内存篇-三个影响内存性能的重要参数
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存参数
由于现在新版的BIOS对内存参数进行了释放，弄得大家措手不及，有的参数不会设置，导致机器无法启动，现在我把从网上搜集的全部内存设置列给大家，请大家对比设置，把自己的内存性能发挥到极致！！！1、CASLatency Control（tCL）Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。
通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。
值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS 主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。
5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
电脑内存性能指标有哪些
三一文库（）〔电脑内存性能指标有哪些〕*篇一：计算机组装内存的性能指标计算机组装内存的性能指标内存对计算机的整体性能影响很大，几乎所有任务的执行效率都会受到内存性能的影响。
因此要想更加深入地了解内存，就必须掌握内存的各项性能指标。
1．容量容量是评判内存性能的基本指标之一，其容量越大，内存可一次性加载的数据量也就越多，从而有效减少CPU从外部存储器调取数据的次数，提高CPU的工作效率和计算机的整体性能。
目前，内存的常用容量单位已经成为GB，常见内存的容量也都达到了1GB或2GB。
2．主频内存主频采用MHz为单位进行计量，表示该内存所能达到的最高工作频率。
内存的主频越高，表示内存所能达到的速度越快，性能自然也就越好。
目前，主流内存的频率为800MHz、1066MHz、1333MHz。
至于之前667MHz的内存，则基本上已经被市场所淘汰。
3．延迟时间内存延迟表示内存进入数据存取操作就绪状态前所要等待的时间，通常用4个相连的阿拉伯数字来表示，如3-4-4-8、4-4-4-12等，分别代表CL-TRP-TRCD-TRAS。
一般而言，这4个数字越小，表示内存的性能越好。
?CL在内存的4项延迟参数中，该项最为重要，表示内存在收到数据读取指令到输出第一个数据之间的延迟。
CL的单位是时钟周期，即纵向地址脉冲的反应时间。
?TRP该项用于标识内存行地址控制器预充电的时间，即内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。
?TRCD该项所表示的是从内存行地址到列地址的延迟时间。
?TRAS延迟该数字表示内存行地址控制器的激活时间。
*篇二：内存性能参数详解内存性能参数详解速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
内存参数讲解
1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？
单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。
先说说最有效提高你机器内存性能的几个参数：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期” BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，这个值一般是1.5~3之间，一般体质较好的能达到2（1.5好像没见过，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到这个值，值越低表示内存传输数据所需时钟周期越短，当然性能也就越高啦。
一般想提高系统内存性让自己的爱机跑的更快一些吧：）其他参数可以点击下面的链接
Automatic Configuration“自动设置”
（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
在各大品牌主板中可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
电脑物理内存
电脑物理内存电脑物理内存指的是计算机中用于存放程序和数据的物理存储设备，也称为RAM（Random Access Memory，随机存取存储器），是计算机中最重要的组成部分之一。
电脑物理内存的作用是在运行程序时，向CPU提供一个能够快速读写数据的存储空间，以提高计算机的运行速度和效率。
电脑物理内存的基本原理是采用电容存储技术，将数据存储在内存芯片中的电容中。
电容存储器具有快速读取和写入速度以及较高的稳定性等优点，因此被广泛应用于计算机内存中。
电脑物理内存一般具有容量、类型、速度三个方面的特点。
容量：电脑物理内存的容量是指其可以存储的数据量。
通常用单位“字节”（Byte）或者“千字节”（KB）、“兆字节”（MB）等来表示。
目前常见的电脑内存容量有2GB、4GB、8GB、16GB、32GB等多种规格。
类型：电脑物理内存有很多种类型，如SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、DDR4等。
每一种类型的内存都具有不同的技术指标和性能表现，但是并不代表最新型号的性能一定会比较旧型号的好。
速度：电脑物理内存的速度指的是其读取和写入数据的速度，以“MHz”为单位来衡量。
一般来说，速度越快，计算机的运行速度就会越快。
除了以上三个方面的特点，电脑物理内存还有一些其他的特点，比如内存控制器、频率、时序等等。
内存控制器：每个主板都具有一个内存控制器，它是负责管理和调整内存工作的硬件设备。
频率：内存频率是内存运行速度的重要参数，同时也影响着计算机的性能。
随着新型号内存的不断推出，内存频率也呈现出不断提升的趋势。
时序：内存时序是指内存读写控制信号的时序，是影响内存性能的重要因素之一。
时序参数类型比较多，如CL、RAS、CAS、tRC、tRP等等。
在使用计算机时，电脑物理内存的大小也会对计算机性能产生影响。
当电脑物理内存较小时，操作系统会将一部分内存作为虚拟内存使用，此时程序和数据会被存储在硬盘中。
由于硬盘读取速度较慢，因此会导致计算机运行缓慢。
内存性能的技术参考指标
内存性能的技术参考指标3.1 性能重要指标内存技术参考指标包括：内存的工作频率TCK（与外频对应）、存取时间宽度TAC、等待存取延迟CAS 等，同时内存是否带纠错（ECC）这种特性对服务器非常重要；内存条使用的PCB的层数同样是衡量内存条的重要指标，标准的PC-100、PC-133内存要求使用6层板，它比四层印制电路板具有更好的电气性能。
当然，除了上面提到的参量外，衡量内存条的优劣还需要对内存条的核心——内存芯片的品牌、品质进行区分，关于不同厂商的内存芯片这个问题将安排到后文讲解。
