陶瓷材料的烧结

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陶瓷工艺学第五章全解

陶瓷工艺学第五章全解
2018年10月25日
5.2.4 烧结参数对于烧结样品性能的影响
5.2.4.1 材料参数对烧结的影响
烧结粉体的特征,如颗粒尺寸、尺寸分布、颗粒形状、颗粒团聚 体以及团聚程度都严重影响着致密化过程以及烧结制品的显微结 构。理想的颗粒品质是尺寸小、无团聚、等轴颗粒形状、尺寸分 布范围小、纯度高。 (1) 颗粒尺寸对烧结的影响 原始粉料中的颗粒尺寸越小,致密化速率越快。这种观点可以根据 有关的分形理论来解释。该分形理论指出,对于由固相颗粒组成的 两相或多相系统中,颗粒具有相同的特征,但尺寸不同,在一定温 度下进行的烧结过程中,这些颗粒具有相似的几何特征变化,使这 些变化产生所需的时间可以通过简单的定律来判断。
2018年10月25日
(2) 粉体结块和团聚对烧结的影响
结块(agglomerates)的概念是指小部分的颗粒通过表面力和/或固体 桥接作用结合在一起;而团聚(aggregates)描述的是颗粒经过牢固 结合和/或严重反应形成的粗大颗粒。结块和团聚形成的粗大颗粒 都是通过表面力结合的。单位质量的表面力与颗粒尺寸成反比。 因此,对于亚微尺寸以下的粉体颗粒,结块和团聚问题非常严重。
2018年10月25日
在煅烧过程中形成的固相桥接主要是由于固相颗粒之间的部分烧 结或颈部生长。 如果在颗粒制备过程中已经形成了松散的结块体,煅烧过程的热 处理将使这些结块体转变成更加坚硬的团聚体。
由于烧结颈部的尺寸随着煅烧温度的升高而增大,团聚体的结合 强度随着温度的升高而提高。通常通过球磨,利用机械能来破坏 这些团聚体。
2018年10月25日
一般来讲,烧结样品的原始粉体粒度分布在0.1~100µm 之间;其总表面能为500~0.5 J/mol。而一般粉体氧化 后的表面能变化基本上在300~1500 kJ/mol范围。 因此这样的粉体的总表面能本身就比较小,如果要利用本身数 值就不大的总表面能的减小来完成烧结的话,控制烧结工艺参 数就显得非常必要。

陶瓷烧结

陶瓷烧结

目前,微波烧结技术已经被广泛用于多种陶瓷复合 材料的试验研究材料直接耦合导致整体加热。
(2)微波烧结升温速度快,烧结时间短。 (3)安全无污染。 (4)能实现空间选择性烧结。
材料与微波场的作用类型
材料与微波的作用方式示意图
微波烧结系统
5 )反应烧结
反应烧结(reaction-bonded sintering)是让原料混合 物发生固相反应或原料混合物与外加气(液)体发生 围—气(液)反应,以合成材料,或者对反应后的反应 体施加其它处理工艺以加工成所需材料的一种技术 。
是将粉末压坯或装入包套的粉料装入高压容器中,使粉 料经受高温和均衡压力的作用,被烧结成致密件。
其基本原理是:以气体作为压力介质,使材料(粉 料、坯体或烧结体)在加热过程中经受各向均衡的压力, 借助高温和高压的共同作用促进材料的致密化。 目前,热等静压技术的主要应用有:金属和陶瓷的 固结,金刚石刀具的烧结,铸件质量的修复和改善,高 性能磁性材料及靶材的致密化。
(2)具备快熔快冷性,有利于保持粉末的优异特性;
(3)可以使 Si3N4,SiC 等非热熔性陶瓷在无需添加
烧结助剂的情况下 发生烧结。
间接法爆炸烧结装置(a.单面飞片; b.单活塞;c.双活塞)
直接法爆炸烧结装置
谢谢大家!
1)热压烧结
热压烧结(hot pressing)是在烧结过程中同时对
坯料施加压力,加速了致密化的过程。所以热压 烧结的温度更低,烧结时间更短。
热压技术已有70年历史,最早用于碳化钨和钨粉致密件的 制备。现在已广泛应用于陶瓷、粉末冶金和复合材料的生 产。
热压烧结的优点
(1)所需的成型压力仅为冷压法的1/10
烧结装置
烧结系统大致由 四个部分组成:真空 烧结腔(图中6), 加压系统(图中3), 测温系统(图中7) 和控制反馈系统。图 中1示意石墨模具,2 代表用于电流传导的 石墨板,4是石墨模 具中的压头,5是烧 结样品。

