第四章 电子衍射讲解

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第四章电子衍射2_11-9-30讲义

第四章电子衍射2_11-9-30讲义
4.3 电子衍射几何分析公式及相机常数
若样品内某(hkl)晶面满足布拉格条件,则在 与入射束呈2θ角方向上产生衍射。
透射束和衍射束分别与离试样L处的照相底片 相交于O’和P’点。
O’点:透射斑点000 P’点:衍射斑点hkl
若照相底片上中心斑点到衍射斑点的距离为R
R = tan2θ L
电子衍射时,满足布拉格定律的角度θ很小,故
代入布拉格公式2dsinθ=λ可得:
rd = f0λ
由于底片上(或荧光屏上)记录到的衍射花样 是物镜背焦面上第一幅花样的放大像。若中间镜 与投影镜的放大倍率分别为Mi和Mp。则底片上相 应衍射斑点与中心斑点的距离R应为
R = rM iM p
因为
(R / M iM p )d = λfo
(a) 第一幅衍射花样的形成和选 区电子衍射原理
爱瓦尔德球
L、λ、R均已知,故可求 出晶面间距d,晶面夹角。
Rd = Lλ R可在衍射
谱上量出
利用电子衍射谱进行
L
结构分析的依据。
衍射花样
晶体结构、位向
入射 束
O
试样
1 λ 2θ 1 λ
1d
G
倒易 点阵
底板
O' R P'
相机常数为某一定值,所以R反比于d。由此可见,在电子衍射中, 晶体参数d与衍射斑点R之间的关系比X射线衍射中相应的关系简单。
目前,先进的透射电子显微镜都有自动电子补偿器消除相对磁转 角,为在显微图像上显示出晶体学方向提供了便利。
4.4 倒易点阵平面及其画法
电子衍射花样
倒易点阵与Ewald球面相截的 部分,再在荧光屏上投影。
单晶的电子衍射谱是一个二 维倒易平面的放大。

第四章 电子衍射(4)

第四章 电子衍射(4)

对无 应序 的有 电序 子转 衍变 射的 花示 样意 图 与
CuAu3
对无 应序 的有 电序 子转 衍变 射的 花示 样意 图 与
CsCl
超 点 阵 花 样 实 例
二、高阶劳埃斑
以入射束与反射球的交点作为原点,构造出与晶体对 应的倒易点阵。则对于正空间中的任一晶带轴,与之 垂直而且过倒易空间的原点的倒易面,称之为该晶带 的零层倒易面,该倒易面上的所有晶面与晶带轴之间 满足晶带轴定律,通常我们得到的某晶带轴的电子衍 射花样就是该晶带轴的零层倒易面。对于任一晶带轴 而言,除了零层倒易面之外,所有与零层倒易面平行 的倒易平面都与之垂直,但这些倒易面与晶带轴之间 不满足晶带轴定律,它们之间的关系满足广义晶带轴 定律,所有与零层倒易面平行的倒易平面统称为高层 倒易面。 高层倒易面中的倒易阵点由于某些原因也有可能与倒 易球相交而形成附加的电子衍射斑点,这就是高阶劳 埃斑。
对于 hkl 晶面来说,所有可能的衍射方向构成一 个半顶角为 90°- θ 的衍射圆锥,这些射线锥和 距离晶体较远而又垂直于入射束的底片相截于两 支抛物线,由于 θ 值很小,这两支抛物线非常接 近于直线,因此在底片上得到的成对的菊池线看 上去是两条直线。
菊池衍射谱的特点
hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而 菊池线对的间距与两个斑点之间的距离也相等;

