单晶实验报告
晶体光学实验报告_详解(3篇)
第1篇实验名称：晶体光学性质观测分析实验日期：2023年11月10日实验地点：实验室晶体光学实验室一、实验目的1. 熟悉单轴晶体光学性质，包括晶体的消光现象、干涉色级序等。
2. 了解偏光显微镜原理，并掌握其使用方法。
3. 观察晶体的类别、轴向和光性正负等特征，估计晶片的光程差。
4. 通过实验加深对晶体光学性质的理解，为后续相关研究打下基础。
二、实验原理晶体光学性质是指晶体对光的传播、反射、折射等过程所表现出的特殊性质。
晶体中的原子、离子或分子按照一定的规律排列，形成周期性结构，导致光在晶体中传播时，表现出各向异性。
本实验通过观测和分析晶体光学性质，了解晶体内部结构对光传播的影响。
三、实验仪器与材料1. 仪器：偏光显微镜、光源、起偏器、检偏器、物镜、目镜、载物台、旋转台、光源控制器等。
2. 材料：各种晶体样品（如石英、方解石、云母等）。
四、实验步骤1. 准备工作：将晶体样品放置在载物台上，调整光源和显微镜的焦距，确保能够清晰地观察到样品。
2. 起偏器调节：将起偏器放置在显微镜的光路上，调整起偏器的角度，观察样品在不同偏振方向下的光学现象。
3. 观察消光现象：在起偏器固定位置下，旋转样品，观察消光现象。
记录消光位置，分析晶体的消光规律。
4. 观察干涉色级序：调整起偏器和检偏器的角度，观察样品在不同干涉级序下的颜色变化，记录干涉色级序。
5. 观察晶体类别、轴向和光性正负：通过偏光显微镜观察样品的晶面、晶轴和光性，记录观察结果。
6. 光程差测量：利用偏光显微镜测量晶片的光程差，计算晶片的光学厚度。
五、实验结果与分析1. 消光现象：在实验过程中，观察到晶体样品在不同偏振方向下呈现出消光现象。
根据消光位置，分析出样品的消光规律，进一步了解晶体内部结构。
2. 干涉色级序：在调整起偏器和检偏器角度的过程中，观察到样品在不同干涉级序下呈现出不同的颜色。
根据干涉色级序，分析出样品的光学性质。
3. 晶体类别、轴向和光性正负：通过偏光显微镜观察，确定了样品的晶体类别、轴向和光性正负。
单晶分析报告
单晶分析报告1. 简介本文档是对某种单晶进行分析的报告。
我们将从晶体的基本信息、晶体结构、晶体性质以及应用领域等方面进行详细的分析和讨论。
2. 晶体基本信息•晶体名称：[晶体名称]•晶体化学式：[化学式]•晶体结构类型：[结构类型]•晶胞参数：[晶胞参数]•晶体密度：[密度]3. 晶体结构分析本节将对该晶体的结构进行详细的分析和描述，并给出具体的晶体结构参数。
同时，我们还将通过晶体结构图和结构模型展示晶体的结构特征。
4. 晶体性质分析本节将对该晶体的物理、化学性质进行分析和研究。
我们将主要从以下几个方面进行讨论：4.1. 光学性质•折射率：[折射率]•双折射：[双折射]•颜色：[颜色]4.2. 磁学性质•磁性：[磁性性质]•磁矩：[磁矩大小]4.3. 热学性质•热膨胀系数：[热膨胀系数]•热导率：[热导率]4.4. 电学性质•电导率：[电导率]•介电常数：[介电常数]5. 应用领域根据该晶体的性质和特点，我们可以将其应用于以下领域：•光学器件制造•电子器件制造•磁性材料制备6. 结论通过对该晶体的分析和研究，我们得出以下几点结论：1.该晶体具有良好的光学性质，适合用于光学器件的制造。
2.该晶体具有较高的磁矩，可用于制造磁性材料。
3.该晶体的热膨胀系数适中，可用于高温环境下的应用。
7. 参考文献•[参考文献1]•[参考文献2]•[参考文献3]以上是对某种单晶进行分析的报告，希望能对您的工作和研究有所帮助。
单晶切片实习报告
一、实习目的本次实习旨在通过实际操作，掌握单晶切片的基本原理和工艺流程，提高对单晶材料制备过程的了解，培养实际操作能力和团队协作精神。
