场效应管原理
场效应作用原理
场效应作用原理场效应作用原理（FieldEffectPrinciple）是指在半导体器件中，通过控制电场来调节电流的原理。
在场效应管（FET）中，通过改变栅极电压，可以控制源极和漏极之间的电流。
这种原理被广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关、传感器等。
场效应管的基本结构包括源极、漏极和栅极。
源极和漏极之间是一个导电材料，称为通道。
栅极是一个金属片或半导体材料，被放置在通道上方，与通道之间有一层绝缘材料隔开。
当栅极电压为0时，通道中没有电子流动，因为通道中没有电场。
当栅极施加一个正电压时，栅极和通道之间就会产生一个电场。
这个电场会排斥通道中的电子，使通道中的电子浓度降低，从而阻碍电流的流动。
当栅极电压为负电压时，电场的方向相反，通道中的电子浓度增加，电流流动更容易。
在场效应管中，栅极电压的变化会引起源极和漏极之间电流的变化。
当栅极电压为0时，源极和漏极之间的电流称为饱和电流。
当栅极电压改变时，通道中的电子浓度也随之改变，从而改变源极和漏极之间的电流。
场效应管有两种类型：N型和P型。
N型场效应管的通道是由N 型半导体材料构成的，栅极电压为正电压时，通道中的电子浓度减小，电流流动减小。
P型场效应管的通道是由P型半导体材料构成的，栅极电压为负电压时，通道中的电子浓度增加，电流流动增加。
场效应管的优点包括高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低功耗和高速度。
这些优点使得场效应管成为电子设备中广泛使用的一种器件。
在实际应用中，场效应管可以用于各种电子设备中。
在放大器中，场效应管可以被用作输入级放大器、输出级放大器和中间级放大器。
在开关中，场效应管可以被用作开关管、逆变器和直流-直流转换器。
在传感器中，场效应管可以被用作压力传感器、温度传感器和光传感器。
总之，场效应作用原理是一种重要的半导体器件工作原理，其优点包括高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低功耗和高速度，被广泛应用于各种电子设备中。
场效应管的原理
第三章 场效应管知识要点：场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
有N 沟道器件和P 沟道器件。
有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET ）。
1.1 1.1.1 MOS 场效应管MOS 场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS ）和耗尽型(Depletion)MOS 或DMOS ）两大类，每一类有N 沟道和P 沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极； S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
增强型MOS(EMOS)场效应管根据图3-1，N 沟道增强型MOSFET 基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO 2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N 型区，从N 型区引出电极，一个是漏极D ，一个是源极S 。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G 。
P 型半导体称为衬底，用符号B 表示。
图3-1 N 沟道增强型EMOS 管结构示意一、工作原理1．沟道形成原理当V GS =0 V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D 、S 之间加上电压不会在D 、S 间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜V GS ＜V GS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P 型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流I D 。
场效应管的结构原理与应用
场效应管的结构原理与应用1. 场效应管的结构原理场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，具有高输入电阻、低功耗等特点，被广泛应用于电子电路中。
场效应管的结构原理主要由以下几个方面组成：1.1 三种类型的场效应管场效应管分为三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）、JFET （结型场效应管）和DE-MOS（双增强型场效应晶体管）。
这三种场效应管的结构原理和特点有所不同。
1.2 MOSFET的结构原理MOSFET是最常用的场效应管，其结构主要由金属栅极、氧化物层和半导体层组成。
外加电压作用下，栅极电场将调控导电层的电荷，从而控制源极与漏极之间的电流。
1.3 JFET的结构原理JFET的结构主要由PN结和掺杂区域组成。
当栅极电压变化时，PN结及掺杂区域中的电场将调控漏极与源极之间的电流。
1.4 DE-MOS的结构原理DE-MOS是一种结合了MOSFET与JFET的场效应管。
其结构原理比较复杂，采用了双增强控制的结构，具有较高的功率放大能力。
2. 场效应管的应用领域场效应管作为一种重要的半导体器件，在各种电子电路中都有广泛的应用。
以下列举了几个常见的应用领域：2.1 放大器场效应管可以用作放大器，放大输入信号的幅度。
它具有高输入电阻、低输出电阻、低噪声等特点，能够提高放大电路的性能。
2.2 开关场效应管可用作开关，开关的通断状态由栅极电压控制。
它具有开关速度快、功耗低等特点，适用于各种开关电路的设计。
2.3 高频应用场效应管在高频电路中有重要应用。
由于其高输入电阻和低输出电阻，适用于高频信号放大、混频、振荡等电路。
2.4 数字逻辑电路场效应管可用于数字逻辑电路的设计，如门电路、触发器等。
它具有快速响应、低功耗等特点，适应了现代数字电路的需求。
2.5 温度传感器场效应管的导电特性与温度有关，可以用作温度传感器。
通过测量场效应管的导通电流，可以间接测量温度。
mos场效应管工作原理
mos场效应管工作原理
场效应管(又称为MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种三极管，它是由金属-氧化物-半导体结
构组成的。
MOS场效应管的工作原理基于其门电压对导电状态的控制。
它主要由四个部分组成：栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)和绝缘层(insulating layer)。
