东方钽业4英寸LN晶片的研究开发
中国铍铜工业科技进步方面也取得巨大成就
中国铍铜工业科技进步方面也取得巨大成就
近年来，中国铍铜工业不仅产量上得到迅速发展，而且在科技进步方面也取得巨大成就，在宁夏东方钽业股份有限公司建成了铍铜产业集科研、开发、生产的联合体，在国内铍铜生产过程中的关键技术和装备进行了大量的科学研究，取得了一系列的研究成果。
许多研究成果已为工业生产所应用，推动了中国铍铜的科技进步。
在工艺技术方面，完成了从模铸、无流铸造向半连续铸造的改进试验，并成功的应用于生产。
解决了铸锭内部晶粒粗大及铍成分不均匀，而造成最终产品性能不均匀，不能满足市场需求的问题。
这一技术的成功运用，提高了生产效率、降低了生产成本，在国内铍铜行业中属于领先水平。
通过对现有的压力加工工艺和装备进行改进和改造，提高了产品的精度、外观质量和成品率，并且提高了单卷重量，虽与国外发达国家水平还有较大的差距，但目前已有很大的提高。
为了跟踪世界铍铜前沿技术，国内某厂已开始铍铜水平连铸工艺研究。
在新产品开发方面，为了使中国的铍铜产品进入国际市场和替代进口，中国铍铜行业中的有志之士已开始了这方面的工作，研制出国外铍铜合金牌号（ASTM 标准）C17200 、C17300 、C17410 、C17500 、C17600 等新材料并投放市场。
在销售服务方面，中国铍铜合金产品原主要用于军事工业，国家进行计划调控，顾客服务观念淡薄，但随着改革开放深入，市场经济的形成，企业的销售服务由原来的计划经济时代转向市场经济，对不同性
质的用户都进行全面的售后服务，使中国铍铜工业的应用更加广泛。
资料来源于：。
宁夏东方钽业股份有限公司工业X探伤机环评报告公示
核技术利用建设项目宁夏东方钽业股份有限公司工业X探伤机环境影响报告表宁夏东方钽业股份有限公司2017年8月环境保护部监制核技术利用建设项目宁夏东方钽业股份有限公司X探伤机环境影响报告表建设单位名称：宁夏东方钽业股份有限公司建设单位法人代表（签名或签章）：通讯地址：石嘴山市大武口区冶金路119号邮政编码：753200联系人：张东生电子邮箱：联系电话：180****0558表1项目基本情况建设项目名称工业X射线探伤机核技术利用项目建设单位宁夏东方钽业股份有限公司法人代表李春光联系人张东生联系电话18095210558注册地址石嘴山市大武口区冶金路119号项目建设地点厂区无缝管车间立项审批部门公司自购批准文号建设项目总投资（万元）60项目环保投资（万元）10投资比例（环保投资/总投资）16.7项目性质☑新建□改建□扩建□其他占地面积（m2）20应用类型放射源□销售□Ⅰ类□Ⅱ类□Ⅲ类□Ⅳ类□Ⅴ类□使用□Ⅰ类（医疗使用）□Ⅱ类□Ⅲ类□Ⅳ类□Ⅴ类非密封放射性物质□生产□制备PET用放射性药物□销售/□使用□乙□丙射线装置□生产□Ⅱ类□Ⅲ类□销售□Ⅱ类□Ⅲ类☑使用☑Ⅱ类□Ⅲ类其他项目概述：一、建设单位概况宁夏东方钽业股份有限公司由原国家经贸委批准设立，1999年4月30日注册成立，公司坐落于塞上湖泊水乡-----宁夏石嘴山市，主要从事稀有金属钽、铌及铍合金等的研发、生产、销售和进出口业务。
1965年，根据中央三线建设的要求，公司主发起人由北京搬迁宁夏建成。
公司聚集了主发起人生产钽粉、钽丝等主要优良资产和科研成果，经过四十余年的积淀，目前已形成钽金属及合金制品、铌金属及合金制品、铍合金材料、钛金属及合金材料、光伏材料和能源材料六大类产品。
上述产品被广泛应用于电子、通讯、航空、航天、冶金、石油、化工、照明、体育、医疗、原子能、太阳能等领域。
二、项目规模本项目拟安装1台X射线探伤机，型号为XYG-160X，最大管电压为160kV，输出电流为3mA。
国内钽粉工艺的研发历史、现状及发展趋势
国内钽粉工艺的研发历史、现状及发展趋势发布时间：2023-01-16T08:57:01.172Z 来源：《科技新时代》2022年第16期作者：胡瑞升1，张学清1,2 [导读] 文章介绍了以东方钽业为代表的国内钽粉生产工艺的发展历程胡瑞升1，张学清1,2 1宁夏东方钽业股份有限公司宁夏石嘴山 753000 2国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心宁夏石嘴山 753000【摘要】文章介绍了以东方钽业为代表的国内钽粉生产工艺的发展历程，并总结了每个阶段的发展特点。
