14-7 基尔霍夫定律

吸收比受投入辐射影响
漫灰体
吸收比不受外界辐射影响 仅取决于物体本身特性
基尔霍夫定律升级版:
对于漫射灰体,吸收比恒等于同温度下的发射率。
3
不同层的表达式
基尔霍夫定律在不同层次的表达式:
层次
单色,定向 单色,半球 全波段,半球
数学表达式
λ (,,T)= λ(,,T) λ (T)= λ (T) (T)= (T)
基尔霍夫定律
发射率和吸收比的关系
发射率
黑体 Eb ,T1
基尔霍夫定律(1859) 绝对黑体(1862)
关系?
2
吸收比
任意物体 E , T2
,
热平衡:T1 T2 热量收支平衡:
E Eb
E
Eb
基尔霍夫定律
基尔霍夫定律:
热平衡时,任意物体对黑体投入辐射的吸收比等于 同温度下该物体的发射率。
成立条件
无条件 漫射表面 与黑体热平衡或漫灰表面
工程计算:
绝大多数工程材料可以近似为漫射灰体,同温度下发射率等于吸收比。
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《电路理论基础》学习指导(李晓滨) 第1章

《电路理论基础》学习指导(李晓滨) 第1章
参考方向的电流是无意义的。 电压:电荷在电路中的流动伴随着能量的交换,单位正
电荷由a点移动到b点所发生的能量的变化称为两点间的电压。
电压的正极性:高电位指向低电位,即电位降落的方向。 电压的参考极性:人为假定的电压正极性。 功率:某二端电路的电功率(简称功率)是该二端电路吸 收或产生电能的速率。
第1章 电路模型和基尔霍夫定律 3. 基尔霍夫定律
第1章 电路模型和基尔霍夫定律
图 1-4
第1章 电路模型和基尔霍夫定律
1.2 重点、难点
1. 吸收功率、产生功率
根据关联参考方向计算功率的公式为
P(t)=u(t)i(t) 若P(t)>0 则真正吸收功率; 若 P(t)<0 则实际放出(产生)功率。 根据非关联参考方向计算功率的公式为 P(t)=u(t)i(t)
可见,P发出=P吸收,满足功率平衡。
第1章 电路模型和基尔霍夫定律 (2) 在图1-7(b)中,设各支路电流分别为i1,i2,i3,其参
考方向如图1-8(b)所示。由元件约束关系有
2 1 1 i1 0.5A, i2 1A 2 1
节点A的KCL方程: i3=i2-i1=1-0.5=0.5 A
的元件。它是集总(集中)参数元件。
常用理想元件:电阻、电感、电容、电压源、电流源、 受控源等。
第1章 电路模型和基尔霍夫定律 2. 电路变量 电流:带电粒子的定向移动形成电流。电流的大小用电 流强度来衡量。 电流强度:单位时间内通过导体横截面的电荷量。 电流方向:正电荷移动的方向。
电流参考方向:人为假定的电流正方向。只有数值而无
图 1-10
第1章 电路模型和基尔霍夫定律 【解题指南与点评】 在图1-9(a)中,i1的值只与10 V电

传感器原理及其应用-第10章-红外传感器重点

传感器原理及其应用-第10章-红外传感器重点
红外热传感器的工作是利用辐射热效应。探测器件接收辐射 能后引起温度升高,再由接触型测温元件测量温度改变量,从 而输出电信号。与光子传感器相比,热传感器的探测率比光子 传感器的峰值探测率低,响应速度也慢得多。但热传感器光谱 响应宽而且平坦,响应范围可扩展到整个红外区域,并且在常 温下就能工作,使用方便,应用仍相当广泛。
第10章 红外传感器
10.2 红外传感器
红外传感器是将红外辐射能量的变化转换为电量变化的一种传 感器,也常称为红外探测器。它是红外探测系统的核心,它的 性能好坏,将直接影响系统性能的优劣。选择合适的、性能良 好的红外传感器,对于红外探测系统是十分重要的。
按探测机理的不同,红外传感器分为热传感器和光子传感器两
维恩公式比普朗克公式简单,但仅适用于不超过3000 K的温 度范围,辐射波长在0.4~0.75m 之间。当温度超过3000 K时, 与实验结果就有较大偏差。
从维恩公式可以看出,黑体的辐射本领是波长和温度的函数, 当波长一定时,黑体的辐射本领就仅仅是温度的函数,这就是 单色辐射式测温和比色测温的理论依据。
武汉理工大学机电工程学院
第10章 红外传感器
近年来,红外技术在军事领域和民用工程上,都得到了广泛 应用。军事领域的应用主要包括: (1) 侦查、搜索和预警; (2) 探测和跟踪; (3) 全天候前视和夜视; (4) 武器瞄准; (5) 红外制导导弹; (6) 红外成像相机; (7) 水下探潜、探雷技术。
10.2.1 红外光子传感器
红外光子传感器是利用某些半导体材料在红外辐射的照射下, 产生光电效应,使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性 质的变化,就可以确定红外辐射的强弱。
武汉理工大学机电工程学院
第10章 红外传感器
按照红外光子传感器的工作原理,一般分为外光电效应和内 光电效应传感器两种。内光电效应传感器又分为光电导传感器、 光生伏特(简称光伏)传感器和光磁电传感器3种。 (1) 大部分外光电传感器只对可见光有响应。可用于红外辐射 的光电阴极很少。S-1(Ag-O-Cs)是一种。它的峰值响应波长 是0.8 m,光谱响应扩展到1.2 m。目前外光电效应探测器只用 于可见光和近红外波长范围。

