集成电路封装技术
集成电路芯片封装技术
集成电路芯片封装技术集成电路芯片封装技术是指将芯片封装在外部封装材料之中，以保护芯片，并为其提供供电和信号传输的功能。
封装技术是集成电路制造中的关键环节，对于集成电路芯片的可靠性、电气性能和尺寸要求都具有重要影响。
下面将介绍几种常见的集成电路芯片封装技术。
第一种是无引脚封装技术。
无引脚封装技术是指将芯片直接封装在基板上，通过使用焊嘴和焊球等来连接芯片和基板。
这种封装技术的特点是结构简单、可靠性高、成本低，适用于较小尺寸的芯片。
但由于需要直接焊接，对于芯片的布线密度有一定要求。
第二种是引脚封装技术。
引脚封装技术是指将芯片焊接在引脚上，然后将引脚与基板连接。
这种封装技术可以适应不同的尺寸和布线密度要求，适用于各种集成电路芯片。
根据引脚的形式，可以分为直插式封装和表面贴装封装。
直插式封装适用于较大尺寸的芯片，而表面贴装封装则适用于较小尺寸的芯片。
第三种是球栅阵列（BGA）封装技术。
BGA封装技术是指将芯片封装在一个带有焊球的基板上，焊球与基板之间通过焊锡球形成连接。
这种封装技术具有高密度、高可靠性和良好的电性能，因此被广泛应用于高性能计算机芯片和移动设备芯片等领域。
第四种是系统级封装技术。
系统级封装技术是指将多个芯片集成在一个封装中，形成一个完整的系统。
这种封装技术可以节省空间、降低能耗，提高芯片的可靠性和性能。
系统级封装技术适用于复杂的系统芯片，如通信芯片、传感器芯片等。
除了以上几种常见的封装技术外，还有一些其他的封装技术，如三维封装技术、系统级封装技术等。
随着技术的不断发展，集成电路芯片封装技术也在不断创新，以适应日益增长的需求。
总的来说，集成电路芯片封装技术的发展对于集成电路产业的发展起着重要的推动作用，这些技术的进步将为我们带来更加高效、可靠和多样化的集成电路产品。
模拟电子技术基础知识集成电路的制造与封装技术
模拟电子技术基础知识集成电路的制造与封装技术模拟电子技术基础知识：集成电路的制造与封装技术集成电路（Integrated Circuit，简称IC）作为现代电子技术的核心组成部分，广泛应用于电子设备、通信系统、计算机等领域。
而集成电路的制造与封装技术则是实现IC产品生产的关键环节。
本文将介绍模拟电子技术基础知识之集成电路的制造与封装技术，以帮助读者更好地了解和应用这一领域的知识。
一、集成电路的制造技术集成电路的制造技术主要包括晶圆加工、薄膜制备、光刻、扩散与离子注入、接触制作、金属化、封装等过程。
1. 晶圆加工晶圆加工是集成电路制造的第一步，它是以硅为原料，通过一系列工艺步骤将硅晶圆加工成初具集成电路结构的基片。
晶圆加工主要包括晶圆切割、去除表面氧化层、清洗等过程。
2. 薄膜制备薄膜在集成电路中发挥着重要作用，用于隔离电路层与电路层之间、保护电路元件以及形成电路元件等功能。
常见的薄膜制备技术有化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。
3. 光刻光刻是一种利用光刻胶和光源对薄膜进行图案转移的技术。
通过将光刻胶覆盖在薄膜上，然后使用光刻机将光源照射在光刻胶上，再进行显影、洗涤等步骤，最终形成期望的图案结构。
4. 扩散与离子注入扩散与离子注入是实现集成电路器件电学特性控制的关键步骤。
扩散是指将某种掺杂原子通过高温热处理使其在晶体中进行扩散，形成所需的电学特性。
离子注入则是利用离子注入设备将掺杂离子注入晶圆，以实现器件性能的控制。
5. 接触制作接触制作是在薄膜表面形成金属与半导体之间的接触，以实现电流的传输。
通过光刻和金属热蒸发等技术，将所需的金属导线和接触结构形成在晶圆表面。
6. 金属化金属化是在制造过程中，将金属层覆盖在晶圆上，实现器件之间电路的连通。
金属化过程包括金属蒸发、光刻、蚀刻等步骤。
二、集成电路的封装技术集成电路的封装技术是将芯片封装到塑料或金属封装中，以保护和连接芯片，同时便于与外部电路的连接。
集成电路封装技术
集成电路封装技术一、概述集成电路封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的过程，其重要性不言而喻。
封装技术不仅仅是保护芯片，还可以通过封装形式的不同来满足不同应用领域的需求。
本文将介绍集成电路封装技术的基本概念、发展历程、主要封装类型以及未来发展趋势等内容。
