高纯碲的制备方法
真空蒸馏法制备高纯碲
Ｐｒ ｐａ ａ ｉ ｎ ｏ ｇ ｒ ｔ ｌｕ ｉ ｍ ｙ Ｖａ ｕ ｍ ｓ ｉｌ ｔｏ ｃ ｎｉ ｅ ｅ ｒ ｔｏ ｆ Ｈｉ ｈ Ｐｕ ｉｙ Ｔｅ ｌ ｒ ｕ ｂ ｃ ｕ Ｄｉ ｔｌａ ｉ ｎ Ｔｅ ｈ ｑｕ
摘 要 ： 用 真 空 蒸 馏 法 提 纯 ４ ９ ．９ 碲 ， ５ ０２ ０ ５Ｐ 采 Ｎ（９ ９ ％） 在 ５ ＂ 、 ． ａ的 动 态 真 空 条 件 下 ， 部 分 杂 质 从 ８ （ 大 ６× １ 降 到 ７ ０ 。延 长 冷 凝 段 长 度 ， 汽 压 比碲 高 的 杂 质 （ Ｓ Ｏ ×１ ～ 蒸 除 ｅ外 ） 即 ｃ 、 ｎ和 Ａ ， ｄｚ ｓ明 显 减 少 。５ Ｎ （９ ９ ９ 碲总 的 收率 达 到 ９ ％ ， 均 蒸 馏 速 度 １４ ０ ｇ （ｍ ・） ９ ．９ ％） ７ 平 ． ×１ 叫 ／ｃ ｓ 。
Ａｂ ｔａ ｔ ｈ Ｎ （ ９ ９ ％）ｔｌ ｒ ｍ ｕｉｅ ｙｖ ｃｕ Ｉ ｉ ｉａｉ ｎ ｅ ５ ＂ ｎ ． ａ ｔｅｎａ ｒ ｙｉ ｕｉｅ ｓｒ ｃ ：Ｔ ｅ４ ９ ．９ ｅｕｉ ｉ ｐ ｒ ｉ ｂ ａｕ ｌ ｓ ｌ ｔ ｎ ｕ ｄ ｒ ０Ｃ ａ ｄ０ ５Ｐ ， ｈ ￣ ｏｉ ｒ ｉ ｌ ｕ ｓ ｆｄ Ｔ ｄ ｔｌ ｏ ５ ｊ ｔ ｍｐ ｔ ｓ
ＢＴ ｉｅ是制备 红外探 测材 料 、 阳能 电池 、 太 电光调制 器 、
４ 碲为原 料 。主要 成份 见表 １ Ｎ 。 表 １ 真 空蒸馏 碲 的分析 数据
碲化合物材料的制备与应用
碲化合物材料的制备与应用碲化合物材料是一类重要的半导体材料，它们具有优良的电学、光电学和磁学性能，具有广泛的应用前景。
本文将从碲化合物材料的制备、性质和应用等方面进行探讨。
碲化合物材料的制备碲化合物材料主要是通过熔盐法、气相扩散法、溶液法和热解法等多种方法制备而成。
其中，熔盐法是制备碲化合物材料的主要方法之一。
该方法在高温下将碲和金属元素混合熔化，再将混合物缓慢冷却，最终得到均匀的碲化合物单晶。
但是，熔盐法制备的碲化合物材料的晶体质量、制备周期比较长，成本也相对较高。
气相扩散法又被称为CVD法，它是一种将气体中的原子沉积在衬底上成长晶体的过程。
CVD法在制备碲化合物材料中使用较为广泛，被广泛应用在电子、光电学等领域。
溶液法将碲和金属元素混和溶液，通过加热蒸发，使得材料在衬底上沉积成长晶体。
而热解法就是通过在一定条件下使含碲化合物分解，然后在沉积基底上重组成长晶体。
此外，还可以将碲化合物材料与其他材料进行合成，如硅碲合金、锑碲合金等。
碲化合物材料的性质碲化合物材料具有一系列优异的物理性能，包括高电导率、光电转换效率高、具有热稳定性等。
碲化合物材料晶体的晶格结构是具有层状结构的，其中各层之间是通过共价键和离子键相连接的。
层状结构的设计，使得碲化合物材料具备了优异的性能和多种物理机制。
碲化合物材料在电子学应用方面具有广泛的应用前景，例如，碲化汞和碲化铟等材料常常被用作光电转换器件的敏感材料，用于太阳能电池、红外线探测器等电子设备中。
此外，碲化铅也被广泛应用于太阳能电池的构建当中。
碲化合物材料的热稳定性较高，可以在高温环境下稳定工作，因此被广泛应用于火箭发动机喷口的制造中。
碲化合物材料在光电学应用方面同样也具有非常广泛的应用前景，例如，在激光制冷和低温晶圆测量中，碲化镉等材料被用作光学材料。
此外，碲化汞和碲化铟等材料也被广泛应用于半导体激光制造中，可以有效地提高激光的波长范围和光束质量。
碲化合物材料的应用碲化合物材料目前被广泛应用于众多领域，如光电子学、电子学、传感器、热电、生物医学等。
高纯碲的化学合成与异质结构优化
高纯碲的化学合成与异质结构优化高纯碲是一种重要的半导体材料，具有优异的电子输运性能和光电特性。
在光电子器件、热电材料、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
本文将探讨高纯碲的化学合成方法，并重点介绍异质结构优化的相关研究进展。
高纯碲的化学合成方法多样，包括熔融法、气相传输法、碟形法、溶胶-凝胶法等。
