第8章 MCS-51 存储器的扩展(4学时)

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第8章 MCS-51单片机扩展存储器扩展技术

第8章 MCS-51单片机扩展存储器扩展技术

地址锁存器常采用74LS373,采用74LS373的地址总线 地址锁存器常采用74LS373,采用74LS373的地址总线 常采用74LS373 74LS373 的扩展电路如下图。 的扩展电路如下图。
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8.1.4 8.1.4 单片机扩展接口的编址方法 1.以P0口作为低 位地址/数据总线。 口作为低8 1.以P0口作为低8位地址/数据总线。 P2口的口线作高位地址线 口的口线作高位地址线。 2.以P2口的口线作高位地址线。 3.控制信号线 控制信号线。 3.控制信号线。 使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。 ALE信号作为低 *使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。 信号作为扩展E *以PSEN*信号作为扩展EPROM存储器的读选通信号。 信号作为内外程序存储器的选择控制信号。 *以EA*信号作为内外程序存储器的选择控制信号。 信号作为扩展数据存储器和I/O I/O口的 *由RD*和WR*信号作为扩展数据存储器和I/O口的 读选通、写选通信号。 读选通、写选通信号。 尽管MCS 51有 个并行I/O MCSI/O口 32条口线 条口线, 尽管MCS-51有4个并行I/O口,共32条口线,但由于系统扩展需 真正作为数据I/O使用的,就剩下P1口和P3 I/O使用的 P1口和P3口的部分 要,真正作为数据I/O使用的,就剩下P1口和P3口的部分 口线。 口线。 简言之: 简言之: EPROM单独 RAM和I/O统一 单独, 统一。 讲述) A)EPROM单独,RAM和I/O统一。(讲述) PROM,RAM和I/O统一 统一。 简单) B) E2PROM,RAM和I/O统一。(简单)
8-5图为外扩16K字节的EPROM 27128的接口电路图 图为外扩16K字节的EPROM 27128的接口电路图 外扩16

MCS-51单片机存储器的扩展

MCS-51单片机存储器的扩展

第八章MCS-51单片机存储器的扩展第一节MCS-51单片机存储器的概述(一)学习要求1、熟悉MCS-51 单片机的系统总线及系统总线扩展结构2、掌握常用的片选方法:线选法和全地址译码法。

(二)内容提要1、三总线的扩展方法单片机内资源少,容量小,在进行较复杂过程的控制时,它自身的功能远远不能满足需要。

为此,应扩展其功能。

MCS-51单片机的扩展性能较强,根据需要,可扩展。

三总线是指地址总线、数据总线、控制总线。

1)地址总线MCS-51 单片机地址总线宽度为16 位,寻址范围为64K。

地址信号:P0 作为地址线低8 位,P2 口作为地址线高8 位。

2)数据总线MCS-51 单片机的数据总线宽度为8 位。

数据信号:P0 口作为8 位数据口,P0 口在系统进行外部扩展时与低8 位地址总线分时复用。

3)控制总线主要的控制信号有/WR 、/RD 、ALE 、/PSEN 、/EA 等。

2、系统的扩展能力MCS-51 单片机地址总线宽度为16 位,因此它可扩展的程序存储器和数据存储器的最大容量是64K(216)。

1)线选法线选法就是将多余的地址总线(即除去存储容量所占用的地址总线外)中的某一根地址线作为选择某一片存储或某一个功能部件接口芯片的片选信号线。

一定会有一些这样的地址线,否则就不存在所谓的“选片”的问题了。

每一块芯片均需占用一根地址线,这种方法适用于存储容量较小,外扩芯片较少的小系统,其优点是不需地址译码器,硬件节省,成本低。

缺点是外扩器件的数量有限,而且地址空间是不连续的。

2)全地址译码法由于线选法中一根高位地址线只能选通一个部件,每个部件占用了很多重复的地址空间,从而限制了外部扩展部件的数量。

采用译码法的目的是减少各部件所占用的地址空间,以增加扩展部件的数量。

3)译码器级连当组成存储器的芯片较多,不能用线选法片选,又没有大位数译码器时,可采用多个小位数译码器级连的方式进行译码片选.4)译码法与线选法的混合使用译码法与线选法的混合使用时,凡用于译码的地址线就不应再用于线选,反之,已用于线选的地址线就不应再用于译码器的译码输入信号.(三)习题与思考题1. 简要说明MCS-51 单片机的扩展原理。

