电磁场数值分析作业

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工程电磁场数值分析试题

工程电磁场数值分析试题

工程电磁场数值分析试题一、一同轴电缆,内导体(铜)外半径为0.01m,外导体(铜)内半径为0.03m,外导体厚度为0.003m,内外导体间有两层电介质,一层电介质为聚乙烯(13rε=),另外一层电介质为聚氯乙烯(26rε=),两层电介质厚度均为0.01m,内导体电位为5kV,外导体电位为0V。

(1)试用有限元法求内外导体间的电位和电场强度分布,(2)求此电缆中最大场强的位置和最大值,能否击穿电介质或发生局部击穿,(3)在不击穿的前提下,此电缆能承载的最大电压为多少?分析:参数设置:铜相对介电常数ε=1,电阻率ρ=1e-7Ω/m聚乙烯相对介电常数ε=3,电阻率ρ=1e+13Ω/m聚氯乙烯相对介电常数ε=6,电阻率ρ=1e+14Ω/m(1)其中电位分布及场强分布如下:通过定义路径(-0.033,0)到(0.033,0)分析其场强分布如下图:电压分布如下图:(2)从图中可以看出其场强最大值位于内导体外半径附近处取得距离内导体圆心0.0132m处取最大值422728V/m。

聚乙烯击穿场强为35-50MV/m,聚氯乙烯击穿场强为20-35MV/m,计算可知无法击穿电介质。

(3)聚乙烯击穿场强为35-50MV/m,聚氯乙烯击穿场强为20-35MV/m,按最小值计算理论上0.01m距离上其耐压分别为350kv和200kv,所以电介质不会被击穿。

如不击穿理论上应能够承压200kv。

二、一同轴电缆,内导体(铜)外半径为0.01m,外导体(铜)内半径为0.03m,外导体厚度为0.003m,内外导体间有一层电介质,电介质为聚氯乙烯(26ε=),电介质厚度均为0.02m,内导体电位为5kV,外导体电位为0V。

(1)试用有限元法求内外导体间的电位和电场强度分布,(2)求此电缆中最大场强的位置和最大值,能否击穿电介质或发生局部击穿,(3)在不击穿的前提下,此电缆能承载的最大电压为多少?(4)通过一题和二题的对比,说明同轴电缆的内外导体间用一层还是二层电介质比较好,为什么?分析:参数设置:铜相对介电常数ε=1,电阻率ρ=1e-7Ω/m聚氯乙烯相对介电常数ε=6,电阻率ρ=1e+14Ω/m (1)其中电位分布及场强分布如下:通过定义路径(-0.033,0)到(0.033,0)分析其场强分布如下图:电压分布如下图:。

西安电子科技大学 研究生 电磁场数值分析期末考试题

西安电子科技大学 研究生 电磁场数值分析期末考试题

西安电子科技大学何超电磁场数值分析考点1:矩量法的一般过程(算子方程、离散化过程、选配过程、矩阵方程求解)。

给定算子方程和基函数,采用伽略金法,计算阻抗矩阵和激励电压矩阵,从而求得电流系数矩阵,即得到方程的近似解。

(矩阵维数一般为2×2,或3×3,便于计算)。

1/link?url=oRwkn_6gajdEKC3YUFvvipOKLuZJXnVk43odUwyDWYRao nT1SlZLKEq9PCQba5xPYg_7mXpK8pZW0R-_RfT5EOXLvj0BKqKmQ6cfXMuW8P7有3个矩量法例题考点2:ScaLAPACK 的矩阵分布方式。

给定进程网格,矩阵分块大小,要求能写出按ScaLAPACK矩阵分布方式,每个进程对应的矩阵元素。

?1 并行矩阵填充在PC集群系统中MPI并行矩量法研究36 37考点3:temporary block column 对active block column 分解产生的影响.对于当前活动列块(即正在进行LU分解的列块),要能够分析其左侧临时列块对其LU分解所产生的影响。

