第四章 电子衍射(4)
电子衍射

(1)由于电子波波长很短,一般只有千分之几nm, 按布拉格方程2dsin=可知,电子衍射的2角很小(一 般为几度),即入射电子束和衍射电子束都近乎平行 于衍射晶面。
由衍射矢量方程(s-s0)/=r*,设K=s/、K=s0/、 g=r*,则有
K-K=g
(8-1)
此即为电子衍射分析时(一般文献中)常用的衍射矢 量方程表达式。
H3=H1+H2、K3=K1+K2和L3=L1+L3。
单晶电子衍射花样的标定
立方晶系多晶体电子衍射标定时应用的关 系式:R21:R22:…:R2n=N1:N2:…:Nn 在立方晶 系单晶电子衍射标定时仍适用,此时R=R。 单晶电子衍射花样标定的主要方法为: 尝试核算法 标准花样对照法
“180不唯一性”或“偶合不唯一性”现象的产生,根 源在于一幅衍射花样仅仅提供了样品的“二维信息”。
通过样品倾斜(绕衍射斑点某点列转动),可获得另一晶带 电子衍射花样。而两个衍射花样组合可提供样品三维信息。
通过对两个花样的指数标定及两晶带夹角计算值与实测 (倾斜角)值的比较,即可有效消除上述之“不唯一性”。
(8-7)
式中:N——衍射晶面干涉指数平方和,即 N=H2+K2+L2。
多晶电子衍射花样的标定
对于同一物相、同一衍射花样各圆环而言,(C2/a2) 为常数,故按式(8-7),有
R12:R22:…:Rn2=N1:N2:…:Nn
(8-8)
此即指各衍射圆环半径平方(由小到大)顺序比等于
各圆环对应衍射晶面N值顺序比。
一、电子衍射基本公式
电子衍射基本公式的导出
设样品至感光平面的距离为L(可称为 相机长度),O与P的距离为R,
由图可知
电子衍射原理

1. 衍射产生的必要条件:反射受λ、 θ 、d的制约。反射线实质是各原 子面反射方向上散射线干涉加强的结果,即衍射。此处“反射”与“衍 射”可不作区别。
2. 干涉指数和干涉面:将布拉格方程改写成 2dHKLsin θ = λ
其中,dHKL=d/n, H=nh,K=nk,L=nl。即把 (hkl)晶面的n级反射看 成是与之平行、面间距为d/n的晶面(HKL)的一级反射。(HKL)不一定是 真实的原子面,通常称为干涉面,而将 (HKL)称为干涉指数。
ghkl
k′
Δk
k
k
=
k′
=
1
λ
r | Δk |
sinθ = 2r
|k |
kr′
−
r k
=
r Δk
倒易矢量基本性质
grhkl gr hkl
= ⊥
1 d hkl (hkl)晶面
若
r Δk
=
grhkl
则 2d hkl sinθ = λ
所以
kr′
−
r k
=
gr
hkl
——衍射矢量方程
衍射几何
四、厄瓦尔德图 -衍射几何关系
cr*
ar*
r b
*
电子衍射几何
再回到透射电镜上,有
ΔOO*G ~ ΔOO′P
∴
1
λ
=
g hkl
LR
即 R = Lλ ⋅ ghkl
考虑
r R
//
grhkl
r R
=
Lλ
⋅
grhkl
所以,单晶体电子衍射花样是倒易截面的放大
结构因子 结构因子:一个晶胞的散射波合成振幅
【材料分析方法】16 电子衍射

N H K L d=a/(H2 +K2 +L2)1/2
111
111
3 1 1 1 0.335 nm
R2 R1
109.5º
4 2 0 0 0.29 nm
[110]
8 220 … …
d值列表可以计算也可以直接查表 23
利用程序计算标准谱的方法标定电子衍射谱:
步骤:1,量最短的三个矢量R1R2R3的长度
0.1039 {222} 47.83 9
g-Fe, a = 0.36nm. R1= R2=14.4mm, R3=16.7mm, 0.0900 {004} 58.86 6 R1^R2=109.5º. Ll=3.0 nm.mm. 0.0826 {313} 68.85 33
0.0805 {024} 73.11 41
11
12
相机长度
(HKL) S/l= k
S0/l= k0
gHKL
标定: 晶带轴指数 [uvw] 以及至 少两个低指数晶面 (HKL) , 使得 Hu+Kv+Lw=0.
