超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术
icpMS在超净高纯试剂分析中的应用
２０４Ｐｂ＝２０４－（２０１／１３．２）Ｘ６．８ 从原理上讲，任何同量异位素重叠干扰都能用上述方法校正，只要干扰元素的另一个同 位素本身不受干扰即可，例如，ＶＧ公司的ＰＱ Ｅｘｃｅｌｌ就具有这种校正功能软件，但需要注意的 是，在校正过程中会引入的误差，所以，在校正时要认真分析。 四、氢氟酸
铬，砷可能的干扰，对于钙，铁的干扰，是因为在氩等离子体中，Ａｒ及ＡｒＯ的质量范围分
别覆盖了铁的所有同位素和钙的最大丰度同位素，尽管氩的电离电位（１５．７５９ｅｖ）远大
于铁和钙的电离电位（分别为７．０７ ｅＶ和６．１１３ ｅｖ），但由于氩的大量存在，在正常功率范
围内（８００—１５００ｗ，等离子体炬的温度约为６０００－８０００Ｋ），仍能产生大量Ａｒ及ＡｒＯ，使得
氢氟酸的质谱背景主要是”Ｃ“０２，１２Ｃ”０２１Ｈ ｓ１４Ｎ”０２，４０Ａｒｌ４Ｎ，４０Ａｒ”０，４０Ａｒ”０１Ｈ，干扰 不大，氢氟酸的质谱干扰主要是ＡｒＦ对Ｃｏ，实验中采用膜去溶剂化进样，铟为内标，加标回 收率应在７５～１２５％，实验条件及方法可参盐酸中痕量元素的测定，钾、钠、钙、铁采用冷焰状 态（ＰＬＡＳＭＡ ＳＣＲＥＥＮ）钡ｆＪ定，不单独举例。但需要注意的是氢氟酸是唯一能溶解以硅为基 质的物料，即使是微量，也会很快腐蚀ＩＣＰ－ＭＳ的玻璃部件，如雾化器、雾室以及矩管内 管．虽然可以用一些惰性部件，如雾化室和雾室，以及蓝宝石炬管内管代替玻璃部件，但并没 有完全消除分析氢氟酸溶液时存在的潜在危害，所以，每次分析后都要对部件进行检查，及时 发现问题．建议使用耐氢氟酸四氟系统。
8电子工业用辅助化学品-超净高纯试剂和特种气体
4、超净高纯试剂的发展和标准
随着微电子技术的快速发展，对超净高纯试剂 的要求也越来越高。不同时期有不同线宽的IC制作 工艺技术，对金属杂质和颗粒物含量有越来越高的 标准。更新一代IC要求有更新一代的超净高纯试剂 与之配套。SEMI和国内超净高纯试剂的主要规格指 标如下表。
超净高纯试剂的纯度标准与集成电路发展的关系
3
（4）高效去焊剂B 一种无污染的高效去焊剂，是一种恒沸混合物。配方组成
简单、成本低、去污效果好。
原材料 异丙醇
辛烷
质量份 44 10
（5）光固化涂层用的脱漆剂 该配方为一种光固化涂层用的脱漆剂，可除去印刷板上的感
光性树脂涂层。
原材料
质量份
水
40
硝酸铈
4
十二烷基苯磺酸钠
0.2
（6）电路板清洗剂 E 本配方是经典的电路板清洗配方，广泛应用于各种线路板的加
化学处理：包括添加氧化还原剂，改变物质的价态；加入沉淀剂去 除杂质离子；添加络合剂改变杂质离子沸点；添加酸碱中和有机溶 剂中过量的酸碱等。
比如，在氢氟酸的纯化中添加氧化剂氧化低价砷杂质，添加 络合剂甘露醇可以络合杂质硼，使它们形成高沸点物质留在残液中 除去。
2、典型高纯试剂生产提纯过程
（1）H2O2：通常采用减压蒸馏工艺制备。路线为：对工业过氧化 氢进行化学处理，再进行减压精馏，然后进行超净过滤，最后进行 成品封装。
颗粒
NH3.H2O，H2O2，H2O，NaOH
金属
HCl、H2O2、H2O，H2SO4、H2O，HF、H2O
有机物 自然氧化物
NH3.H2O 、H2O2、H2O，H2SO4、H2O2 NH4F、HF、H2O，HF、H2O
湿法蚀刻
年产8万超高纯湿法电子化学品—超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期检测报告