阐述了我国钽粉工业在不同发展阶段技术水平在世界钽粉发展历程中历史地位。
从国家政策和市场需求的角度，提出了未来钽粉工艺发展的方向。
【关键词】钽粉；钽电容器；钠还原；高压；高比容；高纯钽金属具有熔点高、延展性好、导热率大、蒸汽压低、化学稳定性好、抗腐蚀性强等一系列优异性能，因而广泛应用于电子、化工、航天、核能等领域。
世界钽粉产业发展始于20世纪20年代，和欧美发达国家相比，我国钽粉产业起步较晚。
上世纪50年代在北京有色金属研究院开始研制熔盐电解生产钽粉，1965年因国家“三线建设”部署钽铌研究院从北京有色金属研究院搬迁到宁夏成立了宁夏有色金属冶炼厂（现为宁夏东方钽业股份有限公司）。
经过60多年的发展，我国钽粉产业已形成了以宁夏东方钽业为代表的具有一定规模的研产一体生态体系。
中国钽粉走出了一条从无到有、从小到大、从军到民、从内到外、从弱到强的艰苦创业之路，使中国钽粉工业技术达到了国际先进水平。
一、起步发展阶段（1965年-1990年） 1965年宁夏东方钽业股份有限公司（原宁夏有色金属冶炼厂）部分引进日本工艺技术建成了气(钠)一液(氟钽酸钾)反应方式的分盘装料钠还原钽粉生产线,此方式反应周期冗长，产品粒度粗，只能生产2000uFV/g-3000uFV/g低比容钽粉，且生产能力低下。
后经改进采用液(钠)一固(氟钽酸钾)反应方式的混合装料钠还原，生产周期比气一液反应方式明显缩短，钽粉比容提高到6000uFV/g，但生产能力低，仍不理想亦被逐步淘汰。
中国钽铌工业领军者——何季麟院士
中国钽铌工业领军者——何季麟院士宁夏石嘴山，贺兰山下有一座小城。
在此有一家在中国乃至世界钽铌行业都十分抢眼的企业──宁夏东方有色金属集团公司。
它是国际钽铌研究中心（TIC）执行委员单位，目前世界钽冶炼与加工行业三强之一，主导产品钽粉、钽丝的销售量分别占世界市场份额的 15％和 45％，居世界第三和第一位，与美、德三分钽天下。
它是国内唯一的钽铌铍特种金属工程技术中心、目前国内最大的钽铌生产厂家，是我国国防、核能、宇航、冶金、化学工业一个极为重要的尖端技术用材料供应基地。
它的领军人物就是冶金与材料专家、中国工程院院士何季麟。
何季麟人物履历何季麟，1945年生于河南省开封市。
1969 年毕业于北京钢铁学院（现北京科技大学）冶金物理化学专业，获冶金工程学士学位。
同年秋季分配到宁夏有色金属冶炼厂、西北稀有金属材料研究院工作，历任钽铌研究室技术员、技术专题组组长、钽粉生产车间主任。
1984年9月至1996年11月，他被原中国有色金属工业总公司任命为宁夏有色金属冶炼厂副厂长兼总工程师。
1996年12月，任宁夏有色金属冶炼厂厂长、西北稀有金属材料研究院院长。
1999年4月至2002年4月，任宁夏东方钽业股份有限公司董事长。
曾任宁夏东方有色金属集团有限公司董事长。
现任中色西北稀有金属材料研究院名誉院长。
研究成果何季麟长期从事有色、稀有金属冶炼与加工理论和工程化技术的研究开发工作。
在稀有金属钽、铌、铍新材料领域取得了多项研究成果。
研究开创了具有自主知识产权的钽铌金属冶炼、加工工艺、技术与方法并实现了工程化应用。
主持并指导了特种铜合金、镁及镁合金、钛合金加工、钽电解电容器、电池材料、金属陶瓷靶材等多项新材料技术研究，在该领域主持实施了7项国家重点技改工程。
何季麟获授权专利9项，发表论文40余篇。
获国家专利优秀奖1项。
2007年“RTO金属包埋切片微米、纳米表征法”获“国家技术发明二等奖（R-03）”；2012年“超小型化钽电解电容器用关键材料生产技术与应用”获“国家科学技术进步二等奖（R-01）”；获省部级科技进步一等奖4项。
4英寸X轴铌酸锂晶体生长
4英寸X轴铌酸锂晶体生长
夏宗仁;吴剑波;等
【期刊名称】《压电晶体技术》
【年(卷),期】2000(000)002
【摘要】本文介绍了采用Czochraeski法生长4英寸X轴铌酸锂晶体，分析了温场、籽晶对晶体生长成功率的影响。
得出了通过建立较小的径向温度梯度，合适的轴向温场；选用优质籽晶；采用合理极化工艺可得到较高生长成功率的结论。
