模拟电子技术基础pdf
童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题
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第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
4.3名校考研真题详解
第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
6.3名校考研真题详解
第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
7.2课后习题详解
7.3名校考研真题详解
第8章功率放大电路
8.1复习笔记
8.2课后习题详解
8.3名校考研真题详解
第9章直流电源
9.1复习笔记
9.2课后习题详解
9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。
模拟电子技术基础-场效应管的参数和小信号模型
iS S
上页 下页 后退
模拟电子技术基础
式中
为跨导
rds为FET共源极输出电阻 故
上页 下页 后退
模拟电子技术基础
或者
rds很大，通常数值在几十千欧，可以忽略
微变等效电路
简化的微变等效电路
g
d
gm ugs
ugs
rds
uds
s
g
ugs s
d gmugs uds
上页 下页 后退
模拟电子技术基础
易泄露，
而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电
场强度，
以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。
增强型 G
D G
S
D
耗尽型
S
上页 下页 后退
–
s
–
ig
id
+ ugs
线性
+ uds
– 网络 –
上页 下页 后退
模拟电子技术基础
N沟道
d
g
s
N沟道 d N沟道 d
g
g
s
s
uGS 反偏 或者 栅极绝缘
g
d
因此 iG= 0
gm ugs
ugs
u rds
ds
ugs 之间相当于开路
s
上页 下页 后退
模拟电子技术基础
g
ugs s
d
gm ugs
rds
uds
模拟电子技术基础
3.3 场效应管的参数和小信号模型
3.3.1 结型场效应管的主要电参数
1．直流参数
(1) 夹断电压UGS(off)
U u GS(off)
GS
U DS ID
电路与模拟电子技术基础(第三版)(真正完全版)
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=⨯=P （吸收）；W 5.15.032=⨯=P （吸收）W 15353-=⨯-=P （产生）；W 5154=⨯=P （吸收）；W 4225=⨯=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+-=I I U电流源功率：W 2621-=⋅-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632-=⋅-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=⨯+-⨯+-=IV 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I I ; V 155X -=⋅=I UV 253245X X -=⨯--⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666abR(2) Ω=--=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
电子技术基础pdf
电子技术基础pdf电子技术基础主要涵盖电子学的基础知识、电路分析与设计、信号处理等内容，是电子信息工程领域的核心课程。
本文将从以下几个方面对电子技术基础进行介绍。
一、电子学的基础知识电子学是电子器件、电路及其系统的理论和应用的一个综合性学科。
在电子技术基础中，学习者需要掌握电子学的基础知识，包括电子器件的种类、原理和特性，以及半导体物理、PN 结的形成和性质等。
此外，还需要了解基本电路、电学定理和电压、电流、电阻等基本概念及其在电路分析中的应用。
二、电路分析与设计电路分析与设计是电子技术基础中的核心部分。
学习者需要掌握基本电路的分析方法及其应用，例如电压分压定理、电流分流定理、诺顿定理、戴维南定理等。
另外，学习生还需要了解各种电路的特点及其设计方法，例如放大电路、滤波电路、正弦振荡器、脉冲调制等。
三、信号处理信号处理是电子技术基础中重要的一部分，其涉及的领域很广泛，包括模拟信号处理、数字信号处理、信号变换等。
学习者需要了解各种信号处理方法的原理及其应用，例如滤波、变换、编码等，还需要掌握相关设计工具的使用，例如MATLAB、Simulink等。
四、综合实验综合实验是电子技术基础中的重要环节之一，通过实验学习者可以将理论知识与实际应用结合起来，理解电路的实际工作原理，培养实际动手能力。
学习者需要选择不同的实验项目，例如基本电路实验、放大电路实验、振荡电路实验等，不断提高实验技能和观察数据的能力。
