模拟电子技术基础pdf_高二数学基础知识点归纳

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模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。

三.*三种模型四.五.六.七.微变等效电路法八. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模拟电子技术基础知识点总结材料

模拟电子技术基础知识点总结材料

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电基础知识总结

模电基础知识总结

模电基础知识总结导言模拟电子技术(Analog Electronics)是电子学的一个重要分支,包括分析和设计各种电子电路,以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。

模拟电子技术是电子技术的核心内容之一,广泛应用于各种电子系统中。

本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。

电路基础电压、电流与电阻•电压:电荷的偏移量,单位为伏特(V)。

•电流:电荷单位时间通过导体的速度,单位为安培(A)。

•电阻:导体抵抗电流的能力,单位为欧姆(Ω)。

电路定律•欧姆定律: $ V = IR $•基尔霍夫定律:–基尔霍夫电压定律:节点电压之和为零。

–基尔霍夫电流定律:分支电流之和为零。

放大器放大器概述放大器是一种电子电路,用于增加信号的幅度。

放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。

放大器特性•增益(Gain):输出信号幅度与输入信号幅度的比值。

•带宽(Bandwidth):放大器能够放大信号的频率范围。

•输入/输出阻抗:放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。

滤波器滤波器概述滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。

常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。

滤波器设计•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。

•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。

•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。

零件及器件二极管与晶体管•二极管:具有单向导电特性,用于整流和电压调节。

•晶体管:根据不同类型(NPN/PNP),可作为放大器、开关或振荡器使用。

集成电路•集成电路(IC):将多个电子元器件集合在一起形成的整体,方便应用到复杂的电路中。

结论本文对模拟电子技术领域的基础知识进行了总结,涵盖了电路基础、放大器、滤波器和常见零部件等内容。

这些基础知识是深入理解模拟电子技术的关键,也是进行电路设计和分析的基石。

希望读者通过本文的学习,能够对模拟电子技术有更深入的了解。

以上是本文对模拟电子基础知识的总结,希望对您有所帮助。

模拟电子技术基础知识汇总

模拟电子技术基础知识汇总

模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅、锗)。

2.特性光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. 结* 结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* 结的单向导电性正偏导通,反偏截止。

8. 结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性同PN结。

*正向导通压降硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性正常工作时处在结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型分为和两种。

2.特点基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

(完整版)模拟电子技术基础总结

(完整版)模拟电子技术基础总结

(完整版)模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1.本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)(图1-2)。

前者是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料)。

·纯净(纯度>7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发或产生)(图1-3)。

本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。

温度越高,本征激发越强。

+载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。

格中的空位,使局部显示q·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。

复合是产生的相反过程,当产生等于复合时,称载流子处于平衡状态。

2.杂质半导体·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)杂质半导体(N型:图1-5,P型:图1-6)。

·在很低的温度下,N型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。

·由于杂质电离,使N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴,而P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。

·在常温下,多子>>少子(图1-7)。

多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关;两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

3.半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4.PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近,会形成一个特殊的薄层——PN结(图1-8)。