8单片机讲义(第八章MCS-51单片机扩展---- 存储器的设计)

8单片机讲义(第八章MCS-51单片机扩展---- 存储器的设计)

【第八章 51单片机存储器的设计】
地址译码关系图
【第八章 51单片机存储器的设计】
如果用74LS138把64 KB空间全部划分为每块4 KB, 如何划分呢?
【第八章 51单片机存储器的设计】
8.3.3 外部地址锁在器
MCS-51单片机受引脚数的限制,数据线和地址线是复用的,由 P0口线兼用。为了将它们分离出来,以便同单片机片外的扩展芯片正确 的连接,需要在单片机外部增加地址锁存器。目前,常用的地址锁存器 芯片有:74LS373、8282、74LS573等。下面就这几种地址锁存器进
【第八章 51单片机存储器的设计】
几种RAM芯片的主要技术特性见表8-7
【第八章 51单片机存储器的设计】
8.5.2 外扩数据存储器的读写操作时序
MCS-5l对外扩RAM读和写两种操作时序的基本过程是相 同的。所用的控制信号有ALE、RD (读)和 WR(写) 1.读片外RAM操作时序 电路的连接:
8.5.1 常用的静态RAM(SRAM)芯片
单片机系统中常用的 SRAM芯片的典型型号有:
6116(2K×8),
6264 (8K×8),
62128(16K×8), 62256(32K×8)。 它们都用单一+5 V 电源供电,双列直插封 装 。
【第八章 51单片机存储器的设计】
静态SRAM存储器有读出、写入、维持三种工作方式, 这些工作方式的操作控制如表8-6所示。
【第八章 51单片机存储器的设计】
1.线选法
线选法就是 直接利用系统的 高位地址线作为 存储器芯片(或 I/O接口芯片) 的片选信号。只 需要把用到的地 址线与存储器芯 片的片选端直接 连接即可。
【第八章 51单片机存储器的设计】

MCS-51单片机扩展存储器设计

MCS-51单片机扩展存储器设计

例8-1 编写程序将片外RAM中5000H~50FFH单元全部清 零。
方法1:
用DPTR作为数据区地址指针,同时使用字节计数器。
MOV DPTR,#5000H;设置数据块指针的初值
MOV R7,#00H ;设置块长度计数器初值
CLR A
LOOP: MOVX @DPTR,A ;把某一单元清零
INC DPTR
写选通信号。
8.2.3 单片机系统的串行扩展技术 ➢ 优点:串行接口器件体积小,与单片机接口时需要的I/O
口线少, 可靠性提高。
➢ 缺点:串行接口器件速度较慢 在多数应用场合,还是并行扩展占主导地位。 8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器
8.3.1 存储器扩展的读写控制 RAM芯片:读写控制引脚OE*和WE* ,与RD*和WR*相连。 EPROM芯片:只有读出引脚,OE* ,与PSEN*相连。
D7~D0: 8位数据输入线 Q7~Q0: 8位数据输出线。 G:数据输入锁存选通信号 OE*: 数据输出允许信号
2. 锁存器8282
功能及内部结构与74LS373完全一样,只是其引脚的 排列与74LS373不同
3.锁存器74LS573
输入的D端和输出的Q端也是依次排在芯片的两侧, 与8282一样,为绘制印刷电路板时的布线提供方便。
第8章 MCS-51单片机 扩展存储器设计
8.1 概述 片内的资源如不满足需要,需外扩存储器和I/O功能 部件。 系统扩展主要内容有: (1)外部存储器的扩展(外部RAM、ROM) (2) I/O接口部件的扩展。 本章介绍如何扩展外部存储器, I/O接口部件的扩展下一章介绍。
8.1.1 最小应用系统
G2A G2B
Y0
+5V G1

