浅谈多晶硅生产中的设备清洗
多晶硅EDI设备清洗方案
多晶硅E D I设备清洗方案-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIANEDI设备清洗方案一、EDI的清洗方法：根据EDI的运行状态，EDI的清洗采用酸洗—消毒—碱洗的方法来清洗EDI模块。
1.清洗时，EDI的淡水室、浓水室和极水室都需要清洗。
即清洗液从“原水进”和”浓水进”清洗口进入EDI，从“产水”、“浓水出”、“极水出”回到清洗水箱。
(正洗)2.第一步酸洗：清洗水箱中配制% 盐酸溶液，循环30分钟。
冲洗：清洗水箱中酸洗液放掉后，将水箱中水冲洗至中性，然后将清洗进和回流管清洗到回流水至中性。
第二步消毒碱洗：水箱中配制% NaOH+%NaCL 的溶液，循环50分钟。
冲洗：清洗水箱中消毒液放掉后，清洗EDI至水箱中回流水至电导率降至100μs/cm以下。
警告：清洗过程中清洗压力最高不超过，膜块的电源禁止供电，清洗所需用水必须是RO或者EDI系统的产水。
二、清洗步骤：1.准备1)关闭EDI。
停止EDI运行，确定EDI模块的电源已被切断并把整流器转换钮转到“关闭”位置。
2)关闭下列阀门：原水进水阀、淡水产水阀、淡水冲洗排放阀、极水排放阀、浓水排放阀、浓水循环泵进出口阀。
3)将清洗水箱和相关的清洗管道清洗干净。
4)连接清洗管道。
把淡水产水、浓水排放、极水排放的清洗管线直接连接到清洗水箱上。
把原水进水、浓水进水清洗管线连接到EDI 系统的原水进水和浓水进水清洗接口上。
注意清洗管线必须牢固、紧密，以防止化学药品的喷溅。
2、浓水室酸洗1)约剂配制：在清洗水箱中注入大约1500L的反渗透产水作为溶剂，然后向其中缓缓加入大约60L (或73kg)37％的盐酸搅拌均匀配制成约%的盐酸溶液。
2)酸洗步骤(1)将清洗水泵出口软管连接到EDI系统浓水进口，EDI系统浓水出口用软管连接回流到清洗水箱，同时关闭EDI装置本身循环系统的进出阀门来避免药剂进入循环泵；(2)启动清洗泵以15m3/h（正常运行流速的一半）的流速循环清洗15分钟后停止清洗泵并关闭相应阀门让药剂在浓水室内浸泡15分钟左右，再次启动清洗泵循环清洗15分钟左右；(3)停止清洗并排净清洗箱和清洗泵；(4)浓水室冲洗：在清洗水箱中注入大约3000L反渗透水，启动清洗泵冲洗EDI浓水室，清洗流速约为15 m3/h（正常运行流速的一半），边冲洗边排放直到出水PH值接近7为止。
多晶硅还原炉清洗方法
多晶硅还原炉清洗方法多晶硅还原炉清洗方法多晶硅是一种重要的半导体材料，被广泛应用于太阳能电池板、整流器等领域。
而多晶硅还原炉则是多晶硅制备的关键设备之一。
多晶硅还原炉在长期运行中，会因为炉内多晶硅气体和炉渣的附着，形成设备结垢、生锈，这些都会严重影响其正常的运行。
因此，清洗是多晶硅还原炉维护保养的重要之一，下面我们将介绍几种多晶硅还原炉清洗方法。
1. 机械清洗法机械清洗法主要是使用高压水枪或者高压蒸汽对炉内设备和管道进行清洗。
这种方法清洗效果较好，清洗全面彻底，并不存在任何化学污染的风险。
但是需要注意的是，机械清洗法对人员安全存在一定的威胁，需严格遵循安全操作规程。
2. 化学清洗法化学清洗法常用的有机溶剂包括硫酸、盐酸、醋酸等，在加热的情况下对炉内设备和管道进行清洗。
这种方法清洗全面、有效，可消除炉内结垢、杂质等，但化学清洗液对环境及人员有一定的风险，需采取防护措施。
3. 超声波清洗法超声波清洗法利用高能超声波产生的能量对炉内设备和管道进行清洗。
该方法具有清洗程度高、清洗效率高、有机适用性广等优点，可用于清洗各种材料的设备与管道。
在进行多晶硅还原炉清洗时，有几个注意点如下：1. 清洗前要杜绝空气流入在清洗多晶硅还原炉中设备和管道时，应注意杜绝空气的流入，尤其是通过开启设备和管道上的闸阀、遮光板等，抽真空排气前，必须先检查防护装置是否齐全，防护帘是否牢固，确保操作人员安全。