161012050364建设项目竣工环境保护验收检测报告YYJC-BG-2019-09257委托单位：江阴江化微电子材料股份有限公司项目名称：年产8万吨超高纯湿电子化学品一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目江苏源远检测科技有限公司2019年9月27日项目名称：年产8万吨超高纯湿法电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目委托单位：江阴江化微电子材料股份有限公司承担检测单位：江苏源远检测科技有限公司报告编制人：复核：审核：签发：签发人职务：参加检测人员：洪杰、李柳、朱扬帆、李逸文、许鹏栋、周梦娇、戈逸、金榕、惠尤倩、蔡琦迪、许英姿、张莉、潘新琦等江苏源远检测科技有限公司电话：86885208传真：86885208邮编：214400地址：江阴市东外环路528号检测报告说明对本报告检测结果如有异议者，请于收到报告之日起十天内向本公司提出。
二、鉴定检测，系对新产品、新工艺、新材料等有关技术性能的检测。
验收检测，系对建设项目“三同时”和限期治理项目进行的检测。
四、委托检测，系受用户委托所进行的检测，其中送样委托检测，其检测结果，本公司仅对来样负责，检测结果供委托者了解样品品质之用。
五、本报告非经本公司同意，不得以任何方式复制。
经同意复制的复印件,应有我公司加盖公章予以确认。
江阴江化微电子材料股份有限公司年产8万吨超高纯湿法电子化学品——超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目“三同时”环保竣工验收检测报告1、概述江阴江化微电子材料股份有限公司（以下简称“江化微公司”）是国内一流的集超高纯电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂的研发、生产、销售为一体的龙头企业。
该公司原位于江阴市周庄镇山泉村，企业名称原为“江阴市江化微电子材料有限公司”，后于2012年12月更名为江阴江化微电子材料股份有限公司。
因江化微公司山泉村厂区离居民区较近并且没有发展空间，不利于企业长远发展，为适应市场需求和满足企业自身发展，公司于2010年初将原山泉村厂区整体搬迁至周庄镇周南工业集中区云顾路581号并对原有规模进行扩建，该搬迁扩建项目环评《江阴市江化微电子材料有限公司年产8万吨超高纯湿法电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目环境影响报告书》已于2010年12月31日通过环评审批（锡环管[2010]90 号）。
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术
１ 微 电 子 技 术 的 发 展
本 同时起 步 ， 比韩 国早 １ ０年 。现 在 我 国 已经 有 了 从 双 极 （ ５ ｍ） Ｃ 到 ＭＯＳ 从 ２～ ３ ｍ 到 ０ ８ 、 ． ～ １ ２ ｍ 及 ０ ３ ～０ ５ ｍ 工 艺 技 术 ， 形 成 了规模 ． ． ５ ． 并 生 产 ， ． ５ ｍ 工 艺 技 术 生 产 线 目前 正 在 北 京 和 ０ ２ 上 海 同 时建 设 ， 计 到 ２ ０ 预 ０ ２年 即可 投 产 。“ 五 ” 十 期间及 到 ２１ ０ ０年 北 京 建 设 的北 方 微 电 子 基 地将 建成 ２ ０条 ０ ３ 、 ． ５和 ０ １ 工 艺 技 术 生 产 ．５０２ ．８ｍ 线 ， 海在 浦东将 建成 大 约 ４ 上 ０条 ０ ３ 、 ． ５及 ．５ ０ ２
蓄 电量 需 要 尽可 能 的增 大 ， 因此 氧 化 膜变 得 更 薄 ，
动 态 存 贮 器 。进 入 ２ ０世 纪 ９ ０年代 后 期 ， 的 发 Ｉ Ｃ 展 更 迅 速 ， 争 更激 烈 。美 国 的 Ｉｔｌ 司 、 竞 ｎｅ 公 ＡＭＤ 公 司 和 日本 的 ＮＥ Ｃ公 司这 ３个 Ｉ Ｃ生产 厂 家 的 竞 争 尤 为激 烈 ， ９ ９年 Ｉｔｌ 司 、 １９ ｎｅ 公 ＡＭＤ 公 司 均 实
摘 要 ： 国 内 外 微 电 子 技 术 配 套 专 用 超 净 高 纯 试 剂 进 行 了评 述 。 对 关 键 词 ： 净 高 纯 试 剂 ； 状 ； 用 ； 备 ； 套 技 术 超 现 应 制 配
