霍尔效应在测量技术中的应用
霍尔效应的原理和实际应用

霍尔效应的原理和实际应用1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应是指当电流通过一片材料时,垂直于电流和磁场方向的电势差产生的现象。
这个效应由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年首次发现和描述。
霍尔效应的基本原理可以归纳为以下几点:•高斯定律:磁感应强度的切线积分等于通过封闭曲面的磁通量除以该曲面的反面积。
•洛伦兹力:电荷在磁场中受到的力与电荷的速度和磁感应强度的乘积成正比。
•霍尔电流:电流通过导体时,由于相互作用,电荷会聚集在导体的一侧,产生一个电势差。
基于以上原理,当电流通过一片材料时,垂直于电流方向施加一个磁场,就会产生垂直于电流和磁场的电势差。
这个电势差称为霍尔电压,常用符号为VH。
2. 霍尔效应的公式霍尔电压(VH)与电流(I)、磁感应强度(B)、导体材料的特性有关。
霍尔效应的公式可以表示为:VH = RHBID其中,RH是霍尔系数,表示导体材料的本征特性;B是磁感应强度;I是电流;D是导体的厚度。
3. 霍尔效应的实际应用霍尔效应在现实生活中有着广泛的应用,以下列举了其中几个重要的应用领域:3.1 汽车工业霍尔效应被广泛应用于汽车工业中的转速测量和位置检测。
其原理是利用霍尔传感器测量转子旋转产生的磁场变化来检测发动机转速和位置。
这种测量方法因为具有高精度、快速响应和无接触的特点,因此在汽车电子系统中得到了广泛应用。
3.2 磁存储器霍尔效应在磁存储器中起着重要作用。
由于霍尔效应能够测量磁场的强度和方向,因此可以用来读取和写入磁存储器中的数据。
这种应用在磁盘驱动器和磁带等存储设备中非常常见。
3.3 传感器技术霍尔效应传感器已经广泛应用于各种测量和控制系统中。
例如,霍尔传感器可以用来测量电流、磁场、速度和位置等物理量。
它们具有体积小、重量轻、灵敏度高、响应快和可靠性好等优点,被广泛应用于工业自动化、航空航天、医疗设备等领域。
3.4 电子设备霍尔效应在电子设备中也有着一定的应用。
例如,霍尔开关可以用来控制电路的开关状态,这种开关具有无触点、可靠性高和寿命长的特点,被广泛应用于电路保护和电源管理等领域。
光子自旋霍尔效应及其在物性参数测量中的应用

第42卷第2期2022年4月物理学进展PROGRESS IN PHYSICSVol.42No.2Apr.2022光子自旋霍尔效应及其在物性参数测量中的应用刘硕卿,陈世祯,罗海陆∗湖南大学物理与微电子科学学院自旋光子学实验室,湖南大学,长沙410082摘要:光子自旋霍尔效应是指光束在非均匀介质中传输时,自旋角动量相反的光子在垂直于入射面的方向发生的横向自旋相关分裂。
光子自旋霍尔效应可以和电子自旋霍尔效应作类比:自旋光子扮演自旋电子的角色,折射率梯度扮演外场的角色。
光子自旋霍尔效应源于光的自旋-轨道相互作用,和两类几何相位有关:一类是动量空间的自旋重定向Rytov-Vlasimirskii-Berry相位;另一类是斯托克斯参数空间的Pancharatnam-Berry相位。
光子自旋霍尔效应对物性参数非常敏感,结合量子弱测量技术,在物性参数测量、光学传感等领域具有重要的应用前景。
本文将简单分析光子自旋霍尔效应的物理根源,回顾近几年不同物理系统中光子自旋霍尔效应的研究进展,介绍光子自旋霍尔效应在物性参数测量中的应用。
最后,展望其在光学模拟运算、显微成像、量子成像等领域的可能发展方向。
