内存参数的含义
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、Samsung内存具体含**释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
内存篇-三个影响内存性能的重要参数
内存篇-三个影响内存性能的重要参数组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。
◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。
单根内存容量越大则越好。
目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。
◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。
电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。
◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。
对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。
小知识：什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。
一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。
内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。
CL值的含义内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。
内存参数的详细介绍
内存参数的详细介绍1.工作频率内存的工作频率即该内存的标准规范。
例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。
而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。
如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。
而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍!如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。
2.CAS值大家知道，内存有个CASColumn Address Strobe，列地址选通脉冲延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行Column和列Row来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。
对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。
CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS 值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家可实际使用或用内存测试软件进行测试。
3.内存的标示常识此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。
下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解：HY XX X XX XX XX X X X X X-XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111：代表HY的厂标2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V;U:CMOS，2.5V4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref;66:64MB，2kref;28:128MB，4kref;56:256MB，8kref;12 :512MB，8kref5: 芯片结构数据宽度—4：X4数据宽度4bit;8:x8;16:x16;32:x326：BANK数量—1:2BANKs;2:4BANKs7：I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_28：芯片内核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代9：能量等级—空白:普通;L:低能耗10：封装形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSPLF-CSP;F:FBGA11：工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B; L:DDR200感谢您的阅读，祝您生活愉快。
DDR400内存时序参数的意义与设定方法
标签：杂谈 分类：电脑相关
大家在购买内存时往往会注意到内存的标签上往往帖有“3-4-4-8”或“3-8-4-4”这类数字，这些数字就是内存SPD设定的时序参数，举例来说在标识为“3-4-4-8”的参数下分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。下面我们将着重介绍这四个参数的意义与设定方法。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
内存的性能指标有哪些主要参数是什么
内存的性能指标有哪些主要参数是什么展开全文随着现在电子产品的盛行，人们对于电子产品的选购也越来越多，这就对于电子产品的质量及内存空间提出了很高要求，尤其是内存的性能指标一定要达标，下面就来介绍一下。
内存的性能指标知不知道内存的主要性能参数有哪些？1.容量。
内存的容量当然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。
单条DDR内存的容量有128MB、256MB、512MB、1GB和2GB等几种。
主板上通常都至少提供两个内存插槽。
2.工作电压。
SDRAM的工作电压为3.3V，DDR为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V。
3.tCK时钟周期。
tCK时钟周期代表内存所能运行的最大频率，一般用存取一次数据所需的时间( 单位为ns，纳秒)作为性能指标，时间越短，速度越快。
一般内存芯片型号的后面印有-60、-10和-7等字样，...4.CAS延迟。
简称CL，指内存存取数据所需的延迟时间，也就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
一般的参数值是2和3两种。
数字越小，代表反应所需的时间越短。
5.SPD芯片。
SPD(Serial Presence Detect)是一块附加在内存条上的8针ROM芯片，容量为256字节，里面主要记录了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商等。
内存的性能指标SPD芯片 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。
当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
工作电压：由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。
因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。
内存的性能指标电脑内存的性能指标有哪几种1、速度将内存的速度放在重要性的第一位是不容置疑的，不少使用组装机的朋友甚至后期通过扩大内存的容量来加快内存的存取速度，对于内存的速度来说，时间越短，速度就越快。
