大学物理静电场静电场中的导体课件

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大学物理课件第五章静电场65页PPT

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结论: 电场中各处的力 学性质不同。
2、在电场的同一点上放 不同的试验电荷
结论: F 恒矢量
q0
F3
q3
F1
q1
Q
q2
F2
电场强度定义:
E
F
qo
单位:N·C-1
1. 电场强度的大小为F/q0 。
2. 电场强度的方向为正电荷在该处所受电场 力的方向。
FqE
➢ 电场强度的计算
1.点电荷电场中的电场强度
n
Fi
E i1 q0
n Fi q i 1 0
n
Ei i1
q1 r0 1
F02r02q2 F
q0
F01
若干个静止的点电荷q1、q2、……qn,同时存在时的
场强为
n
E Ei
i 1
i
qi
4 π ori2
eˆri
3.连续分布电荷电场中的电场强度
将带电体分成许多无限小电荷元 dq ,先求出它在任意
目录
第五章 第六章 第七章 第八章
静电场 静电场中的导体和电介质 恒定磁场 变化的电磁场
第五章 静电场
5-1 电荷 库仑定律 5-2 电场 电场强度 5-3 高斯定理及应用 5-4 静电场中的环路定理 电势 5-5 等势面 电势梯度
5-1 电荷 库仑定律
➢ 电荷 带电现象:物体经摩擦 后对轻微物体有吸引作 用的现象。 两种电荷: • 硬橡胶棒与毛皮摩擦后 所带的电荷为负电荷。
Qi c
电荷守恒定律适用于一切宏观和微观过程( 例如 核反应和基本粒子过程 ),是物理学中普遍的基本定
律之一。
➢ 库仑定律
库仑定律描述真空中两个静止的 点电荷之间的相互 作用力。

大学物理-第3章-静电场中的导体

大学物理-第3章-静电场中的导体

R2 R1
在金属球壳与导体球之间(r0 < r < R1时):
q r0
作过 r 处的高斯面S1
q
S1 E2 dS 0

E2 r
q
40r 2
q
E2 40r 2 er
在金属球壳内(R1< r < R2时):电场 E3 0
在金属球壳外( r > R2时): 作过 r 处的高斯面 S 2
S2
E4
dS
在它形成的电场中平行放置一无限大金属平板。求:
金属板两个表面的电荷面密度?
解:带电平面面电荷密度0 ,导体两面感应电荷面密度分 别为1 和 2,由电荷守恒有
1 2 0 (1)
导体内场强为零(三层电荷产生)
σ0 σ1
σ2
E0 E1 E2 0
(2)
E0
0 1 2 0
(3)
20 20 20
导体表面任一点的电场强度都与导体表面垂 直。
20
2.导体在静电平衡状态下 的一些特殊性质
❖ 导体是等势体,导体表面是等势面。
在导体内部任取两点P和Q,它们之间的电势差可以表示为
VP VQ
Q
E
dl
0
P
❖ 导体表面的电场强度方向与导体的表面相垂直。
❖ 导体上感应电荷对原来的外加电场施加影响,改
Q1
Q2
0
q
q
0

E4r
q
4 0 r 2
E4
q
4 0 r 2
er
43
思考:(3)金属球壳和金属球的电势各 为多少?
解:设金属球壳的电势为U壳 ,则:
U壳
R2 E4 dl

