第四章 熔体中的晶体生长技术-区熔法.
晶体生长方法

晶体生长方法一、提拉法晶体提拉法的创始人是J. Czochralski,他的论文发表于1918年。
提拉法是熔体生长中最常用的一种方法,许多重要的实用晶体就是用这种方法制备的。
近年来,这种方法又得到了几项重大改进,如采用液封的方式(液封提拉法,LEC),能够顺利地生长某些易挥发的化合物(GaP等);采用导模的方式(导模提拉法)生长特定形状的晶体(如管状宝石和带状硅单晶等)。
所谓提拉法,是指在合理的温场下,将装在籽晶杆上的籽晶下端,下到熔体的原料中,籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下,一边旋转一边缓慢地向上提拉,经过缩颈、扩肩、转肩、等径、收尾、拉脱等几个工艺阶段,生长出几何形状及内在质量都合格单晶的过程。
这种方法的主要优点是:(a)在生长过程中,可以方便地观察晶体的生长情况;(b)晶体在熔体的自由表面处生长,而不与坩埚相接触,这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核;(c)可以方便地使用定向籽晶与“缩颈”工艺,得到完整的籽晶和所需取向的晶体。
提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。
提拉法中通常采用高温难熔氧化物,如氧化锆、氧化铝等作保温材料,使炉体内呈弱氧化气氛,对坩埚有氧化作用,并容易对熔体造成污杂,在晶体中形成包裹物等缺陷;对于那些反应性较强或熔点极高的材料,难以找到合适的坩埚来盛装它们,就不得不改用其它生长方法。
二、热交换法热交换法是由D. Viechnicki和F. Schmid于1974年发明的一种长晶方法。
其原理是:定向凝固结晶法,晶体生长驱动力来自固液界面上的温度梯度。
特点:(1) 热交换法晶体生长中,采用钼坩埚,石墨加热体,氩气为保护气体,熔体中的温度梯度和晶体中的温度梯度分别由发热体和热交换器(靠He作为热交换介质)来控制,因此可独立地控制固体和熔体中的温度梯度;(2) 固液界面浸没于熔体表面,整个晶体生长过程中,坩埚、晶体、热交换器都处于静止状态,处于稳定温度场中,而且熔体中的温度梯度与重力场方向相反,熔体既不产生自然对流也没有强迫对流;(3) HEM法最大优点是在晶体生长结束后,通过调节氦气流量与炉子加热功率,实现原位退火,避免了因冷却速度而产生的热应力;(4) HEM可用于生长具有特定形状要求的晶体。
区熔法制备单晶硅

集成电路制造工艺------区熔法制备单晶硅班级:电艺3091学号:38#姓名:赵剑指导老师:张喜凤日期:2010.04.25区熔法制备单晶硅作者:赵剑(陕西国防工业职业技术学院电艺309138 西安户县 710300)【摘要】区熔法晶体生长是在本文中介绍的技术历史上早期发展起来的几种工艺之一,仍然在特殊需要中使用。
直拉法的一个缺点是坩埚中的氧进入到晶体中,对于有些器件,高水平的氧是不能接受的。
对于这些特殊情况,晶体必须用区熔法技术来生长以获得低氧含量晶体。
【关键词】区熔法、直拉法、单晶硅1引言集成电路通常用硅制造,硅是一种非常普遍且分布广泛的元素。
石英矿就是一整块二氧化硅。
尽管硅化物储量丰富,但硅本身不会自然生长,一般用大量存在的二氧化硅作原料,经过一系列的工艺步骤就可以得到多晶硅,多晶硅经过提纯就变成了高纯度的可以制作集成电路的单晶硅。
目前制备单晶硅的常用方法有直拉法和区熔法。
本文主要介绍区熔法制备单晶硅。
2单晶硅的制备区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。
前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。
后者主676要用于硅,这是由于硅熔体的温度高,化学性能活泼,容易受到异物的玷污,难以找到适合的舟皿,不能采用水平区熔法。
然而硅又具有两个比锗、GaAs优越的特性:即密度低(2.33g/cm3和表面张力大(0.0072N/cm),所以,能用无坩埚悬浮区熔法。
该法是在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。
由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶棒与单晶之间,故称为悬浮区熔法。