内存颗粒的识别
内存颗粒的识别内存, 颗粒内存条的参数很多都是缩写，比如DDR、PC2100、CL，衡量内存条性能要看它们，明白它们的含义我们就容易识别和比较内存条了。
先拿一条Hynix现代的256M的DDR333笔记本内存条的图片举例说明，是从电脑城里买来的，有点代表性，如下图一：图中标签上最上面是生产厂家Hynix的标志，也就是从现代公司分离单独成立的Hynix半导体公司。
最下面是表示内存条容量为256M，是DDR333的，CL值为2.5。
中间PC2700表示内存带宽是2700MB/s，HY开头一行需要对照Hynix的DDR内存条的参数说明来讲解，后面会提到的。
再来看图二的另一条MT的条子，很容易看出这条内存是MT也就是Micron公司的512M的DDR333内存条，CL值为2.5。
那么就从基本的几个参数开始了。
DDR的含义。
DDR 是Double Data Rate (双倍数据传输速率)的缩写。
目前有DDR266、DDR333和DDR400等规格。
DDR的原理上和普通的SDRAM不同之处在于，由原来一个脉冲读取一次资料改为在一个脉冲之内可以读取两次资料，也就是原来一个读写脉冲到来只触发一次读写，改为脉冲的上升缘和下降缘通道都触发一次读写，从而实现双倍的数据传输速率。
因为是双倍的数据传输速率，所以工作在133M的频率的DDR内存相当于266M的SDRAM。
带宽。
带宽是另一个表示内存性能的重要参数。
带宽也就是数据传输速率，如图中内存条的PC2700是指内存带宽为2700MB/s。
带宽的计算公式是这样的：带宽（Bandwidth）＝存储器运行频率（Frequency）X存储器数据线宽度（Digit）/8。
PC2700就是333M X 64 /8 =2664 MB/s，约等于2700MB/s。
这个333就是内存运行的频率，64是存储器的数据线宽度。
同样的，DDR266的内存带宽为2100 MB/s，DDR400的内存带宽为3200 MB/s。
内存的主要参数
内存1、目前市场上的主流品牌有：金士顿、金邦、宇瞻、微刚、胜创、现代、三星等。
2、内存的分类：现在市场上内存可以分为两种SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC15、等规格，目前的SDRAM都是以168PinDIMM的内存模块出现。
DDR SDRAM: DDR是指Double Data Rate ,它的传输率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDRI的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；现在DDRII正在逐渐占领主流市场。
3、内存的容量✧每个时期内存条的容量都分为多种规格，目前流行的168线,SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、168MB、256MB、512MB、1GB等。
4、数据带宽：数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。
5、时钟周期时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。
这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率就高。
6存取周期内存的速度用存取周期来表示。
7、选购内存的注意事项：（1）选择内存的大小（2）PCB基板的选择（3）良好的电气性能（4）速度要匹配（5）控制CONS开关1 金士顿Kingston (1987年美国,全球内存领导厂商,内存十大品牌,评为美国最适宜工作的公司)2 威刚ADATA (2001年台湾,全球第二大内存市场占有率,威刚科技有限公司)3 海盗船Corsair (受尊敬的超频内存制造商,于1994年美国,全球最大的内存供应商之一)4 三星Samsung (世界500强企业,中国驰名商标,内存十大品牌,1938年韩国,三星集团)5 宇瞻Apacer (1997年台湾,最具影响力的数码存储品牌,知名品牌,宇瞻科技有限公司)6 芝奇G.skill (于1989年台湾,全球领先的内存模块专业制造商,台湾G.Skill公司)7 金邦GEIL (于1993年香港,总部台北,专业的内存模块制造商之一,金邦科技)8 现代Hynix (韩国著名专业的存储器制造商,世界领先内存生产商,海力士集团)9 OCZ 于2000年美国,世界顶尖的内存品牌,专业开发制造高品质(超频)记忆体高新集团)10 金泰克 (内存十大品牌,专业的内存模块制造商之一,知名品牌,钜鑫科技(香港)有限公司)。
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海盗船4GB DDR2-1066内存套装标签 由于内存在标签上并没有具体统一的格式，所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须 有的信息为容量（2048MB）、频率（1066MHz）、延迟（5-6-6-18）、电压（2.10V）等信 息，这些也都是最基本的参数。 内存延迟 内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着 的阿拉伯数字来表示，例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高，因为CLTRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大 时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。 上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz，延迟为“5-6-6-18”，它们代表的意义从 左往右分别是： CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数 据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。 RAS－to－CAS Delay（tRCD），对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉 冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS（数据请求后首先被激发）和CAS（RAS完成后被 激发）并不是连续的，存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。 Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间，即内存从结束一个行 访问结束到重新开始的间隔时间。 Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS （行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。 对于市面上一些拿延迟低作为卖点的内存，价格基本要比同样频率的内存高出许多，对于 不喜爱超频的用户而言，就不知道购买哪种比较合适。所以笔者就做了一个测试，将内存 频率固定，分别在CL5、CL6、CL7三种模式下测试内存性能，请看下图。
SiSoftware带宽/PCMark测试对比 从测试中可以看出，内存延迟的变动无论对系统的性能变化、系统处理能力均表现不明 显，所以在充足的带宽下内存延迟的变化对PC的性能影响几乎可以忽略不计。如今想要提 升内存性能最捷径方法就是提升频率。 全文总结：内存方面的选择，笔者建议用户需要慎重，毕竟现在内存价格上涨较快，主流 2GB/83方面相比这前也有大幅上涨。 所以笔者建议学生用户还是多关注DDR2方面，毕竟DDR3内存性能提升并不明显，可以将省 下来的钱用到显卡、CPU等方面。