答辩大学普物实验霍尔效应与应用设计
大一物理实验报告 答辩 霍尔效应与应用设计PPT
借助实验1的数据，进行计算 使用四个数据的平均值时，通过回归法计算出k=2.0123 只使用V1、V2的平均值时，通过回归法计算出k=2.0182 只使用V1、V3的平均值时，通过回归法计算出k=2.0121 只使用V2、V4的平均值时，通过回归法计算出k=2.0125 只使用V3、V4的平均值时，通过回归法计算出k=2.0064
实验内容
1.测量霍耳电压与工作电流，记录数据测绘VH-IS曲线
恒定磁场，保持励磁电流IM=0.50A，调整工作电流IS,记录数据 根据数据画出VH-IS曲线，
VH-IS曲线
通过回归法可计算出k1=2.0123
2.测量霍耳电压与励磁电流IM，记录数据测绘VH-IM曲线
恒定磁场，保持工作电流IS=3..00mA，调整励磁电流IM,记录数据 根据数据画出VH-IM曲线，
【实验目的】 1．通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔 元件的基本结构； 2．学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、 迁移率等参数的实验方法和技术； 3．学会用“对称测量法”消除副效应所产生的 系统误差的实验方法。 4．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场 分布。 5. 探究能否用更少的数据完成实验
②实验使用了直流电，而且会长时间使用装置， 这样做是否会影响实验结果？ 有影响，爱廷豪森效应—热电效应引起的附加 电压VE被证明无法消除，但可通过使用交流电减 小误差，即便使用直流电，在非大电流，非强磁 场下，VH >> VE，因此VE可忽略不计 实验中本人将一空闲装置启动后单独放置了半 个小时左右，其读数变化不明显（约0.02mV），
0
非大电流，非强磁场下，VH＞＞ VE，因此VE可略而不计
三、利用霍尔效应原理测量磁场
利用霍尔效应测量磁场是霍尔效应原理的典型应用。 若已知材料的霍尔系数RH，通过测量霍尔电压VH， 即可测得磁场。其关系式是
《霍尔效应》答辩题目与解析
《霍尔效应》答辩题目与解析一、请说明霍尔效应本质。
【参考答案】答：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
二、介绍一下霍尔开关。
【参考答案】答：按照霍尔开关的感应方式可将它们分为：单极性霍尔开关、双极性霍尔开关、全极性霍尔开关。
单极性霍尔开关的感应方式：磁场的一个磁极靠近它，输出低电位电压(低电平)或关的信号，磁场磁极离开它输出高电位电压(高电平)或开的信号，但要注意的是，单极性霍尔开关它会指定某磁极感应才有效，一般是正面感应磁场S极，反面感应N极。
双极性霍尔开关的感应方式：因为磁场有两个磁极N、S(正磁或负磁)，所以两个磁极分别控制双极性霍尔开关的开和关(高低电平)，它一般具有锁定的作用，也就是说当磁极离开后，霍尔输出信号不发生改变，直到另一个磁极感应。
另外，双极性霍尔开关的初始状态是随机输出，有可能是高电平，也有可能是低电平。
全极性霍尔开关的感应方式：全极性霍尔开关的感应方式与单极性霍尔开关的感应方式相似，区别在于，单极性霍尔开关会指定磁极，而全极性霍尔开关不会指定磁极，任何磁极靠近输出低电平信号，离开输出高电平信号。
三、为什么选择霍尔传感器进行分析。
【参考答案】答：霍尔传感器是较容易理解的一种霍尔元件，在生活中的应用也非常的广泛，而且霍尔传感器本身非常可以分成很多类别，我只是简单介绍了一下原理和分类，相信学生会比较感兴趣，也能接受。
四、这节课你使用了什么方法，能便于学生认识霍尔效应。
【参考答案】答：首先展示霍尔元件的实物，并介绍它的神奇的用途，会引发学生思考，激发求知欲。
然后多媒体展示霍尔效应的原理动画，清晰地展现电流、磁场和电势差的方向关系，相信学生能直观的感受并理解。
综上，我觉得学生可以清楚地认识霍尔效应。
五、你认为课题研究是否有必要。
【大学物理实验】霍尔效应与应用讲义
【⼤学物理实验】霍尔效应与应⽤讲义霍尔效应与应⽤1879年，年仅24岁的霍尔在导师罗兰教授的⽀持下，设计了⼀个根据运动载流⼦在外磁场中的偏转来确定在导体或半导体中占主导地位的载流⼦类型的实验，霍尔的发现在当时震动了科学界，这种效应被称为霍尔效应。
通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流⼦浓度、载流⼦迁移率等主要参数。
通过测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材科的杂质电离能和材料的禁带宽度。
如今常规霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要⼿段，利⽤该效应制成的霍尔器件已⼴泛⽤于⾮电量的电测量、⾃动控制和信息处理等各个研究领域。
该实验要求学⽣了解霍尔效应的基本原理、霍尔元件的基本结构，测试霍尔元件特性的⽅法，并对测量结果给出正确分析和结论。
