可变R-L-C 元件的SPICE模拟行为建模
spice仿真

spice仿真Spice仿真引言Spice (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) 是一种电路仿真程序,它可以模拟各种电路的性能和行为。
历经多年的发展,Spice已经成为电子设计领域中最为常用和广泛认可的仿真工具之一。
本文将介绍Spice仿真的基本原理、应用领域以及使用方法,帮助读者更好地了解和应用这一强大的工具。
一、Spice仿真的基本原理Spice仿真基于电路的数学模型和电路分析方法,通过求解一组线性或非线性的代数和微分方程来模拟电路的行为。
Spice可以对各种类型的电路进行仿真,包括模拟电路、数字电路以及混合信号电路。
它考虑了电路中各个元件的电性能,并基于电流和电压的关系对电路进行建模和分析。
Spice程序需要用户提供电路的拓扑结构以及各个元件的参数。
通过这些输入,Spice可以根据预定义的电路分析方法和解算器来计算电路中各个节点和元件上的电压、电流以及功率等参数。
通过对电路的相应参数进行实时仿真和分析,Spice可以为设计者提供准确的电路行为信息,帮助他们对电路性能进行优化和改进。
二、Spice仿真的应用领域Spice仿真在电子设计和电路分析中有广泛的应用。
以下列举了几个常见的应用领域:1.模拟电路设计:Spice可以用于模拟电路的设计和验证,帮助设计者检查电路的性能和稳定性。
通过Spice仿真,设计者可以预测电路的频率响应、幅频特性以及相位延迟等参数,从而改进电路的设计方案。
2. 数字电路分析:Spice可以模拟数字电路中的逻辑门、触发器和时序电路等元件,帮助设计者验证电路的正确性和稳定性。
通过仿真结果,设计者可以找出可能存在的逻辑错误和电路延迟,并及时进行优化和调整。
3.射频电路分析:Spice也可以用于射频电路的仿真和分析。
射频电路中经常涉及到高频信号的传输和耦合问题,通过对射频电路进行Spice仿真,设计者可以预测电路中的信号衰减、失真以及噪声等问题,从而优化电路的性能。
PSPICE仿真课件

软件仿真程序 PSPice
印刷电路板程序 Layout Plus
可编程逻辑元件程序 Express
由图可以看到,目前的 OrCAD 设计环境将两个公司最佳的 EDA 程序产品紧紧地结合 在一起形成超强的阵容, 其功能之完整强悍当然是不必赘述了。 它的前段处理程序为 OrCAD Capture CIS(component information system),负责电路图的绘制、仿真参数的设置以及产生 网络表( netlist )等报告文件,然后就是 OrCAD PSpice 登场,负责软件验证的工作。一旦绘 制的电路图可以通过验证,就可以进入后续的 Layout Plus 程序进行印刷电路板(PCB>设计, 或是进入 Express 程序进行可编程逻辑元件(PLD)的设计。 在 OrCAD Capture 眼中,OrCAD PSpice 就像是一块软件的电路面包板,我们可以在上 面放入电源与触发信号后, 再根据需求来测试设计的电路是否合乎要求, 然后予以必要的调 整, 等到仿真结果顺利通过检测, 就可以转移流程到实际, 接触硬件层次的过程( PCB 或 PLD 设计)。 在 OrCAD Capture 准备转移到 OrCAD PSpice 进行仿真之前,Capture 会先将绘好的电 路与仿真设置转换成一系列的电路文件以供 PSpice 读取。 这些电路文件包括使用元件种类、 网络连接状态、仿真相关指令、自建仿真元件库与激励源信号等等信息。 本书的内容为 OrCAD Pspice 介绍。由于 Capture CIS 是 PSpice 的前端处理程序,所以 我们也将使用四章(第 2 章到第 5 章)的篇幅介绍在 Capture CIS 中有关于 PSpice 界面的功能 与操作。对于完整的 Capture CIS, Layout Plus 和 Express 介绍限于篇幅,有兴趣可自行参考 相关书籍。 1-2 OrCAD PSpice 的特点
名称晶体管模型(SPICE)到行为级模型(IBIS)的转换工具

名称:晶体管模型(SPICE)到行为级模型(IBIS)的转换工具
参考品牌:Cadence
参考型号:Cadence
数量:1套
技术参数:
1:含1个用户的PSpice 基本数模混合分析工具,辅助用户完成模拟及数字混合电路的仿真分析,包含有直流扫描、交流扫描、瞬态分析,温度参数扫描等功能,同时包含多样的仿真模型并具有建模功能。
2:含1个用户的PSpice 高级仿真分析工具,结合基本分析工具,使用户具备更加强大的分析功能,包括灵敏度分析,优化分析,蒙特卡洛分析,应力分析和参数测绘分析。
3:含1个用户的OrCAD SI信号完整性仿真工具,该工具支持布线前仿真和布线后后仿真两种工作流程,提供了针对PCB板极的信号仿真分析功能。
服务:
供方需要提供完整技术支持服务,包含仿真建模等的指导及培训内容。
验收合格后支付。
spice模型

1)LEVEL=1
级别为1的MOS管模型又称MOS1模型,这是 最简单的模型,适用于手工计算。MOS1模型是 MOS晶体管的一阶模型,描述了MOS管电流 电压的平方率特性,考虑了衬底调制效应和沟 道长度调制效应,适用于精度要求不高的长沟 道MOS晶体管。
