内存参数
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存指标参数
内存指标参数是评估计算机内存性能的一组参数。
它们包括：
1. 容量：内存的总大小，通常以GB（吉字节）或MB（兆字节）为单位。
2. 速度：内存访问数据的速度，以MHz（兆赫）为单位。
更高的速度意味着更快的数据访问。
3. 延迟：内存访问数据所需的时间，以纳秒（ns）为单位。
较低的延迟意味着更快的数据访问。
4. 刷新率：内存刷新其内容以防止数据丢失的频率，以Hz （赫兹）为单位。
5. 容量带宽：内存每单位时间可以传输的数据量，以GB/s （吉字节/秒）为单位。
6. 存储密度：内存中存储的数据量与物理尺寸的比例。
7. 功率消耗：内存运行所需的电力，以瓦特（W）为单位。
这些参数在评估和比较不同内存模块的性能和效率时很重要。
内存参数
由于现在新版的BIOS对内存参数进行了释放，弄得大家措手不及，有的参数不会设置，导致机器无法启动，现在我把从网上搜集的全部内存设置列给大家，请大家对比设置，把自己的内存性能发挥到极致！！！1、CASLatency Control（tCL）Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。
通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。
值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS 主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。
5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
内存参数的详细介绍
内存参数的详细介绍1.工作频率内存的工作频率即该内存的标准规范。
例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。
而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。
如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。
而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍!如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。
2.CAS值大家知道，内存有个CASColumn Address Strobe，列地址选通脉冲延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行Column和列Row来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。
对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。
CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS 值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家可实际使用或用内存测试软件进行测试。
3.内存的标示常识此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。
下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解：HY XX X XX XX XX X X X X X-XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111：代表HY的厂标2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V;U:CMOS，2.5V4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref;66:64MB，2kref;28:128MB，4kref;56:256MB，8kref;12 :512MB，8kref5: 芯片结构数据宽度—4：X4数据宽度4bit;8:x8;16:x16;32:x326：BANK数量—1:2BANKs;2:4BANKs7：I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_28：芯片内核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代9：能量等级—空白:普通;L:低能耗10：封装形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSPLF-CSP;F:FBGA11：工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B; L:DDR200感谢您的阅读，祝您生活愉快。
查看内存条参数
查看内存条参数你们知道怎么查看内存条参数信息吗?跟着店铺一起学习怎么查看内存条参数信息吧。
·查看内存条参数信息的方法[内存标贴]如下图，观察内存条外观时看到的标贴。
标贴上一般会告诉我们品牌、参数、料号(P/N)、产品编号(S/N)等信息。
在选购内存时可以通过标贴得到内存基本信息。
[P/N与S/N]P/N又叫料号，宇瞻、金士顿等这些内存模组厂商生产内存时，如果生产内存选用的内存颗粒、PCB(印刷电路板)等原料一致，那么厂商就会为这些内存印上相同的P/N;也就是说，只要两条内存的P/N一致，那么这两条内存出现不兼容问题的几率非常非常低。
S/N称为产品编号，因为S/N都是唯一的，所以它对检查内存防伪有帮助。
[标贴表达方式1]内存标贴涵盖了上述几方面的内容，下面来研究标贴上最重要的部分—内存参数。
标贴上内存参数表达方式分了好几种，但几种表达方式所指的信息都基本一致，比如容量、带宽、延迟、频率等参数。
如下图标贴直接表达了内存的参数-内存代数(PC3=DDR3)、内存容量(4GB)、内存带宽(10600MB/S)全部标记在了上面，并可以计算出频率(1333MHz)。
[标贴表达方式2]下图红色方框里的内容，是目前金士顿内存比较常见的标注方式，可以从“KVR1333D3S9/1G”中的“1333”、“D3”、“1GB”这几个字样知道这条内存是DDR3 1333 1GB的内存。
如果觉得这种方法获取内存信息比较困难，可以注意之下的“1GB PC3-10600 CL9 204-Pin SDDIMM”的字样。
“1GB”、“CL9”、“204-Pin”分别告诉我们内存容量是1GB、延迟是9、金手指为204Pin(也就是指内存边缘的针脚两面加起来有204片)。
解释一下“PC3-10600”的含义，“PC3-10600”是内存模组厂商比较通用的一种用内存带宽表示内存参数的方法，虽然没有谁制定这种标法的标准，但很多厂商都依循着下面这种方法标示内存信息：PC3表示DDR3的意思，如果是PC则表示DDR，PC后面的数字代表内存是第几代;10600就是指的内存带宽为10.6GB/s，按照计算前端总线带宽的公式(带宽=位宽×频率÷8)，这个公式对于计算内存带宽同样适用。
内存参数计算
内存参数计算在计算机科学和IT领域，内存是非常重要的一部分。
通过掌握内存的相关参数，可以更好地配置、优化和管理系统的性能。
内存参数包括物理内存、虚拟内存、页框和页面等等，下面就详细地介绍并计算相关内存参数。
1. 物理内存物理内存指的是计算机上实际安装的内存条的大小，一般以GB为单位来表示。
在使用计算机时，可以通过查看系统属性或使用Task Manager来了解自己电脑的物理内存大小。
确定物理内存大小可以帮助我们了解系统的硬件限制，并且在使用各种应用程序和操作系统时帮助调整内存使用。
2. 虚拟内存虚拟内存是一种操作系统机制，它可以通过使用硬盘上的空间模拟额外的内存。
虚拟内存空间大小是由操作系统自动管理的，并且可以配置。
在Windows系统中，可以从“控制面板”->“系统和安全”->“系统”->“高级系统设置”->“性能设置”中找到虚拟内存的选项。
虚拟内存的作用是增加操作系统的可用内存，以便更好地管理和运行大型应用程序或多个程序。
3. 页框页框是操作系统中用于管理物理内存空间的单位，一般大小为4KB。
在64位计算机中，页框的大小为8KB或16KB。
操作系统会将内存空间分成一系列的页框，每个页框都有一个内存地址，以便程序可以访问其内容。
操作系统利用页框来管理内存，确保一次只有一页框被加载到物理内存中，以减少内存碎片化。
4. 页面页面是指程序执行时所需的内存空间。
操作系统会将程序的每个页面映射到物理内存空间中的一个页框，以便程序可以访问这个页面。
页面的大小是固定的，一般为4KB或8KB。
程序中使用的页面通过页表进行管理，页表包含了程序所需的所有页面的信息，以便操作系统可以正确地将页面映射到页框中。
