电气工程与自动化专业英语翻译(第三章)

晶体管和电子管
在大多数电器和电子设备，晶体管几乎完全取代电子管。

晶体管作为电子管执行相同的功能。

但是，它们也有几个重要的优点。

大公较小，从而使更紧凑的产品成为可能。

晶体管也比电子管更坚固耐用。

它通常会提供更好的性能，在一段较长的时间。

最重要的是，晶体管通常需要少得多的电流和电压下正常工作。

这样可以节省能源。

例如，12V汽车收音机使用管吸引约2.5A。

一个类似的晶体管汽车收音机提请只有一小部分的安培。

低功耗晶体管电路的需求尽可能小，重量轻，随身便携产品的工作很长一段时间，小，低小的电池。

各种各样的晶体管
最常见的两种类型的晶体管是NPN型晶体管和PNP晶体管。

它们通常被称为双极型晶体管，因为他们的操作取决于被布置为二极管连接在一个“背背”的方式这两种材料的移动。

这样的安排形成三个区域的发射极，基极和集电极。

这些地区被确定由符号E，B，和C。

的一晶体管的区域接合引线或标签，它连接在晶体管电路。

晶体管封装在金属外壳经常有第四铅被称为盾铅的。

将此导线安装在壳体内部，并连接到电路中的一个公共点。

金属外壳的屏蔽层附近晶体管表格的静电和磁场。

符号解释: 有一个方便的方式来记住的符号是否代表了一个结晶体管NPN 或PNP型。

注意代表发射器的箭头指向什么方向。

如果箭头指向相差形成的基，它可以被认为是“不指向N”，因此，该符号代表一个NPN晶体管。

如果箭头指向底座，它可以被认为是的“指向N”。

因此，这个符号代表的P-N-P晶体管。

鉴定: 大多数晶体管标识由一些字母代码，例如2N，然后通过一系列的数字，例如，2N104，2N337，2N556。

其它晶体管都确定了一系列的数字或数字和字母，例如40050，40404，和4D20的组合。

晶体上手册: 设备是否是NPN或PNP型的晶体管的识别码不表示。

晶体管手册或规格表中发现这样的技术数据。

这些手册也给各种不同的电路中使用的晶体管的信息。

晶体管外形图提供了详细的信息，它们的大小，形状和连接。

晶体管的连接通常是确定了在晶体管的基极的底视图。

替代:
NPN和PNP晶体管无法被直接彼此替换。

然而，晶体管通常可以替换为其他的晶体管具有不同的标识，但被设计为执行相同的功能。

上市可以代替其它晶体管晶体管晶体管替代指南或手册。

晶体上的操作:
放大器是一个设备或电路，可以增加电压或电流的值。

晶体管作为放大器的移动设备。

这是因为在其输入电路的小信号，可以控制一个更大的信号，它的输出电路。

这一行动被称为功率增益。

称为偏置电压的电压，施加到晶体管的那些部分形成的输入和输出电路。

时，输入电路的偏置电压是多种多样的，在晶体管的行为作为一个可变电阻，其电阻的增加或减少。

晶体上的N-P-N:
最咸不淡的晶体管放大器电路被称为一个常见合会发射极电路。

之所以如此命名，是因为发射极咸不淡，或者是一个组成部分，同时在输入和输出电路。

在这个电路中，输入电路的基极 - 发射极间的PN结正向偏置时，由电池B1。

电池有更高的电压比电池B1，B2，是跨接在输出电路中的发射极晶体管构成的集电极。

这使得更积极的相对于比基为正相对于发射极的发射极的集电极。

的碱是负的集电极。

的基极 - 集电极PN结被反向偏置。

随着基极 - 发射极的PN结正向偏置时，自由电子的发射极朝着交界。

在同一时间内的基本走向的交界处的孔。

交界处附近的区域中的空穴和电子的结合。

这将产生一个在外部的基极 - 发射极电路的电流。

基极区域是非常薄的。

因此，大多数的走向的基极 - 发射极结的电子通过到集电极。

这些电子被吸引到电池B2的正极端子。

在同一时间，电子从负极端子的电池B2移动到发射极。

外部的集电极 - 发射极的外把电路中的电流远远大于在输入电路中的电流。

因此，该电路作为放大器。

的输出电流的控制
晶体管放大器电路还有另外一个非常重要的特征。

的输出电流可以通过改变输入电路中的电流控制。

在图2中示出如何可以做到这一点。

这里一个电位器
R1是跨接在输入电路单元格B1。

由于滑动臂移向a点，基极 - 发射极的PN结变得越来越少正向偏置的。

其结果是，在输入电路中的电流减小。

这将导致更大的输出电路中的电流减少。