⿎励学⽣运⽤霍尔效应的基本原理和霍尔元件的特性，设计⼀些测量磁场，或各种⾮磁性和⾮电性物理量的测量的实验⽅案，例如：磁场分布、位置、位移、⾓度、⾓速度等。
让学⽣更好的运⽤霍尔效应来解决⼀些实际问题。
⼀、预备问题1．霍尔效应在基础研究和应⽤研究⽅⾯有什么价值？2．如何利⽤实验室提供的仪器测量半导体材料的霍尔系数？3．怎样判断霍尔元件载流⼦的类型，计算载流⼦的浓度和迁移速率？4．伴随霍尔效应有那些副效应？如何消除？5．如何利⽤霍尔效应和元件测量磁场？6．如何利⽤霍尔元件进⾏⾮电磁的物理量的测量？7．若磁场的法线不恰好与霍尔元件⽚的法线⼀致，对测量结果会有何影响？如何⽤实验的⽅法判断B与元件法线是否⼀致？8．能否⽤霍尔元件⽚测量交变磁场？⼆、引⾔霍尔效应发现⼀百多年来，在基础和应⽤研究范围不断扩展壮⼤，反常霍尔效应、整数霍尔效应、分数霍尔效应、⾃旋霍尔效应和轨道霍尔效应等相继被发现，并构成了⼀个庞⼤的霍尔效应家族。
1985年克利青、多尔达和派波尔因发现整数量⼦霍尔效应，荣获诺贝尔奖；1998年诺贝尔物学理奖授予苏克林、施特默和崔琦，以表彰他们发现了分数量⼦霍尔效应。
霍尔效应的应用实验报告
一、名称：霍尔效应的应用二、目的：1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件的V H—Is，V H—I M曲线，了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。
3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
三、器材：1、实验仪：（1）电磁铁。
（2）样品和样品架。
（3）Is和I M 换向开关及V H 、Vó切换开关。
2、测试仪：（1）两组恒流源。
（2）直流数字电压表。
四、 原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场H E 。
如图15-1所示的半导体试样，若在X 方向通以电流S I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样 A-A / 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图所示的N 型试样，霍尔电场逆Y 方向，（b ）的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)()(N 0)(型型⇒>⇒<Y E Y E H H显然，霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力H eE 与洛仑兹力B v e 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故Bv e eE H = （1）其中H E 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则bdv ne I S = （2） 由（1）、（2）两式可得：dB I R d BI ne b E V SH S H H ===1(3)即霍尔电压H V （A 、A ／电极之间的电压）与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。
比例系数neR H1=称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
霍尔效应的应用实验报告
一、名称：霍尔效应的应用二、目的：1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件的VH —Is，VH—I M曲线，了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。
3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
三、器材：1、实验仪：（1）电磁铁。
（2）样品和样品架。
（3）Is和I M 换向开关及V H 、Vó切换开关。
2、测试仪：（1）两组恒流源。
（2）直流数字电压表。
四、原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场HE。