为了计算内存参数，我们需要了解以下几个关键概念：1. 可用内存：指计算机中空闲的可供使用的内存空间。
2. 内存使用率：指当前计算机使用的内存和总内存的比率。
3. 虚拟内存空间大小：指操作系统配置的虚拟内存空间大小。
内存的主要参数(可打印修改)
内存1、目前市场上的主流品牌有：金士顿、金邦、宇瞻、微刚、胜创、现代、三星等。
2、内存的分类：现在市场上内存可以分为两种SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC15、等规格，目前的SDRAM都是以168PinDIMM的内存模块出现。
DDR SDRAM: DDR是指Double Data Rate ,它的传输率是SDRAM的两倍，DDR 标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDRI的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；现在DDRII正在逐渐占领主流市场。
3、内存的容量✧每个时期内存条的容量都分为多种规格，目前流行的168线,SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、168MB、256MB、512MB、1GB等。
4、数据带宽：数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。
5、时钟周期时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。
这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率就高。
6存取周期内存的速度用存取周期来表示。
7、选购内存的注意事项：（1（选择内存的大小（2（PCB基板的选择（3（良好的电气性能（4（速度要匹配（5（控制CONS开关1 金士顿Kingston (1987年美国,全球内存领导厂商,内存十大品牌,评为美国最适宜工作的公司)2 威刚ADATA (2001年台湾,全球第二大内存市场占有率,威刚科技有限公司)3 海盗船Corsair (受尊敬的超频内存制造商,于1994年美国,全球最大的内存供应商之一)4 三星Samsung (世界500强企业,中国驰名商标,内存十大品牌,1938年韩国,三星集团)5 宇瞻Apacer (1997年台湾,最具影响力的数码存储品牌,知名品牌,宇瞻科技有限公司)6 芝奇G.skill (于1989年台湾,全球领先的内存模块专业制造商,台湾G.Skill公司)7 金邦GEIL (于1993年香港,总部台北,专业的内存模块制造商之一,金邦科技)8 现代Hynix (韩国著名专业的存储器制造商,世界领先内存生产商,海力士集团)9 OCZ 于2000年美国,世界顶尖的内存品牌,专业开发制造高品质(超频)记忆体高新集团)10 金泰克 (内存十大品牌,专业的内存模块制造商之一,知名品牌,钜鑫科技(香港)有限公司)。
内存技术参数有哪些
内存技术参数有哪些内存技术参数简单介绍DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快可达800MHZ ，耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。
即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片内存SPD芯片SPDSerial Presence Detect: SPD是一颗8针的EEPROMElectrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器,容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。
SPD的内容一般由内存模组制造商写入。
支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。
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内存
内存的主流品牌
目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。
这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。
内存的分类
现在市场上内存可以分为两种。
①SDRAM：
SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。
②DDR SDRAM：
DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。
因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。
DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。
现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。
从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。
预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更
新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。
内存的主要性能参数
①容量
每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。
数据带宽
数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。
PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。
而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。
对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。
②时钟周期
时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。
显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。
对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。
由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。
所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。
根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的
SDRAM的最大工作频率。
③存取周期
内存的速度应存取周期来表示。
存储器的两个基本操作为读出与写入，时指将信息在存储单元与存储寄存器（MDR）之间进行读写。
存储器从接受读出命令到被读出消息稳定在MDR的输出端位置的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC，单位为ns（纳秒），这个时间越短，速度就越快，也就标志着内存的性能越高。
半导体存储器的存取一般为100~600ns。
④ECC
ECC（Error Checking and Correcting）检验时在原来的数据位上外加位来实现的。
如8位数据，则需1位用于奇偶检验，5位用于ECC，这额外的5位时用来重建错误数据的。
当数据的位数增加一倍时，奇偶检验也增加一倍，而ECC只需要增加一位；当数据为64位时，所用的ECC和奇偶检验位数相同（都为8）。
奇偶检验只能检测到错误所在，并不能进行纠正，而ECC可以纠正绝大多数错误。
因为只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行，所以在使用ECC纠错内存时，系统的性能会明显降低，但这种纠错对服务器等要求苛刻的环境而言是十分重要的。
由于内存出错的情况不会经常发生，所以一般的家用计算机不必采用ECC内存。
⑤SPD
在PC100的技术规范中，出现了一个同以往内存产品不同的概念—SPD （Serial Presence Detect，窜行存在探测），它是一个8针的SOIC封装、容量256字节的EEPROM芯片，一般处在内存条正面的右侧，其中记录了内存的速度、容量、电压与行、列地址数据宽带等参数信息。
启动电脑时，BIOS读取SPD存放的信息，并且自动进行调整以使设置最优化。
SPD是识别PC100内存的一个重要标志。
一般来说，品牌内存都有SPD设置，而很多普通内存没有安装SPD 以节约成本。