中圈分类号 ： Ｑ４ １ ２ Ｔ ２ ． ３
文献标识 码 ： Ａ
文章 编号 ：２ ８３ ８ （０ ２ ０ —１ ２０ ０ ５ —２ ３ ２ ０ ）３０ ４ —４
３年缩 小 ２倍 ， 片 面积 增 加 约 １ ５倍 ， 片 中 芯 ． 芯
超大规模集成电路的重要支撑材料——超净高纯试剂
¨
１ ’ ０
Ｉ
腾蒸馏、 等温蒸 馏 、 减压 蒸 馏 、 升华 、 学 处理 、 化 气体 吸收 等 。超净 高纯 试 剂在 运输 过 程 中极 易受 污染
器 等必 须依赖 进 口，超净 高纯试 剂工 艺先进 技术 如 气 体 吸收 、 子交换 、 离 膜处 理技术 等 的应 用要 达到 国
工 业 中 的消耗 比例 大致 占 １—５ ０ １％，其 中有 机 类化 学品 的需 求量 在微 电子 化 学 品 中 占总体 积 的 ３ ％以 上 ， 场需求量 相 当可观 。 市 在超净高 纯试剂 的发展 方 面 ， 与光刻 胶相 似 ， 不
目前， 国际上普遍使用的提纯工艺有十余种 ， 它们适
而 同步或 超前 发展 ， 同时 它又 对微 电子 技 术 的发 展起 着制 约作用 。
Ｓ ＭＩ Ｅ 标准 金属杂质／ｐ ｐｂ 控制粒径／ｍ ｇ
颗粒／ ／Ｌ 个 ｍ
目前 ， 国际上 制备 Ｓ ＭＩＣ 到 Ｓ ＭＩＣ ２级 超 净 高 Ｅ —１ Ｅ —１ 纯试 剂 的技术 都 已经 趋 于成 熟 。随着集 成 电路 制作 要 求 的提高 ，对工艺 中所 需 的液 体化 学品纯度 的要 求 也不 断提高 。 从技 术趋 势上看 ， 满足 纳米级 集成 电 路 加工需 求是 超净 高纯试 剂今后 发展方 向之一 。 可 以看 出 ，超净 高纯试 剂制 备 的关 键在 于控制
１７ ，国际半导 体设 备与 材料 组织 （ Ｅ ） ９ ５年 Ｓ ＭＩ
制定 了 国际统 一 的超 净 高纯试剂 标准 ， 如表 １ 所示 。
的清洗 、 蚀刻 ， 另外超 净高纯 试剂还 用 于芯片掺 杂 和 沉 淀工艺 。超 净高纯试 剂 的纯度 和洁净 度对集 成 电 路 的成 品率 、 电性能 及可靠性 均有 十分 重要 的影 响。 超净 高纯试 剂 具有 品种 多 、 量大 、 术 要求 高 、 用 技 贮 存 有效期 短 和腐蚀性 强等特 点 ，它基 于微 电子 技术 的发展 而产生 ， 一代 Ｉ ｃ产品需要 一代 的超 净 高纯试 剂与之 配套 。它 随着微 电子技 术 的发 展
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术1 微电子技术的发展微电子技术主要是指用于半导体器件和集成电路(IC)微细加工制作的一系列蚀刻和处理技术,其中集成电路,特别是大规模及超大规模集成电路的微细加工技术又是微电子技术的核心,是电子信息产业最关键、最为重要的基础。
微电子技术发展的主要途径之一是通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片的面积,以提高集成度和速度。
自20世纪70年代后期至今,集成电路芯片的发展基本上遵循GordonEM预言的摩尔定律,即每隔1.5年集成度增加1倍,芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加约1.5倍,芯片中晶体管数增加约4倍,也就是说大体上每3年就有一代新的IC产品问世。
在国际上,1958年美国首先研制成功集成电路开始,尤其是20世纪70年代以来,集成电路微细加工技术进入快速发展的时期,这期间相继推出了4、16、256K;1、4、16、256M;1、1.3、1.4G 的动态存贮器。
进入20世纪90年代后期,IC的发展更迅速,竞争更激烈。