_基尔霍夫定律

_基尔霍夫定律

§10-4 含源电路欧姆定律 *基尔霍夫定律1. 一段含源电路的欧姆定律如果研究的电路中包含电源,则在欧姆定律中应包含非静电场强,即将欧姆定律的微分形式推广为)(k E E ���+=γδA BCRi R ,εI即kE E ���−=γδA BCRi R ,εI 电源放电电源充电积分得∫⋅B A l E ��d l E l B Ak B A ����d d ⋅−⋅=∫∫γδ欧 姆A BC RiR ,εI A BCRi R ,εI 电源放电电源充电∫⋅BA l E ��d lE l l B A k B C C A ������∫∫∫⋅−⋅+⋅=d d d γδγδ 电源放电时,电流密度与积分方向相反;电源充电时,电流密度与积分方向相同,且BA BA V V l E −=⋅∫��d ε−=⋅=⋅∫∫l E l E C A k B A k ����d d SI =δ代入上式,则一段含源电路的欧姆定律εγγ++=−∫∫)d d (B C C A B A SlI S l I V V ∓∫⋅BA l E ��d l E l lB A kB C C A ������∫∫∫⋅−⋅+⋅=d d d γδγδε++=−)(i B A IR IR V V ∓A BCRi R ,εI A BCRi R ,εI 电源放电电源充电电流与电动势方向相同时,取负号,反之取正号。

上式称为一段含源电路的欧姆定律。

一段含源电路的欧姆定律•若I =0,则i B A IR V V −=−ε电源放电,端电压低于电动势。

iB A IR V V +=−ε电源充电,端电压高于电动势。

•若R =0,则ε=−B A V V 电路断开,端电压等于电动势。

•若AB 接在一起,形成闭合电路,则ABRiR ,εIiR R I +=εiR R +总电阻 闭合电路中的电流等于电源的电动势与总电阻之比。

一段含源电路的欧姆定律•一段含多个电源的电路的欧姆定律ABC 2R 22,i R ε1I 1R 3R 2I 3I 11,i R ε33,i R ε∑∑−=−εIR V V B A 正负号选取规则:任意选取线积分路径方向,写出初末两端点的电势差;电流的方向与积分路径方向相同,电流取正号,反之为负;电动势指向与积分路径同向,电动势取正号,反之为负。

第14章线性动态电路的复频域分析

第14章线性动态电路的复频域分析

18
(3) 电容C
时域形式:u(t)
=
1 C
t
i(t) dt + u(0-)
0-
取拉氏变换并应用线性和积分性质
得运算形式:U(s)
=
1
sC
I(s)
+
u(0-)
s
或者写为: I(s) = sCU(s) - Cu(0-)
1/sC称为C的运算阻抗。 I(s)
sC为C的运算导纳。 + 1
u(0-)为C的初始电压。 U(s)
0-
0-
(3)指数函数 f(t) = eat (a为实数)
ℒ [d(t)]=1
F(s) =

eat e-st dt =
0-

e-(s-a)t dt =
0-
1 -(s-a)
e-
(s-a)t
∞ 0-
ℒ [eat]=
1 s-a
2024年1月27日星期六
6
§14-3 拉氏反变换的部分分式展开
用拉氏变换求解线性电路的时域响应时,需要把 求得的响应的拉氏变换式反变换为时间函数。由 象函数求原函数的方法有
得运算形式:U(s) = sLI(s)-Li(0-)
或者写为:
I(s)
=
1
sL
U(s)
+
i(0-)
s
sL称为L的运算阻抗
I(s)
1/sL称为运算导纳 +
I(s)
i(0-) 为L的初始电流 U(s) 由上式得电感L的
运算电路如图。
-
sL
+
- U(s)
Li(0-) +
-
1
sL i(0-)