?英文书写得很详细了啊45--55有lu分解将系数矩阵A转变成等价两个矩阵L和U的乘积,其中L和U分别是下三角和上三角矩阵。

当A 的所有顺序主子式都不为0时,矩阵A可以分解为A=LU,且当L的对角元全为1时分解唯一。

其中L是下三角矩阵,U是上三角矩阵。

4阶矩阵的LU分解[1]高斯消元法见数值分析教材考点4:积分方程的建立要求掌握EFIE 、MFIF 、PMCHW(电场、磁场、表面积分方程)根据等效原理建立的过程,即对于给定的问题(PEC (理想导体)或介质)能根据等效原理建立积分方程(不要求写出场的位函数表达式,主要考察方程建立的思想)。

看矩量法的书那个英文书只有EFIE 等效原理EFIE考点 5:RWG 基函数考察 RWG 基函数的 表达式,以及其 特点,对于给定的一个三角形网格图要能够标出哪些地方( 公共边上) 存在基函数。

《电磁场问题数值算法》经典习题解答

《电磁场问题数值算法》经典习题解答
《电磁场问题数值算法》学习经典习题
吕波
矩量法
问题:求解金属圆柱在水平入射均匀平面波照射下,面电流分布及由此产生的远 区散射场分布。 分析:可将面电流密度用脉冲函数展开,即:
N J sz i i (r r i ) ……………………………………………………(1-1) i 1
它表示把导体横截面的周界分成 N 个小段, 且设每一个小段中的面电流密度 i 作 均匀分布。这样算子方程为:
jk ( x j cos i y j sin i )
(j=1,2,…,N)……………………(1-8)
Matlab 源程序如下:
%矩量法计算圆柱散射 %copyright by lvbo % clear; yita=120*pi%自由空间波阻抗 freq=5*10^8%频率为 500MHz k=(2*pi*freq)/(3*10^8)%该频率的传播常数 N=100%将圆柱导体横截面的周界 l 分成 N 个小段 r=0.1%圆柱导体的半径为 0.1 detaL=2*pi*r/N%每个小段的长度 2003,6,24
Hx1=zeros(N+1,N); Hy1=zeros(N,N+1); %迭代后新时刻场量值 Ez2=zeros(N+1,N+1); Hx2=zeros(N+1,N); Hy2=zeros(N,N+1); %设置脉冲源 tao=2*10^-10;%高斯脉冲的宽度 t0=tao/2%高斯脉冲峰值出现的时刻 deltaL=L/N;%空间间隔要求 deltaT=tao/(4*N);%时间间隔要求 t=0;%可以修改 t 的值一观察不同时刻的电磁场 %迭代过程 for dc=1:1000%迭代的次数 ca=1;%迭代系数 cb=deltaT/yps; cp=1; cq=deltaT/u; %激励源加入 It=exp(-4*pi*(t-t0).^2/(tao^2)); %非边界场值迭代 clear i j; for i=1:(N+1) for j=1:N Hx2(i,j)=cp*Hx1(i,j)-cq*(Ez1(i,j+1)-Ez1(i,j))/deltaL; end end clear i j; for i=1:N for j=1:(N+1) Hy2(i,j)=cp*Hy1(i,j)+cq*(Ez1(i+1,j)-Ez1(i,j))/deltaL; end end clear i j; for i=2:N for j=2:N