熔融法是最常用的合成方法之一。
通过加热纯度较高的碲原料，在惰性气氛中使其熔融，并通过冷却结晶得到高纯度的碲晶体。
熔融法合成的碲晶体纯度高，但晶体质量和晶体尺寸较为不均匀，会影响到材料的性能。
为了优化碲晶体的性能，研究人员尝试采用其他的合成方法。
近年来，气相传输法被广泛应用于高纯碲的合成。
该方法将合成前驱体以气体的形式输送到反应器中，通过适当的温度和气氛控制，使前驱体在反应器表面沉积并形成纯净的碲晶体。
相比熔融法，气相传输法合成的碲晶体晶体质量更好，尺寸更为均匀。
然而，气相传输法合成碲晶体的成本较高，需要精密的温度和气氛控制。
除了优化碲晶体的合成方法，研究人员还探索了利用异质结构优化高纯碲材料的性能。
异质结构是指不同材料之间界面的结构。
通过在高纯碲材料中引入异质结构，可以改变材料的能带结构和电子输运特性，进而提高材料的光电性能。
一种方法是在高纯碲材料中引入纳米颗粒。
研究人员采用溶液沉积、热蒸发、磁控溅射等方法，在高纯碲表面沉积纳米金属颗粒，形成碲-金属异质结构。
这种异质结构能够增强材料的光吸收和光电转换效率，提高光电器件的性能。
另一种方法是通过引入多层异质结构来优化高纯碲材料的性能。
多层异质结构是指在高纯碲材料中间夹一层不同材料的薄膜。
通过选择合适的薄膜材料和厚度，可以调节材料的能带结构和电子输运性能。
研究人员利用分子束外延、化学气相沉积等方法，成功制备了碲-锗、碲-硫等多层异质结构。
这些多层异质结构材料在光电子器件和能源转换领域具有潜在的应用价值。
异质结构优化高纯碲材料的研究还面临一些挑战。
首先，异质结构的制备需要控制材料的生长条件和加工工艺，对设备和工艺的要求较高。
高纯金属碲及其氧化物的制备方法概述
高纯金属碲及其氧化物的制备方法概述许顺磊，柳忠琪，常意川，程耿（武汉船用电力推进装置研究所，武汉430064）摘要：高纯碲和高纯二氧化碲是指产品纯度在4N以上的碲和二氧化碲，其广泛应用于传感器、太阳能电池、导电银浆、玻璃掺杂、红外探测等领域。
高纯碲的制备方法主要有真空蒸馏法、区域熔炼法、直拉提纯法、水溶液还原法、电解法、萃取法等；高纯二氧化碲制备方法主要为化学法。
本文介绍了高纯碲和高纯二氧化碲的主要制备方法及其特点，并对高纯碲和高纯二氧化碲的产业发展前景进行了展望。
关键词：高纯碲高纯二氧化碲真空蒸馏电解中图分类号：TF13 文献标识码：A 文章编号：1003-4862（2019）05-0046-05Summary of the Preparation Method of High Purity to Tellurium andtheir OxidesXu Shunlei, Liu Zhongqi, Chang Yichuan, Cheng Geng(Wuhan Institute of Marine Electric Propulsion, Wuhan 430064, China)Abstract: High purity tellurium and high purity tellurium dioxide show that product purity is more than 4N of tellurium and tellurium dioxide. Its widely used in sensors, solar cells, conductive silver pulp, glass doped, infrared detection, etc. Main preparation methods of high purity tellurium included vacuum distillation, zone melting method, direct pull purification method, solution reduction method, electrolytic method, extraction. High purity tellurium dioxide