关键词:光子自旋霍尔效应;光的自旋-轨道相互作用;几何相位;量子弱测量中图分类号:O436.3文献标识码:A DOI:10.13725/ki.pip.2022.02.001目录I.引言35II.光子自旋霍尔效应36A.自旋-轨道相互作用与几何相位361.光的自旋-轨道相互作用362.RVB相位与PB相位37B.RVB相位导致的光子自旋霍尔效应39C.PB相位导致的光子自旋霍尔效应40III.光子自旋霍尔效应的弱测量41A.量子弱测量41B.光子自旋霍尔效应的弱测量421.RVB相致光子自旋霍尔效应的弱测量422.PB相致光子自旋霍尔效应的弱测量43IV.基于光子自旋霍尔效应的物性参数测量44A.纳米金属薄膜结构与拓扑材料参数的精密测量44B.二维原子晶体结构参数的精密测量45C.化学溶液和生物分子的超灵敏传感应用46 V.总结与展望48致谢49参考文献49收稿日期:2021-01-15∗E-mail:I.引言早在1879年,美国科学家霍尔(Edwin Hall)就通过实验发现,当电流沿垂直外磁场的方向通过导体时,运动的载流子由于受到洛伦兹力的作用,会在导体两侧形成电势差,这一经典现象被称为霍尔效应(Hall effect)[1]。
霍尔效应的五个应用

应用1、测量载流子浓度根据霍尔电压产生的公式,以及在外加磁场中测量的霍尔电压可以判断传导载流子的极性与浓度,这种方式被广泛的利用于半导体中掺杂载体的性质与浓度的测量上。
霍尔电场强度EH的大小与流经样品的电流密度Jx和磁感应强度Bz的乘积成正比下面以p型半导体样品为例,半导体样品的长、宽、厚分别为L、a、b,半导体载流子(空穴)的浓度为p,它们在电场Ex作用下,以平均漂移速度vx沿x 方向运动,形成电流Ix。
在垂直于电场Ex方向上加一磁场Bz,则运动着的载流子要受到洛仑兹力的作用载流子向-y方向偏转,这样在样品的左侧面就积累了空穴,从而产生了一个指向+y方向的电场-霍尔电场Ey。
当该电场对空穴的作用力qEy与洛仑兹力相平衡时,空穴在y方向上所受的合力为零,达到稳态。
稳态时电流仍沿x方向不变,但合成电场E=Ex+Ey不再沿x方向,E与x轴的夹角称“霍尔角”。
若Ey是均匀的,则在样品左、右两侧面间的电位差由理论算得,在弱磁场条件下,对球形等能面的非简并半导体,对于高载流子浓度的简并半导体以及强磁场条件,A=1;对于晶格和电离杂质混合散射情况,上面讨论的是只有电子或只有空穴导电的情况。
对于电子、空穴混合导电的情况,在计算RH时应同时考虑两种载流子在磁场下偏转的效果。
对于球形等能面的半导体材料,可以证明。
从霍尔系数的表达式可以看出:由RH的符号(也即UH的符号)可以判断载流子的类型,正为p型,负为n型,则霍尔电场方向为y轴方向。
当霍尔电场方向的指向与y 正向相同时,则RH为正。
);RH的大小可确定载流子的浓度2、霍尔效应还能够测量磁场在工业、国防和科学研究中,例如在粒子回旋器、受控热核反应、同位素分离、地球资源探测、地震预报和磁性材料研究等方面,经常要对磁场进行测量,测量磁场的方法主要有核磁共振法、霍尔效应法和感应法等。
霍尔效应是磁电效应的一种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差. 导体中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压.正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数.平行电场和电流强度之比就是电阻率.因此,对于一个已知霍尔系数的导体,通过一个已知方向、大小的电流,同时测出该导体两侧的霍尔电势差的方向与大小,就可以得出该导体所处磁场的方向和大小.3、磁流体发电从20世纪50年代末开始进行研究的磁流体发电技术,可能是今后取代火力发电的一个方向。
霍尔效应的原理应用

霍尔效应的原理应用1. 霍尔效应简介霍尔效应是指在垂直于电流方向的磁场中,当通过导体中有电流时,会在导体两侧产生电势差的现象。
这一现象的基础是由美国物理学家愛德蒙·霍尔(Edwin Hall)于1879年首次发现和描述的。
2. 霍尔效应原理霍尔效应是基于磁场对电荷运动轨迹的影响而产生的。
当电荷在垂直于电流方向的磁场中运动时,受到洛伦兹力的作用,导致电荷受力方向发生偏转。
这种偏转会导致产生垂直于电流方向和磁场方向的电势差,即霍尔电压(VH)。
该电势差与电流方向、磁场强度以及材料的特性有关。
3. 霍尔效应的应用领域霍尔效应在许多领域都有广泛的应用。