大学物理 静电场中的导体

大学物理 静电场中的导体

物理学
中册
〈2〉作高斯面如图
E2
由高斯定理:
s
E
dS
E2S
1
0
S
S
导体内 E0
地面
E 8.85 1012 100 02 8.85 1010(C m2 )
32
而 E 0 仍然成立。
12
物理学 〈2〉无限大带电平面: E 20 中册
带电导体表面附近: E 0
2 1
E
E
E
dS
2ES
S
s
0
是否矛盾?
S
几何面
2
导体内 E0
1
E
S
如果计及带电面的厚度
式中 1 2 21
E
dS
ES
S
s
0
这里的E不单是一个带电
平面产生的。
式中 1 ,不产生矛盾。
13
物理学 3. 孤立导体 与表面曲率有关 .
中册
尖端放电现象及其应用
注意: 此结论只适用
于孤立凸导体。 三. 有导体存在时的 E, U 分布
求解思路:
静电平衡条件 导体上的
计算 E, U 分布
电荷守恒定律
电荷分布 ( 方法同前 )
14
物理学
中册
原 则
三、有导体存在时静电场的计算
1.静电平衡 的条件
E dS
ES
1
S
s
S
S' E内 0
S侧 cos 0
0
11
物理学
中册
思考:
SP E
E
S ' S
0
E 0
E n
0
〈1〉设带电导体表面某点电荷密度为 ,外侧附近场 强 E 0 ,现将另一带电体移近,该点场强是否

大学物理多媒体ppt课件04静电场中的导体

大学物理多媒体ppt课件04静电场中的导体
27
Ep
2qh
4 0 a2 h2
3
2
U=0 q
h
p 0Ep
qh 2 a2 h2 3 2
U=0
p
a
h
-q
Ep
电象法本质:用域外的象电荷来等效边界上
的未知电荷对域内的影响,以简化计算。
28
补充:静电场唯一性定理的证明
就一般情况“给定一些导体的电势和其余导
体的电量”证明。 静电边值问题:
U
*
2 dV
V
US*
US*
V
ds
V
UⅠ* UⅠ*
ds-
UⅡ* UⅡ*
ds
S
SⅠ
SⅡ
35
2U * 0
UⅠ* 0,
SⅡ
UⅡ* n
ds
0
,
U
* S
0

U
* S
n
0
U
*
2 dV
等势
V
US* US*
ds
UⅠ*
UⅠ*
ds
UⅡ*
UⅡ*
ds
S
场才能唯一确定?
17
二、静电场的唯一性定理
S
导体Ⅰ 导体Ⅱ

自由空间:E=?
给定边界S上的电势分布 US,或 US n,再
给定下列条件之一,S内静电场分布唯一确定
(1)给定每一个导体的电势。 (2)给定每一个导体的电量。 (3)给定一些导体的电势和其余导体的电量18。
唯一性定理的证明见本章补充。 三、 静电屏蔽
U=0 o
边界面电势给定U=U=0, 边界面内导体电量给定为q。 按静电唯一性定理:
板上方空间的电场分布是唯一的。 26

大学物理-静电场中的导体

大学物理-静电场中的导体

E内= 0 等势体
静电平衡时的导体
接地 :取得与无限远相同的电势 通常取为零)。 (通常取为零)。
6
半径为R的金属球与地相连接 的金属球与地相连接, 例1. 半径为 的金属球与地相连接,在与球心 相距d=2R处有一点电荷 处有一点电荷q(>0),问球上的 相距 处有一点电荷 , 感应电荷 q'=? q'?q =
q3
q2 q1
B
R1 R2
A
R3
22
解: (1)当球体和球壳为一般带电体时 ) 用高斯定理可求得场强分布为
r −R E3 = (q1 + 3 Q) ( R2 ≤ r ≤ R3 ) 2 4πε0r R3 − R 1
3 3 2 3 2
4πε0 R q1 E2 = 2 4πε0r
E1 =
q1
3 1
r
(r ≤ R1 )
E = σ / εo
1 3.面电荷密度正比于表面曲率 σ ∝ R 面电荷密度正比于表面曲率
31
例4-2 (3)如果外壳接地,情况如何? )如果外壳接地,情况如何? (4)如果内球接地,情况又如何? )如果内球接地,情况又如何? (3)如果外壳接地 ) 则: 外壳电势= 外壳电势= 无穷远处电势 =0 外壳带电量= 外壳带电量=Q’
S
ε0 V
S 是任意的。 是任意的。 令S→ 0,则必有ρ 内 = 0。 。
8
必为零。 2.导体壳: 外可不为零,但σ内 和 E内必为零。 导体壳: 可不为零, 导体壳 σ
σ内 = 0
E内 = 0
S内
σ外
理由: 理由: 在导体中包围空腔选取 高斯面S 高斯面 , 则:
S
r r ∫ E导内 ⋅ d s = 0

