模拟电子技术基础(毕满清版)习题参考答案
& ≈ −32.4 ， R ≈ 16.4kΩ ， R = 20kΩ ， A & =0 4.10 （1） I EQ ≈ 0.517mA ；（2） A d i o c
2.39
Ri = RB ∥ [rbe1 + (1 + β1 ) rbe2 + (1 + β1 )(1 + β2 )( RE // RL )] ；
2.40 ICQ=57.16mA。 第3章
3.1 图(a) VT1 工作在截止区；图(b) VT2 工作于可变电阻区；图(c) VT3 工作于恒流区。 3.2 IDQ=0.5mA，UDSQ=10V。 3.3 (2) 栅源电压 UGS=－3V。 3.4 (a) 可能；(b) 不可能；(c) 可能；(d) 可能。
2.27 (1) RC=2.22k Ω ； (2) 取电阻 RC=3 kΩ，(Uom)M = 4.45V（峰值）
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课
& =-78；(5) & =-96； A 2.20 (1) Q（IBQ=26µA，ICQ=1.3mA，UCEQ=5.5V）；(2)Ri=1.3k Ω ；Ro=5k Ω ；(3) A u us
(Uom)M =2.3V；(6)首先出现截止失真；(7) RB=376.7k Ω ， (Uom)M =2.67V 2 . 2 1 (a) 图负半周信号失真为饱和失真，增大基极电阻 RB，减小静态电流，可以消除。 (b) 图正半 周信号失真为截止失真，减小 RB，增大静态电流，可消除 。(c) 图正负半周均失真为双向失真（既有饱 和失真，又有截止失真） 。 2.23 (1) RB=565k Ω ； (2) RL = 1.5kΩ 2.24 (a) Ria =
& =U & =U & /U & ≈-1， U ≈ −U ； A & /U & ≈1， U ≈ U 。 33 (1) A 2. 2.33 u1 o1 i o1 i u2 o2 i o2 i
和发射极同第一只管子，最上端为集电极。(c)不能。直流工作点不能建立。(d)可以构成 PNP 管。复合管 的上端为发射极，下端为集电极，中间为基极。(e)可以构成 NPN 管。复合管的上端为集电极，下端为发 射极，中间为基极。 2.38
I CEO β 60 = 0.656µA ； α = = = 0.984 1+ β 1 + β 61
2.9 S 接到位置 A 时，IB 最大。S 接到位置 C 时，IB 最小。
2.13 Ro=10 kΩ
2.18 计算值：RB=699kΩ、RC=6kΩ，取 RB=680kΩ、RC=6.2kΩ，Q（IC = 3.4mA，UCE=2.92V） 2.19 (a) IC = 0.268mA; UCE=4.7V; β =134 ； α =0.99; (b) IC = 0.457mA; IE = 0.5mA; β =10.63 ；
3.7
& = −1.7 ；Ri= 2.075MΩ。 A u
& = −3 ；Ri=2.93 MΩ。 3.8 (1) RS1=0.45 kΩ； (2) A u & = 0.857 ；Ri =2.075MΩ；Ro=0.92kΩ。 3.9 (2) A u
3.10 RS=1kΩ；RD=8.2kΩ。
课
后
答 案
网
& = −6.3 ；Ri=10MΩ；Ro =18 kΩ。 3.5 (1) IDQ≈0.37mA，UGSQ≈－0.75V，UDSQ≈12.5V；(2) A u & = −2.9 ；Ri =1MΩ； Ro=3kΩ。 3.6 (1) IDQ=2.9mA，UGSQ=－2.9V，UDSQ=18.4V；(2) gm=1.13； (4) A u
第5章
5.3 60dB，相当于把信号放大了 1000 倍， Au (dB) = 20 lg | 5000 | =73.98dB。 5.4
f L =155.56 Hz， f H =6.4 MHz
5.5 （1） u om =2V， uo 与 u i 反相，波形不失真；（2）会产生失真，是频率失真和幅值失真。 5.6
于 180 度；(2) f = 500 Hz， u om =5V，输出电压波形会发生幅度失真；(3) f = 5 × 10 6 Hz， u om =5V，输出
co
m
2.6 选用第二只管子。∵β2＝100 比较适中、ICEO2＝10μA 较小，使用寿命长，且温度稳定性更好。
2.28 (1)电源 VCC=17V，RB= 522kΩ； (2) Usm= 35.7mV。
& =-96.8； 2.29 (1)Q（IBQ=31.3µA，ICQ=1.88mA，UCEQ=4.48V） ； Ri=0.927k Ω ， Ro=3k Ω ； A u
5mA < I L < 25mA ；(3) 输入直流电压 Ui 的最大允许变化范围为 11V < U i < 14V 。
第2章 2.4 (a) 截止；(b) 饱和；(c) 放大；(d) 放大；(e) 饱和；(f) 截止 2.5 (1) β = 60 ； I CEO = 400 − 6 β = 40µA ； I CBO = (2)Ge 管。 2.8 (a) 不能。因为输入信号被 VBB 短路。(b) 可能。 (c) 不能。图中 VBB 极性接反，使 NPN 管发 短路。 (f) 不能。因为输出信号被 C3 短路，恒为零。 2.10 A 放大；B 饱和；C 截止；D 截止。 2.11 2.12
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后
α =0.914;
& & Ui & = U o = − βRC ；(b) R = U i = R // R′ ， R′ = U i = r + (1 + β ) R ， = RB // rbe ， A ua ib B i i be E & & Ii r be Ib I U i i
答 案
2.17 IE= 0.8mA；IC=0.774 mA；UEC=4.26V；α=0.97；β=30。
f H =70.7kHz
& | =60dB, 上限频率 f = 10 8 Hz, 下限频率 f = 100 Hz ； 5.7 （1）中频电压增益 | A （ 2）当输入信 um H L
号频率为 f L 或 f H 时，该电路实际的电压增益是 42.42 分贝。
& = 5.8 （1） A u
5.9 下降了多少 7.68dB；放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为 90+1.728 度。 5.10 (1) f = 5 kHz， u om =2.5V，输出电压波形不会发生失真，输出电压与输入电压之间相位差约等
ww
& & = U o ≈ − − β2 ( RC ∥ RL ) ； R = R ∥ [r + (1 + β ) r ] ； R ≈ R 。 A o C i b be 1 be2 u & rbe2 U i (1 + β2 )( RE ∥ RL ) & ≈ ； Ro = RE ∥ A u rbe2 + (1 + β2 )( RE ∥ RL )
网
2.16
I E = (1 + β ) I B = 0.909mA
ww
& = 50 A i
w.