总之，电子技术基础是电子信息工程领域的核心课程，通过学习电子学的基础知识、电路分析与设计、信号处理以及综合实验等环节，能够使学习者逐步掌握电子技术的基础、方法和技能，为后续的学习和科研打下坚实的基础。
以上是本文对于电子技术基础的介绍，希望能对广大学习者有所帮助。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础
2022 模拟电子技术基础一、常用半导体器件1.1本征半导体纯净的，具有晶体结构的半导体1.1.1本征激发：自由电子导电；价电子依次填补空穴，形成了空穴的移动，空穴也能导电本征激发越多，导电能力越好复合：自由电子与空穴相撞，重新变成价电子1.1.2载流子的浓度载流子的浓度与本征激发，复合相关。
本征激发的速率与温度有关，温度越高，本征激发的速率越快。
复合的速率与载流子的浓度有关1.2杂质半导体在本征半导体掺入少量杂质元素1.2.1N型半导体掺入少量P(磷)多子→自由电子少子→空穴温度对N型半导体的多子影响不大，对少子浓度影响巨大施主原子：贡献载流子的原子1.2.2P型半导体掺入少量B(硼)多子→空穴少子→自由电子温度对P型半导体的少子影响不大，对多子浓度影响巨大1.3PN结由于扩散运动形成的空间电荷区，也称耗尽层(PN结)(阻挡层) 1.3.1基本概念漂移运动：少子在空间电荷区的运动漂移运动阻挡了因扩散运动而消耗势垒的可能多子的扩散运动与少子的漂移运动就会达到动态平衡空间电荷区的宽度与掺杂浓度有关，浓度高的区域PN结窄。
1.3.2单向导电性外电场削弱了内电场的作用，使得扩散运动得以重新恢复R限定了外电场通过的最大电流，防止PN结烧毁反向电压会增强内电场的作用，抑制扩散运动，促进漂移运动；但是漂移运动属于少子，且与温度相关，漂移运动形成的电流称为反向饱和电流。
1.4PN结的伏安特性曲线1.4.1正向特性：存在死区，有导通电压：PN结的电流方程Is为反向饱和电流U T为温度当量，仅跟温度相关。
在室温下U T=26mV U为PN结上外加电压1.4.2反向特性：Ge管的反向电流比Si管的大得多反向存在击穿：雪崩击穿：掺杂浓度低时，耗尽层宽度大，当外加反向电压时，耗尽层为粒子加速器，少子加速击穿带走价电子，形成链式反应温度越高，雪崩击穿所需电压越高。
齐纳击穿：掺杂浓度高时，PN结窄，当外加反向电压时，形成的电场强度大，直接将价电子从共价键内带出。
模拟电子技术基础课件(华成英)经典
V＝10V，ID≈ 50mA
26 5 rd = ( )Ω = 0.52Ω，I d ≈ ( )mA = 9.6mA 50 0.52
在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！
32
第四讲
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
2. 伏安特性受温度影响
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
25
三、二极管的等效电路
1. 将伏安特性折线化
理想 二极管 导通时i与u成 线性关系
理想开关 导通时 UD＝0 截止时IS＝0
近似分析 中最常用
导通时UD＝Uon 截止时IS＝0
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加 剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动， 有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。
20
四、PN结的电容效应
1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生 变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放 电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和 释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： C j = Cb + Cd 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定 程度，则失去单向导电性！
8
四、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万 变不离其宗”。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
图 Pl.14
(a)
(b)
解图 Pl.14
8
解： 在场效应管的恒流区作横坐标的垂线 (如解图 Pl.14 (a)所示 ),读出其与各条曲 线交点的纵坐标值及 u G S 值，建立 i D f ( uG S ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移 特性曲线，如 解图 Pl.14 (b) 所示。
1.15 电路如 图 P1.15 所示，T 的输出特性如 图 Pl.14 所示 ,分析当 u I =4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
因此， u GD u GS u DS
2V ，小于开启电压，
说明假设成立，即 T 工作在恒流区。