preparation methods mainly contain chemical method. This paper introduces the main preparation methods of high purity tellurium and high purity tellurium dioxide and its characteristic, and the high purity tellurium and high purity tellurium dioxide industry development foreground is prospected.Keywords:high purity tellurium; high purity tellurium dioxide; vacuum distillation; electrolytic0 引言材料工业是一个国家的基础工业，材料工业科技含量高低将是影响国家强大的重要因素之一。
真空蒸馏法制备高纯碲的研究
摘 要: 近年来ꎬ 由于碲广泛应用于各高精尖行业ꎬ 其需求量也在日益增加ꎬ 对碲产品的纯度要求也更加严格ꎬ 特别是在
高纯碲产品中ꎬ 微量杂质都会影响其含碲材料的性能ꎮ 因此鉴于高纯碲产品的高质量要求ꎬ 本文使用真空蒸馏－区域熔融的方法ꎬ
采用真空蒸馏碲提纯炉ꎬ 在蒸馏温度为 ６００ ℃ ꎬ 真空度控制在 ２ Ｐａꎬ 蒸馏时间控制在 ３ ｈ 时ꎬ 可使蒸发率达到 ９６ ６３％ ꎬ 并可将杂
空蒸馏时间为: １ ｈ、 ２ ｈ、 ３ ｈꎬ 则可得到 ９ 组真空蒸馏碲实验ꎮ
(２) 用分析称取 １ ｋｇ 的粗碲原料(４ Ｎ) ꎬ 将 ９ 组实验均取同
样质量的粗碲ꎬ 按照标号装入高纯石墨制成的坩埚中ꎬ 再将高
纯石墨坩埚放入蒸馏炉的加热区域内ꎬ 将真空蒸馏塔板盖好ꎮ
(３) 将真空蒸馏炉密封后开启冷却水ꎬ 并同时开始抽真空ꎬ
Ｄ 值 [９] ꎬ 表 ２ 给出了碲中各元素的 Ａ、 Ｂ、 Ｃ、 Ｄ 系数值ꎮ
表 ２ 碲中各个杂质的克劳修斯－克拉贝龙关系式热力学参数 [９]
Ｔａｂｌｅ ２ Ｃｌａｕｓｉｕｓ－ｃｌａｐｅｙｒｏｎ ｒｅｌａｔｉｏｎ ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ
(５) 冷却系统ꎮ 采用 ＭＡ 系列风冷式工业冷水机ꎬ 其容量
根据加热系统冷却量进行选取ꎮ
１ ３ 实验方法
碲真空蒸馏温度为 ５００ ~ ６００ ℃ ꎬ 真空度为 ２ Ｐａ 蒸馏时间
以所取原料碲的质量而定ꎮ
(１) 在真空蒸馏碲的实验中ꎬ 控制真空蒸馏温度以 ５０ ℃ 为
梯度定为: ５００ ℃ 、 ５５０ ℃ 、 ６００ ℃ ꎻ 在上述三个温度下控制真
( ＳＺＬ０４５) ꎮ
第一作者: 程籽毅(１９９６－) ꎬ 男ꎬ 在读硕士研究生ꎬ 研究领域为矿产综合利用ꎮ
碲的提炼工艺
碲的提炼工艺嘿，朋友们！今天咱来聊聊碲的提炼工艺，这可真是个有意思的事儿呢！你想想看，碲就藏在那些矿石里，就像宝贝藏在一个大宝藏里一样。
要把它找出来，那可得有一番功夫。
首先呢，得找到含有碲的矿石。
这就好比在茫茫人海中找到那个对的人，不容易啊！然后，把这些矿石开采出来，运到提炼的地方。
接下来，就是关键的步骤啦！就像是一场魔术表演，要把碲从矿石中变出来。
一般会用到一些化学方法和工艺，这可都是技术活儿。
比如说，会有溶解、沉淀、过滤这些操作，听着是不是有点复杂？但其实就跟我们平时做饭差不多，各种调料加进去，最后做出一道美味的菜肴。
只不过这里的“调料”和“烹饪方法”更加专业和精细罢了。
在这个过程中，工人们就像大厨一样，小心翼翼地掌握着火候和步骤，稍有差错，可能就得不到纯度高的碲啦。
这可不是闹着玩的，要是没做好，那之前的努力不就白费了嘛！提炼出来的碲，那可真是闪闪发光啊，就像一颗璀璨的星星从矿石中诞生。
然后呢，这些碲就可以被用到各种地方啦，什么电子行业啦、化工行业啦等等。
你说神奇不神奇？原本普普通通的矿石，经过这么一番折腾，就变成了这么重要的东西。