第08章MCS51单片机系统扩展

第08章MCS51单片机系统扩展

表8-1 线选法三片存储器芯片地址分配表
无关位 A15 A14
片外地址线 A13 A12 A11
二进制表示 片内地址线
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
16进制表 示
芯 11 片 .. Ⅰ
11
芯 11 片 .. Ⅱ
11
芯 11 片 .. Ⅲ
11
110 ... 110 101 ... 101 011 ... 011
因两根线(A13、A14)未用,故两个芯片各有22=4个重叠的 地址空间。重叠的地址范围如下:
芯片1: 00000000000000000~0001111111111111,即0000H~1FFFH; 00100000000000000~0011111111111111,即2000H~3FFFH; 01000000000000000~0101111111111111,即4000H~5FFFH; 01100000000000000~0111111111111111,即6000H~7FFFH;
00000000000 . .. . . . . .. . . 11111111111 00000000000 . .. . . . . .. . . 11111111111 00000000000 . .. . . . . .. . . 11111111111
F000H ~
F7FFH E800H
~ EFFFH D800H
芯片数目
系统扩展容量 存储器芯片容量
系统字长 存储器芯片字长
(2)地址总线(AB):地址信号用于寻址存储单元或I/O端口。由 P0口和P2口共同提供。
(3)控制总线(CB):控制总线用于协调控制数据信 息和地址信息的正确传送。

第八章MCS51单片机的系统扩展

第八章MCS51单片机的系统扩展

全译码法的特点:
优点: 1. 地址空间连续,且唯一确定,不存在地址
重叠现象 2. 能充分利用内存空间(地址连续); 3. 当译码器输出端留有空余时,便于继续扩
展存储器或其它外围器件 缺点:电路连接复杂一些。
三、部分译码法
部分译码法:是指单片机片选地 址线中只有一部分参加译码,其余 部分是悬空的。
➢特点:集成度高,功耗小,价格低,电路较 复杂(需要刷新电路和相应的控制逻辑), 广泛用于存储容量大的微机系统。
(3) 集成RAM(iRAM)
➢iRAM(Integrated RAM)是一种带 刷新逻辑电路的DRAM。因自带刷新逻 辑而简化了与微处理器的连接电路。常 用芯片2186
➢特点:兼有静态、动态RAM的优点。 使用它和使用SRAM一样方便,
(3) 紫外线擦除可编程ROM(EPROM) ➢ 用户利用编程器写入信息 ➢ 其内容可更改:在紫外线照射下使电路复位,原存
信息被擦除,然后重新编程。能反复多次使用。 ➢ EPROM广泛应用于各种微机系统,通常采用的标准
芯片有: 2716(2KB) 、2732(4KB) 2764(8KB) 、27128(16KB) 27256(32KB)、27512(64KB)。
(1) 静态RAM(SRAM)
➢基本存储单元是MOS双稳态触发器。一 个基本存储单元可存储一位二进制信息。 常用芯片6116(2KB),6264(8KB)
➢特点:集成度较低,功耗较大,电路连 接简单,断电信息丢失(易失性),常 用于存储容量较小的微机应用系统
(2) 动态RAM(DRAM)
➢利用MOS管的栅极和源极之间的电容来保 存信息。由于栅源极间电容的电荷量会逐渐 泄 漏 , 因 此 需 要 刷 新 。 常 用 芯 片 有 2164 (64K位)等。