(电机学)第十四章 拉普拉斯变换-091216

(电机学)第十四章  拉普拉斯变换-091216
第 十 四 章
线性动态电路的复频域分析
2014-12-29
浙江工业大学信息学院
1
主 要 内 容
拉 普 拉 斯 变 换
拉氏 变换 基本 性质
拉氏 反变 换的 部分 分式 展开
运 算 电 路
应用 拉氏 变换 分析 线性 电路
2014-12-29
浙江工业大学信息学院
14- 2
§14-1 拉氏变换的定义
例: 求下列函数的原函数
F (s)
F (s)
s 1 s 3 2s 2 2s
解:
s 1 s 1 A B C s 3 2s 2 2s s ( s 1 j )( s 1 j ) s s 1 j s 1 j
其中系数:A s F (s)
t2 tn
A/ s
1 e
t
A s A s(s )
e
t
sin(t )
et cos(t )
tet
sin(t )
s2 2
s s2 2 1 s2
(s )2 2 s (s )2 2
1 (s )2 s (s )2
若时间函数f (t) 的拉氏变换为F (s) ,则f (t) 的导数 f (1) (t)的拉氏变换为: £ £
如果f(t)代表电容电压或电感电流,则它们导数的象函数 中的第二项便是uc(0-)或iL(0-),即动态元件的初始状态。 二阶导数f (2) (t)的拉氏变换为:
£
n 阶导数f (n) (t)的拉氏变换为:
浙江工业大学信息学院
14- 14
五、复频域平移性质
若时间函数f (t) 的拉氏变换为F (s) ,则将f (t) 乘以eat后得拉氏变换为的拉氏变换为: £

电工基础题库-复杂直流电路

电工基础题库-复杂直流电路

第三章复杂直流电路[知识点]1.支路节点回路网孔的概念2.基尔霍夫定律3.支路电流法4.叠加定理5.戴维南定理6.两种电源模型及等效变换[题库]一、是非题1.基尔霍夫电流定律是指沿任意回路绕行一周,各段电压的代数和一定等于零。

2 .任意的闭合电路都是回路。

3 .理想电压源和理想的电流源是可以进行等效变换的。

4 .电压源和电流源等效变换前后电源内部是不等效的。

5 .电压源和电流源等效变换前后电源外部是不等效的。

6.在支路电流法中用基尔霍夫电流定律列节点电流方程时。

若电路有m个节点,那么一定要列出m个方程来。

7 .回路电流和支路电流是同一电流。

8.在电路中任意一个节点上,流入节点的电流之和,一定等于流出该节点的电流之和。

9.在计算有源二端网络的等效电阻时,网络内电源的电动势可去掉,电源的内阻也可不考虑。

10 .由若干个电阻组成的无源二端网络,一定可以把它等效成一个电阻。

11 .任意一个有源二端网络都可以用一个电压源来等效替代。

12.用支路电流法求解各支路电流时,若电路有 n条支路,则需要列出n-1个方程式来联立求解。

13 .电路中的电压、电流和功率的计算都可以应用叠加定理。

14.如果网络具有两个引出端与外电路相连,不管其内部结构如何,这样的网络就叫做二端网络。

15 .在任一电路的任一节点上,电流的代数和永远等于零。

二、选择题1.某电路有3个节点和7条支路,采用支路电流法求解各支路电流时,应列出电流方程和电压方程的个数分别为A 、3, 4B 、4, 3C 、2, 5D 、4, 72.如图所示,可调变阻器 R获得最大功率的条件是A、1.2ΩB、2ΩC 、3 ΩD、5Ω3.实验测得某有源二端线性网络的开路电压为 6V,短路电流为2A,当外接电阻为3Ω,其端电压为A 、2VB 、3VC、4VD、6V4.在上题中,该线性网络的开路电压为 6V,短路电流为2A,当外接电阻为( )时,可获得最大功率。

A 、1 ΩB 、2ΩC、3 ΩD、4Ω5.上题中,该有源二端线性网络等效为一个电压源的电压为A 、2VB 、3VC、4VD、6V6.把图示电路用电流源等效替代,则该电流源的参数为A 、3A,3 ΩB 、3A,4ΩC、1A,1 ΩD、1.5A,4Ω7.上题电路用电压源等效替代,则电压源的参数为A 、9V,3 ΩB 、1V,1 ΩC、3V,4ΩD、6V,4Ω8.如图所示网络N1 、N2,已知I1=5A, I2=6A,则I3为A 、11AB 、-11AC、1AD、-1A9.如图所示,电流I的值为A 、1AB 、-2AC、2AD、-1A10 .上图中, Us的值为A 、3VB 、-3VC、2VD、-2V11.下面的叙述正确的是A、电压源和电流源是不能等效变换的B、电压源和电流源等效变换后,内部是不等效的C、电压源和电流源等效变换后,外部是不等效的D、以上说法都不正确12.电路如图,所示该电路的节点数和支路数分别为A 、3, 5B 、3, 6C、4, 6D、4, 513 .如图所示, A、B两点间的等效电压是A 、-18VB 、18VC、-6VD、6V14 .上题中, A、B两点间的等效电阻是A 、0 ΩB 、3 ΩC、6ΩD、不能确定15.电路如图所示,电流I为A 、0AB 、2AC、-2AD、4A三、填空题1.基尔霍夫电流定律指出流过任一节点的为零,其数学表达式为;基尔霍夫电压定律指出从电路上的任一点出发绕任意回路一周回到该点时为零,其数学表达式为。