3.1 传感器领域•磁场传感器:利用霍尔效应可以测量磁场强度,因此可应用于磁场传感器的设计。
磁场传感器可用于测量地磁场、检测运动物体、制作磁罗盘等。
•流速传感器:通过在流体中嵌入霍尔效应芯片,可以测量流体流速。
这种传感器广泛应用于汽车、船舶、工业流体控制等领域。
3.2 磁存储领域•磁存储器件:霍尔效应可用于读取磁存储材料中的信息。
磁盘驱动器和磁卡等设备中的磁头就是通过测量霍尔电压来读取磁场信息。
3.3 汽车电子领域•刹车系统:霍尔效应传感器常用于测量车轮转速,以判断车辆是否需要刹车。
这在车辆的安全性控制中起着重要作用。
•方向盘力矩传感器:霍尔效应可用于测量方向盘力矩,以检测驾驶员对方向盘的施力情况。
3.4 其他领域•电源管理器件:利用霍尔效应芯片可以测量电流,用于电源的电流保护和管理。
•医疗器械:霍尔传感器可应用于医疗设备中,如血氧仪、心脏起搏器等。
4. 霍尔效应的优势和局限性4.1 优势•非接触性:霍尔效应传感器不需要与被测物理量直接接触,因此能够防护传感器的寿命。
•高灵敏度:霍尔效应传感器对磁场变化非常敏感,能够提供精确的测量结果。
•高可靠性:霍尔效应传感器具有稳定性和长寿命的特点,适用于长期使用。
4.2 局限性•温度影响:霍尔效应传感器的输出受温度变化的影响较大,需要进行温度补偿。
霍尔效应的应用举例及原理

霍尔效应的应用举例及原理简介霍尔效应是指当电流通过载流子密度较高的材料时,在磁场的作用下,产生的电势差现象。
这种效应被广泛应用于各种电子设备和传感器中。
本文将介绍几个应用霍尔效应的实际例子,并解释其原理。
1. 磁场检测器霍尔效应的一个主要应用就是磁场检测器。
通过测量通过材料的电流和磁场之间的关系,可以实时监测磁场的强度和方向。
这种检测器常用于工业控制系统中,用于测量电机、传感器和磁铁生成的磁场。
•磁场强度测量:通过将霍尔元件置于被测磁场附近,可以根据霍尔电压的变化来推导磁场的强度。
由于霍尔效应对磁场的敏感性很高,因此可以非常准确地测量强磁场和弱磁场。
•磁场方向检测:通过在材料中放置多个霍尔元件,并分别测量它们的输出电压,可以判断磁场的方向。
根据霍尔电压的变化规律,可以获得磁场的方向信息。
2. 位置传感器霍尔效应在位置传感器中发挥着重要作用。
通过结合磁场和霍尔效应,可以实现非接触式的位置测量。
•线性位置传感器:线性霍尔元件被用于测量物体相对于传感器的位置。
通过不同位置上的磁场强度的变化,可以确定物体的具体位置。
这种传感器常用于汽车行程传感器、液位传感器等应用中。
•旋转位置传感器:旋转霍尔传感器可以测量物体的角度。
通过将磁场和霍尔元件组合在旋转部件上,可以实时记录旋转部件的位置。
这种传感器被广泛应用于工业自动化以及汽车行程控制系统中。
3. 电流测量器霍尔效应还可以用作电流测量器。
通过测量通过材料的电流和产生的磁场之间的关系,可以实时测量电流的强度。
•直流电流测量:通过将霍尔元件置于电流载流子流动的路径上,可以根据霍尔电势差的变化来测量电流强度。
可以将霍尔元件配合一个伏安表来实现准确的直流电流测量。
•交流电流测量:对于交流电流的测量,通常需要将霍尔元件与其他电路元件(如滤波电感、电容)组合使用,以消除干扰信号。
通过采集霍尔电势差的变化并根据对应的电路设计进行处理,可以实现交流电流测量。
4. 磁力计霍尔效应也常用于制作磁力计,用于测量磁场的强度。
论述霍尔效应的原理和应用

论述霍尔效应的原理和应用1. 霍尔效应的原理霍尔效应是指当导体中有电流通过时,垂直于电流方向的磁场会引起横向电势差的现象。
它的原理可以用以下几点来解释:•电荷的洛伦茨力:当导体中有电流通过时,电荷在磁场中受到洛伦茨力的作用,该力的方向垂直于电流和磁场的平面。
这个力会导致电荷在导体中沿着横向移动的方向产生累积。
•电场的形成:由于电荷在导体中沿横向移动,会在导体的侧面产生电场。
这个电场的方向垂直于电流方向和磁场方向,并且与洛伦茨力的方向相反。
•电势差的产生:由于导体侧面产生的电场,会导致导体上出现一种横向电势差。