dH1K1L1
dH2K2L2
000
[uvw]
b a
[uvw]
R1
H1K1L1
H2K2L2 R2 H3K3L3
r*
HKL
1 d HKL
a) 选择并测量 R1, R2, R3 (R3 = R1 + R2 )
b) 计算d1= d2= LλR1= 0.335nm, {111}.
c) 指数自洽 002= 111 + -1-11.
d)确定晶带轴指数R1×R2=[1-10].
002= -111 + 1-11
020= -111 + 11-1
电子衍射——精选推荐

电⼦衍射电⼦衍射 2.1 概述电⼦衍射与X-射线衍射的基本原理是完全⼀样的,两种技能所得到的晶体衍射花样在⼏何特征上也⼤致相似,都遵循劳厄⽅程或布拉格⽅程所规定的衍射条件和⼏何关系。
电⼦衍射与X-射线衍射的主要区别在于:(1)电⼦波的波长短,则受物质散射强(原⼦对电⼦的散射能⽐X-射线约⾼⼀万倍)。
电⼦波长短,决定了电⼦衍射的⼏何特点,使单晶的电⼦衍射谱和晶体的倒易点阵的⼆维截⾯完全相似,从⽽使晶体集合关系的研究变得简单多了。
(2)衍射束强度有时⼏乎与透射束相当,因此就有必要考虑它们之间的相互作⽤,使电⼦衍射花样分析,特别是强度分析变得复杂,不能像X-射线那样从测量强度来⼴泛地测定晶体结构。
(3)由于散射强度⾼导致电⼦穿透能⼒有限,因⽽⽐较适⽤研究微晶、表⾯和薄膜晶体。
(4)许多材料和矿物中得晶粒只有⼏微⽶⼤⼩,有时⼩到⼏千埃,不能⽤X-射线进⾏单个晶体的衍射,但却可以⽤电⼦显微镜在放⼤⼏万倍下,有⽬的地选择这些晶体,⽤选区电⼦衍射和微束电⼦衍射来确定其物相或其结构。
2.2 预备知识 2.2.1 布拉格定律⼊射波⽮量:k ;衍射波⽮量:k ¢;对于弹性碰撞:1/k k l ¢==**1;;2sin K k k r r K k dq ¢=-===当波长为l 的单⾊平⾯电⼦波以掠射⾓q (⼊射⾓⽅向与晶⾯的夹⾓)照射到晶⾯间距为hkl d 的平⾏晶⾯组(hkl )时,若满⾜:2sin hkl d n q l =为了简便起见,把式改为:2()sin hkld nq l =考虑到,可以把任意晶⾯组的n 级衍射都看成是与之平⾏但晶⾯间距⼩于n 倍的(nh nk nl )晶⾯组的⼀级衍射,使布拉格定律表达为:2sin d q l = 2.2.2倒易点阵和Ewald 球作图法(1)倒易点阵所谓倒易点阵,是指量纲为[L]-1的倒易空间内的另⼀个点阵,它与正空间内某⼀点特定的点阵相对应。
如果正点阵晶胞的单位⽮量(简称基失)为:,,a b c则相对应的倒易点阵基失为:***,,c c cb c c a a ba b c V V V 创 ===V c 为正点阵晶胞体积:()()()c V a b c b c a c a b =状=状=状可以证明,正、倒点阵的晶胞基失之间满⾜:1a ab bc c a b a c b c b a c a c b *********在倒易点阵内,有原点0*(即阵点(000))指向任⼀坐标为(hkl )的阵点的⽮量:1/hkl hkl hkl g ha kb lc d ***=++= 且g这就是说,所定义的倒易⽮量:hkl g或其断点---hkl 到⼀阵点,代表着正点阵中的晶⾯组(hkl )。
电子衍射

电子衍射与X射线衍射比较相似性:波的叠加导致布拉格公式结构因子消光规律s s v v vK称为电子衍射相机常数λ0S v λS vg hkl vλ0S v λS vg hkl v衍射斑点矢量是产生这一斑点晶面组的倒易矢量的比例放大,K是放大倍数故仅就衍射花样的几何性质而言:单晶花样中的斑点可以直接看成是相应衍射晶面的倒易阵点,各个斑点的就是相应的,之间的夹角就等于产生衍射的两个晶面之间的夹角。