【总页数】3页(P47-49)
【作者】夏宗仁;吴剑波;等
【作者单位】德清华莹电子有限公司;德清华莹电子有限公司
【正文语种】中文
【中图分类】O78
【相关文献】
1.大直径掺钕铌酸锂晶体生长及其光学性能研究 [J], 谈绍峰;张玲
2.近化学计量比铌酸锂晶体生长技术攻关 [J],
3.铜铁双掺近化学计量比铌酸锂晶体生长及其光折变性能研究 [J], 刘淑杰;石连升;孙金超;段玉旺
4.近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文) [J], 吴剑波;姚淑华;夏宗仁;秦小勇;高磊;刘宏;王继扬
5.大尺寸a轴光学铌酸锂晶体生长的研究 [J], 赵启鹏;陈淑芬
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2024年钽酸锂单晶市场发展现状
2024年钽酸锂单晶市场发展现状引言钽酸锂单晶是一种重要的电子材料，广泛应用于光学元件、电池、传感器等领域。
随着科技的不断进步和需求的增加，钽酸锂单晶市场呈现出蓬勃发展的态势。
本文将对钽酸锂单晶市场的发展现状进行详细分析，并展望其未来发展趋势。
1. 钽酸锂单晶的概述1.1 钽酸锂单晶的定义钽酸锂单晶是一种由钽与酸性化合物锂组成的晶体结构。
其具有优异的光学、电学和热学性质，因此在光学领域、电池技术和传感器制造等方面有着广泛的应用。
1.2 钽酸锂单晶的制备方法钽酸锂单晶的制备方法主要包括溶液法、熔融法和气相法等。
其中，溶液法是目前最常用的方法，通过将钽酸盐与锂盐在溶液中反应，再经过结晶和热处理等步骤得到单晶。
2. 钽酸锂单晶市场的应用领域2.1 光学元件领域钽酸锂单晶具有较高的非线性光学系数和较宽的透明窗口，因此在光学元件领域有着广泛的应用。
它可以用于制作高功率激光器的倍频器、调制器和光纤通信的非线性光学器件等。
2.2 电池领域钽酸锂单晶作为一种离子导电材料，在电池领域有着重要的应用。
它可用于制造锂离子电池的电解质膜和固态电池的导电质。
钽酸锂单晶电池具有高容量、高能量密度和长循环寿命等优点，成为新一代高性能电池的重要组成部分。
2.3 传感器领域由于钽酸锂单晶具有热机械耦合性能和优异的压电特性，因此在传感器领域有着广泛的应用。
它可用于制造高温压力传感器、加速度计和声波传感器等。
3. 钽酸锂单晶市场的发展现状3.1 市场规模和增长趋势随着光通信、激光技术、新能源汽车等领域的发展，钽酸锂单晶市场呈现出快速增长的态势。
根据相关数据，钽酸锂单晶市场的规模预计将在未来几年内持续扩大，并保持稳定的增长趋势。
3.2 市场竞争格局目前，钽酸锂单晶市场存在着一些主要的竞争企业，包括国内外知名企业。
这些企业通过不断提高产品质量、降低生产成本以及加强研发创新等手段来提升市场竞争力。
4. 钽酸锂单晶市场的未来发展趋势4.1 技术创新的推动钽酸锂单晶市场的未来发展将受到技术创新的推动。
PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究
PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究作者：郭俊敏郝建民来源：《现代仪器与医疗》2014年第01期[摘要] 本文报道了采用PVT法，通过单晶横向延展技术，成功制备出了4英寸碳化硅单晶，结合计算机模拟计算，重点分析了籽晶石墨托几何结构对单晶尺寸延展的影响，结果表明圆台结构的籽晶石墨托更有利于单晶生长初期的迅速横向延展，进而实现大尺寸碳化硅单晶的生长，该理论分析结果与试验结果完全吻合。