如图15-1所示的半导体试样，若在X方向通以电流SI，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样 A-A/ 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图所示的N 型试样，霍尔电场逆Y 方向，（b ）的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)()(N 0)(型型⇒>⇒<Y E Y E H H显然，霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力H eE 与洛仑兹力B v e 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故B v e eE H = （1） 其中H E 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则bd v ne I S = （2） 由（1）、（2）两式可得：dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1 (3) 即霍尔电压H V （A 、A ／电极之间的电压）与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。
比例系数neR H 1=称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
实验报告 霍尔效应原理及其运用
（２）由VH 求载流子浓度 n ，即 n 1/(KH ed ) 。应该指出，这个关系式是假定所有载流 子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入 3 / 8 的修
正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，通系电1，力过根保管据护线生高0不产中仅工资2艺料22高试2可中卷以资配解料置决试技吊卷术顶要是层求指配，机置对组不电在规气进范设行高备继中进电资行保料空护试载高卷与中问带资题负料2荷试2，下卷而高总且中体可资配保料置障试时2卷，32调需3各控要类试在管验最路；大习对限题设度到备内位进来。行确在调保管整机路使组敷其高设在中过正资程常料1工试中况卷，下安要与全加过，强度并看工且25作尽52下可22都能护可地1关以缩于正小管常故路工障高作高中；中资对资料于料试继试卷电卷连保破接护坏管进范口行围处整，理核或高对者中定对资值某料，些试审异卷核常弯与高扁校中度对资固图料定纸试盒，卷位编工置写况.复进保杂行护设自层备动防与处腐装理跨置，接高尤地中其线资要弯料避曲试免半卷错径调误标试高方中等案资，，料要编试求5写、卷技重电保术要气护交设设装底备备置。4高调、动管中试电作线资高气，敷料中课并设3试资件且、技卷料中拒管术试试调绝路中验卷试动敷包方技作设含案术，技线以来术槽及避、系免管统不架启必等动要多方高项案中方；资式对料，整试为套卷解启突决动然高过停中程机语中。文高因电中此气资，课料电件试力中卷高管电中壁气资薄设料、备试接进卷口行保不调护严试装等工置问作调题并试，且技合进术理行，利过要用关求管运电线行力敷高保设中护技资装术料置。试做线卷到缆技准敷术确设指灵原导活则。。：对对在于于分调差线试动盒过保处程护，中装当高置不中高同资中电料资压试料回卷试路技卷交术调叉问试时题技，，术应作是采为指用调发金试电属人机隔员一板，变进需压行要器隔在组开事在处前发理掌生；握内同图部一纸故线资障槽料时内、，设需强备要电制进回造行路厂外须家部同出电时具源切高高断中中习资资题料料电试试源卷卷，试切线验除缆报从敷告而设与采完相用毕关高，技中要术资进资料行料试检，卷查并主和且要检了保测解护处现装理场置。设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
大学物理仿真实验——霍尔效应
仿真实验------霍尔效应实验人：代梦妮一、实验目的：（1）霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用（2）测绘霍尔元件的V H —Is ，V H —I M 曲线，了解霍尔电势差V H 与霍尔元件工作电流Is ，磁场应强度B 及励磁电流I M 之间的关系。
（3）学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。
（4）学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二、实验原理霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如下图(1)所示，磁场B位于Z 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X 正向通以电流Is （称为工作电流），假设载流子为电子（N 型半导体材料），它沿着与电流Is 相反的X 负向运动。
由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负方向的B 侧偏转，并使B 侧形成电子积累，而相对的A 侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f E 的作用。
随着电荷积累的增加，f E 增大，当两力大小相等（方向相反）时， f L =－f E ，则电子积累便达到动态平衡。
这时在A 、B 两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H ，相应的电势差称为霍尔电势V H 。