第8章-MCS-51单片机系统扩展

一个I/O接口芯片可以有多个I/O端口, (1)数据口(2)命令口(3)状态口
I/O端口编址是给所有I/O接口中的寄存器编址。
8
I/O端口编址两种方式:独立编址与统一编址 统一编址方式 MCS51采用这种方式
I/O寄存器与数据存储器单元同等对待,统一编址。 • 不需要专门的I/O指令,直接使用访问数据存储器
• 芯片的片选和芯片内的字选
片选控制
– 线选法 • 利用高端地址线(未用到的地址线)直接作为外扩芯片
的片选线,线路简单 • 地址空间有重叠,即同一存储空间可能对应多个地址 • 适用于系统芯片数目较少
– 译码选通法
• 高端地址线经译码器译码后作为存储器片选线,线路需
增加译码器芯片
• 地址空间连续,存储芯片空间对应地址唯一
的指令进行I/O操作,简单、方便且功能强。 • 每一接口芯片中的一个功能寄存器(端口)的地
址就相当于一个RAM单元。
9
I/O数据的几种传送方式 为实现和不同的外设的速度匹配,I/O接口必须
根据不同外设选择恰当的I/O数据传送方式。 I/O数据传送的几种传送方式是: (1)同步传送(2)异步传送(3)中断传送。
第8章 MCS-51单片机系统扩展
1
单片机系统扩展主要内容
内容指南 前面几章介绍了单片机片内资源的工作原理与应用。 当单片机片内资源不够用时,单片机可以进行外部 资源的扩充。本章介绍外部资源的扩充原理,包括 存储器、A/D、D/A的扩展技术和应用举例。
学习目标 • 单片机系统扩展的概述 • 存储器、A/D、D/A的外部扩展原理 • 扩展多片芯片的电路与编址
28
DAC0832 8253
29
30
31
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第8章+MCS-51单片机系统基本扩展技术


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9
8.3.1 外部程序存储器扩展 2.EPROM程序存储器扩展
(1) EPROM芯片及其主要技术特性
----程序存储器扩展
表8-1 常用EPROM存储器的主要技术特性
11:29
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10
8.3.1 外部程序存储器扩展 (2) 常用EPROM芯片的引脚定义
----程序存储器扩展
11:29
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36
8.4.2 8255A可编程并行I/O接口扩展
(2) 方式1
11:29
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37
8.4.2 8255A可编程并行I/O接口扩展
8255没有专门的状态字,而是当工作于方式1和方式2时, 读取端口C的数据,即得状态字.当状态字中有效信息位不满8 位时,所缺的即为对应端口C引脚的输入电平。
11:29
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17
8.3.2 外部数据存储器扩展
图8-12 MCS-51单片机扩展外部数据存储器的示意图
11:29
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8.3.2 外部数据存储器扩展
图8-13 6116的 引脚定义
11:29
图8-14 MCS-51单片机扩展 外部数据存储器6116的接口电路
11:29
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32
8.4.2 8255A可编程并行I/O接口扩展
3) 8255A工作方式
由8255A的方式控制字可知,8255A有3种工 作方式,并且不同的端口有不同的工作方式。端 口A可以工作在方式0、方式1和方式2,端口B可 以工作在方式0和方式1,端口C只能工作在方式0。

第8章 MCS-51系统扩展


8.1.3 存储器常用芯片 1.程序存储器 EPROM(紫外线擦除的可编程存储 器):2716、2732、2764、27128、 27256、27512。型号名称“27”后面 的数字表示其位存储容量,如果转换 成字节存储容量,将该数字除以8即 可。 1)A0~A12——地址引脚,可寻址 8KB。 2)D0 OE~D7——数据线引脚。 3) CE ——输出允许控制端。 4) PGM ——片选控制端。 5) ——编程脉冲信号。编程时, 编程脉冲输入端。 6)VPP——编程电压。编程时,编 程电压(+12.5V)输入端。
系统扩展的首要问题,构造系统 总线。系统总线上“挂”存储器 芯片或I/O接口芯片: “挂”存储器芯片就是存储器扩展 “挂”I/O接口芯片就是I/O扩展。 1.以P0口作为低8位地址/数据 总线 MCS-51由于受引脚数目的限制, 数据线和低8位地址线复用。为 了将它们分离出来,需要外加地 址锁存器,从而构成与一般CPU 相类似的片外三总线,见图。
3.译码器 译码器是典型的组合数字电路,译码器是将一种编 码转换为另一种编码的逻辑电路,译码器的种类很多, 但它们的工作原理和分析设计方法大同小异。常用的地 址译码器74LS138是3-8译码器,有3个地址输入端A、B、 C,3个使能端、、G3和8个输出端组成。
8.2.4 编址技术 MCS-51 单片机外部存储器的扩展包括外部程序存储器 和外部数据存储器两种。 如何把外部各自的64KB空间分配给各个程序存储器、 数据存储器芯片,并且使程序存储器的各个芯片之间,数 据存储器各芯片之间,为避免发生数据冲突,一个存储器 单元对应一个地址,这就是存储器的地址空间的分配问题。 在外扩的多片存储器芯片中, MCS-51要完成这种功能, 必须进行两种选择: 一是必须选中该存储器芯片(或I/O接口芯片),这称 为“片选”,只有被“选中”的存储器芯片才能被MCS-51 读出或写入数据。为了片选的需要,每个存储器芯片都有 片选信号引脚, 二是在“片选”的基础上再选择该芯片的某一单元,称 为“单元选择”。