[关键词] 4英寸；碳化硅；横向延展；计算机模拟中图分类号：O782 文献标识码：A 文章编号：2055-5200（2014）01-033-03Doi：10.11876/mimt2014010018The research of 4 Inch Silicon Carbide Single Crystal by Physical vapor Transport GUO Jun-min，HAO Jian-min. （The 46 th Research Instirute ，CETC， Tianjin 300220）[Abstract] This paper reports the successful preparation of 4 inch silicon carbide single crystal by PVT bined with computer simulation， and analyze the influence of the graphite substrate geometry on the crystal size enlargement， the results show that the cone structure is more advantageous to rapid lateral extension at the early stage，then realize the growth of large size silicon carbide single crystal， the results of theoretical analysis agree well with the test results.[Key words] 4inch；SiC；lateral extension；computer simulation1 引言作为第三代宽禁带半导体材料的代表，碳化硅具备优异的物理性能，是制备高频、高温、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件的首选材料[1]。
电容器级钽粉关键技术与开发研究
电容器级钽粉关键技术与开发研究何季麟1 ，3，张学清2 ，3，杨国启2 ，3，郑爱国2 ，3( 1． 中色( 宁夏) 东方集团有限公司，宁夏 石嘴山 753000) ( 2． 宁夏东方钽业股份有限公司，宁夏 石嘴山 753000)国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心，宁夏 石嘴山 753000)( 3． 摘 要: 引述了 Ta 电容器与 Al 电容器、多层陶瓷电容器相 比突出的性能与应用特征，分 析 了 Ta 电 容 器 片 式 化、小 型 化 促进电容器级 Ta 粉高比容化发展的新趋势，叙述了航空、航天和军工领域对 高压电容器高可靠性能的需求，以 及 对 中 高 压 Ta 粉向更高电压、更低 SE Ｒ 方向发展的引领，回顾了电容器用高比容 Ta 粉、中高压 Ta 粉 发 展 应 用 进 程，介 绍 了 经 典 氟 钽 酸 钾 ( K 2 TaF 7 ) 金属 Na 还原法、电子束熔炼法、球磨片式化法生产的高比容 Ta 粉、高压 Ta 粉、中压( 片 状 ) Ta 粉 的 性 能、产 品 品级及关键技术，分析了 30 ～ 80 k μFV / g Ta 粉耐压性能影响因素，介 绍 了 Ta 粉 高 比 容 化、高 压 化 新 技 术、 装 置、 产 品 形 貌、性能及优缺点，在此基础上提出了电容器级 Ta 粉高比容化、高压化创新进步的思路。
关键词: Ta 电容器; 高比容 Ta 粉; 高压 Ta 粉; 中压( 片状) Ta 粉中图分类号: TG146. 4 +16文献标识码: A 文章编号: 1674 － 3962( 2014) 09 － 0545 － 09T h e K e y Technique and Ｒ＆D of C apa c i t o rG r ad e Tantalum P o w d e rHE J ili n 1，3 ，ZHANG X u eq i n g 2，3 ，YANG Gu oq i 2，3 ，ZHENG A i g u o 2，3( 1． CNM C N i n g x i a O r i e nt Group C o. ，L td . ，S h i z u i s h a n 753000，Ch i n a ) ( 2． N i n g x i a O r i e nt T a nt a l um I ndu s t r y C o. ，L td . ，S h i z u i s h a n 753000，Ch i n a)( 3． N a t i o n a l E n g i n ee r i