二、发展历程集成电路封装技术随着集成电路行业的发展逐渐成熟。
最早的集成电路封装形式是引脚直插式封装，随着技术的不断进步，出现了芯片级、无尘室级封装技术。
如今，随着3D封装、CSP、SiP等新技术的出现，集成电路封装技术正朝着更加高密度、高性能、多功能的方向发展。
三、主要封装类型1.BGA封装：球栅阵列封装，是一种常见的封装形式，具有焊接可靠性高、散热性好等优点。
2.QFN封装：裸露焊盘封装，具有体积小、重量轻、成本低等优点，适用于尺寸要求严格的应用场合。
3.CSP封装：芯片级封装，在尺寸更小、功耗更低的应用场合有着广泛的应用。
4.3D封装：通过将多个芯片垂直堆叠，实现更高的集成度和性能。
5.SiP封装：系统级封装，将多个不同功能的芯片封装在一起，实现更复杂的功能。
四、未来发展趋势随着物联网、人工智能等领域的兴起，集成电路封装技术也将迎来新的挑战和机遇。
未来，集成电路封装技术将朝着更高密度、更低功耗、更可靠、更环保的方向发展。
同时，新材料、新工艺和新技术的应用将为集成电路封装技术带来更多可能性。
五、结语集成电路封装技术是集成电路产业链中至关重要的一环，其发展水平直接关系到整个集成电路的性能和应用范围。
随着技术的不断进步，集成电路封装技术也在不断演进，为各个领域的技术发展提供了强有力的支撑。
希望本文能够帮助读者更好地了解集成电路封装技术的基本概念和发展趋势，为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
集成电路封装技术封装工艺流程介绍
集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内，以保护芯片不受外界环境的影响，并且方便与外部电路连接的一种技术。
封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一，其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。
下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。
1. 芯片测试首先，芯片在封装之前需要进行测试，以确保其性能符合要求。
常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。
只有通过测试的芯片才能进行封装。
2. 芯片准备在封装之前，需要对芯片进行准备工作，包括将芯片固定在封装底座上，并进行金线连接。
金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来，以实现与外部电路的连接。
3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷，其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。
在封装之前，需要将封装材料进行预处理，以确保其表面光滑、清洁，并且具有良好的粘附性。
4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。
在封装过程中，首先将芯片放置在封装底座上，然后将封装材料覆盖在芯片上，并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。
在封装过程中，需要控制封装温度、压力和时间，以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。
5. 封装测试封装完成后，需要对封装产品进行测试，以确保其性能和可靠性符合要求。
常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。
6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品，可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。
封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。