这个电势差可以通过在导体两端接上一对金属触点来测量。
这两个触点之间的电势差与电流和磁场的强度有关。
2. 霍尔效应的应用霍尔效应不仅具有理论意义,还有许多重要的实际应用。
下面列举了几个常见的应用领域:2.1. 传感器和检测器霍尔效应可以用于制造磁场传感器和检测器,用于测量和检测磁场的属性。
这些传感器和检测器在许多领域中都有广泛的应用,如磁力计、磁场测量仪器、磁共振成像设备等。
2.2. 变压器和电源由于霍尔效应可以精确测量电流的大小和方向,因此可以应用于变压器和电源的设计与控制。
霍尔效应传感器可以用来测量电流的大小,从而实现对电压和功率的准确控制。
2.3. 汽车工业在汽车工业中,霍尔效应传感器被广泛应用于测量车速、转速和方向等参数。
例如,车速传感器常常使用霍尔效应来测量车轮的转速,并根据转速计算出车速。
2.4. 磁存储器霍尔效应也可以应用于磁存储器中。
当磁头移动到磁带上时,霍尔效应传感器可以测量磁场的强度,从而读取和写入磁带上的数据。
2.5. 生物医学领域在生物医学领域中,霍尔效应传感器被广泛应用于测量和监测生物信号。
例如,可以使用霍尔传感器来测量心脏的磁场,以检测心脏的健康状况。
3. 总结霍尔效应是一种重要的物理现象,它描述了电流通过导体时垂直于电流和磁场方向产生电势差的现象。
这个效应不仅具有重要的理论意义,还具有广泛的实际应用。
霍尔元件 用途

霍尔元件用途
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁敏元件,具有许多重要的应用。
以下是一些常见的用途:
1. 测量和控制:由于霍尔元件可以测量磁场,它们可以用于测量电流、角度、速度等。
在电机控制、汽车电子、自动化设备和机器人等领域,霍尔元件被广泛用于测量和控制系统中的磁场变化。
2. 磁场检测:霍尔元件可以用于检测磁场强度和方向,因此在磁记录、磁带录音机、磁性锁等领域有广泛应用。
3. 位置和角度传感器:由于霍尔元件可以测量磁场,它们可以用于检测物体的位置和角度变化。
在打印机、传真机、计算机鼠标等设备中,霍尔元件被用于检测运动和位置。
4. 流量传感器:在一些流量传感器中,霍尔元件被用于测量流体的速度和方向。
例如,在气瓶压力测量中,霍尔元件可以用来检测气体的流动速度。
5. 电源管理:在一些电源管理系统中,霍尔元件被用于检测电流和电压。
由于它们对电流和电压的响应速度快,精度高,因此被广泛应用于各种电源设备中。
6. 自动化和机器人技术:在自动化生产线和机器人技术中,霍尔元件被用于检测物体的位置和速度,以及控制电机的旋转角度和速度。
7. 安全系统:霍尔元件可以用于安全系统中的门禁控制、安全报警等。
通过检测磁场的变化,可以检测到入侵者或物体的移动,从而触发报警或安全系统。
总之,霍尔元件由于其独特的性能和广泛的应用领域,在许多领域都有重要的用途。
霍尔效应传感器的应用

霍尔效应传感器的应用一、引言霍尔效应传感器是一种基于霍尔效应原理工作的传感器,广泛应用于各个领域。
本文将介绍霍尔效应传感器的原理和几个主要的应用领域。
二、霍尔效应传感器原理霍尔效应是指当通过一块带有电流的导体时,垂直于电流方向的磁场会产生一种电压差,这种现象称为霍尔效应。
基于这一效应的传感器即为霍尔效应传感器。
三、汽车行业中的应用在汽车行业中,霍尔效应传感器被广泛应用于车速传感器、转向角传感器、刹车传感器等方面。
例如,车速传感器可以利用霍尔效应测量车轮的转速,进而计算出车辆的实际速度。
而转向角传感器则可以根据车辆转向时产生的磁场变化来感知车辆的转向角度。
刹车传感器则可以通过检测刹车踏板的位置来判断车辆是否需要刹车。
四、工业自动化中的应用在工业自动化领域,霍尔效应传感器也扮演着重要的角色。
它可以用于检测物体的位置、速度和方向等信息。
例如,在流水线上,霍尔效应传感器可以用来检测物体的到达时间,从而控制机器人的抓取动作。
此外,霍尔效应传感器还可以用于测量旋转物体的转速和角度,例如风扇、电机等设备。
五、电子设备中的应用霍尔效应传感器在电子设备中也有广泛的应用。