另外需要提醒大家的是，内存芯片的封装工艺也会对内存性能产生明显影响。
内存最实质的指标——存取速度，与上述的TCK、CAS、TAC都有关系：存取速度(ns)=1/TCK*CAS+TAC，举个例子：如果一片内存的工作频率是100M，CAS为2，TAC取典型值6ns，那么该片内存的存取速度为26ns 。
3.2 PC-100统一格式P/N号让很多朋友感到恼火的是，PC-100规范对内存芯片的标注没有规定，因此大家常常被诸如：GM72V66841CT-7J、HY57V658020A TC-10S、KSV884T4A0-08等搞得莫名其妙，其实这些都是不同厂商对自己的产品进行的产品编号，有经验的朋友能够通过这些编号识别出内存的标称性能。
这种编号对普通朋友的确不方便，不过对于满足PC-100规范的内存，还有一个必须满足INTEL要求的P/N号，朋友们购买内存时，不妨参考一下，具有相当的参考价值。
典型的P/N号为PC100－322－620，这种P/N号的定义如下：3.3 重要指标详细介绍1.内存工作频率TCK。
这是衡量内存条性能的较简单而直接的指标，它表示该内存条能在多大的外频下工作，很多朋友选购内存时只使用这个参量，由此可见这个参量的重要性，当然仅参考这一个参量也是不够的。
内存工作频率可以通过您的主板来设置，对于同步工作模式（流行的BX、ZX、I810、I820等Intel 芯片组只支持这种模式），设置外频就设置了内存工作频率；对于异步工作模式（VIA系列的主板芯片组通常支持），您需要使用主板上专门的软（硬）跳线来设置。
了解电脑内存的频率和时序参数
了解电脑内存的频率和时序参数在学习和了解电脑内存的时候，频率和时序参数是两个非常重要的概念。
了解这些参数可以帮助我们选择适合自己需求的内存产品，并且能够提升电脑的运行效率。
本文将介绍电脑内存频率和时序参数的基本知识，并解释它们对电脑性能的影响。
一、内存频率内存频率指的是内存模块每秒钟运行的数据传输速度，也被称为时钟速度。
一般而言，内存频率越高，数据传输速度越快，电脑的响应速度和运行效率也会更高。
内存频率的单位是赫兹（Hz），常见的内存频率有标准频率和超频频率两种。
标准频率是内存模块官方推荐的数据传输速度，超频频率是用户通过提高内存电压和频率进行的人为增加内存性能的操作。
需要注意的是，在超频的情况下，内存的稳定性和寿命可能会受到一定程度的影响，因此超频时需谨慎操作。
二、时序参数时序参数是指内存在不同操作之间所需的时间间隔，它们代表了内存模块的工作效率和响应能力。
常见的时序参数包括CAS延迟、传输延迟和命令延迟等。
1. CAS延迟CAS（Column Address Strobe）延迟是指内存模块在接收到读写指令之后，需要多少个时钟周期才能够提供所需的数据。
CAS延迟越低，内存的读写速度越快，电脑的响应速度也会相应提高。
2. 传输延迟传输延迟是指内存模块在传输数据之前所需的时间延迟，也被称为TRCD（RAS to CAS Delay）。
传输延迟越低，内存模块的数据传输速度越快，对于电脑运行速度的提升也会更显著。
3. 命令延迟命令延迟是指内存模块接收到读写指令后，开始执行读写操作所需的时间延迟，也被称为TRP（Row Precharge Delay）。
命令延迟越低，内存模块的响应速度越快，电脑的运行效率也会有所提升。
三、频率和时序的关系内存频率和时序参数是相互影响的，它们之间的关系决定了内存的整体性能表现。
一般而言，较高的内存频率可以提高内存模块的最大数据传输速度，而较低的时序参数可以减少内存模块的读写延迟。
内存c17时序参数
内存c17时序参数
内存C17时序参数是指在计算机的内存模块中，用来描述内存读写操作的时序参数。
这些参数对于有效存储和提取数据至关重要，因此对内存的性能和稳定性有着重要的影响。
C17时序参数包括以下几个关键参数：
1. RCD（Row-to-Column Delay）：指的是在切换行和列之间的时间延迟。
它表示的是访问行中的数据后，切换到列中进行读写操作的时间间隔。
2. CL（CAS Latency）：也被称为CAS延迟，它是内存响应命令之后开始执行下一个命令之前的延迟时间。
较低的CL值能够提高内存的读写速度。
3. RP（Row Precharge Time）：在切换行之前，需要关闭和预充电行的时间。
它表示的是关闭当前行并确保下一次读写操作所需的时间。
4. tRAS（Row Active Time）：指的是行保持活动的时间，也就是行访问的时间长度。
它表示在行被关闭之前需要等待的时间。
这些参数的数值大小对内存的性能有着直接的影响。
一般来说，较小的数值意味着更高的性能和速度，但同时也会增加对内存控制器的要求。
为了确保内存的稳定性和性能，我们在选择内存时需要密切关注以上的C17时序参数，并根据自身需求和系统配置做出合适的选择。
不同的任务对内存的要求不同，因此选择适合的内存时序参数是十分重要的。
值得注意的是，尽管C17时序参数对内存性能至关重要，但还有其他因素需要考虑，如内存容量、频率和通道等。
因此，在选购内存时，我们应该综合考虑以上各个方面的因素，以满足我们的实际需求。
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内存篇-三个影响内存性能的重要参数
组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。
◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。
单根内存容量越大则越好。
目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。
◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。
电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。
◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。
对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。
小知识：
什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。
一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。
内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。
CL值的含义
内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。
其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。
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