数值分析方法在电磁场计算中的应用

数值分析方法在电磁场计算中的应用

数值分析方法在电磁场计算中的应用电磁场是物理学中最重要的一部分之一,它广泛应用于现代工业、交通、通信、能源和医疗设备等领域。

因此,研究电磁场的行为对于建立新技术和改进现有技术非常重要。

不过由于电磁场是一个非线性的动态系统,因此分析它的行为非常困难。

为了解决这个问题,我们需要数值分析方法来帮助我们更好地理解电磁场的行为。

电磁场的计算方法有很多种,常见的有有限元法、有限差分法等等。

本文将着重介绍有限差分法在电磁场计算中的应用。

有限差分法是经典的数值计算方法,它是一种数值求解偏微分方程的方法。

它的基本原理是将要求解的偏微分方程转化为差分方程,然后利用计算机来求解这个差分方程。

有限差分法的求解过程是离散化的,因此它更便于计算机的处理,同时它的数值误差也比较小。

有限差分法在电磁场计算中的应用非常广泛。

我们可以利用有限差分法来计算电磁场的强度、分布、辐射等参数。

下面我们将介绍一些在电磁场计算中使用有限差分法的实例。

首先,我们来看一个简单的电磁场问题:平面电容器之间的电场强度。

在这个问题中,我们需要求解电场的分布情况。

我们可以利用有限差分法来求解这个问题。

将计算区域离散化成若干个网格点,然后利用电场的高斯定理,将它的积分式子转化为差分式子,最后用差分方程来求解电场值。

在电磁场计算中,还有一些需要注意的问题。

首先是边界条件的处理。

由于有限差分法是一种离散的方法,因此我们需要在计算区域的外部放置边界条件。

这些边界条件包括电场的值、电势的值、电荷密度等等。

其次是计算精度的问题。

由于有限差分法是一种数值方法,因此它的计算精度有时会受到误差的影响。

我们可以通过适当地选择网格点的数量和大小来提高计算精度。

总体来说,有限差分法在电磁场计算中的应用非常广泛,并且具有很好的计算效果。

在实际应用中,我们需要根据具体问题选择合适的数值计算方法,并且在计算时注意处理边界条件和计算精度的问题。

工程电磁场数值分析(有限差分法)

工程电磁场数值分析(有限差分法)

进一步的参考书:
胡之光. 电机电磁场的分析与计算. 北京:机械工业出版 社,1989
从有限差分法看数值解的基本思想
离散解(数值解)的概念
方程的离散——化无限维问题为有限维问题 (化微分方程为代数方程组,借助计算机求解)
解的离散——离散点上的数值解
数值法的一般步骤
求解区域的离散(前处理) 方程的离散 代数方程组的求解 离散数据的分析(后处理)
h
2
F0
对所有的节点都建立一个方程,N 个 齐次第二类边界条件 节点有 N 个未知数,建立 N 个方程。
③ 求解线性代数方程组
N个方程联立成为线性代数方程组
[ A][ ] [ F ]
求解得到节点上的电位值。
④ 后处理
计算电场强度E,
Ex 0
1 3
2h
Ey
0
2 4
2h
绘制场图;计算电容、受力、能量分布等。
一些实际需要考虑的问题
精度问题与计算量
媒质交界面条件问题
边界条件处理问题
不规则网格问题
三维问题
有限差分法是最古老、最直观的一种数值方法,直至现
在仍有强大的生命力,在许多学科领域广为应用。在电磁场 领域,目前最受关注的是时域有限差分法(Finite Difference Time-Domain Method, FDTD)和有限体积法(Finite Volume Method, FVM)。
各种数值方法的不同之处
在于离散方程所依据的原
理不同,从而导致方程求
解技术、求解效率、适用 对象等的不
有限差分法(Finite Differential Method,FDM) 是基于差分原理的一种数值计算法。其基本思想是: 将场域离散为许多小网格,用差分代替微分,用差商 代替求导,将求解连续函数 的泊松方程的问题转换 为求解网格节点上 的差分方程组的问题。

数值分析求解电磁场问题

数值分析求解电磁场问题

《数值分析》课程设计课程设计报告一、实验目的通过设计,使得学生熟悉和掌握所学习的数值分析理论知识和运算方法,并掌握相关的程序设计方法,培养学生基于程序设计运用理论能力。