一种常见的应用是在手机中的翻盖检测。
通过在手机翻盖处放置霍尔效应传感器,可以感知手机盖的状态,从而判断是否需要切换到待机模式。
此外,霍尔效应传感器还可以用于检测电流、磁场等其他物理量,以实现电子设备的各种功能。
六、安防领域中的应用在安防领域,霍尔效应传感器可用于入侵探测、门禁系统等方面。
例如,通过将霍尔效应传感器安装在门窗等位置,可以检测是否有人非法入侵。
在门禁系统中,霍尔效应传感器可以用来感知门的开关状态,从而控制门的开关动作。
七、医疗领域中的应用在医疗领域,霍尔效应传感器也得到了广泛应用。
例如,在磁共振成像(MRI)中,霍尔效应传感器可以用来检测磁场的变化,从而生成高质量的图像。
此外,霍尔效应传感器还可以用于监测心脏磁场、脑电波等生物信号,实现医学诊断和治疗。
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参考 文献 【粱灿彬 , l 】 秦光戎 , 梁竹健 电磁学【 . M】乳京: : l 高 等教育出 版社。03 =020 20. 213. 9 - 圆张海濠霍尔效应及应用阴. 温州职业技术学院 学报, 0 5 ( 6 S 2 0 . ̄2- 4 2 【 陈治明. 3 】 半导体概论【 . M】北京: 子工业出 电 版
活 中磁感 应强度B 的测 量电路 中用三运放组 成 霍尔系数 很 小, 霍尔 效应 不太 显著 ; 半导 体的 感生电压放 大器f . 可以方便 地组成四象限 , 入信号的幅度 无 输 4 其中A 、 同组成 第一级 器, 】 .A共 霍 尔系数则大得 多, 霍尔效应 显著。 则半导体所 结 构对 称 的同相比例 运放 , 有很高 的输入 电阻 太 多的 限制 。 以在电子技 术中的应 用比较广 所 具 有的霍 尔效应 被广泛用于 电量和非 电量 的测 以及较低 的漂移 和失调, A 是差分放 大级用于 泛 , 此乘法器也可以 用于功率的测 量, 信号的混
式中, = / q 为比例常数, Kg l n d 称为霍尔系 u , I 值即可以利用此 式计 算出磁 感应强 K , 等
U : /o Z’
. , ,. d
( )
数, 它由导体( 半导体) 或 材料 的性 质所决 定。霍 度B, 可用毫伏计测量 , I可由相应的仪 Ug K , 上式表 明具 有乘法的功能, 控制电流I 和产 尔的发现 在 当时 震动 科学 界, 许多科学 家纷纷 器测 量, 因此 就很容易的测量 出B , 值 在现实生 生磁场的电流I 可以是直流也可以是交流 , 依据 转 向这一 研究领域 。 般而 言, 一 金属和电解质的 此式可 以做 成一 个四象限 的乘 法器 作为乘法
若通 电导 线中通有 电流大小为I 则无限长 , 电流I 的关系可表示 为:
B: 2 . d
迁 到较 高能级而产生新 的电子一 穴对, 空 使参加 的载流 直导线 周围的磁感 强度B与通过导 线的
的 电阻率 、 移率和 载流子浓 度等会 随温 度的 迁
霍 尔效应 在当今科学技术的许 多领域 都有 阻、 感生电势 等) 随温度的变化也是很灵敏 的。 设在某一 基准温 度T 时, 。 感生电势为 :
U舶=K种 ・ ・i B I 0
式 中的d 为任 意一点与长 直导线 的垂直 距
变 化而变化 , 因此 , 导体薄 片的性 能参数 ( 内 离。 如 结合式() 3可得 : 着广泛 的应用 , 别是近年来 由于新 型半导 体 特
材 料和低维物理 学的发展使得人们对霍 尔效应 的研 究取得了许 多突破性 进展 。 本文就 是基 于
: 一
应强度和磁场强度: 控制电流 电压的 比例关系, 令输 出的霍尔电压与电压乘电流成比例, 可制成
功 率测 量传感 器;当固定 磁场 强度大 小及 方向 时, 以用来测异地 交直流 电流I】 在此 就利用 可 2。
一
疋『 塑 1 + . l U
广泛。 并将进 一步影 响物 理学 的很 多分支。 相信
利 用霍尔原理还 可以运 用于乘法器的制作