陶瓷材料工艺学--第五章 陶瓷材料的烧结

陶瓷材料工艺学--第五章 陶瓷材料的烧结
③ 气氛对坯的颜色和透光度以及釉层质量的影响
a. 影响铁和钛的价态; b. 使SiO2和CO还原; c. 形成氮化合物。
结论:气氛的影响有好有坏,关键是看坯体的组成。
(4)升温与降温速度对产品性能的影响
75%Al2O3瓷的升温速率与性能的关系曲线 1―抗折强度;2―温度系数;3―介质损耗角
(4)升温与降温速度对产品性能的影响
全部组元都转变为液相,而烧结是在低于主要组分的熔点下进
行的。

这两个过程均在低于材料熔点或熔融温
度之下进行的。并且在过程的自始至终都至少有一相是固态。
固相烧结一般可分为三个阶段:初始阶段,主要表现为颗粒形状 改变;中间阶段,主要表现为气孔形状改变;最终阶段,主要表现为 气孔尺寸减小。
烧结过程
收缩
降温速率对坯体的白度和性能都有影响。特别是 含玻璃相多的陶瓷,应采取高温快冷和低温慢冷的制 度。
高温快冷可避免泛黄、釉面析晶,提高光泽;低 温慢冷可减少应力,避免开裂等。
影响陶瓷材料烧结的工艺参数:
(1)烧成温度 (2)保温时间 (3)烧成气氛 (4)升温与降温速率
本节小结
1、 烧结的定义和烧结的方法 2、 烧结的类型
接触部位 颈部 颈部 颈部 颈部 颈部 颈部 颈部
相关参数 晶格扩散率,Dl 晶界扩散率,Db
粘度,η 表面扩散率,Ds 晶格扩散率,Dl 蒸汽压差,Δp 气相扩散率,Dg
5.3.2 晶粒过渡生长现象
晶粒的异常长大是指在长大速度较慢的细晶基体内有少部分区域快 速长大形成粗大晶粒的现象。
在烧结过程中发生异常长大与以下主要因素有关: ① 材料中含有杂质或者第二相夹杂物 ② 材料中存在高的各向异性的界面能,例如固/液界面
三、气孔排除