4)LEVEL=4 级别为4的MOS4模型又称BSIM(Berkeley short-channel IGFET model)模型。该模型 是由美国伯克利大学1984年专门为短沟道MOS 场效应晶体管而开发的模型,是AT&T Bell实验 室简练短沟道IGFET模型的改进型。模型是在 物理基础上建立的,模型参数由工艺文件经模 型参数提取程序自动产生,适用于数字电路和 模拟电路,而且运行时间比二级模型平均缩短 一半左右。现已发表的有BSIM1、BSIM2、 BSIM3和BSIM4等模型。
Cd
dQ dVD
τT
dI D dVD
τT I D
n Vt
二极管模型参数对照表
参数名
饱和电流 发射系数 串联体电阻 渡越时间 零偏置时的势垒
电容 梯度因子
PN结内建势垒
公式中符号
IS n RS τT Cj0 m V0
SPICE中符号
IS N RS TT CJ0 M VJ
单位
A Ω Sec F V
SPICE中缺省 值
1.0E-14 1 0 0
0
0.5
1
二极管的噪声模型
热噪声:
In2
4kTA RS
闪烁(1/f)噪声和散粒噪声:
In2
KF I D AF
Spice仿真

仿真功能简介
返回
四、 Pspice的基本电路特性分析
1 . 静态工作点分析
静态工作点分析就是将电路中的电容开路,电 感短路,对各个信号源取其直流电平值,计算电路 的直流偏置量。
例:求基本放大电路 的静态工作点。步骤 如下: (1)用Capture软 件画好电路图
返回
(2) 建立模拟类型分组。
仿真步骤
(1)新建仿真设计项目;
(2)输入电路结构;
(3)编辑修改电路元器件标号和参数值,包括直流电源 和信号源参数; (4)创建仿真简要表(Simulation Profile),设置分 析功能; (5)执行仿真; (6)仿真结果分析及输出。
返回
新建设计项目(File/New/Project)
5.0mV 0V SEL>> -5.0mV 1.0V V(Vs:+) 0V
-1.0V
返回
0s V(Out)
0.4ms
0.8ms Time
1.2ms
1.6ms
2.0ms
频域分析
幅频特性dB(V(Vo)/V(i)) 输入阻抗V(i)/ I(i) 输出阻抗
返回
求解输出阻抗
修改电路: 令Vs=0,信号源短路,取掉负载RL,外加 一个信号源VSIN(400mv) 其他步骤与“输入电阻的频率响应”分析相同 Ro =V(Vo)/I(Vs)
返回
连线与设置节点名
(1)连线。①启动Place/Wire命令。 ②按对应的绘图 快捷键 (2)设置节点名。例如,想把输出端的节点起名为Out。 步骤如下:
①启动Place/Net Alias命令,或按对应的绘图快捷键 ,屏幕 上出现设置框。在设置框中键入节点名(例Out)。 ② 按OK键,则光标处 附着一个小方框,将光标移至设置节点 名的位置,按鼠标左键,新节点名即出现在该位置。
SPICE仿真和模型简介

SPICE仿真和模型简介SPICE 仿真和模型简介1、SPICE仿真程序电路系统的设计人员有时需要对系统中的部分电路作电压与电流关系的详细分析,此时需要做晶体管级仿真(电路级),这种仿真算法中所使用的电路模型都是最基本的元件和单管。
仿真时按时间关系对每一个节点的I/V关系进行计算。
这种仿真方法在所有仿真手段中是最精确的,但也是最耗费时间的。
SPICE(Simulation program with integrated circuit emphasis)是最为普遍的电路级模拟程序,各软件厂家提供提供了Vspice、Hspice、Pspice等不同版本spice软件,其仿真核心大同小异,都是采用了由美国加州Berkeley大学开发的spice模拟算法。
SPICE可对电路进行非线性直流分析、非线性瞬态分析和线性交流分析。
被分析的电路中的元件可包括电阻、电容、电感、互感、独立电压源、独立电流源、各种线性受控源、传输线以及有源半导体器件。
SPICE内建半导体器件模型,用户只需选定模型级别并给出合适的参数。
2、元器件模型为了进行电路模拟,必须先建立元器件的模型,也就是对于电路模拟程序所支持的各种元器件,在模拟程序中必须有相应的数学模型来描述他们,即能用计算机进行运算的计算公式来表达他们。
一个理想的元器件模型,应该既能正确反映元器件的电学特性又适于在计算机上进行数值求解。
一般来讲,器件模型的精度越高,模型本身也就越复杂,所要求的模型参数个数也越多。
这样计算时所占内存量增大,计算时间增加。
而集成电路往往包含数量巨大的元器件,器件模型复杂度的少许增加就会使计算时间成倍延长。
反之,如果模型过于粗糙,会导致分析结果不可靠。
因此所用元器件模型的复杂程度要根据实际需要而定。
如果需要进行元器件的物理模型研究或进行单管设计,一般采用精度和复杂程度较高的模型,甚至采用以求解半导体器件基本方程为手段的器件模拟方法。
二微准静态数值模拟是这种方法的代表,通过求解泊松方程,电流连续性方程等基本方程结合精确的边界条件和几何、工艺参数,相当准确的给出器件电学特性。
SPICE模型、命令介绍

SPICE模型、命令介绍SPICE模型、命令介绍下⾯列出常⽤SPICE器件的模型描述。
{ }中的参数是必须的,[ ]中的参数可选,{ }*中的参数需要重复。