《电路》第五版邱关源第十四章


sp1 sp2
spn
f( t) K 1 e p 1 t K 2 e p 2 t K n e p n t
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待定常数的确定: 方法1
K i F ( s ) ( s p i)s p i i 1 、 2 、 3 、 、 n
(s 令 s p =1 p)1F (s) K 1 (s p 1 ) s K 2 p 2 s K n p n
F(s) ∞ f (t)estdt
0
f (t)
1
c
j∞
F
(s)est
ds
2πj c j∞
正变换 反变换
简写 F ( s ) L f ( t ) , f ( t ) L - 1 F ( s )
s 复频率 sj
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注意
① 积分域
0
0 0
积分下限从0 开始,称为0 拉氏变换 。 积分下限从0 + 开始,称为0 + 拉氏变换 。
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F (s)N D ( (s s) )a b 0 0 s s m n a b 1 1 s sm n 1 1 b a n m(n m )
讨论
象函数的一般形式
(1)若D(s)=0有n个单根分别为p1、 、 pn
利用部分分式可将F(s)分解为
待定常数
F(s)K 1 K 2 K n

t0
f(tt0)estdt
令tt0

f(
)es(t0)d
0
est0

f(
)esd
0
est0F(s)
延迟因子
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例2-5 求矩形脉冲的象函数。 解 f(t) ε (t) ε (t T )

§1—7基尔霍夫定律(1)

习题11—3 根据图1-29所示参考方向和数值确定各元件的电流和电压的实际方向,计算各元件的功率并说明元件是吸收功率还是发出功率。

(a) (b)(c) (d)图1—291—4 在图1-30所示电路中(1)元件A吸收10W功率,求其电压U a;(3)元件C吸收—10W功率,求其电流i c;(5)元件E发出10W功率,求其电流i e;(7)元件G发出10mW功率,求其电流i g;(1) (3) (5) (7)图1-301—5 求图1-31所示各电路中未知量。

(a)(b) (c)图1-311—9 在图1-35所示参考方向和数值下,求(1) 图(a)电路中电流I;(2) 图(b)电路中各未知支路电流;(3) 图(c)中各未知支路电压。

(a) (b)(c)图1-351—11 求图1-37所示电路中电压U1、U ab、U cb。

图1-371—13 求图1-39所示电路中电压U1和电流I2。

图1-391—14 求图1-40所示电路中电压U s和电流I。

图1-40习题22—l 电路如图2-22所示,已知R1=1Ω,R2=2Ω,R3=4Ω,求各电路的等效电阻R ab.(c)(d) (e)(f)图2-222—3 电路如图2-24所示,已知R=2Ω,求开关打开和闭合时等效电阻R ab。