g v R v R v g v R vfr多晶电子衍射花样的标定及其应用二、应用1、已知晶体标定仪器的相机常数KRd =150kv加速电压下拍得多晶金的衍射花样①测量环的半径R i从里向外测得圆的直径:2R 1=17.6mm 、2R 2=20.5mm 、2R 3=28.5mm ,………即R l =8.8mm ,R 2=10.3mm 、R 3=14.3mm 、……已知金为面心结构,a =0.407nm②计算R i 2及R i 2/R 12(R 1—最小半径),根据R i 2/R 12确定衍射环指数8:4:3R :R :R 232221=18:6:4:2 17.9:00.3:98.1:1R :R :R :R 2D2C 2B 2A ==简单立方:1,2,3,4,…体心立方:2,4,6,8,10,12,…h+k+l=2n 面心立方:3,4,8,11,12,16,19,20,…全奇全偶满足体心结构标准花样对照法:由R=Kg可推知:单晶电子衍射花样实质是满足衍射条件的某个零层倒易面的放大像。
∗0]uvw [对于本例,可知,衍射花样是的放大像∗0]110[单晶电子衍射花样分析三、应用1、物相鉴定原理与X射线相同,根据d值和强度查PDF卡片但仅跟据某一晶带的衍射斑点,d值不够8个。
须倾动晶体样品,拍摄不同晶带的衍射花样。
根据化学成分,热处理工艺,可将待测相限制为几种可能,可根据下面三个条件,仅由一张花样鉴别。
<1>点阵类型与PDF卡片相符<2> 衍射斑点必须自洽<3> 底指数晶面间距与卡片的标准相符,允许误差3%左右单晶电子衍射花样分析三、应用2、晶体取向关系的验证和确定<1> 两相取向关系常用两相的一对互相平行的晶面及面上平行的晶向来表示()()[]BA BA w v u //]uvw [l k h //hkl ′′′′′′()()()()()()B 333A 333B 222A 222B 111A 111l k h //l k h l k h //l k h l k h //l k h ′′′′′′′′′表示:面或三对平行的晶向来有时也用三对平行的晶[][][]333A 333B 222A 222B111A 111w v u //]w v u [w v u //]w v u [w v u //]w v u [′′′′′′′′′)),根据()110()011()020()111()111()200(200()202B(h 2k 2l 2)C E F A(h 1k 1l 1)1g v 2g v 'g v D O gv 乘一个系数n,使(hkkl)转化为整数爱瓦尔德球像L 1电子衍射中间镜的物平面与背焦面物镜一次像中间镜投影镜二次像终像。
第四章 电子衍射讲解

多晶电子衍射谱的形成
X射线花样形成示意图
电子衍射花样形成示意图
电子衍射基本公式
R Rd L
Ld
通常将K=λL=Rd称为 相机常数,而L被称 为相机长度。
3、现在的电镜极靴缝都非常小,放入样品台以后很 难再放得下一个光阑;
现在电镜的选区光阑可以做到非常小,如JEOL 2010 的选区光阑孔径分别为:5μm,20μm,60μm,120μm
衍射与选区的对应
A 磁转角
一束平行于主轴的入射电子束通过电磁 透镜将被聚焦在轴线上一点,即焦点F
类比光学玻璃凸透镜
Mi M p
mmM, 误i 差
Mp 3.3%