β =50； α =0.98；PCM= 50mW；ICEO=20µA；U(BR)CEO=35V。
kh
da
w.
射结反偏，不满足放大要求。(d) 不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(e) 不能。因为输入信号被C2
co
2.35 (1)A、E 接有电容 C 时，R i =173k Ω ； (2)A、E 间断开电容 C 时，R i =32..6k Ω 。
m
第4章 4.3
& =A & ⋅A & = 827.7 A u u1 u2
4.4 （1）第一级为共集电路，第二级为共射放大电路；（2） Ri = 21.07kΩ ，放大电路的输入电阻为 第一级的输入电阻，在求解 Ri 时，要注意考虑第二级输入电阻 Ri2 是第一级的负载电阻对它的影响。 4.5
(2)Ui=3.167 mV，Uo=306.57 mV；若 C E 开路，U′i=9.62 mV，U′o=13.76 mV。
& =-7.6； 2.30 (1)Q（IBQ =10µA，I EQ=1mA，UCEQ=5.7V） ； Ri =3.7kΩ， Ro =5kΩ； A u & =-1.86 (2)若 CE 开路，静态各量及 Ro 均无变化， Ri =4.09 k Ω ， A u & =0.996；R L =3kΩ 2.32 (1)Q（IBQ =32.3µA，I EQ=161mA，UCEQ=7.17V）；(2)R L = ∞ 时 ，Ri =110k Ω ， A u & =0.992；(3) R =36Ω 。 时，Ri =76k Ω ， A o u
w.
rbe2 +
kh
( RS ∥ RB ) + rbe1 1 + β1 ； 1 + β2
da
2.37 (a)不能。因为第一只管子 UCE1=UBE2，处于临界饱和状态。(b)可以构成 NPN 管。复合管的基极
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础 清华版 习题答案
。 C. 反 向 击 穿 。
（ 4） 当 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 ， 发 射 结 电 压 和 集 电 结 电 压 应 为 A. 前 者 反 偏 、 后 者 也 反 偏 B. 前 者 正 偏 、 后 者 反 偏 C. 前 者 正 偏 、 后 者 也 正 偏 （ 5） UGS＝ 0V 时 ， 能 够 工 作 在 恒 流 区 的 场 效 应 管 有 A. 结 型 管 解： （ 1） A （ 2） C B. 增 强 型 MOS 管 （ 3） C （ 4） B 。
UO =
RL ⋅ U I ≈ 3.33V R + RL
图 P1.9
当 UI＝ 15V 时 ， 稳 压 管 中 的 电 流 大 于 最 小 稳 定 电 流 IZmin， 所 以 UO＝ UZ＝ 6V 同 理 ， 当 UI＝ 35V 时 ， UO＝ UZ＝ 6V。
（ 2 ） I D Z = (U I − U Z ) R = 29mA ＞ I Z M ＝ 2 5 mA ，稳 压 管 将 因 功 耗 过 大 而 损 坏。
六 、 电 路 如 图 T1.6 所 示 ， V C C ＝ 1 5 V ， β ＝ 1 0 0 ， U B E ＝ 0.7V 。 试 问 ： （ 1） Rb＝ 50kΩ 时 ， uO＝ ？ （ 2） 若 T 临 界 饱 和 ， 则 Rb≈ ？ 解： （ 1 ） R b ＝ 5 0k Ω 时 ， 基 极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为
（ 6） 若 耗 尽 型 N 沟 道 MOS 管 的 U G S 大 于 零 ， 则其输入电阻会明显变小。 （ ） 解： （ 1） √ （ 2） × （ 3） √ （ 4） × （ 5） √ （ 6） ×
二、选择正确答案填入空内。 （ 1 ） PN 结 加 正 向 电 压 时 ， 空 间 电 荷 区 将 A. 变 窄
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。