这难道不是大自然给我们的一个惊喜吗？所以啊，我们可不能小看这些提炼工艺，它们可是让那些隐藏的宝贝重见天日的魔法呢！我们的生活中有那么多用到碲的地方，都是靠这些工艺才得以实现的呀。
大家想想，如果没有这些工艺，我们的生活得失去多少精彩呀！那些电子设备可能就没那么好用了，化工产品也会受到影响。
这可不是开玩笑的呀！总之呢，碲的提炼工艺真的很重要，很神奇，也很值得我们去了解和尊重。
让我们为那些默默工作在提炼一线的工人们点赞，是他们让我们的生活变得更加美好和便利呀！。
高纯碲粉末
高纯碲粉末高纯碲粉末是一种无毒、无害、高纯度的碲元素粉末，具有很强的光电、热电等性能，在半导体、军事、电子等行业中应用广泛。
本文旨在介绍高纯碲粉末的基本性质、制备方法、应用领域以及市场前景等方面的知识。
一、高纯碲粉末的基本性质高纯碲粉末是一种重金属元素粉末，颜色为灰色至黑色。
它的理化性质如下：密度为6.24g/cm³，熔点为449.5℃，沸点为988℃。
高纯碲粉末具有很强的半导体性能，在光电、热电等领域中有着广泛的应用。
除此之外，高纯碲粉末还具有良好的化学稳定性、成型性以及良好的机械性能等特点。
二、高纯碲粉末的制备方法高纯碲粉末的制备方法有多种，以下是几种比较常见的方法：1. 碲金属的电化学还原法。
这种方法是将碲酸钠或碲酸钡等高碲化合物在氯化钠和氯化钾的混合盐熔体中作为电解质，在电转槽中进行电解。
通过电流的作用，将碲离子逐步还原成金属碲。
2. 溶液还原法。
使用钠硫代硫酸或氢氧化钠将碲酸盐还原为碲酸。
然后在碱性溶液中加入一定量的铜盐或镍盐，使碲酸根离子逐渐被还原为碲元素。
3. 气相法。
将碲化物钨丝电加热至一定温度，发生化学反应生成高纯碲粉末。
这种方法所得到的高纯碲粉末颗粒均匀，质量稳定，成本相对较低，是较为常用的制备方法之一。
三、高纯碲粉末的应用领域1. 半导体领域。
高纯碲粉末具有半导体电性能，主要应用于制备各种半导体器件。
2. 光电领域。
碲元素具有很好的光电响应能力，能有效地吸收红外线、紫外线等光谱区的光线，可用于制备红外探测器、太阳能电池、光电传感器等。
3. 军事领域。
高纯碲粉末在制备红外探测器以及夜视仪中应用广泛。
4. 电子领域。
高纯碲粉末能制备出高性能的电子元器件，如晶体三极管、场效应管等。
四、高纯碲粉末的市场前景高纯碲粉末具有广泛的应用前景，特别是在半导体、光电领域以及军事领域中的应用将会更加广泛。
目前，随着5G、云计算、大数据等技术的快速发展，对高纯碲粉末的需求量也越来越大。
电解方法制取精碲
电解方法制取精碲
电解方法制取精碲主要包含以下几个步骤：
1. 将工业碲氧化除杂，得到二氧化碲。
2. 将二氧化碲溶解在氢氧化钠溶液中，制成电解液。
3. 使用不锈钢板作为阴极，普通铁板作为阳极，在适当的电流、温度和时间下进行电解。
电解液中的二氧化碲在阴极上还原为碲，而其他杂质由于电性不同，不能在阴极上还原而得以分离。
4. 将电解得到的初步提纯的碲从阴极剥离后熔化铸成电解精炼的阳极。
5. 对阳极进行电解精炼、熔化除杂，最终得到纯度在5N以上的高纯碲。
通过这种方法，可以从工业碲中提取高纯度的碲，纯度可达到5N以上。
如需更多信息，建议查阅相关文献或咨询专业化学家。
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第12卷稀散金属专辑广东有色金属学报Vol112,D M Special 2002年9月JOURNAL OF GUAN G DON G NON2FERROUS METAL S Sep.2002文章编号:1003—7837(2002)Dissipated Metals S pecial—0051—04高纯碲的制备方法王 英,陈少纯,顾 珩(广州有色金属研究院化工冶金研究室,广东广州 510651)摘 要:对制备高纯碲的两种方法———电解精炼法和真空蒸馏法,从理论依据到工艺参数的控制以及生产实践中存在的问题分别进行了阐述.以二氧化碲为原料采用电解精炼法制备碲,其纯度为99199%;粗碲真空蒸馏制备高纯碲的方法具有流程短、碲回收率高、生产成本低以及劳动环境好等优点,此法制备的碲的纯度达991999%以上.