仪器误差——电子波长的不稳定性
内标像机常数
随物镜电流变化的校正曲线
电子衍射花样的标定与分析
电子衍射谱的标定就是确定电子衍射图谱中的诸 衍射斑点(或者衍射环)所对应的晶面的指数和 对应的晶带轴(多晶不需要)。
电子衍射谱主要有多晶电子衍射谱和单晶电子衍 射谱。电子衍射谱的标定主要有以下几种情况:
简立方:N=1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, …
体 心:N=2, 4, 6, 8, 10, 12,…
=1:2:3:4:5:6:7:8
面 心:N=3,4,,,,8,,,11,12,,,,16,,,19,20,,,,24,,,27,28,…
金刚石:N=3, ,,,,8,,,11, ,,,,16,,,19, ,,,,24,,,27, ,…
在 透 射 电 子 显 微 分 析 中 , 即 有 Fresnel ( 菲 涅 尔 ) 衍 射 (近场衍射)现象,同时也有Fraunhofer(夫朗和费) 衍射(远场衍射)。 Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍 射)现象主要在图像模式下出现,而Fraunhofer(夫朗 和费)衍射(远场衍射)主要是在衍射情况下出现。
讲义-电子衍射20130808

第四部分电子衍射谱分析方法在不同的操作条件下得到不同的电子衍射把戏,由于其衍射物理意义不同,衍射谱分析的方法也不尽相同。
最常见的电子衍射是在选区衍射的条件下得到的,是样品原子对平行电子束散射的结果。
本部分着重介绍选区衍射电子把戏分析,后面将会给出一些其它把戏的介绍,例如菊池线与背散电子衍射、汇聚束衍射。
选区电子衍射谱分析方法可以分为三种典型情况,第二和第三种情况的把戏都来自单晶衍射,由于电子束通常都有很小的束斑尺寸,当电子束照射在多晶样品的一个晶粒上,就得到了单晶衍射把戏。
〔1〕多晶衍射谱分析;〔2〕已知衍射物质和晶体结构,标定单晶衍射斑点的晶面指数;〔3〕未知物相确定和衍射把戏标定。
4.1 多晶电子衍射把戏标定方法多晶衍射把戏是一系列的同心圆,如图4-1所示。
当平行电子束照射在很多小晶体上,在物镜背焦面上就可以得到多晶衍射把戏,当参与衍射的晶体不是足够多时,就得到断断续续的圆环,这在电子衍射谱中更为常见。
每一个圆环是由晶面间距相同的晶面衍射得到的,圆环半径与晶面间距存在关系R d = Lλ。
多晶把戏的标定就是确定每个圆环对应的晶面族指数。
图4-1 典型的多晶衍射把戏4.1.1 N比值法对于立方结构晶体,其低指数晶面存在确定的比例关系,可以用N比值法标定多晶衍射把戏。
像铁、铜、金、银等大部分的金属都属于简单立方结构。
N比值法把戏标定步骤如下:1.测量圆环直径并计算半径R;2.计算R2,求R i2/R12,必要时x2或者x33.假设有R12:R22:R32:R42:R i2符合以下关系,说明是立方晶系结构,根据公式h2 + k2 + l2 = N2就可以写出相应晶面族指数,也可以查对表4-1找到相应的hkl。
1:2;3:4:5:6:8:9:10:11 简单立方3:4:8:11:12:16:19:20:24:27 面心立方2:4:6:8:10:12:14:16:18:20 体心立方3:8:11:16:19:24:27:32:35:40 金刚石1:3:4:7:9:12:13:16:19:21 六方晶系电子衍射分析时需要精确测定相机常数,最常用的方法就是利用多晶金表样,获取多晶衍射环,因为金各个晶面指数对应的镜面间距是知道的,根据关系R d = Lλ可以计算相机常数,其中d是晶面间距标准值,可查PDF得到。