大学物理静电场中的导体ppt课件

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8-5 静电场中的导体 1.导体 存在大量的可自由移动的电荷 2.绝缘体 理论上认为一个自由移动的电荷
也没有 也称 电介质 3.半导体 介于上述两者之间
.
一、导体的静电平衡
无外电场. 时
导体的静电感应过程
E 外
加上外电. 场后
导体的静电感应过程
E 外
+
加上外电. 场后
导体的静电感应过程
E 外
结论:
q内 q
腔体内表面所带的电量和腔内带电体所带的电量等量 异号,腔体外表面所带的电量. 由电荷守恒定律决定。
三 静电屏蔽
1、屏蔽外电场
E
E
钱币形
外电场
空腔导体屏蔽外电场
空腔导体可以屏蔽外电场, 使空腔内物体不受外电场 影响.这时,整个空腔导体和腔内的电势也必处处相等.
.
2、屏蔽腔内电场
接地空腔导体将 使外部空间不受空 腔内的电场影响. 接地导体电势为零 问:空间各部分的 电场强度如何分布 ?
实验验证
+
+ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
+
q
+
q +
+ + q+
外. 表面所带感应电荷全部入地
例1、有一外半径R1,内半径为R2的金属球壳。在球壳中 放一半径为R3的金属球,球壳和球均带有电量10-8C的正 电荷。问:(1)两球电荷分布。(2)球心的电势。(3)
➢ 将高压电源的正极接在导体 上,开启高压电源,由低到高, 逐渐加大电源。
静电曲率分布演示仪
观察金属片张开的情况,则看到曲率半径大的地方 金属片张开角度很小,甚至保持下垂的状态。
.
静电平衡时,孤立导体表面某处的电荷面密度 与该处表面曲率有关,曲率越大(曲率半径越小) 的地方电荷密度也越大。

大学物理课件静电场

大学物理课件静电场

有限差分法求解边值问题
有限差分法原理
将连续的空间离散化为网格,用差分方程近 似代替微分方程进行数值求解。
有限差分法的离散化方案
常见的离散化方案包括向前差分、向后差分 和中心差分等。
有限差分法的求解步骤
建立差分方程、确定边界条件、采用迭代法 或直接法求解差分方程得到近似解。
06 静电危害防护与 安全措施
连续分布电荷系统势能计算方法
通过积分求解连续分布电荷的势能,需考虑电荷分 布的空间范围和形状。
静电场能量密度和总能量
静电场能量密度定义
单位体积内静电场所具有的能量。
静电场能量密度计算公式
$w = frac{1}{2} varepsilon_0 E^2$,其中$varepsilon_0$为真空 介电常数,$E$为电场强度。
静电场总能量计算
通过对静电场能量密度在空间上的积分,可求得静电场的总能量。
能量守恒定律在静电场中应用
能量守恒定律表述
在一个孤立系统中,无论发生何种变化,系统的总能量保持不变。
静电场中能量转化与守恒
在静电场中,电荷的移动和电场的变化都会伴随着能量的转化,但 总能量保持不变。
应用实例
如电容器充放电过程中,电场能与电源提供的电能或其他形式的能 量相互转化,但总能量不变。
分离变量法的适用范围
适用于具有规则几何形状和简单边界条件的静电场问题。
格林函数法求解边值问题
1 2
格林函数法原理
利用格林函数表示点源产生的场,并通过叠加原 理求解任意源分布产生的场。
格林函数的性质 格林函数具有对称性、奇异性和边界条件等性质。
3
格林函数法的应用步骤 确定格林函数、将源分布表示为点源的叠加、利 用格林函数求解场分布。