放大倍率:M=1/α
3、混合波纹图

两个晶体的点阵平面略有差异d1、d2,同时 取向又略有不同,二次衍射效应造成叫为 复杂的波纹图,称之为混合波纹图。

Moire Pattern转动
d 1 M d1 d2

Moire Pattern间距
D d 1d 2
旋 2

电子衍射

电子衍射

(1)由于电子波波长很短,一般只有千分之几nm, 按布拉格方程2dsin=可知,电子衍射的2角很小(一 般为几度),即入射电子束和衍射电子束都近乎平行 于衍射晶面。
由衍射矢量方程(s-s0)/=r*,设K=s/、K=s0/、 g=r*,则有
K-K=g
(8-1)
此即为电子衍射分析时(一般文献中)常用的衍射矢 量方程表达式。
H3=H1+H2、K3=K1+K2和L3=L1+L3。
单晶电子衍射花样的标定
立方晶系多晶体电子衍射标定时应用的关 系式:R21:R22:…:R2n=N1:N2:…:Nn 在立方晶 系单晶电子衍射标定时仍适用,此时R=R。 单晶电子衍射花样标定的主要方法为: 尝试核算法 标准花样对照法
“180不唯一性”或“偶合不唯一性”现象的产生,根 源在于一幅衍射花样仅仅提供了样品的“二维信息”。
通过样品倾斜(绕衍射斑点某点列转动),可获得另一晶带 电子衍射花样。而两个衍射花样组合可提供样品三维信息。
通过对两个花样的指数标定及两晶带夹角计算值与实测 (倾斜角)值的比较,即可有效消除上述之“不唯一性”。
(8-7)
式中:N——衍射晶面干涉指数平方和,即 N=H2+K2+L2。
多晶电子衍射花样的标定
对于同一物相、同一衍射花样各圆环而言,(C2/a2) 为常数,故按式(8-7),有
R12:R22:…:Rn2=N1:N2:…:Nn
(8-8)
此即指各衍射圆环半径平方(由小到大)顺序比等于
各圆环对应衍射晶面N值顺序比。
一、电子衍射基本公式
电子衍射基本公式的导出
设样品至感光平面的距离为L(可称为 相机长度),O与P的距离为R,
由图可知

《电子衍射原理》课件

《电子衍射原理》课件

透射电子显微镜技术
透射电子显微镜技术是一种利用透射 电镜观察物质内部微细结构的方法, 具有高分辨率和高放大倍数的特点。 随着科技的不断进步,透射电子显微 镜技术的应用范围越来越广泛,在材 料科学、生物学、医学等领域得到广 泛应用。
VS
例如,在材料科学领域,透射电子显 微镜技术可用于研究材料的晶体结构 和相变行为,为新材料的开发和优化 提供有力支持。在生物学领域,透射 电子显微镜技术可用于研究细胞器和 生物大分子的结构和功能,为生命科 学和医学研究提供新的视角。
电子显微镜的放大倍数较高,能够观察到非常细微的结构细节,是研究物质结构和 形貌的重要工具之一。
电子源
电子源是电子显微镜中的核心部件之一,它能够产生用于观察和成像的 电子束。
电子源通常由加热阴极、栅极和加速电极等部分组成,通过加热阴极使 得电子逸出并经过栅极和加速电极的调制和加速,形成用于成像的电子
电子衍射可以揭示细胞内部的超微 结构,有助于理解细胞的生理和病 理过程。
在表面科学中的应用
表面晶体结构
电子衍射可以用于研究固体表面 的晶体结构和化学组成,对表面 改性和催化等应用具有指导意义

表面应力分析
通过电子衍射可以分析表面应力 状态,有助于理解表面行为的物
理机制。
表面吸附和反应
电子衍射可以研究表面吸附分子 的结构和反应活性,对表面化学 和工业催化等领域有重要意义。
05
电子衍射的发展前景
高能电子衍射技术
高能电子衍射技术是一种利用高能电子束进行物质结构分析的方法,具有高分辨 率和高灵敏度的特点。随着科技的不断进步,高能电子衍射技术的应用范围越来 越广泛,在材料科学、生物学、医学等领域发挥着重要作用。
例如,在材料科学领域,高能电子衍射技术可用于研究材料的微观结构和晶体取 向,为新材料的开发和优化提供有力支持。在生物学领域,高能电子衍射技术可 用于研究生物大分子的结构和功能,为药物设计和疾病治疗提供新的思路。