2. 清洗时应带好相应防护装置清洗过程中，工作人员应全程佩戴好相应的安全防护装备，如防护眼镜、呼吸器等，遵循操作规程，不得随意更改防护帘或是使用不合规的设备进行清洗。
3. 清洗后进行反扫除、除尘操作清洗完成后，应及时进行反扫除、除尘操作，并进行炉内设备和管道作业人员身体检测。
操作流程要规范，确保工作人员的生命安全。
维护多晶硅还原炉的清洗作业对于保障生产安全和生产质量至关重要。
以上几种多晶硅还原炉清洗方法，各自存在适用范围与注意事项。
多晶硅清洁生产工艺流程
多晶硅清洁生产工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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多晶硅清洗工艺流程
多晶硅清洗工艺流程
多晶硅的清洗工艺流程包括多个步骤，具体如下：
1. 去除表面附着物：使用碱性或酸性溶液来去除多晶硅表面的有机和无机附着物。
2. 去除表面缺陷：使用化学溶液或机械切割来去除多晶硅表面的缺陷和污渍。
3. 酸洗处理：使用酸性溶液来去除多晶硅表面的氧化物并改善表面质量。
4. 纯化处理：使用高纯溶液来进一步提高多晶硅的纯度。
5. 最终清洗：使用去离子水或超纯水来清洗多晶硅表面，以便最终得到干净的多晶硅材料。
清洗后的多晶硅工件要避免直接接触手部，以免再次污染。
以上内容仅供参考，具体流程和步骤可能会根据实际应用有所不同，建议咨询专业人士获取帮助。
多晶硅循环水系统的化学清洗及预膜处理
换， 即浊 度 小 于 ２ ０ ｍ ｋ ／ ｋ ｇ ， 总铁小于 １ ｍｋ ／ ｋ ｇ ， 钙 离 子在 ２ ０ ０ ｍｋ ／ ｋ ｇ 左右。 ２ ． ４ 系统预 膜 Ｊ 化 学 预膜 在 冷 态 下 （＞ ７ ２ ｈ ） 进行 ， 此 时水 系
不明则应按不清洁处理 。假如主体设备水路均很 干净 ， 则 无须 除 油脱脂 及 化学 清 洗 。若 不 走旁 通 ，
换 热效 率 ， 并使 其 表 面 得 到 活 化 ， 为 预 膜 打 好 基 础 。预膜 处 理是 利 用 化 学 药 剂 中 的某 些 成 份 与 冷 却水 中 的两 价金 属 离 子 （ 如ｃ ａ ¨、 ｚ ｎ ¨、 Ｆ ｅ ＋ 等） 形 成 络合 物 ， 在金 属 表 面 上 形 成 一 层 非 常薄 的、 致密 的防护膜 ， 牢 固地 粘 附 在 金 属 表 面 上 ， 从 而抑 制 冷 却 水 对 金 属 的腐 蚀 ， 也 包 括 防 止 微 生 物 的腐 蚀 儿 。
运行 一热 态运 行 。
直 接进 入循 环水 水池 ；
⑥冲洗完毕 ， 应及时拆除相关 的临时盲板和 临时设施 ， 恢复冲洗拆除部件并与相关设备连通 ； ⑦清洗合格标准 ： 目测排 出口水色和透 明度 与入 口水 一致 为合格 。
２ 循环水 系统化学清洗及预膜
２ ． １ 化学 清洗 及预 膜 的 目的
③冲洗水不得进入其设备 内；
④ 冲洗 时应 按先 大管 （ 管 径 ＞Ｄ Ｎ ２ ５ ０ ） 后小 管
（ 管径 ＜ Ｄ Ｎ ２ ５ ０ ） 、 先高后低的顺序进行 ； ⑤冲洗水应排人下水道或指定地点 （ 消防收
集池） ， 冲洗 水返 回循 环水 水 池 时 ， 不 经 过 凉水 塔
环水系统高位及相对高位排气 阀状况 ， 低位及相 对低 位排 污 阀状况 ； ２ ） 判断是否与使用循 环水 的设备 同时化学
浅谈多晶硅生产中的设备清洗_朱顺云
青海科技2011年第5期5设备材料的选择由于金属氯化物的溶液显酸性，气态中有氯化氢的存在,设备材料的性质要有耐强腐蚀性。
通过氯碱工业的实际应用，钛及钛合金作为冷却器的材料是符合实际的。