2.1区熔法制备单晶硅利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一种方法。
区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。
调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。
区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。
晶体生长技术

在高温高压下,通过各种碱性或酸性的水溶液使材料溶解而达到过饱和进而析晶的生长晶体方法叫水热生长 法。这个方法主要用来合成水晶,其他晶体如刚玉、方解石、蓝石棉以及很多氧化物单晶都可以用这个方法生成。 水热法生长的关键设备是高压釜,它是由耐高温、高压的钢材制成。它通过自紧式或非自紧式的密封结构使水热 生长保持在200~1000°C的高温及1000~10000大气压的高压下进行。培养晶体所需的原材料放在高压釜内温度 稍高的底部,而籽晶则悬挂在温度稍低的上部。由于高压釜内盛装一定充满度的溶液,更由于溶液上下部分的温 差,下部的饱和溶液通过对流而被带到上部,进而由于温度低而形成过饱和析晶于籽晶上。被析出溶质的溶液又 流向下部高温区而溶解培养料。水热合成就是通过这样的循环往复而生长晶体。
气相外延 材料在气相状况下沉积在单晶基片上,这种生长单晶薄膜的方法叫气相外延法,气相外延有开管 和闭管两种方式,半导体制备中的硅外延和砷化镓外延,多半采用开管外延方式。
液相外延 将用于外延的材料溶解在溶液中,使达到饱和,然后将单晶基片浸泡在这溶液中,再使溶液达到 过饱和,这就导致材料不断地在基片上析出结晶。控制结晶层的厚度得到新的单晶薄膜。这样的工艺过程称为液 相外延。这方法的优点是操作简单,生长温度较低,速率也较快,但在生长过程中很难控制杂质浓度的梯度等。 半导体材料砷化镓的外延层,磁泡材料石榴石薄膜生长,多半用这种方法。
这个方法是指在高温下把晶体原材料溶解于能在较低温熔融的盐溶剂中,形成均匀的饱和溶液,故又称熔盐 法。通过缓慢降温或其他办法,形成过饱和溶液而析出晶体。它类似于一般的溶液生长晶体。对很多高熔点的氧 化物或具有高蒸发气压的材料,都可以用此方法来生长晶体。这方法的优点是生长时所需的温度较低。此外对一 些具有非同成分熔化(包晶反应)或由高温冷却时出现相变的材料,都可以用这方法长好晶体。BaTiO3晶体及 Y3Fe5O12晶体的生长成功,都是此方法的代表性实例,使用此法要注意溶质与助熔剂之间的相平衡问题。
区熔拉晶生长碲化铋

区熔拉晶生长碲化铋的技术在半导体材料领域中起着重要的作用。
它是一种通过在熔体中降温来生长单晶的方法。
在该过程中,碲化铋晶体由熜面和角滑移来生长,从而实现了高质量的单晶生长。
本文将从简介、原理、应用以及个人观点等方面探讨区熔拉晶生长碲化铋技术。
简介区熔拉晶生长碲化铋是一种先进的半导体材料生长技术。
它是在熔体生长方法中的一种,通过在制备过程中逐渐降低温度来生长高质量的单晶。
该技术已在半导体材料领域被广泛应用,特别是在红外光电探测器和太阳能电池等领域。
原理区熔拉晶生长碲化铋的原理基于熜面和角滑移。
在制备过程中,碲化铋晶体在熔体中逐渐生长。
一开始,熔体温度高于晶体生长温度,晶体表面无可能发生熔化。
随着温度降低,晶体与熔体之间的温度差减小,晶体表面开始接触到熔体,熔体在晶体表面生长,从而实现了晶体的生长。
在此过程中,碲化铋晶体的生长是通过熜面和角滑移来进行的。
熜面是指晶体与熔体之间的过渡层,通过熔体在晶体表面的扩散,晶体上的原子从熔体中吸收,并在晶体内部重新排列形成晶格。
而角滑移是指晶体内部的原子通过晶格位错的滑移运动来调整晶体的形状和尺寸,从而实现晶体的生长。
应用区熔拉晶生长碲化铋技术在红外光电探测器和太阳能电池等领域具有广泛的应用。
在红外光电探测器领域,碲化铋是一种优秀的红外探测材料,具有高灵敏度、宽波长范围和优秀的光电特性。
通过区熔拉晶生长碲化铋技术,可以生长出高质量的单晶碲化铋,从而提高红外探测器的性能和灵敏度。
在太阳能电池领域,碲化铋也是一种重要的材料。
通过区熔拉晶生长碲化铋技术,可以实现高质量、大尺寸的碲化铋单晶的生长,从而提高太阳能电池的能量转换效率和稳定性。
碲化铋材料具有优良的光电特性,可用于制备高效的太阳能电池。
个人观点我个人认为,区熔拉晶生长碲化铋技术是一种十分重要且有潜力的材料生长技术。
它可以实现高质量、大尺寸的碲化铋单晶生长,从而在半导体材料领域中广泛应用。