《陶瓷材料的烧结》课件

《陶瓷材料的烧结》课件
资源循环利用
对废弃的陶瓷材料进行回收和再利用,实现资源的循环利用,降 低对自然资源的依赖。
THANKS。
致密度、均匀性和性能。
烧结设备的改进
03
随着技术的进步,烧结设备的性能和效率也将得到提升,为陶
瓷材料的制备提供更好的设备支持。
环保和可持续发展在陶瓷烧结领域的应用
环保材料的研发
为了降低陶瓷产业对环境的影响,未来将大力研发环保型的陶瓷 材料,如低毒陶瓷、可降解陶瓷等。
节能减排技术的应用
通过采用新型的节能技术,降低陶瓷烧结过程中的能耗和排放, 实现低碳、环保的生产。
04
陶瓷材料的烧结性能
烧结密度和孔隙率
烧结密度
烧结后的陶瓷材料密度,影响材料的 机械性能和热学性能。
孔隙率
陶瓷材料内部孔隙的多少,与材料的 强度、热导率和绝缘性能有关。
烧结陶瓷的力学性能
01
硬度
烧结陶瓷的硬度取决于其成分和 显微结构,硬度高的陶瓷耐磨、 耐划痕。
02
03
抗弯强度
韧性
陶瓷抵抗弯曲应力的能力,与材 料的成分、显微结构和制备工艺 有关。
航天器结构材料
陶瓷材料具有轻质、高强度和耐高温的特性,适用于航天器结构材料,如卫星天线骨架、太阳能电池板支架等。
06
未来展望
新型陶瓷材料的开发
高性能陶瓷
随着科技的发展,对陶瓷材料性能的要求越来越高,未来 将开发出具有更高强度、硬度、耐磨性、耐高温等高性能 的新型陶瓷材料。
多功能陶瓷
除了传统的结构陶瓷外,未来还将开发出具有多种功能如 导电、导热、压电、磁性等功能的新型陶瓷材料。
05
陶瓷材料的烧结应用
在电子行业的应用
电子封装