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。

下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。

2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。

傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。

3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。

4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。

二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。

2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。

3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。

4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。

5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。

三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。

2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。

3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。

4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。

四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。

2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。

3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。

五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。

2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。

3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。

4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。

六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。

2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。

3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。

模电知识点总结pdf手写

模电知识点总结pdf手写

模电知识点总结pdf手写模电知识点总结PDF手写一、引言模拟电子技术(模电)作为电子工程中的一个重要分支领域,是电子技术中的基础知识之一。

它主要研究电子电路中的模拟信号的处理与传输,包括模拟电路的设计、分析与测试等内容。

对于学习和掌握模电知识,一个全面的知识点总结是必不可少的。

本文将结合PDF手写的方式,对模电知识点进行总结,具体内容如下。

二、基本概念与基础知识1.模拟电路与数字电路的区别:模拟电路处理的是连续的模拟信号,数字电路处理的是离散的数字信号。

2.模拟电路的基本组成:电源、信号处理元件(如电容、电感、二极管等)、放大器、滤波器等。

3.基本电路元件的特性:电阻、电容、电感的特性参数及相关计算方法。

4.电路分析方法:基尔霍夫定律、戴维南定理、超节点定理、等效电路等。

三、放大器设计与分析1.放大器的基本概念:放大器用于增大信号的幅度,常见的放大器有共射极放大器、共集极放大器、共基极放大器等。

2.放大器的频率特性:通频带、增益带宽积、低频响应、高频响应等。

3.放大器参数的计算方法:增益、输入阻抗、输出阻抗等。

4.放大器的稳定性分析:极点与零点分布、稳定性判据、稳定性设计等。

四、滤波器设计与分析1.滤波器的基本概念:滤波器用于对信号进行滤波,常见的滤波器有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。

2.滤波器的频率响应特性:频率响应曲线、通频带、阻带、滤波器的增益等。

3.滤波器的设计方法:积分法、微分法、频率转换法、电流増强法等。

4.滤波器的实际应用:音频滤波器、图像滤波器、通信系统中的滤波器等。

五、运算放大器1.运算放大器的基本概念与模型:运算放大器的输入端、输出端、电源端及运算放大器的非理想性。

2.运算放大器的基本运算电路:比较电路、求和电路、积分电路、微分电路等。

3.运算放大器的常用应用电路:反馈放大器、积分放大器、微分放大器等。

4.运算放大器的理想运算:虚短法、虚断法、理想运算法、实际运算法等方法。

模拟电子技术基础中的常用公式必备PDF.pdf

模拟电子技术基础中的常用公式必备PDF.pdf
主要内容:放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射 放大电路、共集放大电路。
重点:放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点:放大 电路的工作原理。
教学目标:掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放 大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第 9 章 集成运算放大器
70
书山有路
主要内容:运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本
式中,iD 为流过二极管的电流,uD。为加在二极管两端的电压, VT 称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为 VT = kT/q 其 中 T 为热力学温度,单位是 K;q 是电子的电荷量,q=1.602×10-19C; k 为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J/K。室温下,可求得 VT = 26mV。 IR(sat)是二极管的反向饱和电流。
GS0126 PCM =ICUCE
GS0127
ID
=
I
DSS
(1

UGS VP
)2 ,IDSS 是
UGS=0
时的漏极饱和电流,
VP 称为夹断电压。
7.2 基本放大电路
GS0201 GS0202
IB
=
EC
− U BE Rb
EC Rb
IC = I B + ICEO I B
GS0203 UCE = EC − IC RC
74
书山有路
GS0120
I B = f (U BE ) |UCE =C (C 表示常数)
GS0121 GS0122 GS0123 GS0124 GS0125
I C = f (U CE ) |IB =C
IC IB
=
I C I B
|UCE
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模拟电子技术基础pdf_高二数学基础知识点归纳
(导语)数学依旧是高考中最难的科目,要想学习好数学,首先要掌握它的基本知识点。

下面就让大范文网给大家分享几篇高二数学基础知识点吧,希望能对你有帮助!
高二数学基础知识点篇一
一、集合概念
1集合中元素的特征:确定性,互异性,无序性。

2集合与元素的关系用符号=表示。

3常用数集的符号表示:自然数集;正整数集;整数集;有理数集、实数集。

4集合的表示法:列举法,描述法,韦恩图。

5空集是指不含任何元素的集合。

空集是任何集合的子集,是任何非空集合的真子集。

函数
一、映射与函数:
1映射的概念:2一一映射:3函数的概念:
二、函数的三要素:
相同函数的判断方法:①对应法则;②定义域两点必须同时具备
1函数解析式的求法:
①定义法拼凑:②换元法:③待定系数法:④赋值法:
2函数定义域的求法:
①含参问题的定义域要分类讨论;
②对于实际问题,在求出函数解析式后;必须求出其定义域,此时的定义域要根据实际意义来确定。