美国的Intel公司、AMD公司和日本的NEC公司这3个IC生产厂家的竞争尤为激烈,1999年Intel公司、AMD 公司均实现了0.25Lm技术的生产化,紧接着Intel公司在1999年底又实现了0.18Lm技术的生产化,AMD公司也在紧追不舍。
到2001年上半年,Intel公司实现了0.13Lm技术的生产化,而到2001年的2季度末,日本的NEC公司宣布突破了0.1Lm工艺技术的难关,率先成功研发出0.095Lm的半导体工艺技术,现已开始接受全球各地厂商的订货,并将于2001年的11月开始批量生产。
因此,专家们认为世界半导体工艺技术的发展将会加速,半导体制造厂商将会以更先进的技术加快升级换代以适应新的市场要求。
我国集成电路的研制开发始于1965年,与日本同时起步,比韩国早10年。
现在我国已经有了从双极(5Lm)到CMOS、从2~3Lm到0.8~1.2Lm及0.35~0.5Lm工艺技术,并形成了规模生产,0.25Lm工艺技术生产线目前正在北京和上海同时建设,预计到2002年即可投产。
我国超净高纯试剂的应用与发展
ｔ ｃ ｎ ｌｇ ． ｅ ｈ ｏｏ ｙ
Ｋｅ ｒ ｙ ｗｏ ｄｓ： ｃｏ ｌｃｒ ｎ ｃ ； ｒ ｃ ｓ Ｍｉｒ ｅ ｅ ｔｏ ｉ ｓ Ｐ ｏ ｅ ｓＣｈｅ ｃ ｌ Ａｐ ｌｃ ｔｏ Ｄｅ ｅｏ ｍｅ ｔ ｍｉａｓ； ｐ ｉ ａｉｎ； ｖ ｌ ｐ ｎ
１ 引 言
进 人 二十 一 世 纪 以来 ， 电子 技 术 的发展 进 入 微
出现 ， 需配 套 的 电子 化 工材 料 的种 类基 本上 没 有 所 变 化 ， 旧包 括超 净 高 纯 试 剂 、 依 光刻 胶 、 电子特 种 气 体 及 电子 塑封 材 料 等 。这 些 材 料 质 量 的好坏 ， 接 直 影 响着不 同制作技 术所 形成 电子产 品的性能及 质量
高纯试剂在医疗器械领域的应用与安全性评估
高纯试剂在医疗器械领域的应用与安全性评估高纯试剂是指纯度较高的化学试剂，通常用于科研和工业生产中。
近年来，随着医疗技术的发展，高纯试剂也在医疗器械领域得到广泛应用。
本文将就高纯试剂在医疗器械领域的应用和安全性评估进行探讨。
首先，高纯试剂在医疗器械领域的应用非常广泛。
医疗器械是指用于诊断、治疗和预防疾病的设备、器具、材料等。
高纯试剂可以用于医学研究、药物开发和临床诊断等方面。
例如，高纯试剂可用于制备医药中间体和活性药物，从而提高药物的制备纯度和活性，增加疗效和安全性。
此外，高纯试剂还可以用于生物医学材料的表面修饰和功能化，提高其生物相容性和靶向性，从而提高医疗器械的治疗效果和安全性。
其次，高纯试剂在医疗器械领域的应用必须经过严格的安全性评估。
医疗器械的安全性评估是指对使用高纯试剂所制备的医疗器械进行安全性评价的过程。
安全性评估应包括试剂的生物相容性、毒理学评价以及临床应用的安全性评价等方面。
生物相容性是指高纯试剂所制备的医疗器械与生物体的相互作用能力。
毒理学评价主要包括试剂对人体内脏器官、免疫和神经系统的影响等方面。
临床应用的安全性评价是指高纯试剂所制备的医疗器械在正常使用及特殊情况下的可靠性、稳定性和安全性。
在进行安全性评估时，需遵循一定的评估标准和方法。
目前，国内外关于医疗器械安全性评估的标准有很多，如ISO 10993系列标准、《临床医疗器械不良事件管理规范》等。
这些标准和规范为高纯试剂在医疗器械领域应用的安全性评估提供了参考。
在具体操作时，可以通过实验室研究、动物实验和临床试验等方法进行研究。
此外，高纯试剂在医疗器械领域的应用还需要注意以下几个方面。
首先，应加强与相关机构的合作，共同研究和推进高纯试剂在医疗器械领域的应用。
其次，应加强监管和管控，严禁使用低纯度试剂或未经严格测试的试剂进行医疗器械制备。
再次，应加强教育和培训，提高医疗器械从业人员和患者的安全意识。
最后，应加强技术创新和研发，开发更安全、高效的高纯试剂和医疗器械，推动医疗器械领域的发展和进步。