【材料分析方法】16 电子衍射

【材料分析方法】16  电子衍射

N H K L d=a/(H2 +K2 +L2)1/2
111
111
3 1 1 1 0.335 nm
R2 R1
109.5º
4 2 0 0 0.29 nm
[110]
8 220 … …
d值列表可以计算也可以直接查表 23
利用程序计算标准谱的方法标定电子衍射谱:
步骤:1,量最短的三个矢量R1R2R3的长度
0.1039 {222} 47.83 9
g-Fe, a = 0.36nm. R1= R2=14.4mm, R3=16.7mm, 0.0900 {004} 58.86 6 R1^R2=109.5º. Ll=3.0 nm.mm. 0.0826 {313} 68.85 33
0.0805 {024} 73.11 41
11
12
相机长度
(HKL) S/l= k
S0/l= k0
gHKL
标定: 晶带轴指数 [uvw] 以及至 少两个低指数晶面 (HKL) , 使得 Hu+Kv+Lw=0.
dH1K1L1
dH2K2L2
000
[uvw]
b a
[uvw]
R1
H1K1L1
H2K2L2 R2 H3K3L3
r*
HKL
1 d HKL
a) 选择并测量 R1, R2, R3 (R3 = R1 + R2 )
b) 计算d1= d2= LλR1= 0.335nm, {111}.
c) 指数自洽 002= 111 + -1-11.
d)确定晶带轴指数R1×R2=[1-10].
002= -111 + 1-11
020= -111 + 11-1

第四章电子衍射3_11-10-12讲义

第四章电子衍射3_11-10-12讲义
对于体心立方(bcc)点阵,只有h+k+l为偶数,结构因子F才不为零,可以产 生衍射,则下列(hkl)晶面: (110), (200), (211), (310), (222), (321), …可产生衍射。这些晶面对应的N 值为:2,4,6,8,10,12,14,…
同理可知,简单立方点阵的可能N值为:1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, …(注意N不 为7)。金刚石立方点阵可能的N值为:3, 8, 11, 16, 19, 24, …
R = λL d
由此可见,晶面间距不 同的晶面族产生衍射,会得 到以中心斑点为圆心的不同 半径的圆心环。
具有大d值的低指数晶面 族的衍射环在内,小d值的高 指数晶面族的衍射环在外。
电子衍射的基本公式
Rd = Lλ
Lλ:衍射常数或仪器常数
多晶环半径R正比于相 应的晶面间距d的倒数
R = Lλ / d
对于同一个衍射花样,Lλ是个定值,所以,
对于四方晶系,晶面间距与晶面指数的关系为
a
d=
1
令N = h2 + k 2
h2 + k2 + l2
a2
c2
d= 1 N + l2 a2 c2
a 简单四方 a=b
α= β=γ =90o 根据消光条件,对应四方晶体l=0的衍射环半径R满足比值
R12 : R22 : R32 : ... = N1 : N2 : N3 : ...
2
尽管以上给出的规律是对多晶衍射而言的,事实上该规律对单晶衍 射也适用,但这时的R是从倒空间原点到衍射点hkl的距离。
入射 束
厄瓦尔德球o′试样来自1 λ 2q 1 λ1d
G
倒易点阵

电子衍射分析方法原理及应用ppt课件

电子衍射分析方法原理及应用ppt课件

5种二维布拉菲点阵与倒易点阵的图示
(1)二维点阵基矢与其倒易点阵基矢之间的关系
若以二维点阵中任意阵点为坐标原点,建立二维 正交坐标系,则二维基矢a与b可表达为: a = axi + ayj b = bxi + byj - - - - - - - (9) 二维倒易基矢也可以表达为: a* = a*xi + a*yj b* = b*xi + b*yj - - - - - - - (10) 将(9) (10)式,代入(8)的矢量点积坐标表达式得: a*xax+a*yay=b*xbx+b*yby=1 a*xbx+a*yby=b*xax+b*yay=0 - - - - - (11) 解(11)式得:
(2) Rd= λL的矢量表达式的推导
当入射电子束的加速电压一定时,电子波长 λ值恒 定,则令 λL=C(C为常数,称为相机常数) 由(4)式Rd= λL知 Rd=C - - - - (5) 由倒易点阵与点阵平面距离间的关系: g=1/d (g为(HKL)面倒易矢量,g为g的模) ∴ R=Cg - - - - - -(6) 因为电子衍射2θ很小,R与g近乎平行,故(6)式可演变 为矢量形式: R = Cg - - - - - -(7) R为透射斑到衍射斑的连接矢量,称为衍射斑点矢量。 由式(7)可知,R与g相比只是放大了C倍,所以从图 中可知单晶电子衍射花样是所有与反射球相交的倒易点 的放大像。
2、二维点阵和二维点阵的倒易点阵
低能电子衍射来自于样品表面的原子的相干 散射,故可将样品表面视为二维点阵。 上图所示单晶表面原子排列规则就可用二维点 阵描述。与三维点阵的排列规则可用14种布拉菲 点阵表达相似,二维点阵的排列可用5种二维布拉 菲点阵表达。(如后图所示) 对于由点阵矢量a与b定义的二维点阵,若由 点阵基矢a*与b*定义的二维点阵满足: a*· a = b*· b=1 a*· b = b*· a=0 - - - - - - - (8) 则称a*与b*定义的点阵是a与b定义的点阵的倒易 点阵。