总的来说，集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程，需要精密的设备和严格的工艺控制。
只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制，才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。
随着科技的不断进步，集成电路封装技术也在不断创新和发展，以满足不断变化的市场需求。
相信随着技术的不断进步，集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。
集成电路封装技术的发展方向
集成电路封装技术的发展方向随着科技的不断进步和人们对高性能电子器件的需求不断增长，集成电路封装技术也在不断地发展和改进。
本文将分析集成电路封装技术的现状和发展趋势。
一、集成电路封装技术的现状随着电子产品使用场景的不断扩大，对封装技术的要求也越来越高。
尤其是随着人工智能、大数据、云计算等高性能电子器件的出现，集成电路封装技术变得更加重要。
现代封装技术面临着一系列新的挑战，包括：1. 高密度封装随着电路尺寸的缩小，半导体晶体管的密度和数量的增加，同样面积的集成电路上需要容纳更多的电路和元器件。
因此，封装技术的发展需要满足更高的密度要求。
2. 多功能封装电子产品产品不断发展，用户对产品的功能要求也越来越高。
因此，一个封装器件要满足多种功能，如散热、脱焊、防水等。
3. 可重用封装传统的封装技术是一次性的，因此难以适应快速迭代的电子产品市场的需求，造成浪费和效益低下。
二、集成电路封装技术的未来发展为了应对上述挑战，并提供更多的解决方案，集成电路封装技术需要进一步发展。
1. 引入新的材料新材料的引入是提高封装性能和开发高级封装的关键。
例如，硅酸盐玻璃可以制成高质量的二层封装，以改善散热和崩裂问题；有机基板通过提高介电常数，提高信号速度和抑制互相干扰效果。
2. 工艺的优化工艺的优化可以很好的解决集成电路封装过程中遇到的问题。
例如，薄膜制程、金属ELP等制程的应用可以提高封装公差、拼接和可重用性。
3. 创新的封装结构创新的封装结构能够为集成电路提供更多的功能和易于纳入微小装置的能力。
例如，球网阵列封装结构能够实现紧凑型、轻量化、低成本和高可靠性的优势。
4. 智能化封装智能化封装是未来集成电路封装的趋势。
通过智能化设计，可以实现更高的产品精度、智能化质检功能以及让封装适应更多的场景。
结语本文从集成电路封装技术的现状和发展趋势两个方面对集成电路封装技术进行了分析。
未来集成电路封装技术的不断发展，必将为自动驾驶、5G通信和人工智能等领域的发展带来更加稳定的基础条件。
集成电路封装工艺介绍
集成电路封装工艺介绍
SMD（Surface Mount Technology，表面安装技术）集成电路封装技术是一种利用表面安装技术来安装集成电路片上的元件，这种技术为模块封装提供了一种新的封装方式。
SMD封装技术在使用后可以实现低成本、高密度和高可靠性，在封装技术中已经得到了广泛应用。
下面介绍SMD集成电路封装工艺：
1.贴标：将集成电路封装片进行贴标，贴标中需包含集成电路芯片型号、芯片生产厂商、批量等信息，以及集成电路封装片的图纸。
2.清洗：进行封装片的清洗，通常使用抛光膏、洗涤液等来完成清洗工作，使其能够保持清洁无杂质。
3.引弧焊：将元件焊接到封装片上，通常采用引弧焊工艺，即采用电弧的能量将元件与前面进行过清洗的封装片上焊上。
4.返修：返修是根据集成电路封装的失效原因，通过改变封装片上的焊接参数和元件的安装形式，来改善集成电路封装的质量，以保证封装片的质量，通过返修可以减少集成电路封装的失效。
5.检测：检测是从元件安装，焊接，到封装完成后，进行完整性和质量检测，进而使其在使用中能够发挥良好的性能，满足质量要求。
集成电路芯片封装技术第1章
(50~90)%
封装效率
封装效率
=2-7%(1970-) =10-30%(1980-)
封装效率
=20-80%(1990-)
封装效率
=50-90%(1993-)
封装效率的改进
35
表2．封装厚度的变化
封装形式
封装厚度
(mm)
PQFP/PDIP TQFP/TSOP UTQFP/UTSOP
解决途径：
1、降低芯片功耗：双极型-PMOS-CMOS-？？？