陶瓷材料的烧结与晶粒生长

陶瓷材料的烧结与晶粒生长

陶瓷材料的烧结与晶粒生长烧结和晶粒生长是陶瓷材料制备过程中非常重要的步骤。

通过烧结和晶粒生长的控制,可以改善材料的性能、提高其致密性和强度。

本文将就陶瓷材料的烧结和晶粒生长进行探讨,并介绍一些常见的烧结方法和晶粒生长机制。

1. 烧结方法烧结是指将陶瓷粉末在一定的温度和压力下进行加热处理,使粒子间发生相互结合和扩散,形成致密的块体材料。

常见的烧结方法有以下几种:(1)热压烧结:将陶瓷粉末放入模具中,在高温和高压的条件下进行烧结。

热压烧结可以获得致密的陶瓷材料,具有较高的强度和硬度。

(2)微波烧结:通过微波加热的方式进行烧结。

微波烧结的优点是加热速度快,能够在较短的时间内完成烧结过程,适用于一些高温敏感的材料。

(3)等离子体烧结:通过等离子体的作用,加快粒子之间的扩散和结合,从而实现快速烧结。

等离子体烧结可以得到致密度较高的陶瓷材料,并能够控制晶粒尺寸和分布。

2. 晶粒生长机制晶粒生长是指陶瓷材料在烧结过程中晶粒尺寸的增大。

晶粒尺寸的大小和分布对陶瓷材料的性能有着重要的影响。

常见的晶粒生长机制包括以下几种:(1)一维生长:晶粒沿着某个方向生长,呈现出棒状或柱状的形态。

一维生长机制适用于一些具有纤维状结构的陶瓷材料。

(2)表面扩散:晶粒表面发生扩散,并与周围的颗粒结合。

表面扩散是晶粒生长的主要机制之一,通过控制晶粒表面的扩散速率,可以调控晶粒尺寸和形态。

(3)体内扩散:晶粒内部的原子通过扩散运动,使晶粒尺寸增大。

体内扩散主要取决于材料的化学成分和温度条件。

3. 影响烧结和晶粒生长的因素烧结和晶粒生长受到多种因素的影响,下面介绍其中几个重要的因素:(1)温度:温度是烧结和晶粒生长的关键因素之一。

适当的温度可以促进晶粒的结合和生长,但过高的温度可能引起过烧,导致晶粒长大过快。

(2)压力:压力可以提高粒子的结合程度和致密性,对烧结效果有重要影响。

不同材料和形状的陶瓷,适宜的压力范围也有所不同。

(3)时间:烧结时间影响烧结程度和晶粒生长的速率。

陶瓷烧结技术

陶瓷烧结技术

陶瓷烧结技术
陶瓷烧结技术是一种制备高性能陶瓷的重要方法,其通过将粉末烧结成坚硬、致密、尺寸稳定的成品,大大提高了陶瓷的力学性能、化学稳定性和热稳定性。

陶瓷烧结技术的应用范围非常广泛,包括高温陶瓷、结构陶瓷、生物陶瓷、电子陶瓷等多个领域。

陶瓷烧结技术的基本原理是,将陶瓷粉末在高温下烧结成坚硬、致密的材料。

在烧结过程中,陶瓷粉末会逐渐熔化形成一种液相,该液相可以在陶瓷颗粒表面扩散并形成化学键和晶界,从而提高陶瓷的致密性和强度。

不同的陶瓷材料需要不同的烧结条件,如温度、压力、时间等。

陶瓷烧结技术的方法包括热压烧结、微波烧结、闪光烧结、等离子体烧结等多种方式。

其中热压烧结是一种最为常用的方法,其将陶瓷粉末置于高温高压下,通过热流和压力的作用使颗粒结合。

微波烧结则是利用微波辐射使陶瓷材料加热和烧结。

而闪光烧结和等离子体烧结则是利用高能电子或离子束直接作用于陶瓷粉末,实现快速有效的烧结。

陶瓷烧结技术的优点在于其能够制备出非常高性能的陶瓷材料。

其中包括高硬度、高强度、高耐磨、高温稳定性以及化学稳定性等。

这些
性能使得陶瓷材料在航空航天、化工、医疗、电子等领域具有广泛的应用前景。

总之,陶瓷烧结技术是一种非常重要的材料制备方法,其制备出来的陶瓷材料在各种领域都有着广泛的应用前景。

随着科技的不断发展和研究的深入,陶瓷烧结技术也将不断更新和改进,向更高性能、更节能、更环保的方向发展。

陶瓷材料的烧结工艺与力学性能关系

陶瓷材料的烧结工艺与力学性能关系

陶瓷材料的烧结工艺与力学性能关系陶瓷材料是一种重要的材料,具有很高的硬度、耐磨性和耐高温性能。

而陶瓷材料的烧结工艺是影响其力学性能的关键因素之一。

本文将从烧结工艺的影响、力学性能的变化以及应用案例三个方面来论述陶瓷材料的烧结工艺与力学性能的关系。

一、烧结工艺的影响烧结是将陶瓷粉末加热到一定温度,使其颗粒之间产生相互作用,形成致密的陶瓷材料的过程。

烧结工艺的参数设置直接影响到陶瓷材料的结构和性能。

首先是烧结温度,烧结温度过高容易引起晶界液相的出现,从而影响到陶瓷材料的硬度和韧性。

其次是保温时间,过长的保温时间会导致陶瓷晶粒长大,影响其致密性和力学性能。

另外,烧结压力和加热速率也会对烧结中的物理化学过程产生影响,进而影响到陶瓷材料的力学性能。

二、力学性能的变化陶瓷材料的力学性能包括硬度、韧性和强度等指标,而这些指标的变化与烧结工艺密切相关。

首先是硬度,烧结工艺中的晶界液相会导致晶体结构的破坏,从而降低陶瓷材料的硬度。

其次是韧性,烧结温度和保温时间对陶瓷晶粒大小以及晶界结构的形成都有较大影响,合理调控这些参数可以提高陶瓷材料的韧性。

最后是强度,烧结过程中的压力和加热速率对于陶瓷材料内部的结构形成具有重要的影响,进而影响到其力学强度的提升。