碲化铋材料具有优良的光电特性,可应用于红外光电探测器和太阳能电池等领域。
区熔法制备单晶硅

集成电路制造工艺------区熔法制备单晶硅班级:电艺3091学号:38#*名:**指导老师:***日期:2010.04.25区熔法制备单晶硅作者:赵剑(陕西国防工业职业技术学院电艺309138 西安户县 710300)【摘要】区熔法晶体生长是在本文中介绍的技术历史上早期发展起来的几种工艺之一,仍然在特殊需要中使用。
直拉法的一个缺点是坩埚中的氧进入到晶体中,对于有些器件,高水平的氧是不能接受的。
对于这些特殊情况,晶体必须用区熔法技术来生长以获得低氧含量晶体。
【关键词】区熔法、直拉法、单晶硅1引言集成电路通常用硅制造,硅是一种非常普遍且分布广泛的元素。
石英矿就是一整块二氧化硅。
尽管硅化物储量丰富,但硅本身不会自然生长,一般用大量存在的二氧化硅作原料,经过一系列的工艺步骤就可以得到多晶硅,多晶硅经过提纯就变成了高纯度的可以制作集成电路的单晶硅。
目前制备单晶硅的常用方法有直拉法和区熔法。
本文主要介绍区熔法制备单晶硅。
2单晶硅的制备区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。
前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。
后者主676要用于硅,这是由于硅熔体的温度高,化学性能活泼,容易受到异物的玷污,难以找到适合的舟皿,不能采用水平区熔法。
然而硅又具有两个比锗、GaAs优越的特性:即密度低(2.33g/cm3和表面张力大(0.0072N/cm),所以,能用无坩埚悬浮区熔法。
该法是在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。
由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶棒与单晶之间,故称为悬浮区熔法。
2.1区熔法制备单晶硅利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一种方法。
区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。
调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。
区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。
熔体中的晶体生长技术(提拉法)

2020/4/5
低维半导体材料及量子器件
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天然石榴石低维半导体材料及量子器件
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YIG
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低维半导体材料及量子器件
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YIG
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低维半导体材料及量子器件
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人工合成GGG
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低维半导体材料及量子器件
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天然形成的石榴石主要是金属的硅酸盐
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边界层 厚度的 起伏
温场对称 晶体旋转
温场不对称
生长层的形成
生长 速率 起伏
机械振动
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6 提拉法生长晶体缺陷的形成与控制
晶体在生长(或降温)过程中所以会产生缺陷, 大体上是由以下几个方面的因素造成的: a 物质条件; b 热力学因素; c 分凝和组分过冷; d 温度分布和温度波动.