当 u I =12V 时，由于 V DD 12V ，必然使 T 工作在可变电阻区。
图 Pl.15
l.16 分别判断 图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a)
(b)
(c)
图 P1.16
其动态电阻 : rD U T / I D 10
故动态电流的有效值： I d U i / rD 1m A
图 P1.4
1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 (1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
U I 15V 时， U O
RL
UI
R RL
5V ；
图 Pl.6
U I 35 V 时， U O
RL
UI
R RL
11.7 V
U Z ，∴ U O U Z 6V 。
0.1 (2) 当负载开路时， I Z
UI UZ R
29 mA I Z max
模拟电子技术基础(完整课件)
>100000
封装好的集成电路
课程的教学方法
模电——“魔”电 特点：电路形式多、公式多、工程性强 教学方法： 课堂讲课 ——每章小结 ——自我检测题
——作业 ——作业反馈
——实验 ——答疑
总成绩＝期末（70％）＋平时（30％） 平时：作业、课堂、实验等
教材：《模拟电子技术基础》，李国丽王涌李如 春主编，高等教育出版社，国家级十二 五规划教材
就在这个过程中，爱迪生还发现了一 个奇特 的现象：一块烧红的铁会散发出电子云。后人 称之为爱迪生效应，但当时不知道利用这一效 应能做些什么。
1904年，英国发明家弗莱明在真空中加热的 电丝(灯丝)前加了一块板极，从而发明了第一 只电子管，称为二极管。
1906 年，美国发明家德福雷斯特，在二极管 的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而 发明了第一只真空三极管，建树了早期电子技 术上最重要的里程碑——电子工业真正的诞生 起点 。
2000年10月10日，基尔比 与另外两位科学家共同分享 诺贝尔物理学奖。
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片
1959年7月30日，硅谷的仙童半导体公司的诺依斯 采用先进的平面处理技术研制出集成电路，也申请到 一项发明专利 ，题为“半导体器件——导线结构”； 时间比基尔比晚了半年，但确实是后来微电子革命的 基础。
1959年仙童制造的IC
诺依斯
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel 公司推出，在它3毫米×4毫米的掩模上，有 2250个晶体管，每个晶体管的距离是10微米， 每秒运算6万次。也就是说，一粒米大小的芯片 内核，其功能居然与世界上第一台计算机—— 占地170平方米的、拥有1.8万个电子管的 “爱
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模拟电子技术基础华教网1电子技术发展2。
模拟信号和模拟电路3。
电子信息系统的组成4。
模拟电子技术基础课程特点5。
如何学习本课程6。
课程目标7。
试验方法六氯环己烷华教网1电子技术的发展，电子技术的发展，促进了计算机技术的发展，使其“无所不在”并得到广泛应用！广播与通信：发射机、接收机、广播、录音、程控交换机、电话、手机；网络：路由器、ATM交换机、收发机、调制解调器；行业：钢铁、石化、机械加工、数控机床；交通：飞机、火车、船舶、汽车；军事：雷达、电子导航；航空航天：卫星定位、医疗监控：伽玛刀、CT、B超、微创手术；消费电子产品：家用电器（空调、冰箱、电视）、音频、视频摄像机、摄像机、电子手表）、电子玩具、各种报警器，安全系统HCH a华教网电子技术的发展很大程度上体现在元器件的开发上。
1904年、1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管研制成功。
HCH-atsin与电子管、晶体管和集成电路的比较。
半导体器件的发展华教网. 贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，1958年制造了集成电路，1969年制造了大规模集成电路。
第一个有四个晶体管的集成电路于1975年制造，1997年，一个集
成电路中有40亿个晶体管。
一些科学家预测，整合程度将以每6年10倍的速度增长，到2015年或2020年达到饱和。
学习电子技术课程时要时刻注意电子技术的发展！六氯环己烷华教网一些科学家要记住！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的约翰·巴丁、威廉·肖克利和沃尔特·布拉丹发明）于1947年11月底发明了晶体管，并于12月16日正式宣布“晶体管”的诞生。
他获得了诺贝尔物理学奖。
1956年。
1972年，他因对超导性的研究而获得诺贝尔物理学奖。
1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti 的Jack Kilby在德州仪器实验室实现了将电子器件集成到半导体材料中的想法。
42年后，他获得了2000年诺贝尔物理学奖。
”奠定了现代信息技术的基础。