图2-242—9 电路如图2-30所示:(1)开关K打开时,求电压U ab;(2)开关K闭合时,求流过开关电流I ab。

(a)图2-302-13 求图2-34所示各电路的最简单的等效电路.(a)(b) (c)图2-342—14 求图2-35所示各电路的最简单的等效电路。

(b)(d)(f)图2-352-18 求图2-39所示各含受控源电路的输入电阻R i。

(b)图2-392-19 求图2-40所示各电路中的电压比Uσ/ U s。

(b)图2-402-23 电路如图2-44所示,求:(1)如果电阻R=4Ω,计算电压U和电流I。

(2)如果电压U=− 4V,计算电阻R。

电子元器件与电路基础学习辅导与练习第2版参考答案

电子元器件与电路基础学习辅导与练习参考答案项目1 认识电路任务1一、填空题1.电流电源负载导线2.供给其他形式3.化学机械太阳的光4.用电设备用电器应用电5.光机械热6.输送和分配铜线和铝线7.控制保护8.通路开路短路9.闭合有10.开路未接成一处或多处没有11.不经负载大许多倍烧毁二、选择题1.B 2.D. 3.A 4.C. 5.A 6.A 7.D 三、判断题1.√2.×3.×4.×5.√四、综合题1.略2.略任务2一、填空题1.定向运动定向运动强弱2.电荷量时间3.A mA μA4.5×1035×1065.正电荷相反6.方向大小和方向7.大小和方向大小方向8.DC —AC ~9.电场力10.V kV mV11.10000 5×10-312.高电位点低电位点降低电压降13.伏特表电压14.并联极性15.安培表电流16.串联极性17.多用途广量程直流电压直流电流交流电压18.刻度盘操作面板电阻调零量程选择开关19.通电测量20.最高21.正极负极22.正极负极23.OFF交流电压最高挡24.振动机械冲击25.电位差26.零任意大地公共点机壳27.相对有关不变无关28.0 -1.5V 1.5V 0 1.5V 1.5V 1.5V 0二、选择题1.C 2.A 3.D 4.B 5.B三、判断题1.×2.×3.√4.√5.×6.×7.√8.√四、综合题1.略2.略3.略4.略任务3一、填空题1.电击电伤2.电击3.局部灼伤电烙印4.流过人体的电流大小5.接触或接近6.单相触电两相触电7.单相触电两相触电8.动作迅速救护得法9.脱离电源10.拉挑切拽11.口对口人工呼吸人工胸外挤压二、选择题1.B 2.D 3.D 4.D 4.C三、判断题1.×2.×3.√4.√5.×6.√7.×8.√9.√10.√四、综合题1.略2.略项目2 识别与检测电阻器任务1一、填空题1.阻碍Ω2.47003.金属或非金属分压分流限流4.长度截面积5.不能改变R6.碳膜7.金属膜精密8.锑和锡200kΩ100kΩ9.电阻丝镍铬、锰铜陶瓷塑料10.阻值阻燃11.电位器半可变电位器12.22Ω±5% 100W13.51kΩ±5% 10W14.1kΩ15.240Ω±1%16.56kΩ±5%17.±1% ±5%18.3:419.1/420.超导超导体21.电阻值应变式压变式二、选择题1.D 2.B 3.C 4.C 5.B 6.D 7.A 8.B 9.C 10.B 12.D 13.A 14.B 15.C 16.A三、判断题1.×2.√3.√4.×5.×6.×7.×8.×四、综合题1.略2.略3.75m任务2一、填空题1.电阻调零2.金属部分3.3.0k4.绝缘程度兆欧表二、选择题1.C 2.D 3.C 4.B三、判断题1.√2.×3.×4.×四、综合题1.略2.略任务3一、填空题1.电位器电阻器2.碳膜线绕光敏3.普通高温小型4.±5%5.国家规定的阻值系列标称阻值标称阻值6.±5%~±10% 精密7.温度大气压交流或直流最大8.不能大于功率容量二、选择题1.C 2.A 3.D 4.C 5.C三、判断题1.√2.×3.√4.×四、、综合题1.略2.略项目3 认识电阻器电路任务1一、填空题1.外电路内电路2.电源力V3.负极(低电位点)正极(高电位点)4.1.5V5.电场力电流电其他形式电能6.J kW•h7.3.6×1068.电流做功单位时间9.W10.60J 1W11.1A 3V12.额定电压额定功率 1.8 kW•h13.9.1A 24.2Ω 2 kW 10 kW•h14.1.92 kW•h 30.5元15.5216.正比 反比 RU I = 17.6mA 12 mA 18.100Ω 100Ω 19.220V 20.2A 21.线性 线性 22.常数 欧姆定律 23.线性 线性 24.不是 不符合 ※25.非线性 敏感※26.温度 光线的强弱 电压 湿度 ※27.伏安法 ※28.分流 大 小 ※29.小 小 ※30.分压 大 大 ※31.小 大32.电源电动势 总电阻 rR EI += 33.1A 5.5V 12A 0 ※34.1:1 ※35.0.1A 1Ω 二、选择题1.A 2.D 3.D 4.B 5.D 6.D 7.B 8.C ※9.D ※10.B ※11.D ※12.A ※13.C 14.A 15.A 16.B 17.D 18.B 19.D 20.C 21.D 22.B ※23.B ※24.B 三、判断题1.√ 2.× 3.× 4.× 5.√ 6.× 7.√ 8.√ 9.× 10.× 1 1.× 12.× 13.√ 14.√ 15.× 16.× 17.√四、综合题※1.(1)3.63A 4.55A (2)39 kW•h (3)11.82A※2.(1)576 kW•h (2)305.28元3.40V4.1Ω5.16V 1Ω6.12V 1Ω7.2V 0.1Ω※8.(1)100Ω(2)101.01Ω(3)增大任务2一、填空题1.大于2.1000Ω3.5Ω 2V4.0.5A 25V5.1:3 1:1 1:36.电流正7.176V 44V 48.0.8A 6.4W 12.8W※9.30V※10.55kΩ※11.1A 19V 19W※12.串联2Ω二、选择题1.A 2.C 3.B 4.A 5.D 6.C 7.B 8.A 9.C ※10.B ※11.C ※12.B ※13.B ※14.D ※15.B 三、判断题1.√2.×3.×4.√5.×四、综合题1.100V2.(1)2A 60V 110V 50V (2)4A 120V 0 100V3.(1)4 串(2)略(3)并4.28.8Ω5.2.5kΩ27kΩ任务3一、填空题1.小于2.10Ω3.电压反4.1:1 1:3 1:35.12Ω6Ω6.3Ω7Ω7.6Ω8.2:1 1.8W※9.0.2A※10.并联1Ω※11.30V 0.6A二、选择题1.D 2.D 3.B 4.B 5.B 6.D ※7.A ※8.D ※9.A ※10.B ※11.C三、判断题1.×2.×3.×4.√四、综合题1.80Ω0.5A2.(1)16Ω8Ω(2)2W (3)3:23.0.5Ω4.电流表可能烧毁任务4一、填空题1.2.4Ω2.3Ω0.67A 10V※3.15W※4.-12V※5.