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低维半导体材料及量子器件
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• a物质条件:
包括生长设备的稳定性,有害杂质的影响, 籽晶。
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石榴石生长的主要方法在于原料的区别和 是否考虑掺杂问题,一般生长过程包括以 下几个方面:
a 原料准备 b 保护气氛 c 生长条件 d 掺杂生长 e 晶体的透过率与颜色
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• a 原料准备:Ga2O3(氧化镓)Gd2O3(氧化 钆)经过焙烧,脱水,按照比例配料,混合 后经压机压紧后在1250℃进行固相反应,充 分反应后的原料可供晶体生长使用。
• e 晶体的透过率与颜色:
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低维半导体材料及量子器件
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纯GGG和掺杂Cr3+
晶体生长科学和技术234节课

半导体掺杂:p型,n型
• N型半导体:在硅晶体中掺入能够释放 电子的P(磷),As(砷)或者Sb(锑)等杂质 元素,就成了电子型半导体;
• P型半导体:在硅晶体中掺入能够俘获电 子的B(硼),Al(铝), Ga(镓)和In(铟)等杂 质元素,就成了空穴型半导体;
• III,V族元素在Si,Ge中处于替位。 • 没有掺有杂质的半导体材料称为本征半
导体材料;
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N型半导体形成:施主杂质
在硅原子形成硅晶体时,每个硅原子贡献4个 电子—掺杂时,外层有5个电子的杂质,例如P 引入后,只有4个电子可以与硅结合形成价电 子,多出一个电子—这个电子与P+原子结合弱, 容易进入导带—因为施主的电离能(电子从施主 原子进入导带的最小能量)很小(Si中约为0.040.05eV,Ge中约为0.01eV),所以能级靠近导 带—导电主要靠导带电子进行,而纯净的半导 体中仅靠热激发进入导带的电子数很少,所以 杂质的加入可控制半导体材料的导电性能;
衰减系数小、波段宽、光学均匀性好、导热率高等;
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晶体材料的应用
➢磁光晶体:当光通过某些组成原子具有一定磁性的磁 光晶体时,被磁性晶体反射或透射后,其偏振面发生 旋转。由反射引起的旋转称为克尔效应、由透射引起 的旋转称为法拉第效应。利用磁光效应可以制成高存 储密度的计算机存储器,磁光偏转器等; 要求:具有大的法拉第旋转角、光损耗系数小而磁光常
硅单晶是最主要的半导体基础材料;
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晶体材料的应用
➢半导体晶体是半导体工业的主要基础材料,在晶体中 占有头等重要的地位;
➢半导体晶体是从20世纪50年代开始发展起来的。第一 代半导体晶体是锗(Ce)单晶和硅单晶 (Si),可制成各种 二极管、三极管、场效应管、可控硅及大功率管等器 件以及集成电路;
第四章 熔体中的晶体生长技术-区熔法.