根据原料的不同及对产品碲的纯度的要求选择不同的生产方法.关键词:高纯碲;电解精炼;真空蒸馏高纯碲是制备化合物半导体材料的基础材料.例如碲化镉可以用来制造发光二极管、辐射探测器和太阳能电池;碲汞镉合金是红外发射体和探测器的最佳材料;碲铋硒锑合金是一种重要的温差热电材料,可以用来发电和致冷.致冷的原理是通过半导体在一个结上吸热,而在另一个结上释放热.利用这种原理制成的半导体致冷器件具有质量轻、无声音震动的特点.可以用于饮水机、冰箱、空调等民用产品的致冷,也可以使用在宇宙动力系统、航标、高空天气记录仪表、军用雷达冷却器及潜艇空调装置中.用于制备碲铋硒锑合金材料的金属碲的纯度必须达到4N以上才能满足原料要求,否则直接影响到半导体器件的致冷效果.制备高纯碲的方法很多,主要有化学法[1]、电解法和真空蒸馏法.根据我们已有的生产经验在这里主要介绍后两种方法.1 电解精炼电解精炼法是将经过提纯的二氧化碲溶入氢氧化钠溶液配制成电解液,游离碱度控制在100g/L,以不锈钢板作阴极,普通铁板为阳极,在一定的电流、温度和时间下,在阴极板上得到产品碲.1.1 电解精炼的理论依据电解液中的主要离子是Na+,T eO2-3,PbO-2,SeO2-3,AsO-2,其中T eO2-3,PbO-2,SeO2-3, AsO-2均可在阴极上沉积,阳极上发生的是简单的吸氧反应.在实际的电解过程中,重点是控制电解液中铅和硒的浓度,否则它们将在阴极上大量沉积,直接影响产品碲的质量.对于碲的电解工艺条件,笔者曾进行过研究.1.1.1 铅与碲的共沉积[3]及铅的控制在实际电解过程中,铅硒与碲的共沉积除了与自身的浓度有关外,还受电流密度、电解液的流速、电解温度、游离碱的浓度以及碲的浓度的影响.Bernhard Handle运用统计法设计了一套试作者简介:王英,女,山西太原人,工程师,硕士.25广 东 有 色 金 属 学 报 2002验研究方法,提出了碲电解精炼的各工艺参数之间的相互作用直接影响到铅硒与碲的共沉积. PbO-2+H2O+2e-Pb+3OH-(1) Te+2e-Te2-(2) Te2-+HPbO-2+H2O Pb Te+3OH-(3)在电流密度、碲的浓度都比较低的情况下,铅按照反应式(1)沉积在阴极.这是因为此时铅的电极电位比碲和硒都更正一些;在低的电流密度下,随着碲浓度的增加,即TeO2-3浓度的增加,使其过电位降低,促进了Te的沉积;在低电流密度下,提高电解液的流速将加速铅的共沉积.但是在高的电流密度下,由于Te按照反应式(2)形成Te2-离子,进一步与电解液中的HPbO-2反应生成Pb Te,反应式如(3).随着电解液流速的增加,加快了反应(3)的进行,使铅在阴极上沉积的可能性减小.因此采用低的电流密度、高的TeO2-3浓度、大的电解液流速将有利于减少铅的析出.除了合理地选择电流密度、电解温度等参数以外,还需要对电解液中铅的浓度进行控制.采取的方法是在二氧化碲配成电解液时加入Na2S稀溶液以生成PbS沉淀来去除大部分杂质铅,但是这样做仅能使铅的浓度降为0102g/L左右,远不能达到电解液的要求,我们通过研究选择了一种还原剂使得电解液中的铅大幅度地降至01003g/L以下[3].1.1.2 硒与碲的共沉积[3]及硒的控制硒在电解液中的行为跟铅有所不同.单纯电流密度的变化对硒在阴极上沉积的影响不大,但是电解温度与电流密度之间的相互作用对硒的沉积有很大的影响.当电解温度控制在20～40℃时,随着电流密度的增加,硒在阴极上的沉积量明显增加;当电解温度超过50℃时,电流密度越大,硒的沉积量反而减少.可能是因为加快了反应(4)的缘故.Se2-与电解液中的SeO2-3发生反应,如反应式(5).在一定的流速下,反应生成的Se从电极表面被运送到溶液中.当电极表面附近的SeO2-3贫乏时,Se2-与沉积在阴极上的Se按照反应式(6)生成多硒盐. Se+2e-Se2-(4) SeO2-3+2Se2-+3H2O3Se+6OH-(5) x Se+Se2-Se2-x(6)由于碲电解的温度一般控制在30℃左右,因此电解时电流密度不宜过大.