三、应用案例陶瓷材料在众多领域中有广泛的应用,比如陶瓷瓷砖、陶瓷刀具以及陶瓷陶瓷材料。

其中,烧结工艺对于这些应用中的陶瓷材料的力学性能有着重要的影响。

以陶瓷瓷砖为例,合理控制烧结温度和保温时间可以提高瓷砖的硬度和耐磨性,增强其使用寿命。

对于陶瓷刀具来说,通过调控烧结工艺可以提高刀具的韧性和强度,提高切割效果和耐用性。

而在航空航天和核工业等领域,陶瓷材料的高温性能是一个重要的考虑因素,合理的烧结工艺可以提高陶瓷材料的耐高温性能,确保其在极端环境下的应用。

综上所述,陶瓷材料的烧结工艺与力学性能之间存在着密切的关系。

通过合理调控烧结工艺参数,可以改善陶瓷材料的力学性能,提高其硬度、韧性和强度等指标。

陶瓷材料的烧结

陶瓷材料的烧结

晶格扩散率,Dl
晶界扩散率,Db 粘度,η 表面扩散率,Ds 晶格扩散率,Dl 蒸汽压差,Δp 气相扩散率,Dg
2013-7-29
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.3.2晶粒过渡生长现象
晶粒的异常长大是指在长大速度较慢的细晶基体内有少部分区域快速 长大形成粗大晶粒的现象。
在烧结过程中发生异常长大与以下主要因素有关:
① 材料中含有杂质或者第二相夹杂物 ② 材料中存在高的各向异性的界面能,例如固/液界面 能或者是薄膜的表面能等 ③ 材料内存在高的化学不平衡性。
2013-7-29
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.4 液相烧结过程与机理
液相烧结(Liquid Phase Sintering,简写为LPS)是指在烧结包含多种粉 末的坯体中,烧结温度至少高于其中的一种粉末的熔融温度,从而在烧结过 程中而出现液相的烧结过程。
2013-7-29
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
二、热压装置和模具
(a)电阻间热式;(b)感应间热式; (c)电阻直热式;(d)感应直热式
2013-7-29 河南省精品课程——陶瓷工艺原理
三、热压烧结的驱动力 在热压烧结的初始阶段,假设所有粉体都是规则的球形颗粒立方堆积 在一起,则作用在颗粒接触面积上的有效压力为: Pappl. 2 s P2* r
热压技术已有70年历史,最早用于碳化钨和钨粉致密件的制备。 现在已广泛应用于陶瓷、粉末冶金和复合材料的生产。
2013-7-29
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
一、热压烧结的优点 (1)所需的成型压力仅为冷压法的1/10 (2)降低烧结温度和缩短烧结时间,抑制了晶粒的长大。 (3)易得到具有良好机械性能、电学性能的产品。 (4)能生产形状较复杂、尺寸较精确的产品。 热压法的缺点是生产率低、成本高。
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热压技术已有70年历史,最早用于碳化钨和钨粉致密件的制备。 现在已广泛应用于陶瓷、粉末冶金和复合材料的生产。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
一、热压烧结的优点 (1)所需的成型压力仅为冷压法的1/10 (2)降低烧结温度和缩短烧结时间,抑制了晶粒的长大。 (3)易得到具有良好机械性能、电学性能的产品。 (4)能生产形状较复杂、尺寸较精确的产品。 热压法的缺点是生产率低、成本高。
2015/12/13
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二、溶解-沉淀(disolvation – precipitation)
浓度
(a)LPS烧结溶解-沉淀阶段的两晶粒接触示意图.物质迁移的三个 路径,1:溶质的外扩散(□),2和4:溶解物组分(○和△)向晶粒 接触区域流动,以及3:在接触区域的溶解-再沉淀。 (b)三个组分液相所对应浓度梯度作为r的函数,其中rc是接触半径, h是液相膜厚度
另一列排列相同的球形颗粒烧结时间为t2,则:
t 2 (r2 / r1 ) t1
n
如果颗粒尺寸从1 m减小到0.01 m,则烧结时间降低106到108数量级。同 时,小的颗粒尺寸可以使烧结体的密度提高,同时降低烧结温度、减少烧结时 间。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
(2)粉体结块和团聚对烧结的影响 结块的概念是指一小部分质量的颗粒通过表面力和/或固体桥接作用结合在一 起;而团聚描述的是颗粒经过牢固结合和/或严重反应形成的粗大颗粒。结块和团 聚形成的粗大颗粒都是通过表面力结合。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.4.3 晶粒生长和粗化
一般在大量液相中,球形颗粒的晶粒生长由下式给出:
rs
n
r