第八章MCS51单片机存储器扩展


8.2 外部程序存储器的扩展
程序存储器的扩展要解决的几个问题:
程序存储器的作用—— 存放程序代码或常数表格
扩展时所用芯片—— 一般用只读型存储器芯片(可以是 EPROM、E2PROM、 FLASH芯片等) 扩展电路连接——用EPROM 2716、2732等扩展程序存储器 存储器地址分析——单片机输出什么地址值时,可以指向
211=2048个单元地址依次选通, 称为字选。即
地址与单元是多对一的关系
2764(8K)/27128(16K) /27256(32K)
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
2764
Vcc PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
1. 线选法寻址
线选法使用P2、P0 口的低位地址线对每 个芯片内的统一存储单元进行寻址,称为字选。 所需地址线数由每片的存储单元数决定,对于 8K×8容量的芯片需要13根地址线A0~A12。 将余下的高位地址线分别接到个存储芯片 的片选端CS,称为线选。
利用线选法,用3片2764A 扩展24K×8位 EPROM的电路图:
接口的含义: 接口是连接单片机与外围电路、芯片、设 备(如I/O设备、A/D、D/A设备)的中间环节。 接口牵涉到包括外围电路、设备、芯片的结构、 使用方法、时序要求;单片机本身的硬件、软 件资源等很多问题。 接口技术要解决系统扩展时单片机与相应 芯片的接口(如地址总线、数据总线、控制总 线的连接)与编程问题。
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
27128
Vcc PGM A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
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11100000000000000~1111111111111111,即E000H~FFFFH。
• 2.译码片选法 微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出 片选信号。 多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片 选方法。
图8.3 74LS373结构示意图
地址锁存器芯片
74LS373与74LS573只是引脚布置的不同。 74LS273的11脚G逻辑与以上相反。
单片机复用总线结构, 数据与地址分时共用一 组总线。
AD8~n AD0~7 ALE R/W
单片机
A8~n D0~7
Di Qi G
地址 锁存器
A0~7
R/W
不能改变。这种ROM常用于批量生产,生产成
本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数
据常采用这种ROM存贮。
(2)可一次性编程ROM(PROM)
为了使用户能够根据自己的需要来写ROM,厂
家生产了一种PROM。允许用户对其进行一次
编程──写入数据或程序。一旦编程之后,信息 就永久性地固定下来。用户可以读出和使用, 但再也无法改变其内容。
④/OE为输出允许信号。 低电平时,打开缓冲器(三态门)。 ⑤VPP 为编程电源输入线。 工作在应用系统时,接+5V电源;工作在编 程时,加+25V电压。 ⑥VCC 为主电源线,接+5V电源。 ⑦GND为地线。 ⑧NC:不连接
• 对EPROM的主要操作方式有: • .编程方式:把程序代码(机器指令、常数)固化 到EPROM中。 • .编程校验方式:读出EPROM中的内容,检验编程 操作的正确性。 • .读出方式:CPU从EPROM中读取指令或常数,是 单片机应用系统中的工作方式。 • .维持方式:不对EPROM操作,数据端呈高阻。 • .编程禁止方式:适用于多片EPROM并行编程不同 数据。 • 表6-1给出了27256不同操作方式下控制引脚的电平。 • 不同公司生产的EPROM的编程电压不同,有12.5V、 21V、25V等几种。