另外,当电解液中铅浓度比较低而硒浓度较高并成为影响碲纯度的主要杂质时,可适当地提高电解温度来减少硒在阴极上的沉积.与铅的情况相同,生产中也需要对电解液中硒浓度进行一定的控制.通常使用的方法有中和法、还原法和煅烧法.中和法是将二氧化碲溶于氢氧化钠溶液中,用10%硫酸中和至p H为5～6.这时碲酸钠发生水解生成二氧化碲沉淀下来,而硒酸钠不发生水解留在溶液里,处理后的二氧化碲中含硒约013%.还原法是在粗二氧化碲中加入1mol/L硫酸和亚硫酸钠,搅拌,过滤,洗涤,静置24～48h,然后加氢氧化钠溶解,再用硫酸调整p H为5～6,处理后的二氧化碲中含硒约011%.经过这两种方法处理过的二氧化碲料需要进一步采用煅烧法除硒.煅烧时料层不能太厚,经常翻动,温度控制在400～450℃,这样可以使二氧化碲料中的硒质量分数在011%以下,一般控制电解液中的硒为013g/L以下.1.2 电解精炼的工艺条件电解液的成分(g/L):Te200～230,NaOH100,Se<013,Pb<01003;电解液温度为20～30℃;电流密度为50A/m2.1.3 电解精炼碲的成分在1.2的工艺条件下,电解碲经熔铸后,品级可达99199%以上,见表1.表1 产品碲的分析结果T able 1 Analytical results of T e product w /% 碲含量杂质总量杂质含量Cu Pb Al Bi Fe 99.998<0.0020.000004080.000060930.000091320.000012410.00008343杂质含量Na SiS Se As Mg 0.000185800.00082100<0.001000000.000013820.000003800.000073522 真空蒸馏2.1 粗碲真空蒸馏的理论依据粗碲的真空蒸馏法是依据碲具有高的蒸气压,并且与其他杂质金属的蒸气压有较大差别的原理,在高于碲熔点的温度下进行蒸馏,严格控制冷凝温度实现分段冷凝,获得高纯碲.粗碲各组分纯态时的蒸气压的差异性,是粗碲进行真空蒸馏提纯的基本条件.碲的蒸气压P (kPa )与温度T 的关系式[4]为: lg P =-7183×103T -1-4127lg T +21142(7)碲在400℃就开始挥发,工业上一般控制在600℃.表2为在600℃、纯态时碲与砷、铋、钠、铅、硫、硒等元素的蒸气压的比值.从表2可以看出,在真空蒸馏温度下碲先于砷、铋、钠、铅从粗碲中挥发进入气相,而这些杂质大部分以液体形式留在熔体中,达到碲与这些杂质元素分离的目的.但是粗碲中的硫和硒比碲较容易挥发,大部分进入气相中,严重影响碲的纯度.因此必须采取一定的措施来避免硫硒对碲产品的污染.一般实行分段冷凝,让碲与硫硒分别在不同的温度区域中冷凝下来,从而达到分离的目的.表2 T e 2与杂质元素在纯态时的蒸气压的比值T able 2 V apor pressure ratio of T e 2to elements of impurities at pure state杂质元素AsBi Na Pb S 2Se P o (Te 2)/P o (m )68.3910764.6511428.7813001.700.010.022.2 真空蒸馏的工艺条件与蒸馏的结果真空蒸馏的工艺条件为:蒸馏温度500～700℃,冷凝温度300～400℃,真空度4～100Pa ,蒸馏时间随原料的量而定.一次蒸馏前后碲含杂质的变化见表3.表3 一次蒸馏前后碲中的杂质T able 3 Impurities from tellurium before and after one distillation杂质含量w /%As BiNa Pb S 2Se 原料碲0.00012900.00201700.01280000.00075100.00200000.0068900蒸馏碲0.00008910.00014300.00026600.0000650<0.00100000.002813035第12卷 稀散金属专辑 王 英等:高纯碲的制备方法45广 东 有 色 金 属 学 报 20022.3 冷凝温度对碲的形态的影响冷凝温度直接影响到碲的形态.