此外,每个SPICE模型提供商可能会有其他的参数或命令。
DEVICE:1、C device - Capacitor.C{name} {+node} {-node} [{model}] {value} [IC={initial}]Examples:CLOAD 15 0 20pFCFDBK 3 33 CMOD 10pF IC=1.5v2、D device - Diode.D{name} {+node} {-node} {model} [area]Examples:DCLAMP 14 0 DMOD3、I device - Current Source.I{name} {+node} {-node} [[DC] {value}] [AC {mag} [{phase}]]Examples:IBIAS 13 0 2.3mAIAC 2 3 AC .001IPULSE 1 0 PULSE(-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)I3 26 77 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)4、J device - Junction FET.J{name} {d} {g} {s} {model} [{area]}Examples:JIN 100 1 0 JFAST5、K device - Inductor Coupling.K{name} L{name} { L{name} }* {coupling}Examples:KTUNED L3OUT L4IN .8KXFR1 LPRIM LSEC .996、L device - Inductor.L{name} {+node} {-node} [model] {value} [IC={initial}]Examples:LLOAD 15 0 20mHL2 1 2 .2e-6LSENSE 5 12 2uH IC=2mA7、M device - MOSFET.M{name} {d} {g} {s} {sub} {mdl} [L={value}] [W={value}] + [AD={value}] [AS={value}] + [PD={value}] [PS={value}]+ [NRD={value}] [NRS={value}]Examples:M1 14 2 13 0 PNOM L=25u W=12uM13 15 3 0 0 PSTRONG8、Q device - Bipolar Transistor.Q{name} {c} {b} {e} [{subs}] {model} [{area}]Examples:Q1 14 2 13 PNPNOMQ13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.59、R device - Resistor.R{name} {+node} {-node} [{model}] {value}Examples:RLOAD 15 0 2k10、S device - Voltage-Controlled Switch.S{name} {+node} {-node} {+control} {-control} {model}Examples:S12 13 17 2 0 SMOD11、T device - Transmission Line.T{name} {A+} {A-} {B+} {B-} Z0={value}[TD={val} | F={val}[NL={val}]]Examples:T1 1 2 3 4 Z0=220 TD=115nsT2 1 2 3 4 Z0=50 F=5MEG NL=0.512、V device - Voltage Source.V{name} {+node} {-node} [[DC] {value}] [AC {mag} [{phase}]]Examples:VBIAS 13 0 2.3mVV AC 2 3 AC .001VPULSE 1 0 PULSE(-1mV 1mV 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)V3 26 77 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)13、X device - Subcircuit Call.X{name} [{node}]* {subcircuit name}Examples:X12 100 101 200 201 DIFFAMPCONTROLLED SOURCES14、E device - Voltage Controlled V oltage Source VCVS.E{name} {+node} {-node} {+cntrl} {-cntrl} {gain}E{name} {+node} {-node} POL Y({value}) {{+cntrl} {-cntrl}}* {{coeff}}* Examples: EBUFF 1 2 10 11 1.0EAMP 13 0 POL Y(1) 26 0 50015、F device - Current