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超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配
套技术
3超净高纯试剂的应用
3.1湿法清洗
超净高纯试剂的主要用途,一是用于基片在涂胶前的湿法清洗,二是用于在光刻过程中的蚀
刻及最终的去胶,三是用于硅片本身制作过程中的清洗。
硅圆片在进行工艺加工过程中,常常会被不同的杂质所沾污,这些杂质的沾污将导致IC的产
率下降大约50%。
为了获得高质量、高产率的集成电路芯片,必须将这些沾污物去除干净。
有关沾
污类型、来源和常用清洗试剂见表2。
3.2湿法蚀刻
湿法蚀刻是指借助于化学反应从硅圆片的表面去除固体物质的过程。
它可发生在全部硅圆片
表面或局部未被掩膜保护的表面上,其结果是导致固体表面全部或局部的溶解。
湿法蚀刻依蚀刻对象的不同可分为绝缘膜、半导体膜、导体膜及有机材料等多种蚀刻。
3.2.1绝缘膜的蚀刻
绝缘膜蚀刻包括图形化二氧化硅(SiO2)膜的蚀刻和氮化硅(Si3N4)膜蚀刻。
其中图形化二氧化硅膜采用缓冲氢氟酸蚀刻液(BHF)进行蚀刻,其目的是为了保护光刻掩膜和掩膜下的绝缘层。
氮
化硅膜在室温下用氢氟酸或磷酸进行蚀刻。
3.2.2半导体膜蚀刻
主要是指单晶硅和多晶硅的蚀刻,通常采用混合酸蚀刻液进行蚀刻。
3.2.3导体膜蚀刻
在Si材料集成电路中,金属导线常采用Al、Al-Si合金膜,湿法蚀刻图形化后Al和Al-Si金属膜常采用磷酸蚀刻液进行蚀刻。
3.2.4有机材料蚀刻
主要是指光刻胶在经过显影和图形转移后的去胶。
常用的正胶显影液有四甲基氢氧化铵,去胶剂可采用热的过氧化氢-硫酸氧化去胶或采用厂家提供的专用去胶剂或剥离液来去除胶膜。
4超净高纯试剂的制备及配套处理技术
4.1工艺制备技术
超净高纯试剂的生产,其关键是针对不同产品的不同特性而应采取何种提纯技术。
目前国内
外制备超净高纯试剂的常用提纯技术主要有精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、等温蒸馏、减压蒸馏、低温蒸馏、升华、气体吸收、化学处理、树脂交换、膜处理等技术,这些提纯技术各有特性,各有所长。
不同的提纯技术适应于不同产品的提纯工艺,有的提纯技术如亚沸蒸馏技术只能用于制备量少的产品,而有的提纯技术如气体吸收技术可以用于大规模的生产。
4.2颗粒分析测试技术
随着IC制作技术的不断发展,对超净高纯试剂中的颗粒要求越来越严,所需控
制的粒径越来
越小,从5Lm到1、0.5、0.2Lm及到目前的0.1Lm,因此对颗粒的分析测试技术提出了更高的要求。
颗粒的测试技术从早期的显微镜法、库尔特法、光阻挡法发展到目前的激光光散射法。
进入
20世纪90年代,为了能够尽快地反映IC工艺过程中颗粒的真实变化,把原来的离线分析(取样在实验室分析)逐步过渡到在线分析。
这就要求在技术上解决样品中夹带气泡的干扰问题,因为任何气泡在检测器内均可被当做颗粒而记录下来。
气泡主要来源于样品中所溶解的气体、振荡或搅拌
产生的气泡、温度高使样品挥发产生的气泡及管线不严而引起的气泡等。
在加压状态进样,进行颗粒测定,较好地解决了目前在线测定采用间断在线取样, 气泡的干扰问题。
颗粒在线检测传感器采用了固态激光二极管技术,因而可设计得很小、很轻,又
坚固耐用,并可密封在线布置,仪器对超净水和超净高纯试剂的检出限可达0.1Lm。
传感器的电学系统采用低压
直流电源,因而能在潮湿和易燃环境中进行颗粒测定。
激光光散射型颗粒计数器的作用就是测量单个粒子通过狭窄的光束时所散发出
来的散射光的
强度,其工作原理如图1所示。
4.3金属杂质分析测试技术
随着IC技术的不断发展,对金属及非金属杂质含量的要求越来越高,从原来控
制的ppm级,
发展到超大规模集成电路控制的ppb级及到极大规模集成电路的ppt级。
而在
分析测试手段上,
原有的手段不断被淘汰,新的手段不断被推出。