2、增加材料的热导率：成本
微电子技术发展对封装的要求
三、集成度提高 适应大芯片要求
热膨胀系数（CTE）失配—热应力和热变形
解决途径：
1、采用低应力贴片材料：使大尺寸IC采用CTE接近
Si的陶瓷材料，但目前环氧树脂封装仍为主流
2、采用应力低传递模压树脂 消除封装过程中的热应
目的
使各种元器件、功能部件相组合形成功能电路
难易程度
依据电路结构、性能要求、封装类型而异
需考虑的问题
ห้องสมุดไป่ตู้保护
苛刻的工程条件（温度、湿度、振动、冲击、放射性等）
超高要求
超高性能 （3D IC）
超薄型、超小型
超多端子连接
超高功率（采用热冷、金属陶瓷复合基板等）
电子封装实现的四种功能
① 信号分配：
② 电源分配：
何将聚集的热量散出的问
题
封装保护
芯片封装可为芯片和其他连
接部件提供牢固可靠的机械
支撑，并能适应各种工作环
境和条件的变化
确定封装要求的影响因素
成本
电路在最佳
性能指标下
的最低价格
外形与结构
2024版集成电路芯片封装技术培训课程
术培训课程•封装技术概述•封装材料选择与性能要求•芯片与基板连接技术•封装工艺流程详解•先进封装技术探讨•封装设备选型及使用注意事项•封装质量管理与可靠性评估方法目录封装技术概述封装定义与作用封装定义封装作用保护芯片免受外部环境的影响，如温度、湿度、机械应力等；为芯片提供稳定的电气连接和信号传输；实现芯片与外部器件的连接和互操作。
封装技术发展历程中期封装技术早期封装技术逐渐出现塑料封装和陶瓷封装，体积减小、重量减轻、成本降低。
现代封装技术SOP 封装小外形封装，引脚从两侧引出，体积小、重量轻，适合表面贴装。
BGA 封装3D 封装将多个芯片在垂直方向上堆叠起来，通过穿硅通孔等技术实现芯片间的互连，可大幅提高集成度和性能。
DIP 封装双列直插式封装，引脚从两侧引出，插装方便，但封装密度较低。
QFP 封装CSP 封装芯片尺寸封装，引脚间距极小，可实现与裸片相近的尺寸和性能。
010203040506常见封装类型及其特点封装材料选择与性能要求铜铝金030201陶瓷塑料玻璃密封材料环氧树脂低成本、良好的密封性和绝缘性，广泛用于中低端封装。
硅橡胶高弹性、耐高低温、良好的密封性，用于高端封装和特殊环境。
聚酰亚胺高热稳定性、良好的绝缘性和机械强度，用于高端封装。
导电性能绝缘性能热稳定性能机械性能性能要求及测试方法芯片与基板连接技术超声键合利用超声波振动能量实现芯片与基板的连接，适用于对温度敏感的材料和微小间距的连接。
热压键合利用高温和压力将芯片与基板连接，适用于大规模生产，具有高效率和高可靠性的特点。
激光键合利用激光能量局部加热芯片和基板实现连接，具有高精度和高灵活性的特点。
1 2 3金丝球焊铜丝压焊铝丝压焊载带自动键合技术(TAB)内引线TAB01外引线TAB02多层TAB03对连接后的芯片进行拉力、剪切力等机械性能测试，以评估连接的牢固程度。
机械性能测试电性能测试环境适应性测试可靠性寿命测试对连接后的芯片进行电阻、电容等电性能测试，以评估连接的电气性能。
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7. 世界上一些著名封装厂也都来大陆建厂: 日月光(上海) 矽品科技(SPIL)(苏州) 飞索(苏州) Amkor(安考)(上海) 最近在成都将建三个大型封装测试厂 Intel,中芯国际,友尼森(Unisem)
8
8. 2004年大陆前十名产值的封装测试厂
排序 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 合计 企业 销售收入(亿元) 81.2 飞思卡尔半导体 25.976 威讯联合半导体(北京) 瑞萨-四通集成电路(北京) 18.873 16.000 英特尔(上海) 14.485 南通富士通微电子 四川乐山无线电(分立器件) 13.358 11.90 江苏长电科技 8.58 上海松下 7.90 深圳赛意法微电子 7.80 星科金朋(上海) 193.44 9
12
2. 封装的分级 零级封装: 芯片上的互连; 一级封装: 器件级封装; 二级封装: PCB (PWB)级封装; 三级封装: 分机柜内母板的组装; 四级封装: 分机柜. 我们这里讨论的封装是指"一级封装", 即IC器件的封装.