Controlled Current Source CCCS.F{name} {+node} {-node} {vsource name} {gain}Examples:FSENSE 1 2 VSENSE 10.016、G device - Voltage Controlled Current Source VCCS.G{name} {+node} {-node} {+control} {-control} {gain}Examples:GBUFF 1 2 10 11 1.017、H device - Current Controlled V oltage Source CCVS.H{name} {+node} {-node} {vsource name} {gain}H{name} {+node} {-node} POL Y({value}) { {vsource name} }* {{coeff}}* Examples: HSENSE 1 2 VSENSE 10.0HAMP 13 0 POL Y(1) VIN 500INPUT SOURCES18、EXPONENTIALEXP( {v1} {v2} {trise_delay} {tau_rise} {tfall_delay} {tau_fall) )19、PULSEPULSE( {v1} {v2} {tdelay} {trise} {tfall} {width} {period} )20、PIECE WISE LINEARPWL( {time1} {v1} {time2} {v2} ... {time3} {v3} )21、SINGLE FREQUENCY FMSFFM( {voffset} {vpeak} {fcarrier} {mod_index} {fsignal} )22、SINE WA VESIN( {voffset} {vpeak} {freq} {tdelay} {damp_factor} {phase} )ANALOG BEHA VIORAL MODELING23、V ALUEE|G{name} {+node} {-node} V ALUE {expression}Examples:GMULT 1 0 V ALUE = { V(3)*V(5,6)*100 }ERES 1 3 VALUE = { I(VSENSE)*10K }24、TABLEE|G{name} {+node} {-node} TABLE {expression} = (invalue, outvalue)* Examples: ECOMP 3 0 TABLE {V(1,2)} = (-1MV 0V) (1MV, 10V)25、LAPLACEE|G{name} {+node} {-node} LAPLACE {expression} {s expression} Examples:ELOPASS 4 0 LAPLACE {V(1)} {10 / (s/6800 + 1)}26、FREQE|G{name} {+node} {-node} FREQ {expression} (freq, gain, phase)* Examples:EAMP 5 0 FREQ {V(1)} (1KZ, 10DB, 0DEG) (10KHZ, 0DB, -90DEG)27、POL YE|G{name} {+node} {-node} POL Y(dim) {inputs X} {coeff k0,k1,...} [IC=value] Examples:EAMP 3 0 POL Y(1) (2,0) 0 500EMULT2 3 0 POL Y(2) (1,0) (2,0) 0 0 0 0 1ESUM3 6 0 POL Y(3) (3,0) (4,0) (5,0) 0 1.2 0.5 1.2COEFFICIENTS28、POL Y(1)y = k0 + k1?X1 + k2?X1?X1 + k3?X1?X1?X1 + ...29、POL Y(2)y = k0 + k1?X1+ k2?X2 + k3?X1?X1+ k4?X2?X1 + k5?X2?X2+ k6?X1?X1?X1 + k7?X2?X1?X1 + k8?X2?X2?X1+ k9?X2? X2?X2 + ...30、POL Y(3)y = k0 + k1?X1 + k2?X2 + k3?X3 + k4?X1?X1 + k5?X2?X1 + k6?X3?X1+ k7?X2?X2+ k8?X2?X3 + k9?X3?X3 + ...STATEMENTS31、.AC - AC Analysis..AC [LIN][OCT][DEC] {points} {start} {end}Examples:.AC LIN 101 10Hz 200Hz.AC DEC 20 1MEG 100MEG32、.DC - DC Analysis..DC [LIN] {varname} {start} {end} {incr}.DC [OCT][DEC] {varname} {start} {end} {points}Examples:.DC VIN -.25 .25 .05.DC LIN I2 5mA -2mA 0.1mA VCE 10V 15V 1V 33、.FOUR - Fourier