4静电场中的导体PPT课件

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q3 q2 q
1、求电势分布(用叠加
原理)
R3
r R1
U1
q
4 0 R1
q
4 0 R2
q
4 .0 R3
q3
q2
q R1
R2
21
q (1 1 1)
40 R1 R2 R3
q3
(R1 r R2 )
U2
q
4 0 r
q
4 0 R2
q
4 0 R3
q11 1
R3
q2
q R1
R2
( )
40 r R2 R3
理论上:Q分布确定,E、U分布亦确定。 但导体上的电荷分布不是人为规定的, 如何处理有导体存在时的静电场问题?
原则:1.静电平衡的条件
E内 0
或 U const
2.静电场的基本方程
qi
S E d s
i
0
L E d l 0
3.电荷守恒定律 .
12
例: 一个金属球A,带电 qA, 同心金属球壳 B, 带电 qB, 如图,试分析它们的电荷分布。
.
28
2、腔内有电荷的 封闭导体壳:
设不带电的金属壳B内有带电体A, 在静电平衡状态下,带电情况如图。
如果要求腔内电荷不影响
腔外,可以将外壳接地。
q
–q
接地使B的外表面的
电荷全部跑光。
Q+q
.
电力线不可能到外面来, 就起到了 对外的屏蔽作用。
29
从此图可以看出, q –q
重要规律(2): 导体壳内表面上的电荷 与壳内电荷,在导体壳内 表面以外的空间的总场 强等于零。
说明:
1.这里所指的导体内部的场强是指空间中的一切电荷 (包括导体外部的电荷和导体上的电荷)在导体内部 产生的总场强。
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V
五.电场强度的计算 电偶极子 1.定义 (物理模型) P r 其距离较问 题涉及线度 –q l +q 小得多l<<r 的等量异号的点电荷系统. 2.电矩 (电偶极矩) p –q l +q p=ql p与l同向,l从负指向正. 3.电偶极子电场的电场强度 (1)延长线上的电场强度 E– A E+ 坐标如图 –q l +q A的坐标 O x 为x. E+=qi/[4πε0(x–l/2)2] E–=–qi/[4πε0(x+l/2)2] E=E++E–
四.电场叠加原理 4.点电荷系激发的电场 (由力的叠加原理得出) E = qiri/(4πε0ri3) 将带电体分成无数个点电荷. i 试验电荷受力为 5.连续带电体激发的电场 F =Fi= q0qiri/(4πε0ri3) E =q rdq/(4πε0r3) i i ρ=dq/dV E=F/q0 = q0 qiri/(4πε0ri3) q0 (1)体电荷 体电荷密度 i E = rρdV/(4πε0r3) E = qiri/(4πε0ri3) =Ei (2)线电荷截面尺寸远小于长 i i 1.独立性 任何电荷的电场不 度.也远小于问题所涉及线度 线电荷密度 λ=dq/dl 因其它电荷的存在而受影响; E = lrλdl/(4πε0r3) 2.叠加性 空间电场是所有电 (3)面电荷 厚度远小于表面尺 荷产生电场的矢量和. 3.求电场的基点 寸,也远小于问题所涉及线度 (1)点电荷激发的电场; 面电荷密度 σ=dq/dS (2)电场叠加原理. E = S rσdS/(4πε0r3)
2 1 2 ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 2
1
讨论 1.中垂线上 1+2=π Ex=0 sin2=sin1 cos1=–cos2=(l/2)/(a2+l2/4)1/2 Ey=λcos1/(2πε0a) =(q/l)[(l/2)/(a2+l2/4)1/2]/(2πε0a) =q/[4πε0a)(a2+l2/4)1/2] (1)当l ≫ a 1=0 Ey=λ/(2πε0a) (2)当 Ey=q/(4πε0a2) 点电荷 (3)当a=0 带电体不再是线电荷 ≪a 2.延长线上 dl r bP x 所有电 O dE 荷元产 l
y 例4.一半径为R的半球面,均匀地 解: 取园弧微元 dl 带有电荷,电荷面密度为 .求球 dq=dl dE 心处的电场强度. =[Q/(R)]Rdθ xx dE O 解: 取环带微元 =Qdθ/
x dq=dS dE=dq/(4 ε0r2) dEy O dE 2ε R2) =2(Rsin)Rd =Qdθ/(4π 0 =2R2sind dEx=dEcos(θ+)=-dEcosθ 2+x2)3/2] dE=dqx/[40(r dEy=dEsin(θ+)=-dEsinθ 2 2 R sin d Rcos Ex=dEx 3 3 / 2 4 0 R Qcosd 4 2 0 R 2 =sincosd/(20) /2 3/2 =Q/(2 2ε0R2) E sin cosd 2 0 2 Ey=dEy / 4 0 3 / 2 方向x轴正向. Qsin d 4 2 0 R 2 =0
21 21
8.2 电场和电场强度 2.电场强度的定义 E=F/q0 一.电场 F 为试验电荷受的电场力 1.电荷间作用力靠电场实现 电场强度是矢量 力 大小: E=F/q0 电荷 力 电场 电荷 方向: q0>0, E与F同向 2.电场的对外表现 q0<0, E与F反向 (1)对电场中的电荷有作用力; 电场强度 E 是描述电场固有 (2)对电场中的运动电荷作功; 性的物理量, 只与场源电荷有 (3)与电场中的物质相互作用: 关,与试验电荷q0无关 导体,静电感应; 介质,极化. 3.单位 N/C或V/m 3.描述电场的物理量 (1)电场强度 E ; (2)电势 U . 4.电场力 dF=Edq F Q Edq 三.点电荷q激发的电场 二.电场强度E 1 qq0 r 1.试验电荷q0电量极小的点电荷 q0 E=F/q0 =4πε0 r3 (1)电量足够小: E=qr/(4πε0 r3) 不改变产生电场的电荷分布; q0>0, E与r同向 (2)体积足够小: q0<0, E与r反向 所占据的空间真正代表一点.
2 1 2 2 1 1
dEx=dEcos =[λdx/(4πε0r2)](–x/r) =–λxdx/(4πε0r3) =–λxdx/[4πε0(a2+x2)3/2] dEx=dEsin =λadx/[4πε0(a2+x2)3/2] x Ex= x–λxdx/[4πε0(a2+x2)3/2] –λ(–acot)ad/sin2 = 4πε0(a2/sin2)3/2 =[λ/(4πε0a)] cosd