在IM法制烧碱的装置中，金属纯钛主要用于制造电解槽阳极液系统的管道、分离器、循环槽、洗盐水储槽、湿氯系统和盐水脱氯系统中的部分设备，主要牌号是TA，其次是TA3。
钛是一种非常耐酸的金属，但其也有不足之处，在高温、高氯化物中，尤其是在Cl-存在下，会在设备的密闭面或缝隙处产生腐蚀，即所谓的缝隙腐蚀。
钛钯合金（Ti-0.15Pd）、Ti-0.3Mo-0.8Ni钛合金在缝隙腐蚀环境中具有良好的耐腐蚀性能，机械性能和化工性能优良，在有无氧的环境下都能够钝化，维持较正的电位而避免材料的腐蚀。
6技改前后的经济核算6.1技改前检修金属冷却器所投入的费用检修人数：10人；每月人均工资及各项保险费：3000元；每月人均防护用品费：350元；每月设备密封垫费用：600元/台，月检修30台，共计18000元；每年工业垃圾处理费：50000元。
单台设备费：106000元。
一年共需支出费用：10×3000×12+10×350×12+600×30×11+50000=650000元6.2技改后检修金属冷却器所投入的费用检修人数：5人；每月人均工资及各项保险费：3000元；每月人均防护用品费：300元；每月设备密封垫费用：100元/台，月检修30台，共计3000元；每年工业垃圾处理费：10000元。
单台设备费：360000元；单台辅助设备费：24000元。
一年共需支出费用：5×3000×12+5×300×12+100×30×11+10000=241000元6.3经济核算技改后一年节余费用：650000-241000=409000元；单台设备多投入费用：360000-106000=254000元；4台设备多投入费用：254000×4=1016000元；辅助设备费：54000元。
多晶硅清洗个人工作总结
多晶硅清洗个人工作总结引言多晶硅清洗是半导体行业中非常重要的一个环节，清洗质量直接影响到晶体生长和片材特性的好坏。
在过去的一年中，我全身心投入到多晶硅清洗工作中，经历了一系列的学习和实践，积累了一定的经验。
本文将对我的工作进行总结和反思，并展望未来的发展方向。
工作内容在多晶硅清洗工作中，我的主要工作内容包括以下几个方面：流程优化多晶硅清洗工艺繁复，包含了多个步骤，如预清洗、去氧化剂浸泡、酸洗、去离子水漂洗等。
我首先对整个清洗流程进行了全面的了解和分析，然后结合生产实践进行了流程优化。
通过改变清洗剂的浓度、温度和清洗时间等参数，成功地降低了清洗剂的使用成本，并提高了清洗效果。
质量控制多晶硅清洗过程中，质量控制是非常重要的。
我利用化学分析仪器对清洗前后的多晶硅样品进行分析，确保清洗后的样品质量符合要求。
此外，我还加强了与生产技术人员的合作，及时了解生产线上的情况，及时发现并解决问题，确保了产品质量的稳定。
设备维护多晶硅清洗设备是进行清洗工作的关键，我负责对清洗设备进行定期的保养和维护。
保证设备的正常运行是保证清洗效果的前提，因此我加强了与设备供应商的联系，及时处理设备故障，并提出设备改善的意见和建议。
工作总结在多晶硅清洗工作中，我取得了以下几点成绩：1. 流程优化：通过优化清洗流程，提高了清洗效果，降低了清洗剂的使用成本。
2. 质量控制：加强与生产技术人员的合作，及时发现和解决问题，保证了产品质量的稳定。
3. 设备维护：定期维护清洗设备，保证设备的正常运行，提高了工作效率。
4. 团队合作：与同事紧密配合，实现了各项工作的顺利进行。
但同时，我也认识到了以下几点不足之处：1. 知识储备：多晶硅清洗是一个复杂的领域，需要有扎实的化学和物理知识作为基础。
我需要进一步加强自己的学习和积累，提升自己的专业能力。
2. 沟通能力：作为多晶硅清洗工作的一员，我应该更主动地与相关人员进行沟通和交流，及时了解他们的需求和问题，以更好地完成工作。
多晶硅项目设备管道化学清洗的管理技术