n g Ｒe sea r c h Ce nter of T a nt a l um and N i o b i um ，S h i z u i s h a n 753000，Ch i n a)Abstract : Th i s paper c i t e s the c h a r ac t e r i s t i cs of t a nt a l um ca p ac i t o r s ，a pp li ca t i o n s and a pp li ca t i o n c h a r a c t e r i s t i cs of a l u -m i num ca p ac i t o r s and mu l t il a y e r ce r a m i c ca p a c i t o r s ． It a n a l y ze s the new trends that the c h i p － ba se d an d m i n i a tu r i za t i o n t a nt a l um ca p ac i t o r s l e d ca p ac i t o r gr ad e t a nt a l um p o wd er t o h i g h e r ca p ac i ty ． It d e sc r i b e s the c h a ll e n g es of the d e ma nd f o r h i g h r e li a b ili ty in h i g h － v o l t age t a nt a l um po w de r of a v i a t i o n ，ae r os p a ce and m ili t a r y f i e l d v o l t ag e ca p ac i t o r to a h i g h e r v o l t- age an d l o w e r E S Ｒ d i r ec t i o n ． It r e v i e w s the a pp li ca t i o n d e v e l o pm e nt p r oce ss of the ca p ac i t o r t a nt a l um powder w i th h i g h ca - p ac i t a n ce t a nt a l um p o wd e r ，h i g h v o l t age t a nt a l um powder and m e d i um v o l t age ( f l a k e ) t a nt a l um p o wd e r ． It a n a l y z es th e performance ，product g r a d es and key t ec hn o l og i e s of h i g h ca p ac i t a n ce t a nt a l um p o wd e r ，h i g h v o l t age t a nt a l um powder a nd m e d i um v o l t age( f l a k e) t a nt a l um powder by methods of the c l ass i ca l met ho d s of p o t a ss i um t a nt a l um f l u o r i d e ( K 2T a F7) so - d i um m e t a l r e du c t i o n ，e l ec t r o n be a m m e l t i n g and b a ll m ill e d p r o du c t i o n ． For 30 ～ 80 k μFV / g t a nt a l um powder ，the influ- ence f ac t o r s of w i th s t a nd v o l t age performance have been a n a l y ze d ． F i n a ll y ，i