6264
Intel6264的容量为8K×8,有28个引脚。 各引脚的功能如下: • Al2~A0:地址信号输入引脚,可寻址芯片的8K个存储单元。 • D7~D0(O0~O7): 双向数据信号输入输出引脚。 • /OE:数据输出允许控制信号引脚,输入,低电平有效,用以允许数据输出。 • /WE:数据输入允许控制信号引脚,输入,低电平有效,用以允许数据输入。 • CS1:片选信号输入引脚,低电平有效,只有当该引脚转入低电平时,才能对 相应的芯片进行操作。 • CS2:片选信号输入引脚,高电平有效,只有当该引脚转入高电平时,才能对 相应的芯片进行操作。 A0 D0 A1 D1 • Vcc:+5v电源,用于在线的读操作。 A2 D2 A3 D3 A4 D4 • GND:地。
8.3 地址译码的方法
1.线选法 线选法就是用剩余的高位地址线作片选信号。 线选法有2个缺点:其一是各芯片的地址不连续,其二 是有一些地址不能使用,否则会造成片选的混乱(有地址
重叠现象,即一个存储单元有多个地址码)。不管芯片内
有多少个单元,所占的地址空间是一样的.
线选法
P2.7
P2.6
P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0
第8章 MCS-51存储器的扩展
8.1 随机读写存储器RAM的扩展
8.2 只读存储器ROM的扩展
8.3 地址译码的方法
8.4 I/O扩展 8.4 8.5串行扩展原理
8.1 随机读写存储器RAM的扩展
并行扩展总线
访问外部存储器的时序波形
• 不执行MOVX指令时
访问外部存储器的时序波形
• 执行MOVX指令时
这是一种用电信号编程也用电信号擦除的ROM
芯片,它可以通过读写操作进行逐个存储单元
读出和写入,且读写操作与RAM存储器几乎没 有什么差别,所不同的只是写入速度慢一些。 但断电后却能保存信息。典型E2PROM芯片有 28C16、28C17、2817A等。
• (5)快擦写ROM(flash ROM) E2PROM虽然具有既可读又可写的特点,但写 入的速度较慢,使用起来不太方便。而flash ROM 是在EPROM和E2PROM的基础上发展起 来的一种只读存储器,读写速度都很快,存取 时间可达70ns,存储容量可达16MB~128MB。 这种芯片可改写次数可从1万次到100万次。典 型flash ROM芯片有28F256、28F516、AT89等。
程序存储器的扩展要解决的几个问题: 1、程序存储器的作用—— 存放程序代码或常数 表格 2、扩展时所用芯片—— 一般用只读型存储器芯 片(可以是EPROM、E2PROM、 FLASH芯片 等)。 3、扩展电路连接 —— 用EPROM 2716、2732等 扩展程序存储器。 4、存储器地址分析——单片机输出什么地址值 时,可以指向存储器中的某一单元。
D0~n A 0 ~N
3)片选线 CS
连接地址总线高位ABN+x。
CS
R/ W 存储器
微型机
4) 读写线OE、WE(R/W) 连接读写控制线RD、WR。
外部总线的扩展
一、 外部总线的扩展
MCS - 51外部三总线示意图
8.1.4 地址锁存器的原理 8D锁存器74LS373
8D锁存器74LS373
Ⅲ:0110 0000 0000 0000~0111 1111 1111 1111 =6000H~7FFFH
图8.12 用两片2764 EPROM的扩展连接图
左片:00000000000000000~0001111111111111,即0000H~1FFFH; 00100000000000000~0011111111111111,即2000H~3FFFH; 01000000000000000~0101111111111111,即4000H~5FFFH; 01100000000000000~0111111111111111,即6000H~7FFFH; 右片:10000000000000000~1001111111111111,即8000H~9FFFH; 10100000000000000~1011111111111111,即A000H~BFFFH; 11000000000000000~1101111111111111,即C000H~DFFFH;