4焰熔法生长宝石晶体优点缺点 焰熔法生长宝石晶体优点缺点
优点: 优点: 1不必使用高熔点的坩埚; 不必使用高熔点的坩埚; 不必使用高熔点的坩埚 2氢氧焰温度高达 氢氧焰温度高达2900摄氏度,能生长 摄氏度, 氢氧焰温度高达 摄氏度 高熔点的宝石; 高熔点的宝石; 3生长速率快,例如每小时可生长约 生长速率快, 生长速率快 10g的宝石,直径可达 ~20mm; 的宝石, 的宝石 直径可达15~ ; 4生长设备简单,适用于工业化生产 生长设备简单, 生长设备简单 适用于工业化生产。
45焰熔法生长宝石晶体工艺主要内容1焰熔生长原理与设备2焰熔法生长宝石晶体工艺过程1原料的提纯2粉料的制备2粉料的制备3晶体生长4退火处理3焰熔法生长优质宝石晶体的关键因素4焰熔法生长宝石晶体优点缺点5实例分析焰熔法生长刚玉类宝石1焰熔生长原理与设备此方法概略地说是利用氢及氧气在燃烧过程中产生高温使一种疏松的原料粉末通过氢氧焰撒下熔融并落在一个冷却的结晶杆上结成单晶体的过程
Synthesis YAG by local melted (Opaque)
Synthesis YAG by CZ melted (transparent)
五 区熔法合成宝石的鉴别
1由于没有使用坩埚,所以不存在坩 埚的杂质的污染;另外该技术能提纯晶 体,晶体中很少出现包裹体和生长纹。 2对于高质量的合成刚玉类宝石,纯 度高,内部非常洁净;荧光强于天然宝 石的荧光;分光镜下吸收光谱少于天然 宝石的谱线。
schematic graph for local melted
激光加热基座法是 该方法的一个非常 常见的实际应用。
单晶纤维的制备
三 对熔区的要求
a 熔区的长度恒定 b 固液界面稳定 c 熔化体积小; d 热梯度界限分明 因此,熔区内的温度应大于原料熔化温度。 温度的实际分布取决于:功率和热源性质、散热 装置、烧结棒的热导率、液相中溶质的含量
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激光加热基座法是 该方法的一个非常 常见的实际应用。
单晶纤维的制备
三 对熔区的要求
a 熔区的长度恒定 b 固液界面稳定 c 熔化体积小; d 热梯度界限分明 因此,熔区内的温度应大于原料熔化温度。 温度的实际分布取决于:功率和热源性质、散热 装置、烧结棒的热导率、液相中溶质的含量
(2)浮区法
特点:垂直的区熔法- 特点:垂直的区熔法-在生 长的晶体和多晶棒之间有一 段熔区, 段熔区,该熔区由表面张力 所支持。熔区自上而下, 所支持。熔区自上而下,或 自下而上移动, 自下而上移动,以完成结晶 过程。 过程。 优点: 优点:该方法的主要优点是 不需要坩埚, 不需要坩埚,也由于加热不 受坩埚熔点的限制, 受坩埚熔点的限制,可以生 长熔点极高的材料. 长熔点极高的材料.在生长 过程中容易观察等. 过程中容易观察等
(4)宝石晶体的退火处理 宝石晶体的退火处理 氢氧火焰的燃烧快、温度高, 氢氧火焰的燃烧快、温度高, 粉料熔融时间很短暂, 粉料熔融时间很短暂,晶体生长界 面附近的温度梯度非常大。因此, 面附近的温度梯度非常大。因此, 用火焰法生长的宝石晶体的热应力 非常大, 非常大,这也是晶体中缺陷很多的 直接原因. 直接原因. 在热应力的作用下, 在热应力的作用下,火焰法生 长的宝石晶体很容易沿劈裂面开裂, 长的宝石晶体很容易沿劈裂面开裂, 劈裂面通常是由光轴和生长轴线的 方向所决定的平面。 方向所决定的平面。晶体在劈裂过 程中, 程中,恢复了弹性形变而释放出部 分热应力。作轴承用的工业宝石, 分热应力。作轴承用的工业宝石, 就是通过这种方式来消除部分热应 力的。 力的。
(2)粉料的制备 具体要求: a高纯度(防止因杂质而引起晶体缺陷); b化学反应完全(避免在熔融层上因粉料发生 化学反应而产生气泡); c高分散性和良好的均匀性(避免粉料来不及 熔化就进入熔融层而造成不熔物包裹体)。
(3)晶体生长 a生长晶芽 b扩大放肩 c等径生长