当冷凝温度比较低时,蒸馏碲靠近冷凝器壁一侧的表面发灰,没有金属光泽,而另一面晶粒粗大,整个碲块的硬度达不到要求,易碎,易氧化;当冷凝温度较高时,靠近冷凝器的一面易发生烧结,产品外观也不好.3 结 语(1)用二氧化碲制备高纯碲采用电解精炼法,在工艺参数确定的条件下,主要通过控制电解液中的杂质浓度来改变其电极电位,从而减少与碲的共沉积.碲的纯度一般为99199%.(2)原料是粗碲时,采用真空蒸馏法制备高纯碲,除硒与硫以外的杂质都可在蒸馏过程中与碲分离,而硒硫可再通过分段冷凝的方法与碲分离.碲的纯度可以达到991999%以上.与电解精炼法相比,该法具有流程短、碲回收率高、生产成本低以及劳动环境好等优点,但这种方法受原料的限制.(3)在实际生产过程中,也有将粗碲先通过电解提纯,再经过真空蒸馏得到高纯碲.因此选择何种方法要依据不同的原料和对产品品质的要求来确定.参考文献:[1]韩汉民,李化龙.由工业碲制备高纯碲[J].应用化学,1998,(5):104.[2]Bernhard Handle,G ordon Broderick,Peter Paschen.A Statistical res ponse surface study of the telluriumelectrowinning process[J].Hydrometalllurgy,1997,(46):105-120.[3]王英,陈少纯,顾珩.影响电解碲产品因素的研究[J].辽宁大学学报,1999,(26):82.[4]梁英教,车荫昌.无机热力学数据手册[M].沈阳:东北大学出版社,1993.Preparation of high purity telluriumWAN G Y ing,CHEN Shao2chun,GU Heng(Research Depart ment of Chemical Engineering&Non2f errous Metallurgy,Guangz hou ResearchInstitute of Non-Ferrous Metals,Guangz hou510651,China)Abstract:Two methods,vacuum distillation and electrorefining,of preparing high purity telluri2 um have been elucidated from their theoretic basis to the controls of process parameters and the problems of productions,resp.When tellurium dioxide is used as raw material,tellurium product whose purity is99199%can be prepared by the method of electrorefining.Vacuum distillation of crude tellurium has the advantages of shorter technological process,higher recovery,lower pro2 duction cost,better working conditions,and so on.The purity of tellurium product prepared by this method is over991999%.The different method is selected according to the different raw ma2 terial and the purity of tellurium product.K ey w ords:high purity tellurium;electrorefining;vacuum distillation。