1. 巩固和掌握数值分析理论课程所学习的理论知识。

2. 学习和掌握基于MATLAB解决问题的基本方法和程序设计方法。

二、实验原理MATLAB 作为一款优秀的程序仿真开发工具,集科学计算、图像处理和声音处理于一体,具有许多突出优点:(1)功能强大。

主要包括数值计算和符号计算、计算结果和编程可视化、数字和文字统一处理、离线和在线计算,针对不同领域提供了丰富的工具箱。

还具有可扩展的特征,用户可根据自己的需要任意扩充函数工具库。

(2)界面友好,编程简洁、效率高。

MATLAB 是一种以矩阵为基本单元的可视化程序设计语言,语法结构简单,数据类型单一,指令表达和标准教材的数学表达式相近。

(3)强大的绘图功能。

具有强大的二维、三维绘图功能,可以直观的从图形衡量程序的效果,这是任何其它语言无法比拟的。

(4)简单好学。

特别适合于初学者和需要快速创建应用程序的用户,用户可以在短时间内掌握其主要内容和基本操作。

正是由于其强大的功能和广泛的适用性,MATLAB 才得到了用户的普遍认可,在自动控制、信号处理、神经网络等诸多方面,都有广泛的应用。

电磁场数据获取系统中,往往涉及大量的数值计算,这些数据可从电磁场数值计算模拟和实验测试获得。

但是手工计算结果往往会很繁琐、甚至出现错误,徒手绘制图形,则更加复杂。

然而,利用MATLAB复数运算功能则可以方便的将计算结果显示出来。

另外,采用MATLAB 语言,能够直观地模拟和演示各种电磁现象,给出直观的图像,更加形象、精确、可视性很强。

三、数学模型静电场场量的计算和场图的绘制是求解电磁场问题的基础,在涉及到矢量的积分时求解极其复杂,但如果应用MATLAB 进行辅助求解绘图时则很容易方便。

本设计建立数学模型如下:已知空间电位分布为:V (x,y,z)=log(x2+y2),计算空间各点电场,并画出电位线和电力线。

电磁场数值分析期末

电磁场数值分析期末

《电磁场数值分析》(期末作业)--- 2019学年 ---学院:学号:姓名:联系方式:任课教师:2019年5月作业1模拟真空中二维TM 电磁波的传播,边界设置为一阶Mur 吸收边界,观察电磁波的传播过程。