-4V※6.10V-4V14V0※7.4Ω※8.2Ω10.125W二、选择题1.B 2.B 3.B 4.D 5.B ※6.D ※7.A ※8.D ※9.C ※10.B ※11.A三、判断题1.√2.×3.√4.√5.×四、综合题1.(1)7.2Ω(2)12Ω2.(1)6Ω3Ω(2)20Ω7.2Ω3.(1)6A(2)54V4.(1)1A (2)20V (3)6.67W※5.(1)11V (2)1V (3)-1V(4)-11V※6.-2V※7.-6V-3V※8.(1)1Ω 1.125W(2)3Ω0.75W任务5一、填空题1.3 5 62.节点电流 节点 流入节点电流 流出节点电流 ΣI i =ΣI o 3.电流代数和 ΣI =04.回路电压 闭合回路 各段电压的代数和 ΣU =0 5.各电阻上电压降 各电源电动势 ΣRI =ΣE 6.节点 闭合曲面 7.欧姆定律 基尔霍夫定律 8.n -1 m -n +1 9.相同 相反 10.-5A11.-1A 2V 1A 12.-2A 0 1.2A ※13.电压源 电流源 ※14. I S =rE 不变 并 E =rI S 不变 串※15. 开路电压 等效电阻 ※16. 短路 开路 ※17. 外电路 内电路 ※18. 12V 12Ω 4V ※19. 10V 2.5Ω※20. 线性电阻 电流(或电压) 电流(或电压)的代数和 ※21. 线性 二、选择题1.D 2.B 3.C 4.B ※5.C ※6.B ※7.A ※8.A 三、判断题1.√ 2.√ 3.√ 4.× 5.√ 6.× 7.× 8.× 9.× 10.× 四、综合题1.2A 3A 3A2.54W 1.8A 1.5A 0.3A3.5A -3A 2A4.30W 60W5.6A 4A 3A6.2A 3A 0.8A 1.2A 3.8A 0.8A※7. -2.5A项目4 电容器识别与应用任务1一、填空题1.电容彼此绝缘极板介质2.储存电荷3.电荷量电压4.1×1061×10125.C16.10μF 10μF 10μF7.不可改变C8.无极性有极性9.负液体电解质正10.正负介质11.稳定小好接近高精密12.电极电容纸13.陶瓷材料电极高频瓷介低频瓷介14.介质电极15.云母电极板16.聚苯乙烯薄膜金属箔或金属化薄膜17.介质比例18.可以改变大较小19.100μF 450V20.4700pF21.2000pF ±20% 12kV22.负※23.介电常数极板面积两极板间的距离※24.高速度快效率高无污染长※25.8V 4×10-6 C二、选择题1.C 2.D 3.B 4.B 5.B 6.B 7.D 8.A 9.A 10.C 11.C 12.B 13.A ※14.C ※15.D ※16.B ※17.C ※18.A ※19.B ※20.A三、判断题1.√2.×3.×4.√5.√6.×7.×8.×9.√10.×四、综合题1.1.2×10-22.略任务2一、填空题1.R×1k R×1002.几百千欧3.内部断路容量太小内部短路4.R×10k 无穷大漏电严重内部击穿※5.R×10k二、选择题1.C 2.D 3.D三、判断题1.√2.×3.×四、综合题 1.略 2.略任务3一、填空题 1.主称 电容器 2.瓷介 云母 纸介 3.无极性 金属膜 微调 4.铝电解电容器 5.63V ~160V6.额定工作电压 最大值 7.±10% 二、选择题1.B 2.A 3.A 4.C 三、判断题1.× 2.√ 3.× 4.× 四、综合题 1.略 2.略 3.略任务4一、填空题1. 2121C C C C 2. 小于 越小 3. 两端电压之和 反 4. 20µF 2000V 5. 1.2µF 4.8V 7.2V6. 串联7. C1225V8. 300V150V16.7µF600V※9. 储存释放※10.储能耗能二、选择题1.C 2.C 3.B 4.A 5.B三、判断题1.√2.√3.×4.×5.×6.×7.√四、综合题1.不能安全使用500V2. (1)1µF (2)20V 40V 60V任务5一、填空题1. C1+C22. 大相等3. 耐压最小的电容4. 500µF400V5. 1.2×10-4C 2.4×10-4C30µF16V6. 1.6×10-3C3×10-3C7. 电容耐压※8. 1.08×10-2J 3.24×10-2J二、选择题1.B 2.B 3.B 4.C 5.B三、判断题1.√2.×3.√4.√5.×四、综合题1.(1)6.67µF 75V (2)30µF 50V2. S断开,4.8µF S闭合,5µF项目5 识别与检测电感器任务1一、填空题1.绝缘导线自感量电感线圈线圈2.隔离滤波3.漆包线纱包线塑皮线串联L4.空心电感线圈绝缘管绝缘管5.空心电感器6.磁心磁棒大滤波7.可调电感线圈磁心位置8.高频阻流圈很小高频9.很大细10.直标法数码法色标法11.4.7mH 700mA12.μH※13.铁、钴、镍磁体※14.天然磁体人造磁体※15.两N S※16.排斥吸引※17.N※18.电荷运动二、选择题1.C 2.B 3.B 4.D 5.C 6.C 7.C 8.D ※9.B ※10.C三、判断题1.√2.×3.×4.×5.√6.×7.×8.×任务2一、填空题1.磁帽2.较小较大3.绝缘电阻无穷大※4.磁化铁磁性非铁磁性※5.铁磁性二、选择题1.D 2.C三、判断题1.×2.×3.√任务3一、填空题1.主称电感器2.特征高频3.形式小型4.硅钢片铁心铁氧体磁心高频铁氧体磁心空心5.最大※6.磁场感应电流※7.磁通※8.本身电流自感※9.线圈本身的特性尺寸匝数有无大小※10.铁心磁心※11.储能储存磁场能量※12.正正※13.互相垂直二、选择题1.A 2.C 3.D ※4.C ※5.C ※6.B ※7.D ※8.A 三、判断题1.√ 2.× 3.× 4.√ 5.× 6.√四、综合题1.略 2.略项目6 认识单相交流电路任务1一、填空题1.正弦 最大数值 范围 振幅 峰值 2.10A 3.有效 有效 4.220 V 311 V 5.周期 T s 6.频率 Hz f =T1 7.角频率 ω=2πf 8.50 Hz 0.02s 100π rad/s 9.0.02s 50 Hz 100π rad/s 10.初相位 11.6π 12.2202V 220V 100π rad/s 50 Hz 0.02s6π1102V 13.1002A 100π rad/s 50 Hz 1002sin (100πt -45°)A 14.i =102sin (100πt +6π)A15.反相16.1102V17.50 Hz 502V -60°18.欧姆u与i电压同相19.10W20.0.02A 200V21.484Ω25W22.80W二、选择题1.B 2.C 3.C 4.B 5.D 6.B 7.C 8.A 9.B 10.D 11.C 12.D 13.D 14.A 15.D 16.D17.A 18.B 19.B 20.A ※21.A ※22.B ※23.D 三、判断题1.×2.√3.√4.×5.×6.×7.√8.×9.×10.√四、综合题1.