t presents new t ec hn o l og i e s ，d e v i c e s ，p r o d- uct s m o r ph o l o g y ，p e r f o r m a n ce ，a dv a nt ag es and d i sa dv a nt age s o f the h i g h ca p a c i t a n ce t a n t a l um powder and h i g h v o l t age t ec hn o l o g y ． On the b as i s of ca p ac i t o r gra de t a nt a l um p o wd e r ，th i s paper p o i nt s out s u s t a i n a b l e d e v e l o pm e nt i d ea s of h i g h e r ca p ac i t a n ce and h i g h e r v o l t age for t a nt a l um ca p ac i t o r s ．Key words : t a nt a l um ca p ac i t o r s; h i g h ca p ac i t a n ce t a nt a l um po w de r; h i g h ＆ m e d i um ( f l a k y ) v o l t age t a nt a l um p o wd e r 1 前 言收稿日期: 2014 － 06 － 23Ta 电容器具有储藏电量、进行充放电等性 能，以其高可靠性、优越的高频特性、使用 温 度 范 围 宽、工 作 电场强度高、准确度高，自愈力强，易 小 型 化、大 容 量 化、片式化等 特 点， 广泛应用于滤波、 能 量 贮 存 与 转基金项目: 国家科 技支撑计划项目 ( 715 － 005 － 0140) ; 国 家 863 计划项目( 2012 B AE 06 B03 )第一 作者及通讯作者: 何 季 麟， 男，1945 年 生， 中 国 工 程 院 院士，E ma i l : he ji l i n 905 @ 126. c o m DOI : 10. 7502 / j . i ss n . 1674 － 3962. 2014. 09. 02546中国材料进展 第 33 卷换、记号旁路，耦合与退耦以及作时间常数元件中 ， 在 电 源 滤 波 、交 流 旁 路 等 用途上少有竞争对手 。
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一晶片研磨一 晶片抛光 ．
１ １ 实 验材 料 ．
４ 英寸铌酸锂 （ｉｂ Ｌ ） ＬＮ Ｏ ， Ｎ 晶体， 碳化硅微粉 （ Ｃ６０ Ｃ１０ ）Ｐ一 ０ 德 国进 口悬浮剂 ， Ｇ ０ 、Ｇ ０ ０ ， ４ ０ 国产 金刚石研磨膏，法国进 口抛光液 ． １２ 实 验方 法及 步骤 ．
１ 实
验
宁 夏东 方钽 业 ４英 寸 Ｌ Ｎ晶 片加 工工 艺 为 ：采
上进行抛光 ． 该工艺投资小 ，但抛光后 的晶片平整 度和局部平整度等参数较差 、 笔者采用水吸工 引．
用切割机进行晶体切割 ，然后利用研磨机研磨切割
艺， 根据具体情况设计水吸垫图纸 ， 并将抛光改为粗
收稿 日期 ：０ ５— ９—１． ２０ ０ ９ 作者简介 ： 敏 （９ ７ ， 助理工程师 。 姚 １７ 一） 男， 主要从事 晶片加工研 究
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５ ２
宁
夏
工
程
技
术
第 ５卷
抛与精抛两种工艺 （ 国外采用精抛工艺） 可有效控 ， 制抛光后 晶片平整度和局部平整度 ． 在粗抛 中，选 用国产金刚石研磨膏与一定致密度的抛光布 ，设定 流量 、 压力 、 转速等参数 ， 快速祛除上道工序 中所产
东方钽业 ４英寸 Ｌ Ｎ晶片的研究开发
姚
摘
敏 ， 李海军， 吕晋文， 梁 斌 ， 胡革全
（ 宁夏 东方钽 业股份有 限公 司， 宁夏 石嘴山 ７ ３ ０ ） ５ ０ ０