Figure3 Stages of flame-fusion (Verneuil) growth of ruby schematic
schematic graph for local melted
要求: 要求:由于熔区的稳定是靠表面张力和 重力的平衡来维持的, 重力的平衡来维持的,因此要求材料有 较大的表面张力和较小的熔态密度。 较大的表面张力和较小的熔态密度。对 加热技术和机械传动装置的要求比较严 格。
(3)基座法 该方法与浮区法基 本相同,熔区仍然由晶 体和多晶原料来支撑。 不同的是此法中多晶原 料棒的直径远远大于晶 体的直径。也是一种无 坩埚生长技术。
Fig 2 key fixture in flame-fusion apparatus
供料装置
要求粉料能均匀稳定的通过燃烧器中心的氧气管 落入氢氧火焰中熔化成微小液珠,且粉料流动通畅。 落入氢氧火焰中熔化成微小液珠,且粉料流动通畅。
气体燃烧器
氢气和氧气通过燃烧器,可以产生高达2800度的 氢气和氧气通过燃烧器,可以产生高达2800度的 2800 火焰。为充分燃烧,一般要求氢气过量, 火焰。为充分燃烧,一般要求氢气过量,但氢气过多 回带走一定热量和部分粉料, 回带走一定热量和部分粉料,因此要控制好氢气和氧 气的比例。
2 焰熔法生长宝石晶体工艺过程
(1)原料的提纯 (2)粉料的制备 (3)晶体生长 (4)退火处理 退火处理
(1)原料提纯 ) 合成宝石种类不同,提纯方法不同。 合成宝石种类不同,提纯方法不同。如: 生长红宝石多采用硫酸铝铵进行简单的 重结晶。 重结晶。 生长金红石原料用硫酸氧钛铵, 生长金红石原料用硫酸氧钛铵,在硫酸 铵水溶液中加入浓硫酸和TiCl4,发生化 铵水溶液中加入浓硫酸和 发生化 学反应,产生白色沉淀, 学反应,产生白色沉淀,经过过滤清洗 制得。 制得。
(a) formation of sinter cone and central melt droplet onto seed
(b) growth of the neck by adjustment of powder supply and the hydrogen-oxygen flame
(c) Increase of the diameter without overflow of the molten cap for the growth of the single-crystal boule.
Synthesis YAG by local melted (Opaque)
Synthesis YAG by CZ melted (transparent)
五 区熔法合成宝石的鉴别
1由于没有使用坩埚,所以不存在坩 埚的杂质的污染;另外该技术能提纯晶 体,晶体中很少出现包裹体和生长纹。 2对于高质量的合成刚玉类宝石,纯 度高,内部非常洁净;荧光强于天然宝 石的荧光;分光镜下吸收光谱少于天然 宝石的谱线。
锥光图
3 焰熔法生长优质宝石晶体的关键因素 (1)选用优质籽晶并选取最佳的生长方向 ) (2)生长炉内温度分布要均匀,轴心要一致 )生长炉内温度分布要均匀, 3)氢氧比例要合适, (3)氢氧比例要合适,气流流量要稳定 (4)粉料要达到工艺要求 ) (5)下料要均匀、稳定且与火焰温度、晶体 )下料要均匀、稳定且与火焰温度、 下降速度协调一致
生长特点
1体系由多晶体、熔体、生长的单晶体三部分构成 体系由多晶体 熔体、生长的单晶体三部分构成 体系由多晶体、 2 体系中存在两个固液界面,一个界面发生在结 体系中存在两个固液界面, 晶过程, 晶过程,另外一个界面发生在多晶体界面的熔 化,熔区内向多晶体方向移动 3 熔区的体积是不会发生变化的,熔区中的原料 熔区的体积是不会发生变化的, 是变化的 4 晶体的长大过程是多晶材料的耗尽过程
& 4.5区熔法生长刚玉型彩色宝石 区熔法生长刚玉型彩色宝石
要点 1. 区域熔炼法基本原理、合成装置、过 基本原理、 . 区域熔炼法基本原理 合成装置、 程及特点 2. 分类讲述 . 3. 区域熔炼法合成宝石的鉴定 .