(1)1613Ω(2)0.136A (3)7.5W2.(1)2.2A (2)i=2.22sin(100πt)A (3)484W (4)略任务2一、填空题1.阻碍感抗X LΩ2.正正3.直流交流低频高频4.3.14Ω 62.8Ω5.1.47A6.318var 07.超前8.减小二、选择题1.A 2.C 3.A 4.C 5.B 6.B 7.B 8.B 三、判断题1.√ 2.× 3.× 4.× 5.× 四、综合题1.(1)7A 1540var (2)0.7A 154var 2.(1)2.75A (2)略 (3)605 var任务3一、填空题1.电源频率 电容量 2.31.8Ω 1.59Ω 3.125var 0 4.欧姆 滞后 5.增大 6.贮能 耗能 二、选择题 1.D 2.D 三、判断题1.× 2.× 3.× 4.× 5.× 四、综合题1.(1)6.92A (2)1522var (3)略 2.(1)4.4A 4.4A 4.4A (2)4.42sin (1000 t +3π)A 4.42sin (1000 t -6π)A 4.42sin (1000 t +65π)A(3)968W 0 0 968 var 0 968 var任务4一、填空题 1.电流 电流 2.U L -U C U R 3.电压 4.I =ZUUI cos φ UIs in φ UI 5.电感 电容 电阻6.50Ω 53.1°4.4A 580.8W 774.4var 968V A 电感 7.-90°<φ<90° 电路参数R 、L 、C 和电源频率 8.电感 44Ω 60°550W 952.6var 1100V ●A 0.5 9.I =ZUu 比i 超前φ UI cos φ UIs in φ UI 10.10V 11.减小12.0.6 12Ω 51mH 13.10V 10V 14V 14.5A 2V15.电感性 电阻性 纯电容 二、选择题1.B 2.C 3.B 4.D 5.C 6.C 7.B 8.B 9.C 10.C 11.A 12.C 13.C 14.B 15.C 16.D 17.C 18.C 三、判断题1.× 2.× 3.√ 4.√ 5.× 6.× 7.√ 8.√ 四、综合题1.(1)5Ω (2)44A (3)176V 440V 308V (4)7744W 5808var 9680V A (5)0.82.(1)2.2A 176V 132V 264V 387.2W 电容性 (2)2.2A 176V 132V 0 387.2W 电感性 3.(1)50Ω (2)4.4A (3)580.8W 4.60Ω 25.5mH5.(1)100Ω (2)2.2A (3)387.2W (4)0.8 6.55.2μF任务5一、填空题 1.电阻 2.X L =X CLC21CL R 13.L C R 4.小 大5.电源电压 电源电压的Q 倍 6.200V 40 7.电感8.选择性 通频带 二、选择题1.B 2.B 3.C 4.B 5.D 6.C 7.B 8.D 9.A 三、判断题1.× 2.√ 3.× 4.√ 5.√ 6.× 7.× 8.× 四、、综合题1.(1)2kHz (2)5mA (3)100 (4)1V2.(1)314Ω (2)0.2mA (3)1mV 62.8mV 62.8mV 3.(1)0.5A (2)1256V 4.(1)30V (2)180W※项目7 认识三相交流电路任务1一、填空题1. 三相交流发电机2. 最大值频率相位3. 相序4. 黄、绿、红黑或白5. 星形联结中性点或零点中性线或零线相线或火线6. 三根相线和一根中线低压配电三根相线高压输电7. 线电压相电压U L=3U P8. 线电压220V二、选择题1.B 2.B 3.D 4.C三、判断题1.×2.×3.√4.×5.√任务2一、填空题1. 三相负载三相电炉2. 大小相等性质相同三相不对称负载3.中线电流4. 三相三线三相四线5. 使不对称负载两端的电压保持对称6. 1307. 190V8. 08A2A9. 2.2A 2.2A220V380V10. 08.66A8.66A11. 人身设备12 保护接地13. 保护接零二、选择题1.C 2.D 3.A 4.B 5.A 6.A 7.B 8.A 9.A10.D 11.B三、判断题1.×2.√3.√4.√5.√6.√7.×8.√9.×四、综合题1.(1)220V (2)22A 22A (3)8.7kW2.(1)220V 4.4A 2.9kW(2)0 190V 190V 0 3.8A 3.8A3.(1)1.25A 1.25A (2)1.25A 1.25A (3)190V 190V 4.(1)正常工作(2)变暗(3)烧毁5.(1)中性线接地线相线(2)略任务3一、填空题1. I L=3I P U L=U P2.额定电压3. 220V 380V4. 13.2A7.6A380V380V5. 5.77A10A 5.77A08.66A8.66A6. 37.17.32A300W0.68. 变压器低压侧中性点二、选择题1.C 2.D 3.C 4.A 5.D 6.C 7.C 8.B 9.D三、判断题1.√2.×3.×4.×5.√四、综合题1.(1)380V (2)38A 66A (3)26.1kW2.0 19A 19A 19A 19A 32.9A3.(1)38A 22A (2)17.3Ω4.(1)22A 14.5kW 22A 14.5kW (2)44A 29kW5.略项目8 识别与检测二极管任务1一、填空题1.导体绝缘体硅锗2.三空穴空穴3.很小导通很大截止单向导电4.一单向导电整流检波5.VD6.交流电脉动直流电7.硅半导体整流二极管硅桥式整流器8.解调高频或中频低频信号或音频信号检波效率频率特性9.齐纳反向击穿区10.发光二极管光11.负※12.较小高频小电流※13.负二、选择题1.D 2.A 3.B 4.B 5.C 6.B 7.D 8.A ※9.B三、判断题1.×2.×3.√4.√5.×6.√7.×8.×9.√10.×11.√任务2一、填空题1.正2.好3.几千欧几百欧4.开路5.正负硅锗※6.正向微亮※7.二极管二、选择题1.C 2.C 3.B 4.C 5.D 6.D ※7.B三、判断题1.√2.×3.√4.×5.×6.×四、综合题1.略2.略任务3一、填空题1.电极数目二极管2.材料和特性P型锗材料3.类型整流管4.美国美国5.平面硅电源整流6.点接触型锗限幅箝位开关调制7.基准电压源过电压8.锗硅9.正常工作二、选择题1.B 2.B 3.B 4.A 5.D 6.C三、判断题1.×2.√3.√4.×5.√6.×7.×8.√四、综合题1.略2.略3.略项目9 识别与检测三极管任务1一、填空题1.三极管电流电流电流放大开关2.基集电发射 b c e3.两三三两4.N N P5.NPN PNP NPN PNP6.低频高频7.大于3MHz 大于1W 功率驱动放大8.截止饱和断开导通9.基极发射电阻电子开关10.集电发射二极管11.基极b 发射极e 集电极c12.基极b 发射极e 集电极c。