电子衍射-PPT

电子衍射-PPT

❖ 通常电子衍射图的标定过程可分为下列三种情况:
1)已知晶体(晶系、点阵类型)能够尝试标定。 2)晶体虽未知,但依照研究对象估计确定一个范围。就在这
些晶体中进行尝试标定。 3)晶体点阵完全未知,是新晶体。此时要通过标定衍射图,来
确定该晶体的结构及其参数。所用方法较复杂,可参阅电 子衍射方面的专著。
征之因此区别X射线的主要原因。
8-2 偏离矢量与倒易点阵扩展
❖ 从几何意义上来看,电子束方向与晶带轴重合时,零层倒易 截面上除原点0*以外的各倒易阵点不估计与爱瓦尔德球相 交,因此各晶面都可不能产生衍射,如图(a)所示。
❖ 假如要使晶带中某一晶面(或几个晶面)产生衍射,必须把 晶体倾斜,使晶带轴稍为偏离电子束的轴线方向,此时零层 倒易截面上倒易阵点就有估计和厄瓦尔德球面相交,即产 生衍射,如图(b)所示。
量。
倒易点阵扩展
❖ 下图示出偏离矢量小于零、等于零和大于零的三种情况。 如电子束不是对称入射,则中心斑点两侧和各衍射斑点的 强度将出现不对称分布。
8-3 电子衍射基本公式
❖ 电子衍射操作是把倒易点阵的 图像进行空间转换并在正空间 中记录下来。用底片记录下来 的图像称之为衍射花样。右图 为电子衍射花样形成原理图。
❖ Rdhkl=f0·MI·Mp·λ=L'λ ❖ 称Lˊλ为有效相机常数
选区衍射
❖ 选区衍射就是在样品上选择一个 感兴趣的区域,并限制其大小,得 到该微区电子衍射图的方法。也 称微区衍射。
❖ 光阑选区衍射(Le Poole方式) 此法用位于物镜像平面上的光阑 限制微区大小。先在明场像上找 到感兴趣的微区,将其移到荧光 屏中心,再用选区光阑套住微区 而将其余部分挡掉。理论上,这 种选区的极限≈0、5μm。
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倒易截面的比例图像,倒易阵 点的指数就是衍射斑点的指数 (即正空间晶面指数)。通过 电子衍射花样上任意两个ghkl矢 量指数就可求出晶带指数(根 据晶带定律)。
多晶电子衍射谱的形成
X射线花样形成示意图
电子衍射花样形成示意图
电子衍射基本公式
R Rd L
Ld
通常将K=λL=Rd称为 相机常数,而L被称 为相机长度。
3、现在的电镜极靴缝都非常小,放入样品台以后很 难再放得下一个光阑;
现在电镜的选区光阑可以做到非常小,如JEOL 2010 的选区光阑孔径分别为:5μm,20μm,60μm,120μm
衍射与选区的对应
A 磁转角
一束平行于主轴的入射电子束通过电磁 透镜将被聚焦在轴线上一点,即焦点F
类比光学玻璃凸透镜
Mi M p
mmM, 误i 差
Mp 3.3%
仪器误差——电子波长的不稳定性
内标像机常数
随物镜电流变化的校正曲线
电子衍射花样的标定与分析
电子衍射谱的标定就是确定电子衍射图谱中的诸 衍射斑点(或者衍射环)所对应的晶面的指数和 对应的晶带轴(多晶不需要)。
电子衍射谱主要有多晶电子衍射谱和单晶电子衍 射谱。电子衍射谱的标定主要有以下几种情况:
简立方:N=1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, …
体 心:N=2, 4, 6, 8, 10, 12,…
=1:2:3:4:5:6:7:8
面 心:N=3,4,,,,8,,,11,12,,,,16,,,19,20,,,,24,,,27,28,…
金刚石:N=3, ,,,,8,,,11, ,,,,16,,,19, ,,,,24,,,27, ,…
在 透 射 电 子 显 微 分 析 中 , 即 有 Fresnel ( 菲 涅 尔 ) 衍 射 (近场衍射)现象,同时也有Fraunhofer(夫朗和费) 衍射(远场衍射)。 Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍 射)现象主要在图像模式下出现,而Fraunhofer(夫朗 和费)衍射(远场衍射)主要是在衍射情况下出现。
晶体结构已知; 晶体结构虽然未知,但可以确定它的范围; 晶体结构完全未知。
多晶电子衍射谱的标定
多晶电子衍射谱:
在做电子衍射时,如果试样中晶粒尺度非常小,那么即
使做选区电子衍射时,参与衍射的晶粒数将会非常多,
这些晶粒取向各异,与多晶X射线衍射类似,衍射球与反
射球相交会得到一系列的衍射圆环。由于电子衍射时角
中南大学
第四章 电子衍射
材料科学与工程学院 艾延龄
E-mail: ylai@
电子衍射谱的种类
在透射电镜的衍射花样中,对于不同的试样, 采用不同的衍射方式时,可以观察到多种形 式的衍射结果。如单晶电子衍射花样,多晶 电子衍射花样,非晶电子衍射花样,会聚束 电子衍射花样,菊池花样等。而且由于晶体 本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现 出来,如有序相的电子衍射花样会具有其本 身的特点,另外,由于二次衍射等会使电子 衍射花样变得更加复杂。
电子的散射和衍射
提高电子衍射精度的方法
产生误差的因素:
本征误差——小角度近似带来的误差
来源: tg2 2 sin 2
估计:25o时, 误差 0.3%
If d=2 Å, d=2±0.05 Å
操作误差——相机长度的变化
来源:L
f0MiM p