Analysis..FOUR {freq} {output var}*Examples:.FOUR 10KHz v(5) v(6,7)34、.IC - Initial Transient Conditions..IC { {vnode} = {value} }*Examples:.IC V(2)=3.4 V(102)=035、.MODEL – Device Model..MODEL {name} {type}Typename Devname DevtypeCAP Cxxx capacitorIND Lxxx inductorRES Rxxx resistorD Dxxx diodeNPN Qxxx NPN bipolarPNP Qxxx PNP bipolarNJF Jxxx N-channel JFETPJF Jxxx P-channel JFETNMOS Mxxx N-channel MOSFETPMOS Mxxx P-channel MOSFETVSWITCH Sxxx voltage controlled switch Examples:.MODEL RMAX RES (R=1.5 TC=.02 TC2=.005).MODEL QDRIV NPN (IS=1e-7 BF=30)36、.NODESET – Initial bias point guess..NODESET { {node}={value} }*Examples:.NODESET V(2)=3.4 V(3)=-1V37、.NOISE - Noise Analysis..NOISE {output variable} {name} [{print interval}] Examples:.NOISE V(5) VIN38、.PLOT – Plot Output..PLOT [DC][AC][NOISE][TRAN] [ [{output variable}*] Examples: .PLOT DC V(3) V(2,3) V(R1) I(VIN).PLOT AC VM(2) VP(2) VG(2)39、.PRINT – Print Output..PRINT [DC][AC][NOISE][TRAN] [{output variable}*] Examples: .PRINT DC V(3) V(2,3) V(R1) IB(Q13).PRINT AC VM(2) VP(2) VG(5) II(7)40、.PROBE – Save simulation output PSPICE COMMAND. .PROBE [output variable]*Examples:.PROBE.PROBE V(3) VM(2) I(VIN)41、.SENS - Sensitivity Analysis..SENS {output variable}*Examples:.SENS V(9) V(4,3) I(VCC)42、.SUBCKT - Subcircuit Definition..SUBCKT {name} [{node}*]Examples:.SUBCKT OPAMP 1 2 101 10243、.TEMP – Temperature Analysis..TEMP {value}*Examples:.TEMP 0 27 12544、.TF – DC Transfer Function..TF {output variable} {input source name}Examples:.TF V(5) VIN45、.TRAN - Transient Analysis..TRAN {print step value} {final time} [{no print time} [{step ceiling value}]] [UIC] Examples:.TRAN 5NS 100NS。
第七章 Pspice与器件模型

第七章 Pspice与器件模型
另外,不同工艺线的Spice模型参数会有一些差异, 所以 在进行电路设计前应先选好要去流片的工艺线,从厂家索取 Spice模型文件, 并根据这个文件建自己的库。建库要用到 Parts程序,具体操作在后面说明。由于无法知道Pspice自带的 库采用的工艺,也不能改变它的参数,如MOS晶体管的沟道宽 度、长度,双极型晶体管的发射区面积等。所以要进行具体的 集成电路设计用系统自带的库是不够的。
数据的单位应位于比例后缀之后, 如:1E-3V,10MV等。
在完成电路图的输入后,还要把激励源加到电路上, 才能 模拟电路。
所有的激励源都在SOURCE.SLB和SOURCSTM.SLB库里。 较新版本的Pspice中有一个激励信号编辑器叫 Stimulus Editor。 在电路图的适当位置放置SOURCSTM库里的VSTIM(电压激 励源),ISTIM(电流激励源)或DIGSTIM(数字激励源), 再 双击要编辑的激励源,就会弹出Stimulus Editor窗口。在这个 激励编辑器窗口中可以编辑瞬态分析的激励波形。
第七章 Pspice与器件模型
3. 蒙特卡罗分析和最坏情况分析