第四章 透射电镜电子衍射衍射花样标定解析

V
V
V
式中V为正点阵中单胞的体积:
V a (b c) b (c a) c (a b)
表明某一倒易基矢垂直于正点阵中和自己异名的 二基矢所成平面。
2.倒易点阵的性质
(1)根据倒易点阵中单位矢量的定义和矢量运算法则可推出:
a * b a * c b * a b * c c * a 0
R21 : R22 : R23 :1: 2:3: 4:5:6:8:9:10:11:12:13:14:16:17:
实际晶体要产生衍射,除要求满足布拉格定律外,还要满
足一定条件,如体心立方晶体要求 H+K+L为偶数;面心立 方晶体要求H、K、L为全奇数或全偶数,否则产生结构消光。
因此体心立方晶体和面心立方晶体遵循的规律如下:
342.25
Ri2/R12 {hkl}
3 {111}
8 {220}
11 {311}
20 {420}
表明为面心立方晶体。
②任取A为(111),尝试B为(220),并测得之间的夹角为900,
之间的夹角为580,由选取的A,B点所对应的晶面指数计算
夹角的余弦:cos
h1h2 k1k2 l1l2
(1)未知相机常数及晶体结构情况下指标化方法
铝单晶电子衍射花样及标定
①选取靠近中心O附近且不在一条直线上的四个斑点A、B、C、 D,分别测量它们的R值,并且找出Ri2/R12比值规律,确定点 阵类型及斑点的晶面组指数。
斑点
A
B
C
D
R(mm) 7
11.4
11.3
18.5
R2
49
129.96
182.25
计算晶面间距d如果相机常数未知可用标准样品计算出实验条件下电镜的相机常数kl然后根据衍射环的的相对强度查出pdf卡片确认与所测数据相对应的物r2r1r3r42多晶电子衍射分析的作用主要有两个
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对无 应序 的有 电序 子转 衍变 射的 花示 样意 图 与
CuAu3
对无 应序 的有 电序 子转 衍变 射的 花示 样意 图 与
CsCl
超 点 阵 花 样 实 例
二、高阶劳埃斑
以入射束与反射球的交点作为原点,构造出与晶体对 应的倒易点阵。则对于正空间中的任一晶带轴,与之 垂直而且过倒易空间的原点的倒易面,称之为该晶带 的零层倒易面,该倒易面上的所有晶面与晶带轴之间 满足晶带轴定律,通常我们得到的某晶带轴的电子衍 射花样就是该晶带轴的零层倒易面。对于任一晶带轴 而言,除了零层倒易面之外,所有与零层倒易面平行 的倒易平面都与之垂直,但这些倒易面与晶带轴之间 不满足晶带轴定律,它们之间的关系满足广义晶带轴 定律,所有与零层倒易面平行的倒易平面统称为高层 倒易面。 高层倒易面中的倒易阵点由于某些原因也有可能与倒 易球相交而形成附加的电子衍射斑点,这就是高阶劳 埃斑。
对于 hkl 晶面来说,所有可能的衍射方向构成一 个半顶角为 90°- θ 的衍射圆锥,这些射线锥和 距离晶体较远而又垂直于入射束的底片相截于两 支抛物线,由于 θ 值很小,这两支抛物线非常接 近于直线,因此在底片上得到的成对的菊池线看 上去是两条直线。
菊池衍射谱的特点
hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而 菊池线对的间距与两个斑点之间的距离也相等;
放大倍率:M=1/α
3、混合波纹图