3函数值域的求法:
①配方法:转化为二次函数,利用二次函数的特征来求值;常转化为型如:的形式;
②逆求法反求法:通过反解,用来表示,再由的取值范围,通过解不等式,得出的取值范围;常用来解,型如:;
④换元法:通过变量代换转化为能求值域的函数,化归思想;
⑤三角有界法:转化为只含正弦、余弦的函数,运用三角函数有界性来求值域;
⑥基本不等式法:转化成型如:,利用平均值不等式公式来求值域;
⑦单调性法:函数为单调函数,可根据函数的单调性求值域。

⑧数形结合:根据函数的几何图形,利用数型结合的方法来求值域。

高二数学基础知识点篇二
函数的单调性、奇偶性、周期性
单调性:定义:注意定义是相对与某个具体的区间而言。

判定方法有:定义法作差比较和作商比较
导数法适用于多项式函数
复合函数法和图像法。

应用:比较大小,证明不等式,解不等式。

奇偶性:定义:注意区间是否关于原点对称,比较fx与f-x的关系。

fx-f-x=0fx=f-xfx为偶函数;
fx+f-x=0fx=-f-xfx为奇函数。

判别方法:定义法,图像法,复合函数法
应用:把函数值进行转化求解。

周期性:定义:若函数fx对定义域内的任意x满足:fx+T=fx,则T为函数fx的周期。

其他:若函数fx对定义域内的任意x满足:fx+a=fx-a,则2a为函数fx的周期.
应用:求函数值和某个区间上的函数解析式。

四、图形变换:函数图像变换:重点要求掌握常见基本函数的图像,掌握函数图像变换的一般规律。

常见图像变化规律:注意平移变化能够用向量的语言解释,和按向量平移联系起来思考
平移变换y=fx→y=fx+a,y=fx+b
注意:ⅰ有系数,要先提取系数。

如:把函数y=f2x经过平移得到函数y=f2x+4的图象。

ⅱ会结合向量的平移,理解按照向量m,n平移的意义。

对称变换y=fx→y=f-x,关于y轴对称
y=fx→y=-fx,关于x轴对称
y=fx→y=f|x|,把x轴上方的图象保留,x轴下方的图象关于x轴对称
y=fx→y=|fx|把y轴右边的图象保留,然后将y轴右边部分关于y轴对称。

注意:它
是一个偶函数
伸缩变换:y=fx→y=fωx,
y=fx→y=Afωx+φ具体参照三角函数的图象变换。

一个重要结论:若fa-x=fa+x,则函数y=fx的图像关于直线x=a对称;
高二数学基础知识点篇三
1定义:
2函数存在反函数的条件:
3互为反函数的定义域与值域的关系:
4求反函数的步骤:①将看成关于的方程,解出,若有两解,要注意解的选择;②将互换,得;③写出反函数的定义域即的值域。

5互为反函数的图象间的关系:
6原函数与反函数具有相同的单调性;
7原函数为奇函数,则其反函数仍为奇函数;原函数为偶函数,它一定不存在反函数。

七、常用的初等函数:
1一元一次函数:
2一元二次函数:
一般式
两点式
顶点式
二次函数求最值问题:首先要采用配方法,化为一般式,
有三个类型题型:
1顶点固定,区间也固定。

如:
2顶点含参数即顶点变动,区间固定,这时要讨论顶点横坐标何时在区间之内,何时在区间之外。

3顶点固定,区间变动,这时要讨论区间中的参数.
等价命题在区间上有两根在区间上有两根在区间或上有一根
注意:若在闭区间讨论方程有实数解的情况,可先利用在开区间上实根分布的情况,得出结果,在令和检查端点的情况。

3反比例函数:
4指数函数:
指数函数:y=a>o,a≠1,图象恒过点0,1,单调性与a的值有关,在解题中,往往要对a分a>1和0
5对数函数:
对数函数:y=a>o,a≠1图象恒过点1,0,单调性与a的值有关,在解题中,往往要对a分a>1和0
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