P-N-P晶体管
当一个PNP晶体管的放大电路中使用的，施加的偏置电压的极性的基极 - 发射极和基极 - 集电极PN结是在NPN短暂的电路相反。

NPN晶体管电路，这将导致基极 - 发射极结正向偏置，基极 - 集电极结反向偏置。

在电路中，在发射器中的孔的基极 - 发射极间的PN结的走向。

基地内的电子也走向交界。

交界处附近的区域中的空穴和电子的结合。

然而，大多数的孔穿过的基极和到收集器中。

在这里，空穴被吸引到结束的集电极连接到电池B2的负极端子。

作为这种情况持续下去，从电池的负极端子的电子进入收集器结合的孔。

在同一时间，在发射器中的电子数目相等打破它们的电子对债券和输入的电池的正极端子。

这又产生一个更大的电流比在输入电路中的外部输出电路。

实用放大器电路
一个简单，但实用，一个晶体管放大器电路如图4所示。

请注意，在这个电路中，偏置电压的PNP晶体管的由单一光源的能量，电池B1的供应商。

电阻器R1充当电流限制器，以提供适当的基极偏置电流。

在任何晶体管放大器电路，基收藏家PN结反向偏置。

从一个音频的频率源，例如一个微电话，输入信号被施加到输入电路。

据的基础上，通过电容器C1耦合到。

由于输入信号的电压变化值，并尊的极性，它有助于，反对的正向偏压施加到晶体管的基极 - 发射极结由电池。

这将导致在输入电路中的电流成正比例变化的音频信号。

这会导致较大的输出电流以相同的方式发生变化。

由于电流在输出电路中的值的变化，输出电路中的R 2两端的电压降也改变值。

的晶体管，电阻器R2和电池构成的串联电路。

因此，作为输出电流增加，电阻R1增大两端的电压降。

晶体管两端的输出电压，从集电极到发射极的下降。

当输出电路中的电流减小， R1两端的电压降减少。

输出电压的增加。

在输出信号电压的变化大于在输入信号电压。

因此，输入信号被放大。

放大的输出电压，然后应用到耳机。

在那里，它被改变成声波。

更强大的放大器电路，使用两个或更多个晶体管。

它们连接，使每个晶体管的输出信号被施加到下一个
晶体管的输入电路。

每个晶体管作为放大器。

因此，这提供了一个更大的原始输入信号的电压放大。

使用晶体管:
虽然晶体管是坚固的设备，可能会损坏。

过多的热量可能会永久损坏晶体晶格结构的材料。

散热器
晶体管必须进行大量的电流，通常安装在散热片，让他们从过热。

散热片吸收热量从一个晶体管和消散，或抛出，更迅速地比晶体管本身。

这让晶体管工作在较低的温度。

连接:
晶体管被连接到电路，在以下两种方式之一。

要么它们的引线焊接到电路端子，或将其插入晶体管插座（图5）。

套接字使其更容易投入或取出晶体管。

他们还消除晶体管过热的危险。

引线焊接到电路时，过热的情况可能发生。

当晶体管焊接铅，最好是使用电烙铁，不产生更多的热量比需要做的工作。

额定功率为30 W至50 W的电烙铁通常是足够的热。

散热片应始终连接到晶体管引线被焊接。

这可以是一个尖嘴钳或一些其他类型的散热片的下颌。

一种晶体管，应始终采取的插座时，插座端子焊接或虚焊。

偏置电压
决不把一个晶体管电路，直到你确定合适的偏置电压值将被应用到其终端。

由于NPN或PNP晶体管的基极 - 发射极的偏置电压向集电极电压供给时，晶体管导通。

由于NPN或PNP晶体管的基极 - 发射极的偏置电压向集电极电压供给时，晶体管导通。

拜谢电压作为偏置电压中的NPN或PNP晶体管的集电极电压供应移向面积电晶体是打开的。

作为碱电压相差的集电极电压移动时，晶体管被关闭。

甲基极 - 发射极电压，例如，建立通常的切断和最大工作区域的中间位置。

对于放大器的工作，基极 - 发射极的直流偏置约0.3V锗硅晶体管的晶体管和0.6V。

晶体管的PN结施加电压过高将导致晶体管进行更多的电流比它可以处理安全。

晶体管应该永远不会被取出或放入现场的电路。

否则，损坏的浪涌电流可以通过晶体管。

正确的极性
如果偏置电压极性接错被应用到它，可能会损坏的晶体管。

这种损害的危险少得多，共发射极电路。

然而，它始终是一个好主意，仔细检查。

与已建成的店铺，被用于第一次的电路，这是特别真实。

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