两个晶体的点阵平面略有差异d1、d2,同时 取向又略有不同,二次衍射效应造成叫为 复杂的波纹图,称之为混合波纹图。
Moire Pattern转动
d 1 M d1 d2
Moire Pattern间距
D d 1d 2
旋 2
中南大学
第四章 电子衍射(4)
材料科学与工程学院 艾 延 龄 E-mail: ylai@
复杂电子衍射花样
一、超点阵花样
当晶体是由两种或者两种以上的原子或者离子构成时, 对于晶体中的任何一种原子或者离子,如果它能够随机 地占据点阵中的任何一个阵点,则我们称该晶体是无序 的;如果晶体中不同的原子或者离子只能占据特定的阵 点,则该晶体是有序的。 晶体从无序相向有序相转变以后,在产生有序的方向会 出现平移周期的加倍,从而引起平移群的改变。由此引 发的最显著的特点是在某些方向出现与平移对称对应的 超点阵斑点。
高 阶 劳 埃 斑 花 样 实 例
三、孪晶电子衍射花样
所谓孪晶,通常指按一定取向关系并排生长在一起的同 一物质的两个晶粒。从晶体学上讲,可以把孪晶晶体的 一部分看成另一部分以某一低指数晶面为对称面的镜像 ;或以某一低指数晶向为旋转轴旋转一定的角度。 孪晶的分类: 1、按晶体学特点:反映孪晶和旋转孪晶; 2、按形成方式:生长孪晶和形变孪晶; 3、按孪晶形态:二次孪晶和高次孪晶。
波纹图可以分为平行波纹图、旋转波纹图和混合波纹图 三种。
1、平行波纹图
两个面间距分别为d1、d2的点阵平面 发生二次衍射所形成Moire Pattern。 Moire Pattern的条纹间距
* * 条件: r1 r2 , 0
* * r* r1 r2
d 1d 2 D d1 d2
d 1d 2 d1 d 2
d 1d 2 d 1d 2 2 1 cos 2 2d 1 d 2 d1 d2
间距减少cos倍
Cu-Cr-Zr合金中析出相在高分辨照片中形成的波纹图。
T。FUJII, et al: Acta Materiallia, 48(2000) 1033-1045
菊 池 衍 射 谱 实 例
面 心 立 方 的 菊 池 衍 射 图
谢谢!
当量晶面的面间距基本相等,即 d1~d2=d时, M=D/d叫放大倍率。
2、旋转波纹图
两个面间距相等(d )但成一小角度()的 阵平面发生二次衍射所形成Moire Pattern。
Moire Pattern的条纹间距
* * 条件: r1 r2 , 0
d d D 2 sin 2 基本上垂直于原晶面
菊 池 花 样 形 成 的 示 意 图 一
菊池线的形成原理
电子束在穿透较厚的试样时,入射电子与试样之间会发生 相互作用,其中有部分电子会发生非弹性散射。但是非弹 性散射之后,它们的能量损失也只有几十电子伏特,相对 透射电镜几十万伏的加速电压来说,这个能量是非常小的 ,因此可以认为非弹性散射以后,电子波的波长基本没有 变化。因此当这一部分电子波在满足布拉格条件产生衍射 时,其几何关系与弹性散射电子可以认为没有差别。 非弹性散射电子进入晶体以后,向各个方向散射的几率并 不相等,沿透射束方向的散射几率最大,随散射角增大, 其散射的几率减小,非弹性散射引起的强度相应地会逐渐 降低,这样就形成了衍射照片上中间亮四周渐暗的衍射谱 背景(这个背景是由非弹性散射电子形成的,如示意图一 所示)。
2、衍射束要有足够的强度。
二 次 衍 射 形 成 的 示 意 图
二 次 衍 射 常 见 类 型
二 次 衍 射 花 样 实 例
[211]m / /[011] p (022)m / /(022) p (111)m / /(200) p
