六年远超过石油成为第一大进口商品。 贸易逆差持续扩大。
针对我国集成电路产业发展水平与国外存在较大差距，难以对构建国家产业 核心竞争力、保障信息安全等形成有力支撑。国家相继出台《集成电路发展推 进纲要》、《集成电路产业发展白皮书（2015版》等相关政策支持集成电路的 发展。
我国信息技术产业发展迎来了新的历史机遇，国家高度重视网络安全与 信息化建设，没有网络安全就没有国家安全，没有信息化就没有现代化。
变：恒定电场规律，简称CE律
等比例缩小器件的纵向、横向尺寸，以增加跨导和减少负载电容， 提高集成电路的性能
电源电压也要缩小相同的倍数
» 漏源电流方程：
W
I ds Cox s L
VGS VTH VDS VD2S
Cox
0 ox
tox
» 由于VDS、(VGS-VTH)、W、L、tox均缩小了
“Itanium”:15,950,000
Pentium II: 7,500,000 PowerPC620:6,900,000
i80486DPXPe:e1nn,t2tiu0iu0mm,0P:03r0o,3: 050,5,00m0006,08000P40oP:w1oe,w1r7eP0rCP,06C006010:24,:830,600,000,0000