第8章 静止电荷的电场 其大小远小于问题所涉及的 线度的带电体.(形状任意) 8.1电荷,库仑定律 5.库仑定律 1.物质的电结构 F21 q1q2 质子带正电+e 基元电荷 e F21= k r2 e r ( r =r/r) r21 q2 e=1.6×10–19C 电子带负电-e 1 q1q2 r =4πε0 r3 q1 中子不带电,正负电总和为零 (1)电荷不能产生, 不能消灭 ; (1)真空中的电容率ε0 只能转移,中和,与分离; ε0=8.85×10–12C2/(N· 2) m (2)带电: 是失去或得到电子. k无物理意义,以后不用k. (3)电荷消失:是正负电中和. (2) q1,q2同号 2.电荷的量子化 |Q|=Ne NZ F=q1q2/(4πε0 r2)>0 斥力 3.电荷守恒定律 q1,q2异号 孤立系统内, 无论进行怎样的 F=q1q2/(4πε0 r2)<0 引力 过程(物理,化学,核反应),系统 (3)库仑定律只适用与点电荷. 内电量的代数和为一常量. (4)原子内电力是万有引力的 1039倍,一般不考虑万有引力. 4.点电荷的物理模型
={iq/[4πε0(x2–l2/4)]}· · [(x+l/2)2–(x–l/2)2] (x>>l) ~i 2qxl/(4πε0x4) =iql/(4πε0x3) E=2p/(4πε0x3) (p=ql=iql) E与p同向 问题 A点在电偶极子左方如何? (2)中垂线上的电场强度 E+=qr+/(4πε0r+3) =qr+/(4πε0r3) E–=–qr–/(4πε0r–3) E+ y 3) =–qr–/(4πε0r B E– E=E++E– r+ =–q(r+–r–)/(4πε0r3) r– =–ql/(4πε0r3) (y>>l) =–p/(4πε0r3) –q l +q E与p反向.
a2 a 2
Ey=∫dEy=