8.1.5 62128与MCS51的连接
工作时,ROM中的信息只能读出,要用特殊方式 写入(固化信息),失电后可保持信息不丢失。
8.2 只读存储器ROM的扩展
ROM有5种:
(1)掩模工艺ROM 设计固定的半导体掩模版进行生产的。一旦制
这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存贮的信息, 出成品之后,其存贮的信息即可读出使用,但
EPROM的典型芯片是Intel公司的27系列产品,按 存储容量不同有多种型号,例如2716(2KB′8)、 2732(4KB′8)、2764(8KB′8)、27128 (16KB′8)、27256(32KB′8)等,型号名称 后的数字表示其存储容量。
(4)电擦除可改写ROM(EEPROM或E2PROM)
存储器
ALE
锁地 存址 锁地 存址 数据 有效 采数 样据 地址 输出 数据 有效
AD0~n R/W
地址 输出
采数 样据
静态RAM芯片
I/O 0~7:数据线
A0~A12:地址线 CE、CE:片选线 OE:输出使能 WE:写入使能
VCC、GND:电源
NC:未使用 图 6264 管脚图
2009年3月30日星期一 表 6264的工作方式
表 27256工作方式选择源自8.2.2 27128与MCS51的连接
与RAM的不同点: 只有一片ROM时,CE可以接地 OE接/PSEN
MCS51同时扩展ROM和RAM
兼有片外ROM,又有片外RAM的扩展连接图
• 8.2.3EEPROM与单片机的典型连接电路
• 2817的写入时间大约为15ms左右 • 2817A的擦写程序如下。 • MOV R0,#30H;置写入数据区首地址 • MOV R2,#10H;置写入数据区长度 • MOV DPTR,#Addr;置E2PROM擦写单元首 地址 • LOOP:JNB P1. 0,LOOP;查询E2 PROM忙否? • MOV A,@R0;取改写数据 • MOVX@DPTR, A;改写 • INC R0;修改写入数据区地址 • INC DPTR;修改写入单元地址 • DJNZ R2,LOOP;未全部写完,继续 • RET
• 存储器芯片的控制线:对于程序存储器,一般来说, 具有读操作控制线(OE),它与单片机的/PSEN信号线 相连。除此之外,对于EPROM芯片还有编程脉冲输入 线(PRG)、编程状态线(READY/BUSY)。PRG应与单片 机在编程方式下的编程脉冲输出线相接; READY/BUSY在单片机查询输入/输出方式下,与一 根I/O口线相接;在单片机中断工作方式下,与一个外 部中断信号输入线相接。 • 存储器芯片的数据线:数据线的数目由芯片的字 长决定。1位字长的芯片数据线有一根;4位字长的芯 片数据线有4根;8位字长的芯片数据线有8根;存储器 芯片的数据线与单片机的数据总线(P0.0~P0.7)按由低 位到高位的顺序顺次相接。
A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 D5 D6 D7
6264
WE OE CS1 CS2
8.1.3
1)数据线 D0~n
RAM存储器的连接
DB0~n AB0~N ABN+x R/ W
存储器与微型机三总线的连接:
连接数据总线 DB0~n
2)地址线 A0~N 连接地址总线低位AB0~N。
片机的剩余高位地址线的译码及译码输出与存储器芯
片的片选信号线的连接,是存储器扩展连接的关键问
题。
8.2.1 27xx的引脚
27256的结构逻辑图如上 图所示。ROM芯片内 部集成了输出缓冲器,地址译码器。 2716有2KB容量,共有11位地址线。 2716信号引脚图说明如下。 ①A0~A14 为14位地址线。 ②O0~O7为8位数据线。 ③/CE/PGM为双重功能控制线。/PGM或 为A14 当工作在应用系统中时,为片选信号CE,即低 电平时选中该芯片;当工作在编程过程中,为 编程控制信号PGM,用于引入编程脉冲。
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