波源为正弦函数:sin()sin(2)25z t cE t n t ωπ==∆代码: clc clear close allxmesh =150; ymesh =150;mu0=4*pi*1.0E-7; eps0=8.85E-12;C= 3.0E8; dx=1.0; dt=0.7*dx/C; timestep=150; ez( 1:xmesh+1,1:ymesh+1 ) = 0.0; hx( 1:xmesh+1,1:ymesh ) = 0.0; hy( 1:xmesh,1:ymesh+1 ) = 0.0;coef1 = dt/( mu0 * dx ); coef2 =dt/( eps0 * dx );coef3=(C*dt-dx)/(C*dt+dx); ez1=ez;for now = 1 : timestephx = hx - coef1 * ( ez( :, 2 : ymesh+1 ) - ez( :, 1 : ymesh ) ); hy = hy + coef1 * ( ez(2 : xmesh+1, : ) - ez(1 : xmesh, : )); ez( 2 : xmesh , 2 : ymesh ) = ez( 2 : xmesh , 2 : ymesh ) - ... coef2 * ( hx( 2 : xmesh, 2 : ymesh ) - hx( 2 : xmesh , 1 :ymesh - 1) ) + ...coef2 * ( hy( 2 : xmesh ,2 : ymesh ) - hy( 1 : xmesh - 1,2 : ymesh) );ez(1,:)=ez1(2,:)+coef3*(ez(2,:)-ez1(1,:));ez(xmesh+1,:)=ez1(xmesh,:)+coef3*(ez(xmesh,:)-ez1(xmesh+1 ,:));ez(:,1)=ez1(:,2)+coef3*(ez(:,2)-ez1(:,1));ez(:,ymesh+1)=ez1(:,ymesh)+coef3*(ez(:,ymesh)-ez1(:,ymesh +1));ez( xmesh/2+1, ymesh/2+1) = sin( now * dt * 2 * pi * C / 25.0 ); mesh(ez);pause(0.05)ez1=ez;end结果与分析:第10时间步第100时间步第150时间步作业2基于Pocklington方程用MoM分析半波对称振子天线:观察天线线径和分段数目分别取不同值对天线阻抗和辐射特性的影响(半径分别取0.001λ,0.0001λ,0.00001λ,分段数取11,21,31,可列表说明)代码:clear all; close all; clc;% 初始化参数c=3e8; % 光速r=1 % 波长f=c/r; % 频率w=2*pi*f; % 角频率e0=8.85e-12; % 介电常数u0=4*pi*1e-7; % 磁导率a=0.00001*r; % 半径L=0.5*r; % 振子长度k=2*pi/r; % 波数N=11; % 分段数(奇数段)dl=L/(N+1); % 每段长度(分母中+1 为两头半段之和)l=L/2-dl/2; % 两头空出半段,满足电流为0的边界条件lz=-l:dl:l;lzs=lz(1:N); % 每一小段的起点坐标lzm=lz(1:N)+dl/2; % 每一小段的中点坐标lze=lz(2:N+1); % 每一小段的终点坐标%阻抗矩阵元素求解fi=log(dl/a)/(2*pi*dl)-k/(4*pi)*1i;fi_1=exp(-k*dl*1i)/(4*pi*dl);fi_2=exp(-k*2*dl*1i)/(8*pi*dl);z=ones(N,N);for m=1:Nfor n=1:Nif m==nfi1=fi;fi2=fi_1;fi3=fi_1;z(m,n)=((k^2*dl^2-2)*fi1+fi2+fi3);elseif abs(m-n)==1fi1=fi_1;fi2=fi;fi3=fi_2;z(m,n)=((k^2*dl^2-2)*fi1+fi2+fi3);elsefi1=exp(-k*abs(m-n)*dl*1i)/(4*pi*abs(m-n)*dl);fi2=exp(-k*abs(m+1-n)*dl*1i)/(4*pi*abs(m+1-n)*dl); fi3=exp(-k*abs(n+1-m)*dl*1i)/(4*pi*abs(n+1-m)*dl); z(m,n)=((k^2*dl^2-2)*fi1+fi2+fi3);endendend%电压矩阵求解V=zeros(N,1);V((N+1)/2)=-1*(1i*w*e0);% 计算电流系数矩阵I=z\V;% 计算输入阻抗Z_in=1/I((N+1)/2);disp(['输入阻抗 = ',num2str(Z_in)]);% 计算振子上归一化电流分布I_amp=abs(I); Max=max(I_amp);Iunit2=[0;I_amp/Max(1);0]; % 两端零电流figure(1);h=0:dl/r:L/r;Ithe=sin(pi*h*r/L); % 半波振子电流解析值plot(h,Iunit2,'b',h,Ithe,'r','linewidth',2);legend('pocklinton','解析值');grid on;xlabel('电长度L/\lambda');ylabel('归一化电流');% 画方向图theta=0:0.01:2*pi;abs_f=zeros(1,length(theta));for n=1:1:Nabs_f=abs_f+I(n)*exp(k*(n*dl-L/2)*cos(theta)*1i);endabs_f=abs(sin(theta)*dl.*abs_f);Max_f=abs(sum(I)*dl);Far_patten2=abs_f/Max_f(1);theta_2=0:0.1:2*pi;Far_theory=abs((cos(k*(L/2)*cos(theta_2))-cos(k*L/2))./si n(theta_2));figure(2);polar(theta,Far_patten2,'-b');hold on;polar(theta_2,Far_theory,'or');hold off;legend('pocklinton','解析值');title('半波振子天线E面方向图');figure(3);polar(theta,ones(1,length(theta)),'-b');title('半波振子天线H面方向图');% 半波振子增益I_in=I((N+1)/2);A=(w*u0)^2/(4*pi*sqrt(u0/e0)*real(Z_in)*(abs(I_in))^2); G_theta=A*abs_f.^2;Max_gain=max(G_theta)Max_gain_dB=10*log10(Max_gain);disp(['半波振子增益 = ',sprintf('%.4fdBi', Max_gain_dB)]); 结果与分析:作业3基于电场积分方程用MoM分析对称振子天线:计算振子总长度分别为0.25λ ,0.5λ,λ,1.5λ时,振子的输入阻抗和E面方向图。