栅极和源极之间绝缘层两侧有一个
半导体通道。
当没有电压应用在栅极时，绝缘层将阻止电流在通道中的流动，MOSFET处于关断状态，导电性排斥。
但是，当正电压应用
在栅极上时，它会形成一个电场，这个电场会吸引并导致半导体通道中的载流子(电子或空穴)向栅极周围移动。
这将导致通
道处于导通状态，由源极到漏极流动的电流增加。
根据栅极与源极之间的电压，MOSFET可以操作在三个不同
的工作区域：截止区、线性区和饱和区。
- 截止区：当栅极电压低于门阈电压时，MOSFET处于截止状态，没有电流流过整个器件。
- 线性区：当栅极电压高于门阈电压时，MOSFET处于线性区，电流的大小与栅极电压的差值成正比。
- 饱和区：当栅极电压进一步增加，使得MOSFET工作在饱和区，此时电流基本保持不变。
通过调整栅极电压，可以控制MOSFET的导通和截止，从而
实现对电流的控制和放大功能。
因此，MOSFET被广泛应用于电子设备，如放大器、开关和逻辑电路等。
六种场效应管
六种场效应管一、结型场效应管结型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变二氧化硅（SiO2）层中电荷分布来实现对漏极电流的控制。
它的工作特点是在工作过程中不需要很大的功耗，并且具有良好的噪声特性。
在电子设备中，结型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
二、绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在二氧化硅（SiO2）绝缘层上覆盖金属薄膜来实现对源极和漏极之间的控制。
由于没有栅极氧化层与半导体之间的电容，因此其输入电阻非常高，并且具有低噪声特性。
在电子设备中，绝缘栅型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
三、MOS型场效应管MOS型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在金属-氧化物-半导体（MOS）结构上施加电压来改变电荷分布实现对漏极电流的控制。
它的优点是输入电阻高、驱动电流小、功耗低、易于集成等。
在电子设备中，MOS型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
四、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的单极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
五、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的双极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
六、结型双极型场效应管结型双极型场效应管是一种双极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变半导体内部的电子和空穴浓度实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
同时，它还具有较好的噪声特性和稳定性，适用于各种复杂的电子设备中。
电路基础原理场效应管的放大作用
电路基础原理场效应管的放大作用电路基础原理：场效应管的放大作用场效应管是一种重要的电子元件，广泛应用于电子设备中。
它通过控制电场来控制电流的流动，具有很好的放大作用。
在电路基础原理中，场效应管的放大作用是一项重要的内容。
本文将介绍场效应管的工作原理、放大作用及其在电路中的应用。
一、场效应管的工作原理场效应管的基本结构包括栅极、漏极和源极，其中栅极是场效应管的控制端。
其工作原理是通过控制栅极电压来控制电流流动。
当栅极电压为负时，栅极和源极之间形成一个反型PN结，导致漏极与源极之间有一个很小的电流，电路处于截止状态；当栅极电压大于一定值时，栅极和源极之间形成一个屏蔽层，导致漏极与源极之间有一个较大的电流，电路处于饱和状态。
二、场效应管的放大作用场效应管具有很好的放大作用。
它可以根据输入信号的大小来控制输出信号的增益。
当输入信号较小时，场效应管处于截止状态，输出信号很小；当输入信号增大时，场效应管逐渐进入饱和状态，输出信号随之增大。
因此，场效应管可以将弱小的输入信号放大为较大的输出信号。
三、场效应管在电路中的应用场效应管在电路中有广泛的应用。
它常用于放大电路、开关电路和电源电路等。
1. 放大电路场效应管可以作为放大器的核心元件，将弱小的输入信号放大为较大的输出信号。
在放大电路中，场效应管可以提供高增益、低噪声和良好的线性特性。
例如，在音频放大器中，场效应管能够将低音频信号放大为能够驱动扬声器的高功率信号。
2. 开关电路场效应管还可以用作开关元件，通过控制栅极电压来控制开关的状态。
当栅极电压高于一定值时，场效应管处于导通状态，可以将电流流通；当栅极电压低于一定值时，场效应管处于截止状态，电流无法流通。
在开关电路中，场效应管能够实现快速开关及低功耗的特点。
3. 电源电路场效应管的低导通电阻特性使其成为电源电路中的理想选择。
在电源电路中，场效应管可以用作稳压器、电流源等。
它可以通过控制电流来保证电路中的电压和电流稳定，提供稳定可靠的电源。
场效应管的原理
场效应管的原理
场效应管是一种基于电场作用控制输电流的电子器件。
它由源极、漏极和栅极三个电极构成。
在场效应管中，栅极和源极之间的电场可以控制漏极与源极之间的导电效果，从而控制电流的流动情况。
当栅极与源极之间没有电压时，场效应管处于关断状态，没有电流通过。
当栅极与源极之间施加一个正向电压时，栅极附近形成正电荷，吸引了源极附近的自由电子，形成一个电子沟道，导致电流通过。
而当栅极与源极之间施加一个反向电压时，栅极附近形成负电荷，排斥源极附近的自由电子，切断了电流，使场效应管处于截止状态。
由于栅极-漏极之间的电场可以控制电流的通过，场效应管具有很好的电流控制特性。
相比于双极晶体管，场效应管拥有更高的输入电阻和更小的开关驱动功率。
此外，场效应管还有多种类型，包括增强型、耗尽型、N沟道型和P沟道型等，应用于不同的电路和系统中。
总的来说，场效应管通过调节栅极-源极电场来控制电流的流动，具有较好的电流控制特性，是电子器件中常用的一种。
mos场效应管工作原理
mos场效应管工作原理
MOS场效应管（MOSFET）是一种常用的三端可控硅器件，
其工作原理基于金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构。
MOS场效应管的结构包括三层：金属层、绝缘层（通常是二
氧化硅）和半导体层（通常是硅）。
绝缘层将金属层与半导体层隔离开来，形成了一个被控制的电介质层。