目前常用的痕量元素的分析测
试方法主要有发射光谱法、原子吸收分光光度法、火焰发射光谱法、石墨炉原子吸收光谱、等离子发射光谱法(ICP)、电感耦合等离子体-质谱(ICP-MS)法
等。
随着IC技术向亚微米及深亚微米方向的发展,ICP-MS法将成为金属杂质分析测试的主要手段。
4.4非金属杂质分析测试技术
非金属杂质的分析测试主要是指阴离子的测试,最为常用的方法就是离子色谱法。
离子色谱法是根据离子交换的原理,由于被测阴离子水合离子半径和所带电荷不同,在阴离子交换树脂上造成分配系数不同,使阴离子在分离柱上得到分离,然后经过抑制柱去除洗脱液的导电性,采用电导检测器测定Cl-、NO3-、SO42-、PO43-等离子。
4.5高纯水技术
超净高纯试剂的制备离不开超纯水,它既直接用于超净高纯试剂的生产,又用于包装容器的
超净清洗,其质量的好坏直接决定着超净高纯试剂产品的质量。
同时,超纯水又是最纯、最廉价的清洗剂,就当今的水处理技术而言,已可将水提纯至接近理论纯水,电阻率可达18.25M?8?cm(25?)。
超纯水在制备过程中需要控制和
、颗粒测试的项目主要有残渣、可氧化的总碳量(TOC)
物质、细菌、被溶解的二氧化硅、电阻率、离子浓度等。
4.6包装技术
超净高纯试剂大多属于易燃、易爆、强腐蚀的危险品,且随着微电子技术向深
亚微米技术水平的发展,对其产品的质量提出了越来越高的要求,即不仅要求产品在贮存的有效期内杂质及颗粒不能有明显的增加,而且要求包装后的产品在运输及使用过程中对环境不能有泄漏的危险。
另外,必须使用方便且成本低廉,所有这些都对包装技术提出了更高的要求。
于超净高纯试剂包装容器的材质首先必须耐腐蚀,其次不能有颗粒及金属杂质
的溶出,这样
才能确保容器在使用点上不构成对超净高纯试剂质量的沾污。
目前最广泛使用的材料是高密度聚乙烯(HDPE)、四氟乙烯和氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)。
由于HDPE对多数超净高纯试剂的稳定性较好,而且易于加工,并具有适当的强度,因而它是超净高纯试剂包装容器的首选材料。
HDPE 的关键是与大多数酸、碱及有机溶剂都不发生反应,也不渗入聚合物中。
HAc、HF、H2SO4会侵蚀低密度聚乙烯(LDPE)而使其结晶度增加。
HDPE允许在室温下存放,但温度升高后,浓硫酸会浸蚀HDPE而生成衍生物,导致"酸暗"。
在室温下也不能贮存硝酸、HAc,因硝酸会使聚合物断裂,HAc会引起树脂龟裂。
对于使用周期较长的管线、贮罐、周转罐等,可采用PFA或PTFE材料做内衬。
超净高纯试剂包装所选用的
HDPE材料要经过严格的试验考核,因为不同级别的聚乙烯材料具有不同的颗粒脱落特性。
5如何发展超净高纯试剂
随着微电子技术的快速发展,对与之配套的超净高纯试剂的要求也越来越高。
为了使超净高
纯试剂能够满足微电子技术发展的需要,超净高纯试剂的研究开发及生产水平应与微电子技术的
发展保持同步或超前发展。
目前国际上用于0.2~0.6Lm工艺技术的超净高纯试剂已经实现了规模生产,0.09~0.2Lm工艺技术用超净高纯试剂进入批量生产,小于0.09Lm工艺技术用超净高纯试剂也已提供产品,正在进行规模试生产。
今后我国首先应重点进行适用于0.2~0.6Lm工艺技术用超净高纯试剂的研究开发,同时为了适应"十五"以后发展的需要,还应进行适用于0.09~0.2Lm工艺技术加工所需超净高纯试剂的前期研究。
只有这样,才能确保我国的超净高纯试剂产业能够与国际发展步伐保持一致,并且能及时满足国内IC行业生产的急需。
另外,由于国内在基础配套方面基础比较薄弱,在进行超净高纯试剂深入研究的同时,还应该进行相关配套技术如超纯水、包装容器材质、工艺设备材质等技术的研究。
同时,还需进行0.1Lm颗粒、ppt级金属杂质及ppb级非金属杂质分析测试方法的研究,以确保超净高纯试剂制备的完整性,为建立完善的质量保证体系奠定坚实的基础。