L L

f f
估计:f0=3 mm、高度变化0.1
在弄清楚为什么会出现上面那些不同的
衍射结果之前,我们应该先搞清楚电子
衍射的产生原理。电子衍射花样产生的 原理与X 射线并没有本质的区别,但由 于电子的波长非常短,使得电子衍射有 其自身的特点。
反 射 面 法 线


M N
要在散射方向互相加强,程差应该是波长的整数倍,因此 晶体产生衍射的条件是:
衍射与选区的对应
A 磁转角
由于在拍摄电子显微像及衍 射图时使用的中间镜电流不 同,因此两者在中间镜磁场 中的旋转角度不同,也就是 像与衍射花样之间有一定的 相对转动。它们之间相差的 角度就称之为磁转角;
ψ下=测ψ出i-ψd其,磁在转不角同;的放大倍数 有的TEM安装有磁转角自动
补正装置,在分析时就不必 考虑磁转角的影响
X射线衍射的厄瓦尔德图解
g
θ
A
O
布拉格方程: 2dsinθ=λ
如果上图中样品和倒易点都是严格几何意义上的点,那 厄瓦尔德球(示意图)肯定是成立的,但实际上样品不 可能是严格意义上的几何点,那为什么还可以用厄瓦尔 德球来解释衍射问题?
O
A
B C
要解释上面的问题,首先要弄清楚两个物理概念: Fresnel(菲涅尔)衍射和Fraunhofer(夫朗和费)衍射。 所 谓 Fresnel ( 菲 涅 尔 ) 衍 射 又 称 为 近 场 衍 射 , 而 Fraunhofer(夫朗和费)衍射又称为远场衍射.
布拉格方程: 2dsinθ=λ
厄瓦尔德球
布拉格方程可以写成:
1
sin d
2dhkl 2( 1 )