13
硅圆片
0级
1级
2级
管芯 3级 4级 器件 5级
印制板
图1 常规组合的电路封装
图5 集成电路封装产量和年增长率发展趋势
27
2. 技术发展趋势 芯片封装工艺: △ 芯片封装工艺: 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装, 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装,即先将圆片 划片成小管芯. 划片成小管芯. 再逐个封装成器件, 再逐个封装成器件,到在圆片上完成封装划片后 就成器件. 就成器件. 芯片与封装的互连:从引线键合( △ 芯片与封装的互连:从引线键合(WB)向倒装焊 ) (FC)转变. )转变. 微电子封装和PCB板之间的互连: 板之间的互连: △ 微电子封装和 板之间的互连 已由通孔插装(PTH)为主转为表面安装(SMT)为主. 为主转为表面安装( 已由通孔插装 为主转为表面安装 )为主.
QFP,CSP CSP,DCA 0.33 0.15~0.050
33
图7
引线节距的发展趋势
34
PQFP PDIP
TQFP TSOP
UTQFP UTSOP
封装厚度 3.6 - 2.0mm
1.4 - 1.0mm
0.8 - 0.5mm
图8 封装厚度比较
35
除非裸芯片,很难使封装体厚度tp小于0.5mm. tp = 上包封体(高于引线拱高)+芯片厚度(0.2 ~ 0.3 mm) +下包封体(包括芯片焊盘+芯片粘接层厚度) 包封体:防潮,防尘,防辐射等环境保护,机械保护
PQFP/PDIP TQFP/TSOP UTQFP/UTSOP 3.6~2.0 1.4~1.0 0.8~0.5
32
表3.引线节距缩小的趋势
年份
1980
1985
1990 QFP 0.63
1995
2000
典型封装 DIP,PGA SDIP,PLCC,BGA 典型引线 节距(mm) 节距 2.54 1.27
29
图6
单芯片封装向多芯片封装的演变
30
表1.硅片封装效率的提高
年代 封装年代 封装效率Sd/Sp
1970 DIP (2~7)%
1980 PQFP (10~30)%
1990
1993
BGA/CSP DCA/CSP (20~80)% (50~90)%
31
表2.封装厚度的变化
封装形式 封装厚度(mm)
18
② 按主要使用材料来分,有 裸芯片 金属封装 陶瓷封装 塑料封装
(6 ~ 7)%
1~2% > 92 %
19
历史的发展过程:最早是金属封装,然后是陶瓷封装, 历史的发展过程:最早是金属封装,然后是陶瓷封装, 最后是塑料封装. 最后是塑料封装. 性能分:金属和陶瓷封装是气密封装, 性能分:金属和陶瓷封装是气密封装, 塑料封装是非气密或准气密封装; 塑料封装是非气密或准气密封装; 金属或陶瓷封装可用于"严酷的环境条件" 如军用, 金属或陶瓷封装可用于"严酷的环境条件",如军用,宇 航等,而塑封只能用于"不太严酷"的环境; 航等,而塑封只能用于"不太严酷"的环境; 金属,陶瓷封装是"空封" 封装不与芯片表面接触, 金属,陶瓷封装是"空封",封装不与芯片表面接触,塑 封是"实封" 封是"实封"; 金属封装目前主要用于大功率的混合集成电路( 金属封装目前主要用于大功率的混合集成电路(HIC), ), 部分军品及需空封器件. 部分军品及需空封器件.
9. 中国将进入世界半导体封装产业的第四或第二位
世界半导体封装业产值分布和产值名次排序
亚洲 2001年 2001年 2006年 2006年 日本 马来西亚 台湾 菲律宾 中国大陆 韩国
90% 91.3%
新加坡
22.9% 1 17.1% 1
香港
17.6% 2 17.0% 2
印尼
11.3% 11.5% 4 3 13.0% 11.0% 4 3
QFP (PLCC) BGA
4～5%
25
三,IC封装的发展趋势 封装的发展趋势 1. IC封装产量仍以平均4~5年一个增长周期在增长. 2000年是增长率最高的一年(+15%以上). 2001年和2002年的增长率都较小. 半导体工业可能以"三年养五年" !
26
16.8~27.4%
2003 2004
2003
2004
2
2. 中国是目前世界上半导体工业发展最快的国家之一. 近几年的产值平均年增长率在30%以上,世界10%.