MOS场效应管有两种常见的工作模式：增强型（enhancement mode）和耗尽型（depletion mode）。
在增强型MOS场效应管中，当控制端加有正电压时，电子注
入到半导体中，形成一个导电层，从而增强了导电特性。
这时，可以在控制端和源端之间输出一个较大电流。
在耗尽型MOS场效应管中，当控制端加有负电压时，导电特
性被减弱。
这时，控制端和源端之间的电流较小。
MOS场效应管的主要工作原理是通过控制栅电压来改变栅和
源之间的电场，从而控制了栅氧化物与半导体之间的电荷分布。
这种电场效应可以调节通道中的载流子浓度，进而影响了器件的导电特性。
总之，MOS场效应管是通过调节控制栅电压来改变器件导电
特性的三端可控硅器件，其工作原理基于金属-氧化物-半导体
结构和电场效应。
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场效应管原理来源：互联网作者：关键字：场效应管原理场效应管是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。
它的外型也是一个三极管，因此又称场效应三极管。
它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管和绝缘栅型场效应三极管之分。
1.结型场效应三极管(1) 结构N沟道结型场效应三极管的结构如图1所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。
两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
图1结型场效应三极管的结构(2) 工作原理以N沟道为例说明其工作原理。
当UGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。
当UGS<0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，UGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。
当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS(off)。
(3)特性曲线结型场效应三极管的特性曲线有两条，一是输出特性曲线(ID=f(UDS)|UGS=常量),二是转移特性曲线(ID=f(UGS)|UDS=常量)。
N沟道结型场效应三极管的特性曲线如图2所示。
(a) 漏极输出特性曲线(b) 转移特性曲线图2N沟道结型场效应三极管的特性曲线2. 绝缘栅场效应三极管的工作原理绝缘栅场效应三极管分为：耗尽型→N沟道、P沟道增强型→N沟道、P 沟道(1)N沟道耗尽型绝缘栅场效应管N沟道耗尽型的结构和符号如图3(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。
所以当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。
当UGS>0时，将使ID进一步增加。
UGS<0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。
对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。
N沟道耗尽型的转移特性曲线如图30(b)所示。
(a) 结构示意图(b) 转移特性曲线图3N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构和转移特性曲线(2)N沟道增强型绝缘栅场效应管结构与耗尽型类似。
但当UGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0UGS(th)时，形成沟道，将漏极和源极沟通。
如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。
在UGS=0V时ID=0，只有当UGS>UGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
N沟道增强型MOS管的转移特性曲线，见图4。
图4转移特性曲线(3)P沟道MOS管P沟道MOS管的工作原理与N沟道MOS管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。
这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
3 主要参数(1) 直流参数指耗尽型MOS夹断电压UGS=UGS(off) 、增强型MOS管开启电压UGS(th)、耗尽型场效应三极管的饱和漏极电流IDSS(UGS=0时所对应的漏极电流)、输入电阻RGS.(2) 低频跨导gmgm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。
(3) 最大漏极电流IDM2 场效应半导体三极管场效应半导体三极管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET(Junction type Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semicon-ductor FET)。
2.2.1 绝缘栅场效应三极管的工作原理绝缘栅场效应三极管(MOSFET)分为：增强型→N沟道、P沟道耗尽型→N沟道、P沟道N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图02.13。
电极D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极;G(Gate)称为栅极，相当于的基极;S(Source)称为源极，相当于发射极。
(1)N沟道增强型MOSFET①结构根据图02.13，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
P型半导体称为衬底，用符号B表示。
图02.13 N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号②工作原理1.栅源电压VGS的控制作用当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0进一步增加VGS，当VGS>VGS(th)时( VGS(th) 称为开启电压)，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。
如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。