多晶硅项目设备管道化学清洗的管理技术迟学富;周树兴【摘要】多晶硅生产对物料管道及生产设备的清洁要求很高,要达到无水、无油、无尘.由于多晶硅生产工艺过程复杂,为保证正常生产,建设过程中物料管道、设备的清洁度尤为重要,清洗工作量大、控制点多、工作面广,在过程管控中要达到要求,确保洁净度达到预期效果,管理方法和措施是实现预期效果的有力保障.笔者根据项目实践,总结出一套行之有效的管理、检验和过程控制方法,为提高多晶硅项目设备、管道化学清洗的管理提供借鉴.【期刊名称】《有色金属设计》【年(卷),期】2016(043)002【总页数】5页(P57-60,63)【关键词】化学清洗;设备清洗;管道清洗;设备管理;多晶硅生产【作者】迟学富;周树兴【作者单位】云南金吉安建设咨询监理有限公司,云南昆明650000;云南金吉安建设咨询监理有限公司,云南昆明650000【正文语种】中文【中图分类】TG178多晶硅是高纯半导体材料，目前国内大部分生产企业都以改良西门子法生产电子级的多晶硅产品，其纯度高达9～11 N,太阳能电池级(SG)也要求达到6～7 N的纯度。
该工艺过程复杂、清洗设备和管道多，由于要保证产品的高纯度质量，安装工作中所完成的工艺设备、管道的清洗洁净度是否达到预期效果，直接影响到全工艺系统是否能生产出达标的产品。
若不洁净物残留在工艺系统中，会造成较长时间无法生产出合格产品，形成安全隐患，在项目建设阶段工作面广、控制难度大，所以过程中要采取事前科学统筹规划，事中严格有序控制，事后加强成品保护，废液综合治理的方法，才能促使管道、设备清洗工作达到规范、高质、有序地开展，保证工艺系统内表面达到洁净度要求。
(1)管理机构的成立成立专门的管理机构是做好清洗工作的前提，机构一般分为进场验收组、过程监督组、成品验收组、信息管理组、安装现场巡视组，各组按流程和分工开展工作。
(2)清洗工作现场布局设备管道的清洗量大，要做到高效标准地完成清洗工作，清洗场地布局尤为重要，从经济角度考虑到二次转运的成本，在条件允许的情况下清洗场离安装现场越近越好。
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浅谈多晶硅生产中的设备清洗
随着智能工业、信息技术及太阳能产业的发展，对高纯度多晶硅材料的需求居高不下，使国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。
但多晶硅生产装置对设备和周围环境的清洁度要求非常高，系统的油脂、水分、氯离子、氯化物、灰尘和杂物等杂质对产品质量影响很大，易产生安全隐患并引发安全事故。
标签：多晶硅;生产;设备清洗
1 多晶硅装置开车前对设备清洗的意义
各种金属及非金属杂质对多晶硅的纯度影响极大，主要影响因素如下。
1.1 油脂
在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。
实践证明，在整个工艺系统中，几ppm的油量就可能造成多晶硅反应速度减慢、产量降低甚至硅反应停止，因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
1.2 水分
水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感，对设备及管道有堵塞和腐蚀作用，因此，设备及系统干燥工艺很关键。
1.3 氯离子残留
水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响很大，因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。
1.4 金属氧化物、氯化物、灰尘及其他杂质
这些杂质的存在，对多晶硅的生产影响也很大，因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。
2 多晶硅设备的清洗工艺分析