蒙特卡罗分析是对电路所选择的分析(直流、 交流、 瞬态) 进行了多次运行后,进行的统计分析。 第一次运行是用所有元器 件的标称值进行运算的。 而以后的运行, 则是根据每个模型语句 内对各个元器件模型参数的容差规定, 随机选取在其容差限度内 偏离其标称值的不定值进行的运算。 将各次运行结果同第一次 运行结果进行比较, 得出由于元器件的容差而引起输出结果偏离 的统计情况。
美国加州大学伯克利分校以Pederson教授为首的计算机辅助集 成电路设计小组开发的,经过不断的完善和改进, 从20世纪70年 代末开始, Spice向全世界推广。现在, Spice已成为大学、 研究 机构和公司普遍采用的电路分析程序, 甚至把它当作了一种标准。
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一些仿真器没有包含LRC元件的ABM方程,采用本文所述的简单子电路,可以根据复杂的分析表达式(包括逻辑表达式)创建无源元件,比如建立非线性电容、时变电阻等。
采用SPICE仿真电路时,通常需使用可变无源元件,如电阻、电容或电感。
如果电源可以从外部控制上述器件的值,自然就可以从中推导出电容和电感的模拟行为建模表达式:非线性行为、随电流变化而变化的电感等。
然而,很少有基于SPICE的仿真器可适用于无源元件的内嵌方程。
为了解决这个问题,本文将介绍可以通过外部电压源进行器件值调节的若干无源元件。
最简单的情况:电阻
欧姆定律(Ohm Law)指出:电流I通过电阻R时产生电压V。
电阻R保持不变时,电流源I的值为(方程1),其中1和2为电阻终端,如图1所示。
图1:电阻可表示成控制电流源
根据这个简单的方程,在INTUSOFT的IsSpice和CADENCE的PSpice下均可形成一个可变电阻子电路,方程1中的R将通过CTRL节点由控制电流源直接施加:
IsSpice
.subckt VARIRES 1 2 CTRL
R1 1 2 1E10
B1 1 2 I=V(1,2)/(V(CTRL)+1μ)
.ENDS
Pspice
.subckt VARIRES 1 2 CTRL
R1 1 2 1E10
G1 1 2 Value = { V(1,2)/(V(CTRL)+1μ) }
.ENDS
在电流源表达式中,如果控制电压值V(CTRL)接近于零,1μ值不为零,即(V(CTRL)+1μ)不为零,从而避免被除数被零除。
如果V(CTRL)为100kV,则等效电阻为100kΩ。
图2表示,在子电路上施加一个简单电阻分压器,相当于产生一个1Ω电阻。
现在,可以为V3建立一个复杂电压源,并轻松形成非线性关系。
图2:简单电阻分压器施加在电流源上,产生1Ω电阻
电容是一个电压源
与前面介绍的电阻相类似,电容可以用符合下列定律的电压源表示:(方程2)。
也就是说,如果我们对流入等效子电路电容的电流进行积分,并且将它乘以控制电压V的倒数,即可得到电容的值C = V! 然而,由于变数t不断变化,所以在SPICE中不存在积分原函数。
因此,应该采用方程2,并且使子电路电流流入 1F电容。
通过观察1F电容上得到的电压,可以对 Ic(t) 进行积分。
图3显示了建立子电路的方法。
图3:在1F电容上的积分将影响等效电容的建立
图4:测试电路采用方波源对10uF电容间歇充电
空电压源V将电流引入1F电容,在“int”节点上产生积分电压,然后,乘以CTRL 节点电压的倒数,就可以模拟可变电容。
图5显示了用实际电容和可变电容得到的电压和电流。
两个图表之间没有区别。
图5:可变电容模型和标准电容模型产生相似的波形
下面是IsSpice 和PSpice中的模型:
IsSpice
.SUBCKT VARICAP 1 2 CTRL
R1 1 3 1u
VC 3 4
BC 4 2 V=(1/v(ctrl))*v(int)
BINT 0 INT I=I(VC)
CINT INT 0 1
.ENDS
PSpice
.SUBCKT VARICAP 1 2 CTRL
R1131u
VC34
EC42Value={(1/v(ctrl))*v(int)}
GINT 0 INT Value = { I(VC) }
CINT INT 0 1
RINT INT 0 1G
.ENDS
对测试也进行了交流分析,证实模型在频域内可以正常工作。
电感是一个电流源
如果对电感施加电压,它将保持安培匝数恒定,相当于一个真正的电流源,这就是对可变电感建模的方法。
根据楞次定律(Lenz Law),可以得出:
图6:等效L子电路
方程6表明,需要对等效电感上的电压积分,并将它除以控制电压,得出模拟L。
图6是等效子电路示意图: 将端子电压转换为电流,然后在等效电流中插入1F电容,可以得到电压积分。
子电路网表如下所示。
IsSpice
.SUBCKT VARICOIL 1 2 CTRL
BC 1 2 I=V(INT)/V(CTRL)
BINT 0 INT I=V(1,2)
CINT INT 0 1
.ENDS
PSpice
.SUBCKT VARICOIL 1 2 CTRL
GC12Value={V(INT)/V(CTRL)}
BGINT 0 INT Value={ V(1,2) }
CINT INT 0 1
RINT INT 0 1G
.ENDS
图7:采用等效电感的测试电路
可以轻易地通过调整LC滤波器进行复杂的交流分析。
如果我们仿真图7,将会得到图8的波形,与图5中的波形类似。
图8:模拟等效L子电路,得出电容结果的双重波形。