一 基本原理
物质的固相和液相在密度 差的驱动下,物质会发生输运。 差的驱动下,物质会发生输运。 因此, 因此,通过区域熔炼可以控制 或重新分配存在于原料中的可 溶性杂质或相 利用一个或数个熔区在同 一方向上重复通过原料烧结以 除去有害杂质; 除去有害杂质; 利用区域熔炼过程有效地 消除分凝效应, 消除分凝效应,也可将所期望 的杂质均匀地掺入到晶体中去, 的杂质均匀地掺入到晶体中去, 并在一定程度上控制和消除位 包裹体等结构缺陷。 错、包裹体等结构缺陷。
是目前合成宝石的主要方法之一, 是目前合成宝石的主要方法之一,现今的合 成红宝石、蓝宝石、彩色尖晶石、金红石、 成红宝石、蓝宝石、彩色尖晶石、金红石、星光 红蓝宝石及人造钛酸锶等宝石多用此法制得。 红蓝宝石及人造钛酸锶等宝石多用此法制得。
O2
料斗 氧喷嘴 H2
梨晶
保护炉
结晶杆
支持架
Figure 1 schematic graph for flame-fusion (Verneuil) growth of ruby
二 区域熔炼法分类
水平区熔法 浮区区熔法 基座法 焰熔法
区域熔炼法
(1)水平区熔法(1952)
特点: 特点:该方法的熔区被 限制在一段狭窄的范围 内,绝大部分材料处于 固态,熔区沿着料锭由 一端向另一端缓慢移动, 晶体生长过程逐渐完成。 优点: 优点:减小了坩埚对熔 体 的污染(减小了接触 面积)降低了加热功率; 区熔过程可反复进行, 从而提高了晶体的纯度 schematic graph for local melted 和掺质的均匀化。
4焰熔法生长宝石晶体优点缺点 焰熔法生长宝石晶体优点缺点
优点: 优点: 1不必使用高熔点的坩埚; 不必使用高熔点的坩埚; 不必使用高熔点的坩埚 2氢氧焰温度高达 氢氧焰温度高达2900摄氏度,能生长 摄氏度, 氢氧焰温度高达 摄氏度 高熔点的宝石; 高熔点的宝石; 3生长速率快,例如每小时可生长约 生长速率快, 生长速率快 10g的宝石,直径可达 ~20mm; 的宝石, 的宝石 直径可达15~ ; 4生长设备简单,适用于工业化生产 生长设备简单, 生长设备4.5焰熔法生长宝石晶体工艺 焰熔法生长宝石晶体工艺
主要内容
1 焰熔生长原理与设备 2 焰熔法生长宝石晶体工艺过程 (1)原料的提纯 ) (2)粉料的制备 ) (3)晶体生长 ) (4)退火处理 ) 3 焰熔法生长优质宝石晶体的关键因素 4焰熔法生长宝石晶体优点缺点 焰熔法生长宝石晶体优点缺点 5实例分析(焰熔法生长刚玉类宝石) 实例分析( 实例分析 焰熔法生长刚玉类宝石)
熔区的最大长度: Lm ≈ 2.8
γ ρg
其中γ :熔体的表面张力;ρ:熔体的密度
四 区熔法生长YAG实例
原料制备:称取55.35 55.35% Y2O3和 a、原料制备:称取55.35%的Y2O3和44.64 Al2O3化学纯试剂 将它们分布放置在500 化学纯试剂, %的Al2O3化学纯试剂,将它们分布放置在500 摄氏度下加热24小时除去水分。 24小时除去水分 摄氏度下加热24小时除去水分。 烧结棒的制备:将粉料混合均匀, b、烧结棒的制备:将粉料混合均匀,用静 压法压成细棒, 1350摄氏度小烧结12小时 摄氏度小烧结12小时, 压法压成细棒,在1350摄氏度小烧结12小时, 然后磨碎,再压制烧结,循环3 然后磨碎,再压制烧结,循环3次。 熔融结晶: 57.05% Y2O3和42.95% c、熔融结晶: 57.05%的Y2O3和42.95%的 Al2O3是YAG的理论配比 的理论配比。 Al2O3是YAG的理论配比。但如果按照理论配比 生长,晶体会由透明状态转化成不透明状态, 生长,晶体会由透明状态转化成不透明状态, 因此AL2O3要过量。 AL2O3要过量 因此AL2O3要过量。