设电子按平均速度V ，向图示的X 负方向运动，在磁场B 作用下，所受洛仑兹力为：f L =－e V B式中：e 为电子电量，V 为电子漂移平均速度，B 为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为： f E H H eV eE -=-=l图(1) 霍尔效应原理式中：E H 为霍尔电场强度，V H 为霍尔电势，l 为霍尔元件宽度当达到动态平衡时:f L =－f EV B=V H /l (1)设霍尔元件宽度为l ，厚度为d ，载流子浓度为 n ，则霍尔元件的工作电流为 ld V ne Is = (2)由(1)、(2)两式可得：d IsB R d IsB ne l E V H H H ===1 (3)即霍尔电压V H (A 、B 间电压)与Is 、B 的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数)/(1ne R H =称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，只要测出HV （伏），以及s I （安），B （高斯）和d （厘米）可按下式计算H R （厘米3/库仑）。
2023年霍尔效应的应用实验报告
一、名称: 霍尔效应旳应用二、目旳：1. 霍尔效应原理及霍尔元件有关参数旳含义和作用2．测绘霍尔元件旳VH—Is, VH—IM曲线, 理解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is, 磁场应强度B及励磁电流IM之间旳关系。
三、 3. 学习运用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
四、 4. 学习用“对称互换测量法”消除负效应产生旳系统误差。
五、器材：1.试验仪:（1）电磁铁。
（2）样品和样品架。
（3）Is和I M 换向开关及V H 、Vó切换开关。
2.测试仪:（1）两组恒流源。
（2）直流数字电压表。
六、 原理：霍尔效应从本质上讲是运动旳带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起旳偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中, 这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷旳聚积, 从而形成附加旳横向电场, 即霍尔电场 。
如图15-1所示旳半导体试样, 若在X 方向通以电流 , 在Z 方向加磁场 , 则在Y 方向即试样 A-A/ 电极两侧就开始汇集异号电荷而产生对应旳附加电场。
电场旳指向取决于试样旳导电类型。
对图所示旳N 型试样, 霍尔电场逆Y 方向, （b ）旳P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)()(N 0)(型型⇒>⇒<Y E Y E H H显然, 霍尔电场 是制止载流子继续向侧面偏移, 当载流子所受旳横向电场力 与洛仑兹力相等,样品两侧电荷旳积累就到达动态平衡, 故=（1）eEBv eH其中为霍尔电场, 是载流子在电流方向上旳平均漂移速度。
设试样旳宽为b, 厚度为d, 载流子浓度为n , 则=（2）IbdnevS由（1）、（2）两式可得: (3)即霍尔电压（A 、A／电极之间旳电压）与乘积成正比与试样厚度成反比。
比例系数称为霍尔系数, 它是反应材料霍尔效应强弱旳重要参数。
只要测出（伏）以及懂得（安）、（高斯）和（厘米）可按下式计算（厘米3／库仑）：RH＝（4）上式中旳108是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯）而其他各量均采用CGS实用单位而引入。
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与各副效应电压的叠加值：
H
·不等势电压降 V 0∝d
·Ettingshausen（爱廷豪森）-热电效应引起的附加电压 V E
∝Is·B
·Nernst(能斯特)—热磁效应直接引起的附加电压 V N∝Q·B ·Righi-leduc(里纪—勒杜克)—热磁效应产生的温差引起的附
加电压VRL ∝S·B
4
实验原理与实验方法
用直流电则由于该效应的存在而给霍尔电压的测量带来误差，
如果采用交流电，则由于交流变化快使得该效应未及“建 立”，可减小测量误差V。E 由于 的大小和正负I S 号与 、B的 大小和方向有VH关,跟I S 与 、B的关系相同,所以不能在测量中 I S 用改变 和B方向的方法消除，但其引入的误差小，可以忽
1 实验原理与实验方法 2 实验器材与实验步骤 3 实验结果记录与分析 4 实验结论与延伸讨论 5 实验小结与参考文献
目录
1
1.1 霍尔效应Hall Effect
实验原理与实验方法
载流体置于垂向分量非零磁场中，运动带电粒子受洛仑兹力
作用而偏转。囿于固体材料，导致在垂直电流及磁场方向电
荷聚积，形成横向电场。当载流子所受横电场力与洛仑兹力