3
3. 中国国内半导体元器件的市场很大 中国已成为除美,日外,世界第三大电子信息产品 制造国,2010年后为第二. 据美国半导体行业协会(SIA)预测: 中国电子产品的生产值将从2002年的1300亿美元 上升到2006年的2520亿美元, 四年内将翻一番! 元器件采购值四年内将增长约三倍: 从2002年的350亿美元 上升到2006年的1000亿美元
20
③ 按引线形状 无引线:焊点,焊盘 有引线:
外壳 芯片
TH
直插
21
L型 (翼型) J型
SMT
焊球 焊柱 扁平
I形(柱形)
22
图3 一级封装的类型
23
IC封装的生命周期
图4 上世纪末集成电路封装的生命周期
24
④ 目前世界上产量较多的几类封装 SOP PDIP 55～57% 14% 12%
5
5. 封装测试业已成为中国最大的半导体产业: 2003年:封装测试业产值占70% 晶圆制造业产值占17% 设计业产值占13%
6
6. 2002年全球排名前十位的半导体公司大都将在中国建立封装测试厂 年全球排名前十位的半导体公司大都将在中国建立封装测试厂
名 2002年 年 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次 2001年 年 1 4 3 5 2 8 6 7 9 10 Intel 三星 ST微电子 微电子 TI 东芝 Infineon NEC Motorola 菲利浦 瑞萨) 日立 (瑞萨 瑞萨 无锡 苏州 北京 天津 苏州 苏州 公司名 上海 苏州 深圳 销售额(亿美元) 销售额(亿美元) 2002年 2001年 年 年 234.7 91.8 63.1 62.0 61.9 53.6 52.6 47.3 43.6 40.5 235.4 61.4 63.6 60.5 65.4 45.6 53.0 48.3 44.1 42.4 增长率 -0.3% 49.5% -0.9% 2.5% -5.5% 17.5% -0.8% -2.0% -1.1% -4.6%
39
表5. 集成电路封装引出端数的分布范围
引线数范围 1997年(估算值) 2003年(预测值)
≤33
76% 68%
33～100 101～308 18% 20% 5% 10%
≥308
1% 2%
40
四,集成电路的基本组(封)装工艺 集成电路的基本组( 不同的封装使用的封装工艺是不同的: 金属封装 陶瓷封装 塑料封装: 引线框架式封装 PCB基板 PBGA: WB (引线键合) FC (倒装芯片) 载带: 圆片级封装 WLP DIP,SOP,QFP,PLCC等主要都是塑料封装.
36
封装效率 封装效率 =2-7%(1970-) =10-30%(1980-)
封装效率 =20-80%(1990-)
封装效率 =50-90%(1993-)
图9 封装效率的改进
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晶体管封装外形也可用于IC封装:SOT 23-6L ,SOT 23-8L. 最小的8引线封装 US8,内装3个缓冲反相器. 其大小为宽×长×高 2.0×3.1×1.0mm,相当于一粒大米!
28
封装密度正愈来愈高 封装密度的提高体现在下列三方面: 硅片的封装效率 = 硅芯片面积/封装所占印制板面积 = Sd/Sp不断提高(见表1); 封装的高度不断降低(见表2); 引线节距不断缩小(见表3); 引线布置从封装的两侧发展到封装的四周,到封装的底面. 这样使单位封装体积的硅密度和引线密度都大大提高. 国际上IC封装的发展趋势如表4所示.
目录 一,中国将成为世界半导体封装业的重要基地 二,IC封装的作用和类型 三,IC封装的发展趋势 四,IC封装的基本工艺 五,几种新颖封装BGA,CSP,WLP 六,封装的选择和设计 七,微电子封装缩略词
1
一,中国将成为世界半导体封装业的重要基地之一 1. 世界半导体工业仍在高速发展
16.8~27.4%
38
各类封装在封装总量中所占的比例和IC封装引出端的分 布如表4,表5所示. 表4. 各类封装在封装总量中所占的份额(%) DIP 28 15 12 SOP 47 57 56 QFP 13 12 12 BGA <1 <1 <1 CSP <1 1 7 其他 12 12 7