500kV变电站工频电磁场数值分析

500kV变电站工频电磁场数值分析
错 。该变 电 站有 两 回母 线 四 回出线 , 线 离 地 高 度 母
1 变 电站 电场 强 度 分 析 原 理
交流高压变电站内的带电导体 比线路复杂, 地
1m, 间距离 65 出线 的最低点离 地高度是 2 m。 8 相 .m, 3 为 了与文 献 . 的实 测 结 果 对 比 , 文 选 取 4 中 本 了该 变 电站 内 50 V 开关 场 I组母 线 下 方 作 为 研 0k
利用前述方法计算 了该 区域 的工 频磁场 , 计算结
果 如 图 8所 示 。
从 图 8可 以看 出 , 考 虑 设备 对 磁 场 强度 的影 不
响时 , 由于载 流导 线 的离 地距 离 比较 高 , 电流 较 小 ,
度 的分 布规 律相 似 高场 强点 主要分 布在 通流 量最
大 , 离地 面最 近 的导线 附近 , 些地 方如 变压 器和 距 有
L分为 两段 , 别 对 应 两个 角 分
原 理得 到此 处 的磁 感应 强度 为 :
数 十年来 , 国持 续对 10~70 V不 同 电压等 我 1 5k
和 :, 用 叠 加 应
级 的变电站 的工 频电场做 了大量 的现场 测量 工作 , 测 得 了不 同电压 等级 的变 电站 电场分布实例 。 J 测量的 1 k 1 V变 电站 中 电场 强度 的最大值 为 1. 0 6 6k/ 20V变 电站中电场强度的最大值为 1.9V 1V m, k 2 33k/
该站中大部分 区域的磁场强度都 比较小。连接 C 、 T P T的管母 线 由于离 地高度 较小 , 以其 下方 的磁 场 所
电抗器 , 因为有漏 磁 现象也 可能 产生较 大 的场强 。
强度最高 , l T左右 , 在 5 远远低于 INT C IP导则规
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注:考生属哪种类别请划“√”
(博士、在校硕士、工程硕士、师资硕士、同等学力、研究生班)
辽宁工程技术大学
研究生考试试卷
考试科目:电磁场数值分析
考生班级:电控研
考生姓名:
学号:
考试分数:
注意事项
1、考前研究生将上述项目填写清楚
2、字迹要清楚,保持卷面清洁
3、试题、试卷一齐交监考老师
4、教师将试题、试卷、成绩单,一起送研究生学院;
专业课报所在院、系
直流无刷电机的内部电磁分析
1提出问题
在电磁学里,电磁场是一种由带电物体产生的一种物理场。

处于电磁场的带电物体会感受到电磁场的作用力。

电磁场与带电物体之间的相互作用可以用麦克斯韦方程和洛伦兹力定律来描述。

电磁场是有内在联系、相互依存的电场和磁场的统一体的总称。

随时间变化的电场产生磁场,随时间变化的磁场产生电场,两者互为因果,形成电磁场。

电磁场可由变速运动的带电粒子引起,也可由强弱变化的电流引起,不论原因如何,电磁场总以光速向四周传播,形成电磁波。

电磁场是电磁作用的媒介,具有能量和动量,是物质存在的一种形式,电磁场的性质、特征及其运动变化规律由麦克斯韦方程确定。

ANSYS软件提供了图形用户界面与命令流两种方式来分析电机电磁场问题。

在电机电磁场计算中,命令流方式和图形用户界面方式相比,具有以下优点:通用性好,对于同系列、同型号的电机电磁场计算只要对电机的尺寸参数进行修改即可,而采用ANSYS的图形用户界面方式进行电机电磁场计算,每次计算都要重新输入图形,没有通用性;
通过合理应用ANSYS的APDL语言编写一个两重循环程序就可实现转子自动旋转和自动施加励磁电流的功能,与ANSYS的图形用户界面方式相比,减少了人机交互的次数,缩短了计算时间。

电机的电磁分析,常用的软件是Maxwell,他是一个功能强大、灵活的,融结构、热、流体、电磁、声学于一体的大型通用有限元分析软件。

广泛用于核工业、石油化工、航空航天、国防军工、机械制造、土木工程等一般工业及科学研究领域的设计分析。

本次作业中,将对直流无刷电机的内部电磁进行分析,采用Maxwell3D来建模,并进行磁场分析。

2直流无刷电机
直流无刷电机被广泛的用于日常生活用具、汽车工业、航空、消费电子、医学电子、工业自动化等装置和仪表。

顾名思义,直流无刷电机不使用机械结构的换向电刷而直接使用电子换向器,在使用中直流无刷电机相比有刷电机有许多
的优点,比如:
·能获得更好的扭矩转速特性;
·高速动态响应;
·高效率;
·长寿命;
·低噪声;
·高转速。