在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。
随着VGS的继续增加，ID将不断增加。
在VGS=0V时ID=0，只有当VGS>VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)?VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。
图02.14 转移特性曲线转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。
跨导的定义式如下：2.漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用当VGS>VGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。
VDS的不同变化对沟道的影响如图02.15所示。
根据此图可以有如下关系当VDS为0或较小时，相当VGD>VGS(th)，沟道分布如图02.15(a)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。
在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。
当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，沟道如图02.15(b)所示。
这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。
当VDS增加到VGD?VGS(th)时，沟道如图02.15(c)所示。
此时预夹断区域加长，伸向S极。
VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。
图02.15 漏源电压VDS对沟道的影响(动画2-5) 当VGS>VGS(th)，且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)?VGS=const 这一关系曲线如图02.16所示。
这一曲线称为漏极输出特性曲线。
(a) 输出特性曲线 (b)转移特性曲线图02.16 漏极输出特性曲线和转移特性曲线(2)N沟道耗尽型MOSFETN沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图02.17(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。
所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。
当VGS>0时，将使ID进一步增加。
VGS<0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。
对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。
N沟道耗尽型MOSFET 的转移特性曲线如图02.17(b)所示。
(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线(3)P沟道耗尽型MOSFETP沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。
这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
4.2.2 伏安特性曲线场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。
如果按统一规定的正方向，特性曲线就要画在不同的象限。
为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。
有关曲线绘于图02.18之中。
图02.18 各类场效应三极管的特性曲线4.2.3 结型场效应三极管(1) 结型场效应三极管的结构结型场效应三极管的结构与绝缘栅场效应三极管相似，工作机理也相同。
结型场效应三极管的结构如图02.19所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN 结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。
两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
图02.19 结型场效应三极管的结构(2) 结型场效应三极管的工作原理根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。
现以N沟道为例说明其工作原理。
①栅源电压对沟道的控制作用当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。
当VGS<0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。
当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。
②漏源电压对沟道的控制作用在栅极加有一定的电压，且VGS>VGS(off)，若漏源电压VDS从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。
使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布，如图02.21(a)所示。
当VDS增加到使VGD=VGS—VDS=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断，如图02.21(b)所示。
当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。
以上过程与绝缘栅场效应三极管的十分相似。
(3) 结型场效应三极管的特性曲线结型场效应三极管的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。
它与绝缘栅场效应三极管的特性曲线基本相同，只不过绝缘栅场效应管的栅压可正、可负，而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。
N沟道结型场效应三极管的特性曲线如图02.22所示。
(a) 漏极输出特性曲线(动画2-6) (b) 转移特性曲线(动画2-7)图02.22 N沟道结型场效应三极管的特性曲线4.2.4 场效应三极管的参数和型号(1) 场效应三极管的参数①开启电压VGS(th) (或VT)开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。