0 n s
kt
式中,rs为在时间t时的晶粒平均半径,为在时间为0时的晶粒平均 半径,k为晶粒生长速率常数。半径(或晶料尺寸)指数n取决于晶粒生
长机理;n=3和n=2分别为扩散控制相界面反应控制。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
三、气孔排除
在烧结中期,相互连续的气孔通道开始收缩,形成封闭的气孔, 根据材料体系的不同,密度范围从0.9至0.95。实际上,LPS烧结比SSS 烧结可以在较低的密度发生这种气孔封闭。气孔封闭后,LPS烧结进 入最后阶段。封闭气孔通常包含来源于烧结气氛和液态蒸汽的气体物 质。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.3 固相烧结过程及机理
初始阶段 中间阶段
最终阶段
固相烧结一般可分为三个阶段:初始阶段,主要表现为颗粒形状 改变;中间阶段,主要表现为气孔形状改变;最终阶段,主要表现为 气孔尺寸减小。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.3.1 双球模型(two-particle model)
空位浓度差为:
2 1 1 s P Pa Pr s a r x r
, Vm s Cv Cv RTr
a x r
蒸汽压差为:
V p p m s RTr
其中,γs为固相的表面能,Vm’为空位摩尔体积,Vm为固相的摩尔体积。由于上 述体积压力差、空位浓度差和蒸汽压差的存在,促使物质扩散。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
烧结中的物质传输机理
物质扩散机理 材料部位 接触部位 相关参数
1.晶格扩散
2.晶界扩散 3.粘性流动 4.表面扩散 5.晶格扩散 6.气相传输 蒸发-凝聚 气相扩散
晶界
晶界 整体晶粒 晶粒表面 晶粒表面 晶粒表面 晶粒表面
颈部
颈部 颈部 颈部 颈部 颈部 颈部
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
(4)颗粒尺寸分布对烧结的影响
颗粒尺寸分布对最终烧结样品密度的影响可以通过分析有关的动力学过程 来研究,即分析由不同尺寸分布的坯体内部,在烧结过程中“拉出气孔”
(pore drag)和晶粒生长驱动力之间力的平衡作用。
研究表明,较小的颗粒尺寸分布范围是获取高烧结密度的必要条件。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
(2)保温时间对产品性能的影响 在烧成的最高温度保持一定的时间,一方面使物理化学变化更趋完全,使 坯体具有足够液相量和适当的晶粒尺寸,另一方面组织结构亦趋均一。但保温 时间过长,则晶粒溶解,不利于在坯中形成坚强骨架,而降低机械性能。 (3)烧成气氛对产品性能的影响 ① 气氛对陶瓷坯体过烧膨胀的影响 ② 气氛对坯体的收缩和烧结的影响 ③ 气氛对坯的颜色和透光度以及釉层质量的影响 (4)升温与降温速度对产品性能的影响
细小颗粒在液体和固体介质中承受吸引 力和排斥力形成结块和团聚体示意图
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
(3)颗粒形状对烧结的影响
颗粒形状和液相体积含量对颗粒之间作用力的影响 只有在大量液相存在的情况下,才能使这些具有一定棱角形状的 陶瓷粉体之间形成较高的结合强度。
2015/12/13
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
二、热压装置和模具
(a)电阻间热式;(b)感应间热式; (c)电阻直热式;(d)感应直热式
2015/12/13 河南省精品课程——陶瓷工艺原理
三、热压烧结的驱动力 在热压烧结的初始阶段,假设所有粉体都是规则的球形颗粒立方堆积 在一起,则作用在颗粒接触面积上的有效压力为: Pappl. 2 s P2* r
① 材料中含有杂质或者第二相夹杂物 ② 材料中存在高的各向异性的界面能,例如固/液界面 能或者是薄膜的表面能等 ③ 材料内存在高的化学不平衡性。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.4 液相烧结过程与机理