右图即为一反射球,又称之为
厄瓦尔德球。
B
C Hhkl=1/dhkl
O’
O
如果以厄瓦尔德球中的O点作为与晶体对应的倒易点阵的 原点,则只要倒易阵点(对应正空间中的原子面)落在厄
瓦尔德球上,则对应的晶面一定满足布拉格条件,从而能 产生衍射。
Al h k l 111 222 333 444 555
F30 (nm) 1.54 12.3 41.6 98.6 193 2010 (nm) 0.64 5.14 17.3 41.1 80.2
准确地获取选区电子衍射花样 ——选区电子衍射的操作步骤
1. 调整中间镜电流使选区光阑边缘的像在荧光屏上非常 清晰,这就使中间镜的物面与选区光阑的平面相重;
2. 调整物镜电流使试样在荧光屏上呈现清晰像,这就使 物镜的像平面与选区光阑及中间镜的物面相重;
3. 抽出物镜光阑,减弱中间镜(用于衍射的)电流,使 其物面与物镜后焦面相重,在荧光屏上获得衍射谱的 放大像;在现代电镜中,只要转换到衍射模式,并调 节衍射镜电流使中心斑调整到最小最圆;
4. 减弱聚光镜电流以降低入射束孔径角,得到尽可能趋 近于平行的电子束,使衍射斑尽量明锐。
小孔的直接衍射成像(不加透镜)就是一个典型的Fresnel (菲涅尔)衍射(近场衍射)现象。在电镜的图像模式下, 经常可以观察到圆孔的菲涅尔环。
在碳膜微孔边缘,利用相关性非常好的场发射电子枪发 射的相干电子干涉形成的Fresnel干涉条纹,约有150条
Fresnel
利 的用
场 发 射 干电 涉子 条源 纹获 得
在精度方面也远比X射线低。
选区电子衍射
如果在物镜的像平面处加 入一个选区光阑,那么只 有A’B’范围的成像电子能 够通过选区光阑,并最终 在荧光屏上形成衍射花样。 这一部分的衍射花样实际 上 是 由 样 品 的 AB 范 围 提 供的,因此利用选区光阑 可以非常容易分析样品上 微区的结构细节。
度很小,透射束与反射球相交的地方近似为一个平面,
再加上倒易点扩展成倒易球,多晶衍射花样将会是如下
图所示的一个同心衍射圆环。圆环的半径可以用下式来
计算:
Ri

L
d hkl
电子衍射谱的特点
多晶衍射环的花样分析及标定
1)
立方系
Ri

L
d

L
a
h2 k2 l2 K
N ( N h2 k2 l2 )
为正时, s矢量为正, 反之为负; 精确符合布拉格条件时, 图10-11 倒易杆和它的强度分布 =0, s=0
偏离矢量的符号示意图
零层倒易截面
倒易点阵是一个三维点阵,把 ghkl·r=0时的倒易面称为零层倒 易截面。
当ghkl·r=n时为n阶倒易面。 标准电子衍射花样是标准零层
2) 六角系
Ri2

4 3
(h2

hk a2

k2)

l2 c
H: 1,3,4,7,9,12,13,16,19,21
3) 四方系 4) 正交系 5) 其它
Ri2

h2 k2 a2

l2 c2
Ri2
h2
a2

k2 b2

l2 c2
A、晶体结构已知的多晶电子衍射花样标定
f0
这个角总是等于衍射角的
O
f
电子衍射与X射线衍射相比的优点
电子衍射能在同一试样上将形貌观察与结构分析 结合起来。
电子波长短,单晶的电子衍射花样就象晶体的倒 易点阵的一个二维截面在底片上放大投影,从底 片上的电子衍射花样可以直观地辨认出一些晶体 的结构和对称性特点,使晶体结构的研究比X射线 的简单。
Fraunhofer(夫朗和费)衍射
Fraunhofer(夫朗和费)衍射是远场衍射,它是平面波在与障碍 物相互作用后发生的衍射。严格地讲,光束之间要发生衍射, 必须有互相叠加,平行光严格意义上是不能叠加的,所以在没 有透镜的前提下,夫朗和费衍射只是一种理论上的概念。
但是在很多情况下,可以将衍射当成夫朗和费衍射来处理,X 射线衍射就是这样一种情况。虽然X射线是照射在晶体中的不 同晶面上,但是由于晶面间距的值远远小于厄瓦尔德球(X射 线波长的倒数),即使测试时衍射仪的半径跟晶面间距比也是 一个非常大的值,所以X射线衍射可以当成夫朗和费衍射处理, 因为此时不同晶面上的X射线叠加在一点上时,它们的衍射角 仍然会非常接近布拉格角。
首先电子波的波长非常短,因为与其对应的厄瓦尔德球半 径会非常大(远大于地球),因此与倒易点阵相交的地方 接近是一个平面(个人并不认可这一观点,因为倒易点阵 的矢量也会非常大,总的来说必须满足布拉格条件,而且 我们记录时不可能做出一个这个大的设备)。但是厄瓦尔 德球半径与倒易矢之间的比例关系确实发生了变化,指数 不是太高的晶面其布拉格角都会在几度的范围内。
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