要： 通过检 测 图片 ，直观 地介 绍 了衡 量 晶片加 工水平各 主要 参数 的意义 ；同时 ， 绍 了宁夏 东方钽 业 ４ 介
文献标志码 ： Ａ
铌酸锂 （ｉｂ Ｌ ） Ｌ Ｏ ， Ｎ 晶体属压电晶体 ， Ｎ 是制造
后 的 晶片 ， 最后 用抛 光机 进 行 晶片抛 光 ， 即晶体切 割
声表面波器件、 谐振器、 振荡器等频率元件的关键材
料， 是一种像单 晶硅一样不可多得 的人工晶体 ． 近 年来 ， 随着稀土掺杂工程 、 畴工程和近化学计量 比晶 体生长与后加工技术的完善 ， 有关 ＬＮ Ｏ 波导和基 ｉｂ
（）切 割— — 利用 进 口多 线 切 割 机进 行 ４英 寸 １ Ｌ 晶体 棒 切 割 ．切 割 砂 浆 选 用 Ｇ ＃ ０ Ｎ Ｃ ６０碳 化 硅 微
体材料铌酸锂光 电和光子学器件功能 、性能 的研究
急剧增加 ， 使其可能成为光通信 、 军事对抗 、 光学数
据存储 、 光陀螺仪 、 光学遥感、 激光技术等领域中的
关键元器件制作的光学硅材料…．
目前 ，欧美 日等发达 国家和地 区生产的低频声
表面波 （Ａ 器件在彩色电视机中的应用 比例 已 Ｓ Ｗ） 大幅下降，其中相当大 比例 的产品 已转移到通信
产 业 移 动 电话 （０ ９ ０ＭＨｚ １８０ＭＨ 、 ０ ｚ 、 ０ ｚ １９０ＭＨ 、
粉和 Ｐ ４０ 国进 口悬浮剂进行配比， 一０德 待砂浆混合 均匀后进行切割 ； 设定好供线量 、 工作台移动速度
等切割参数 ， 将晶体棒切割成 （０ ２ ） ｍ厚的 ７０４ ０ － 晶体 片 ． （ ２ ）研磨——利用双 面研磨机进行切 割后 ４英 寸Ｌ Ｎ晶体片的研磨 ． 研磨砂浆选用 Ｇ ＃０ ０ Ｃ １０ 碳化 硅微粉和 Ｐ ４０ 国进 口悬浮剂进行配比， 一０德 待砂浆 混合均匀后进行研磨 ； 设定好压力 、 底盘转速、 砂浆
英 寸 Ｌ ＬＮ Ｏ ） Ｎ（ｉｂ 晶片研发 的进展 ， 并和 目前 国外 ４英寸 Ｌ Ｎ晶片加工水平进行 了对比 ．结果表明 ， 宁夏 东方钽
业 的 ４英 寸 Ｌ 晶片 加 工 已达 到 了 国际 水平 ． Ｎ 关 键 词 ； 酸 锂 ； 晶体 ； 晶片 铌
中图分类号 ：Ｂ １５ Ｔ ３ ６
维普资讯
第５ 第ｉ 卷 ｎ
２００ ６年 ３月
宁 夏 工 程 技 术
Ｎｉ ｇ ｉ Ｅ ｇｎ ｅ ｎ Ｔ ｃ ｎ ｌ ｇ ｎ ｘ ａ ｎ ｉ ｅ ｒ ｇ ｅ ｈ ｏｏ ｙ ｉ
Ｖ０ ． Ｎｏ １５ ．１
Ｍａ ． ２ ０ ｒ ０ ６
文章 编 号 ：６ １ ２ ４ ２ ０ ） １ ０ ５ —０ １７ —７ ４ （０ ６ ０ — ０ １ ３
生的损伤层 ，可保证晶片参数值 ． 精抛采用法国进
１抛光液 ，使溶液 ｐ ３ Ｈ值 控制在 １ ｌ． Ｏ— ２ 与一定致 密度的抛光布相配 ， 设定流量 、 压力 、 转速等参数 ， 利 用机械化学抛光 ，可使最终 晶片的参数值控制在合
格范 围 内 ．
２ ０ Ｈ Ａ ） ； 电薄膜 （ｎ ／ １ ３制作的 ０ ｚ ＷＦ 上 压 ４ Ｍ ｓ Ｚ Ｏ Ａ２ ） ０ ３ Ｈ 以下的高频率声表面波 （Ａ 器件 已应用于 ｚ Ｇ Ｓ Ｗ）
光纤通信及卫星通信系统 中；但铌酸锂晶体仍在半
ＩＯ Ｓ ２ 导体器件中广泛使用 ，与之对应的晶片加工水平直 流量等研磨参数 ，用 ＨＰ Ｓ 一１ 德 国产扫描 电镜 ０ 接影响到器件的质量 ～ ． １ 国内外晶片加工主要工 测试上道工序 的损伤层在 ８ ｍ左右 ．由于晶片需 双面研磨 ， 晶片厚度应控制在 （４ 土 ０ Ｉ ． ５０ ２ ） ｍ ｘ 艺为切割一研磨－ 抛光 １ 普遍使用大尺寸 Ｌ ＿ ＋ ， Ｎ晶 （ ３ ）抛光——利用单 面抛光机进行抛光 ． 抛光 通用 的工艺有两种 ： ①采用有蜡工艺 ， 将研磨后的晶 晶片加工水平各主要参数的意义及宁夏东方钽业 ４ 片利用蜡粘在陶瓷盘上进行抛光 ． 该工艺能有效控 英寸 Ｌ 晶片研发的进展和国外 ４ Ｎ 英寸 Ｌ Ｎ晶片的加 制晶片平整度和局部平整度等参数 ； 但投资大， 晶片 工水平 ． 清洗困难 ＋ ②水吸工艺 ，利用一种在水的环境中吸 附力极强的材料做成水吸垫 ，将晶片吸附在水吸垫 片， ４英寸成为主流产 品 ． 本文主要分别介绍衡量