直流无刷电机由定子转子以及霍尔传感器组成。

直流无刷电机定子是由许多硅钢片经过叠压和轴向冲压而成,每个冲槽内都有一定的线圈组成了绕组,定子是2至8对永磁体按照N 极和S 极交替排列在转子周围构成的(内转子型),如果是外转子型直流无刷电机那么就是贴在转子内壁,与有刷直流电机不同,无刷直流电机使用电子方式换向。

要使无刷直流电机转起来,必须要按照一定的顺序给定子通电,那么我们就需要知道转子的位置以便按照通电次序给相应的定子线圈通电。

定子的位置是由嵌入到定子的霍尔传感器感知的。

通常会安排3个霍尔传感器在转子的旋转路径周围。

无论何时,只要转子的磁极掠过霍尔元件时,根据转子当前磁极的极性霍尔元件会输出对应的高或低电平,这样只要根据3个霍尔元件产生的电平的时序就可以判断当前转子的位置,并相应的对定子绕组进行通电。

3矢量泊松方程
1)选取第一类边界条件
边界上的物理条件直接规定了物理量u 在边界上的值,即
1Γ:()()G u s u s =1()
s ∈Γ式中,()G u s 为边界上给定的函数分布。

2)矢量泊松方程
为了达到矢量磁位A 与磁感应强度B 之间关系的相互单值性,对于稳态磁场,引入库仑规范
A ∇⨯=利用矢量恒等式()()()A A A ∇⨯∇⨯=∇∇-∇∇,则双旋度方程可转化为矢量泊松,即
()A J
ν∇∇=-对于直角坐标系,可写作
A A A J x x y y z z ννν⎡⎤⎛⎫∂⎡∂⎤∂∂∂⎡∂⎤⎛⎫⎛⎫++=-⎢⎥ ⎪ ⎪ ⎢⎥⎢⎥∂∂∂∂∂∂⎝⎭⎝⎭⎣⎦⎣⎦
⎝⎭⎣⎦写成分量形式,可得到三个方程
x x x x A A A J x x y
y z z ννν⎡⎤⎛⎫⎡∂⎤∂⎡∂⎤∂∂∂⎛⎫⎛⎫++=-⎢⎥ ⎪ ⎪ ⎢⎥⎢⎥∂∂∂∂∂∂⎝⎭⎝⎭⎣⎦⎣⎦⎝⎭⎣⎦y y y y A A A J x x
y y z z ννν⎡∂⎤⎡∂⎤⎡∂⎤⎛⎫⎛⎫⎛⎫∂∂∂++=-⎢⎥⎢⎥⎢⎥ ⎪ ⎪ ⎪∂∂∂∂∂∂⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎣⎦⎣⎦⎣⎦z z z z A A A J x x y y z z
ννν⎡⎤⎛⎫⎡∂⎤∂⎡∂⎤∂∂∂⎛⎫⎛⎫++=-⎢⎥ ⎪ ⎪ ⎢⎥⎢⎥∂∂∂∂∂∂⎝⎭⎝⎭⎣⎦⎣⎦⎝⎭⎣⎦对于均匀线性介质,可简化为
2A=-J
ν∇4建立导体模型
采用maxwell3D 建立无刷直流电机3D 模型,通过静态磁场分析模型,该模型可调用模型库中的现有模型,其参数如下图:
图1参数图
图2模型图
5仿真计算磁场
1)定义材料属性
设背景为静电场
图3静电场
设置电机的材料为镍,其数据如下图
图4材料属性
2)施加边界条件与激励
设置激励电流100A。

设置计算域为10。

设置边界条件。

设置自适应计算参数:最大迭代次数15,误差要求百分之一,每次迭代加密剖分单元比例百分之三十。

图5设置激励电流
图6施加计算域
图7自适应计算参数
3)求解计算
进行检查并仿真后得到模型的收敛信息数据图和划分网格信息。

图8收敛图
图9网格表
对电机XY轴进行电磁分析
图10分析设定
图11开始分析
图12模型磁力线分布图。

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