2.1 对设备制造阶段的清洗工作要高度重视
许多人对多晶硅设备制造初期的清洗工作不够重视，认为对付过去就可以了，这是我们必须要改正的，在具体清洗时必须严格按照化学设备制造规范和多晶硅生产工艺进行。
另外，还要注意洁净度的要求等相关内容的选择，因为有所差异，所以一旦选错将出现很严重的后果。
金属设备、管道等处于制造、贮存以及运输状态时，会在振动、大气腐蚀的作用下在金属表面形成一层氧化皮和铁锈，
随后会衍生为三氧化二铁等物质，一般而言，这些物质都是需要在涂漆之前处理掉的，但是若没有处理掉便会带来一系列的问题。
设备内部的油脂、绣皮等物质起不到好的作用，是一些影响多晶硅质量的要素。
因此，针对多晶硅生产中低压氯化和氢化氯化单元的设备及管道等都是要进行三级清洗的。
一些需要进行一级清洗的设备有精馏单元和CVD还原单元的设备及管道等，并且需要重视的是电子级产品设备的要求和之前的要求两者之间存在很大的差异，前者要比后者更为严格。
我们实行三级清洗的目的并不是除锈，所以对其除锈功能没有过高的要求，我们的真是目的是脱脂，这才是我们开展三级清洗的重点。
2.2 多晶硅设备安装阶段的清洁工作
多晶硅生产中因为合成和还原都是使用的氢气，而且会产生许多的中间产品，如三氯氢硅、四氯化硅等，作为介质，他们存在易燃、易爆以及有毒有害的缺陷，而且这其中的一些介质还有严重的腐蚀缺点。
所以，在实际工作中要严格开展装置的防火、防爆以及防腐蚀工作。
受工艺管道输送介质特性和产品纯度要求影响，无论是对管道焊接质量、内部清洁以及吹扫试压，还是设备进场验收等工作都有较为严格的要求，因此，对于设备制造结束之后的清洗处理工作必须加强重视并付出行动。
对于槽罐类设备的清洗要求是清洗完成后进行充氮保护，管道安装完成以后要开展氮吹扫，之后还要用管道专用堵头实行封堵，将管道中的氧气留存量降到最低。
在铺设管道时，为了避免金属氧化物的出现，工作人员不要用气体切割下料，而是选择充氮保护，并且这项工作通常会被安排在施工结束之后进行，通过这样的方式管道内出现氧化和水分的可能性就会大大降低。
在正式施工之前，工作人员需要根据实际情况做出一份详细、可行的施工方案，同时还要详细计算每天的施工量，一方面能够保证我们的施工质量，另一方面还能避免管道和设备被再次污染。
在实际工作中，多晶硅生产工艺和其他工艺比较起来尤其特殊性质，所以工作人员在施工完成之后所开展的系统吹扫等工作一定要谨慎、仔细，并且还要依靠氮气开展，不能随着自己的主观意识随便处理。
在装置试生产前期，工作人员需要在系统中注入四氯化硅，目的是完成正常的循环清洗，但是耗费的时间是比较长的，通常情况下会控制在2-3个月，但是还是要记得具体问题具体分析，不能任意、盲目进行清洗，或者改变清洗时长，这些都不利于清洗工作的最终效果。
2.3 多晶硅设备生产期间检修及备用设备的保洁
设备清洁工作有其自身作用，所以为了进一步提升生产质量，我们必须加大对设备的清洗工作。
关于设备的置换、清洗工作一定是用氮气做置换的，如果一些设备和管道堵塞情况比较严重，工作人员就要选择稀碱液中和后再用水清洗，至检修工作顺利完成，进料之前工作人员要以氮气为工具对设备或者是管道单体吹扫。
为了防止设备内氧化生锈，工作人员需要用储罐与系统用盲板隔绝并充入0.05MPa的氮气进行氮封保护。
在实际生产过程中，跑、冒等现象一定要避免。
与此同时要严格监控用循环水作为载冷剂的換热器。
3 结语
总之，多晶硅生产企业对设备须从选型、选材、清洗等方面进行合理、科学的管理，应用现代技术，进行全程清洗，以充分发挥设备功效，为安全、高效生产创造条件。
参考文献：
[1]王云.浅谈多晶硅生产中的设备清洗[J].城市建设理论研究（电子版），2017（8）.
[2]李大伟.浅析多晶硅生产设备的清洗[J].工程技术（引文版），2017（2）：00294-00294.。