《电工学》14秦曾煌主编第六版下册电子技术第14章


(14-15)
§14.2 PN 结及其单向导电性
PN 结的形成
在同一片半导体基片上,分别制造P 型 半导体和 N 型半导体,经过载流子的扩散, 在它们的交界面处就形成了PN 结。
(14-16)
内电场越强,漂移运动 就越强,而漂移的结果 使空间电荷区变薄。
漂移运动
P型半导体
内电场E N型半导体
---- - - ---- - - ---- - - ---- - -


N型硅

P型硅 N型硅
C (a)平面型
E 铟球
P B N型锗
P 铟球
C
(b)合金型
常见:硅管主要是平面型,锗管都是合金型
(14-38)
发射结 集电结
发射极
E
N PN
集电极 C
发射区 基区 集电区 B 基极
+4
在其它力的作用下, 空穴可吸引附近的电子 来填补,其结果相当于 空穴的迁移,而空穴的 迁移相当于正电荷的移 动,因此可认为空穴是 载流子。
自由电子:在晶格中运动;空穴:在共价键中运动
(14-10)
本征半导体中电流由两部分组成:
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
心,而相邻四个原子位于四面体的顶点,每个原子与 其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电子。
硅和锗的晶 体结构:
(14-5)
硅和锗的共价键结构
+4表示除 去价电子 后的原子
+4
+4
+4
+4
共价键共 用电子对
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