a2
=[iq/(4πε0)][1/(x–l/2)2–1/(x+l/2)2]
=l×(qE) ql× =p×E 0 = 4.电偶极子在电场中受力 (1)在均匀电场中–q E E F+ 电偶极子有平动,也有转动. 例1(P18 例1.4)求带电为q,长为l F–=–qE–=–qE +q F+=qE+=qE F– r+ 的均匀带电直线外一点电场强度. y r– 解: 取坐标 F=F+ +F– =(q–q)E =0 如图. 取微 dE M= r+×F++r–×F– a r x 元电荷 =r+×(qE)+r–×(–qE) dq=dl =dx O dl =(r+–r–)×(qE) l (=q/l) =l×(qE) ql× =p×E = E= dE= q dq/(4πε0r2) 大小: M=pEsin x 方向: p,E,M成右手螺旋. = x dx/[4πε0(x2+a2)] 电偶极子无平动,有转动. = d/(4πε0a) =(2–1)/(4πε0a) (2)在非均匀电场中 F=F+ +F– =qE+–qE– 0 令 x/a=cot(–) =–cot M= r+×F++r–×F– x=–acot dx=ad/sin2 =r+×(qE+)+r–×(–qE–) x2+a2=a2/sin2 1=arccot(–x1/a) 2=arccot(–x2/a) ~(r+–r–)×(qE)
1
2
例2求半径为R带电为Q的均匀带 (2)当x≫R,E=Q/(4 0x2) 点电荷 电细圆环轴线上一点的电场强度. (3)E~x曲线: E
x E 极大值点 –R/ 2 OR/ 2 解: 以中心 r x=± R/ 2 dE x 例3求半径为R带 轴为x轴.取 R dr 电为Q的均匀圆 微元电荷 O dE Ⅱ P x dE 盘轴线上的场强. r dq=dl ⊥ O dE dE=dq/(40r2)=dl/(40r2) dEⅡ=dEcos =xdl/(40r3) 解: 取中心轴为 x轴,圆环元电荷 dq=2rdr 因对称,dE⊥相互抵消. dE=dqx/[40(x2+r2)3/2] 3)] E=EⅡ=dE = l[xdl/(40r 故 R Ⅱ =2Rx/[4 (x2+R2)3/2] E=dE=0 xrdr/[20(x2+r2)3/2] 0 R =Qx/[40(x2+R2)3/2] = xd(x2+r2)/[40(x2+r2)3/2] 0 方向沿x轴. =[ /(20)][1–x/(x2+R2)1/2] 讨论 (1)当x=0,中心处: E=0 =[Q/(20R2)][1–x/(x2+R2)1/2] 如环开一小口a, 可用补赏法 E=/(20) 求中心场强. E=Qa/(8 20R3) 当x≪R,无限大带电平面 dq
/2 例5.用绝缘细线弯成的半圆环, 故 E=Ex=Q/(2 2ε0R2) 半径为R,其上均匀地带有正点荷 方向沿x轴正向. Q,试求圆心O处的电场强度.
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