在 此简单介绍—下霍尔 原理【 。 l 一块 长 度 】 为b 宽为a 厚度为d , , 的导体薄 片放在磁感应 强
式 中:。 度T 电流计 的数值, I 为温 时 K 为温 而且安全性也高。
度为 B( 向垂直导 体表面 ) 方 的磁场 中, 并在 其 度T 时导体 薄片的 灵敏度, 两端通以控 制电流I 那 么在 垂直于 电流和磁场 , 又 K = ( , 中0 K 。 +a )其 I t 【 为感生电势温 度 方向上 ( 即导体薄 片两侧 ) 将产生 电势 差Ug 称 系数 ,= - 为相对于基准温度的温差 。 tT T 为感生电压或 感生电势 , 这种现 象称 为感生 效 整理得: ’ I , 一l ( 1 2 ) 应。 这种现象是霍尔首先发现的, 因此称之为霍
置可以很容易测量出磁感应强度B, 并且此 装置
1沮 度测量
半 导体 中参加 导 电的 是载流 子, 载流 子数 不仅可 以测定恒 定磁场 的强 度, 可以测量 交 还 目 比金属 中的 自 由电子数 目少得多, 所以半导体 变磁场的强度。 的电阻率大, 它的感生系数也 比金属导体大得 多 3电流测量
I 技 回程 术
霍尔效应在测量技术中的应用
高景 霞 孙 彩 霞 黄河科技 学院数理部
【。 3 随着温度升高, 】 半导体中价电子 受热激发跃 导 电的载流子数 目 大大增加, 导致电阻率减 小, 半 导体载 流子 的数 目随温 度升高 而上升 , 所以 其 电阻率 随温 度升高而 下降 t 么半 导体材 料 那
一
熟+
式 中:l I为温 度T时 电流计的数 值・ 为 () 。 。 K。 4 温度T时导体薄片的灵敏 度。 。 当温度升到T 感生 电势为: 时,
Ug =Kg。 ・I B I
霍尔效应 产生 的原理 来研究其 在各种 测量技 术
和电子元件的工作原理。
由上式可知 不需 直接接 触通电导线 , 过 通 遥测技 术可以测 量导 线中的电流I 即可以测量 , 异地的 电流 。 并且对于 大电 流的测 量不仅方便 4乘法器原理
压 。 尔效应可 以从运 动电荷受到 的洛伦 兹力 高 温度测 量的 灵敏度 , 以选择 感生 电势 温度 霍 可 得 到解释 。 实验表 明。 霍尔 电压 Ug 与电流I 磁 、 系数 o 【 小的霍尔元件。 感应 强度B 都成正 比 , 与板 的厚度d 成反 比。 其 2 磁场测量 公式 为U = ( KB 1 ) 利 用霍 尔 公式 我 们 可 以知 道 , 只要 知 道
量、 磁场测量 、 电子器件的制作原理中。 将 差分 输 入转 换为单 端输 出, 据放大 器各级输 频 , 调制和解调等。 利 用霍尔电压和外加磁场成正 比的线 形关 入及输出之 间的关系, 可推知输出电压与U 之间 同时 利用霍 尔原理 还可以进一步精确测量 系可做成多种电学和 非电学测 量的线性 电子原 的关系为: 力 、 位移、 压差、 角度、 振动、 速、 转 加速度等各 件。 如控制 一定电流时, 可以测量 交、 直流 磁感 种 非电量 。 霍尔效 应在日 常生活和 生产应用
社 。 O 8 : 65. 2 O . 4 -3 1
【王化祥’ 4 ] 张淑英传感器原理及应用噘 津大学出 版社1 9 :5 - 0 9 / 29 . . 9 2 6
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中, 在此用到了载 流螺线管, 载流螺线管内的磁
感强度B 与通电电流I 的关系为:
aU , j 【 I‘
尔效 应, 导体板两侧形成 的电势 U 称为霍尔电 E
B = o・ I n・ d
式中 为螺线 管单位长 度上线 圈的匝数。 结合式1 可得:
由上式可知 , 以用于温 度的测量 , 可 为了提
不久的将 来, 霍尔效应这个研究领域将不断出现
又由于 U :K B , 么上式可表示 为: 那
霍尔原理来研究温度、 磁场 、 电流等 电量和非 电
量的测量原理和电子元件乘法器的工作原理。
( ¨, ㈤ 馏
科学研究的 的数值可由毫安表A 读取 。 通过 此装