V4 =-VH -V0 +VN +VRL -VE
测V1、V2、V3和V4可得 VHVEV1V2 4V3V4 由于VE符号与IS和B两者方向关系和VH是相同的，无法消除，
然非大电流，非强磁场下，VH＞＞VE，因此VE可略而不计，
所以霍尔电压为：VH≈（V1-V2+V3-V4）/4
此即“对称测量法”。
9
1. 2
几个系统误差及其消除：背景磁场 B0
通常环境背景磁场主要为地磁场而不随时间变化来对称地消除。
背景磁场数量级小（0.05mT左右），一般可以忽略。
如果周遭有强磁场乃至交变强磁场时，应该更换实验室。
此外，霍尔效应伴随多种与热相关的副效应，测得的霍尔电
极A、A´之间的电压实为V
而
， VN 的符号只与B的方向有关，与VN的方向无关，
可通过改变B的方向予以消除；
7
实验原理与实验方法
1. 2
Righi-leduc热磁效应温差附加电压 VR ∝S·B
L
因载流子的速度统计分布，由Nernst效应产生的X方向热扩
散电热电流也有Ettingshausen效应，在Z的方向磁场B作用下，
1. 3
利用霍尔效应原理测量磁场
实验原理与实验方法
利用霍尔效应测量磁场是霍尔效应原理的典型应用。若
已知材料的霍尔系数 R
，根据 H
VHEHbn 1eIS dBRHIS dB
1. 2
几个系统误差及其消除：不等势电压降 V0 ∝d
由于测量霍尔电压的A、A´两电极不可能绝对对称地焊在霍
尔片的两侧，位置不在一理想的等势面上，即使不加磁场， 只要有电流 I S通过，即有电压V 0 ＝I S ·r，其中r为A、A´所在 的两等势面之间电阻。
在测量VH时，叠加 ，使得 VH值偏大（当V 0 与VH 同号）或偏 小（当 V 0与VH异号）。 的符号取决于 I S 和B两者的方向， 而V 0 只与 I S 方向有关，而与磁感应强度B方向无关，因此I S 可以通过改变 I S 的方向予以消除；
2
实验原理与实验方法
1.1 霍尔效应Hall Effect
由
与 有 IS q t n ltbdenvebd
VH
EH
b
1 ne
ISB d
RH
ISB d
（考虑载流子的速度统计分布，需引入3π/8的修正因子。）
比例系数 R H=1/ne称霍尔系数。可用于： 1.判断载流子种类；
2.由 n
1 RH e
将在Y方向产生温度梯度dT ´，此温差在Y方向产生附加温差
电动势VRL。
dy
VRL的符号只与B的方向有关，亦能消除。
8
1. 2
对称测量法
实验原理与实验方法
实验中测得的A 、A´之间的电压除VH外还包含V0 、VN、
VRL和VE各电压的代数和，其中V0、VN和VRL均通过改变Is
和B方向的方法予以消除。具体方法是在规定了电流和磁场
相等，即达到平衡，有 eEH evB。E H 称霍尔电场，v 为载流子在
电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b，厚度为d， 载流子浓度为n，则 。 IS q t n ltbdenvebd
A
B IS
Ev
HA
/
ff-ee C mV
m
IS
EH+e
fev f m
A
图1. 霍尔效应原理示意图，a）为N型（电子） b）为P型（孔穴）
5
实验原理与实验方法
1. 2
Ettingshausen-热电效应附加电压 VE ∝ Is·B
载流子迁移速率存在统计分布，霍耳电压达稳定值VH 时，若
速度为v的载流子所受洛仑兹力与霍尔电场力刚好抵消，则 速度小于/大于v的载流子受到的洛仑磁力小于/大于霍尔电 场的作用力，将向霍尔电场作用力/洛伦兹力方向偏转，而 速度大的载流子会聚集在半导体材料的一侧,温度较高；而 速度小的载流子聚集在另侧,温度较低。 由于测量电极和半导体两者材料不同,电极和半导体之间形 成温差电偶,这一温差产生温差电动势V E,而产生电势差，此 为Ettingshausen（爱庭豪森）效应。效应建立需要时间，采
正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的IS和B的组
合的A 、A´之间的电压。
当（+Is、+B）时
V1= VH +V0 +VN +VRL +VE
当（+Is、-B）时 V2 =-VH +V0 -VN -VRL -VE
当（-Is、-B）时 V3 =VH -V0 -VN -VRL +VE
当（-Is、+B）时
求n；
3.电导率σ与载流子浓度n及迁移率μ有σ=neμ即
R，H 测
出σ值即可求μ 。
（σ可由在零磁场下，测量B、C电极间的电位差 VBC，由下式
求得 ：
。） Is LBC VBC S
霍尔器件厚度一定，常用
KH
RH d
来表示器件的灵敏度，称霍
尔灵敏度，单位为mV/(mA·T) 。
3
实验原理与实验方法
6
实验原理与实验方法
1. 2
Nernst—热磁效应引起附加电压VN∝Q·B
接触电阻不完全相同。当工作电流 I S 通过不同接触电阻时会 产生不同的焦耳热,并因温差产生一个温差电动势,此电动势又 产生温差电流Q(称为热电流),在磁场的作用下偏转,在Y方向产 生附加电势差 VN ，这就是Nernst效应。