Cu-Cr-Zr合金中基体Cu和析出相的电子衍射花样,其中 析出相是Cu1.74Zr2.26
五、波纹图(Moire pattern)
如果样品是由双层或多层晶体组成,那么入射电子束在 第一层晶体中产生的强衍射束将作为第二层晶体的入射 束而产生二次衍射,往往会在每个主要衍射斑点附近出 现一个或多个强度较弱的卫星斑点,作为结果,在正空 间中会出现与该二次卫星斑对应的本来不存在的一个间 距很大的条纹,称之为波纹(Moire pattern)。
菊池线一般是明暗配对的直线,在正片上距离透射斑 近者为暗线,远者为亮线;
菊池线对的中心线则相当于反射晶面与底片的交线; 两条中心线的交点即为两个对应平面所属的晶带轴与荧 光屏的截点,一般称之为菊池极; 当晶体取向改变不大时,衍射斑点基本不移动,但强 度会有所变化,但是菊池线对取向非常敏感,当晶体稍 微转动时,它会发生非常明显的移动; 当出现多个菊池极时,实际上已经带出了晶体的三维 信息,这个时候就不会有180°不唯一性。
菊 池 花 样 形 成 的 示 意 图 二
菊池线的形成原理
非弹性散射的电子不与晶体相互作用产生衍射时,在背 底上将不会出现明显的衬度,但当非弹性散射电子与某 一晶面产生衍射时,会在某些方向产生衬度。如示意图 二所示,当 hkl 面不平行于入射束方向时,从 P 点射出的 散射线PQ如果满足衍射条件,则其反射线QQ’也会满足 衍射条件,即PR也满足衍射条件。但是对于非弹性散射 束而言, PQ 方向的强度要大于 PR 方向的强度,所以产 生衍射后,PQ方向的强度为PQ+RR’-QQ’,而PR方向 的强度为 PR+QQ’ - RR’ 。最终的结果,使得 PQ 方向强 度有所降低,这相当于在“山峰附近留下一条暗沟”, 形成暗线;而PR方向的强度有所增加,这相当于在“山 谷处形成一道矮墙”,形成亮线。
高阶劳埃斑形成示意图
劳埃斑产生的原因
由于薄膜试样的形状效应,使倒易阵点变长,这种伸 长的倒易杆增加了高层倒易面上倒易点与反射球相交的 机会;
晶格常数很大的晶体,其倒易阵点排列更密,倒易面 间距更小,使得上下两层倒易面与零层倒易面同时与反 射球相交的机会增加; 当电子衍射花样不正,使得零层倒易面倾斜时,增加 了高层倒易阵点与反射球的相交机会; 电子波的波长越长,则反射球的半径会越小,这样也 会增加高层倒易面上的倒易点与反射球相交后仍然能在 底片处成像的机会。
孪 晶 电 子 衍 射 花 样 实 例
孪 晶 电 子 衍 射 花 样 实 例
镁 基 体 中 的 孪 晶
四、二次衍射
在电子束穿行晶体的过程中,会产生较强的衍射束,它又 可以作为入射束,在晶体中产生再次衍射,称为二次衍射 。二次衍射形成的新的附加斑点称作二次衍射斑。二次衍 射很强时,还可以再行衍射,产生多次衍射。 产生二次衍射的条件: 1、晶体足够厚;
六、菊池花样
在稍厚的薄膜试样中观察电子衍射时,经常会发现在衍射 谱的背景衬度上分布着黑白成对的线条。这时,如果旋转 试样,衍射斑的亮度虽然会有所变化,但它们的位置基本 上不会改变。但是,上述成对的线条却会随样品的转动迅 速移动。这样的衍射线条称为菊池线,带有菊池线的衍射 花样称之为菊池衍射谱。 菊池花样在晶体材料分析方面,广泛用于物相鉴定、衬度 分析、电子束波长以及临界电压的测定等。它更重要的一 个应用是用来精确测定晶体取向,用菊池线来测定晶体的 取向时,其精度可以达到 0.01°, 是精确测定晶体取向、 位向关系和迹线分析的理想方法。