液相烧结(Liquid Phase Sintering,简写为LPS)是指在烧结包含多种粉 末的坯体中,烧结温度至少高于其中的一种粉末的熔融温度,从而在烧结过 程中而出现液相的烧结过程。
化学特性
化学组分,纯度,非化学计量性,绝对均性等 工艺参数 烧结温度,烧结时间,压力气氛,升温和降温度等
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.2.4 烧结参数对于烧结样品性能的影响
一、材料参数对烧结的影响 (1)颗粒尺寸对烧结的影响 在一定温度下,半径为r1的一列球形颗粒所需要的烧结时间为t1,半径为r2的
P1*
其中,a为颗粒半径,x为颈部半径,r为颈部曲率半径。在烧结的最终 阶段,假设坯体中的气孔成均匀分布状况,则作用在颗粒接触面积上的有 效压力为: Pappl. 2 s * P2 r 其中ρ为坯体的相对密度。
s 4a P appl. r x 2
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
晶格扩散率,Dl
晶界扩散率,Db 粘度,η 表面扩散率,Ds 晶格扩散率,Dl 蒸汽压差,Δp 气相扩散率,Dg
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.3.2晶粒过渡生长现象
晶粒的异常长大是指在长大速度较慢的细晶基体内有少部分区域快速 长大形成粗大晶粒的现象。
在烧结过程中发生异常长大与以下主要因素有关:
第五章 陶瓷材料的烧结
5.1 概述
烧结(sintering)是一种利用热能使粉末坯体致密化的技术。其具体 的定义是指多孔状陶瓷坯体在高温条件下,表面积减小、孔隙率降低、机
械性能提高的致密化过程。
只有掌握了坯体在高温烧成过程中的变化规律,正确地选择和设计窑 炉,科学地制定和执行烧成制度,严格地执行装烧操作规程,才能提高产 品质量,降低燃料消耗,获得良好的经济效益。
(a)固相烧结(Al2O3)和(b)液相烧结样品 (98W-1Ni-1F2(wt%))的显微结构
2015/12/13 河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.2.2 烧结驱动力
烧结的驱动力就是总界面能的减少。粉末坯体的总界面能表示为 γA, 其中γ为界面能;A为总的比表面积。那么总界面能的减少为:
A A A
其中,界面能的变化(Δγ)是因为样品的致密化,比表面积的变化 是由于晶粒的长大。对于固相烧结,Δγ主要是固/固界面取代固/气界面。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
在烧结驱动力的作用下烧结过程中的基本现象
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.2.3 烧结参数
粉体 形貌,粒度,粒度分布,团聚,混合均匀性等 材料参数
优点: 1)提高烧结驱动力。 2)可制备具有控制的微观结构和优化性能 的陶省精品课程——陶瓷工艺原理
5.4.1 液相烧结的阶段
(a)液相烧结不同阶段的示意图(O:熔化;Ⅰ:重排;Ⅱ:溶解-沉淀;及Ⅲ:气孔排除)。 (b)在不同温度下,氧化铝-玻璃体系中,实际致密化作为烧结时间的函数所示
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
5.2 烧结参数及其对烧结性影响
5.2.1 烧结类型
Tm A
液相烧结 (Liquid phase intering)
T3 T2 T1
Tm B
固相烧结 (Solid state sintering)
烧结过程示意相图
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
P d x , f , geo 0 dt a 3 0
. * 1
其中, 0 ,σ0和n是和烧结材料有关的参数,其中n取值在3-8之 间,f(ρ, geo)为烧结体致密度和颗粒几何形状的函数。
2015/12/13
河南省精品课程——陶瓷工艺原理
(3)扩散机理 颗粒尺寸对扩散机理作用的致密化速率的影响如下: 晶格扩散:
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