二、实习时间2023年X月X日至X月X日三、实习地点XX大学材料科学与工程学院实验室四、实习内容1. 单晶生长原理及设备介绍首先，我们了解了单晶生长的基本原理，包括熔体生长、气相生长和溶液生长等。
接着，我们对实验室中使用的单晶生长设备进行了了解，如籽晶炉、生长炉等。
2. 单晶切片工艺流程（1）单晶切割：采用切割机对单晶进行切割，得到所需尺寸和形状的样品。
（2）单晶抛光：使用抛光机对切割后的单晶样品进行抛光，使其表面光滑、平整。
（3）单晶清洗：将抛光后的样品放入清洗液中，进行清洗，去除表面的杂质。
3. 单晶切片操作（1）切割：根据实验要求，选择合适的切割机进行切割。
在切割过程中，要注意切割速度、切割角度和切割力等因素。
（2）抛光：将切割后的样品放入抛光机，按照设定的抛光参数进行抛光。
抛光过程中，要注意抛光液的选择、抛光时间和抛光力度等。
（3）清洗：将抛光后的样品放入清洗液中，按照清洗液的种类和清洗时间进行清洗。
五、实习成果通过本次实习，我们掌握了单晶切片的基本原理和工艺流程，提高了实际操作能力。
具体成果如下：1. 成功完成单晶切割、抛光和清洗等操作，得到所需的单晶样品。
2. 熟悉了实验室中使用的单晶生长设备和单晶切片设备。
3. 增强了团队协作精神，与同学共同完成实验任务。
六、实习体会1. 实践是检验真理的唯一标准。
通过实际操作，我们对单晶切片过程有了更深入的了解。
2. 团队协作精神在实验过程中至关重要。
只有团结协作，才能完成实验任务。
3. 实验过程中，我们要严谨对待每一个环节，确保实验结果的准确性。
4. 实习过程中，我们遇到了一些困难，但在老师和同学的帮助下，我们克服了这些困难，提高了自己的实际操作能力。
总之，本次实习让我们受益匪浅，不仅掌握了单晶切片的基本原理和工艺流程，还提高了自己的实际操作能力和团队协作精神。
单晶实验报告精品
引言概述：单晶实验是材料科学领域中一项重要的实验技术，在各个学科领域都有广泛的应用。
本文将围绕单晶实验进行详细的讲解与分析。
正文内容：一、单晶实验的概述1.单晶实验的定义和背景2.单晶实验的意义和应用范围3.单晶实验的基本原理和步骤4.单晶实验中的常见实验器具和试剂5.单晶实验的实验条件和要求二、单晶的制备方法1.凝固法制备单晶的原理和步骤2.溶液法制备单晶的原理和步骤3.熔融法制备单晶的原理和步骤4.化学气相输运法制备单晶的原理和步骤5.拉伸法制备单晶的原理和步骤三、单晶实验的性质表征1.X射线衍射技术在单晶实验中的应用2.傅里叶变换红外光谱技术在单晶实验中的应用3.核磁共振技术在单晶实验中的应用4.电子显微镜技术在单晶实验中的应用5.热分析技术在单晶实验中的应用四、单晶的结构与性能研究1.单晶的结构研究方法及其原理2.单晶的晶体学参数测定方法3.单晶的晶格缺陷与材料性能的关系探究4.单晶的应力分析和变形机制研究5.单晶的磁性与电性能分析与研究五、单晶实验的准确性和可靠性分析1.单晶实验中的误差来源分析2.单晶实验结果的可重复性和验证性3.单晶实验中数据处理与分析方法4.单晶实验的数据精确度和精密度评估5.单晶实验结果的解读和应用前景总结：本文对单晶实验进行了全面深入的讲解和分析，从单晶实验的概述开始，详细介绍了单晶的制备方法、性质表征、结构与性能研究以及实验的准确性和可靠性分析。
通过本文的阐述，读者可以全面了解单晶实验的基本知识和操作技巧，并且对其在材料科学领域中的应用有更深入的了解和认识。
希望本文能为单晶实验的研究提供有价值的参考。
最新单晶实验报告
最新单晶实验报告
在本次实验中，我们对单晶硅的生长过程进行了深入研究。
首先，我
们采用了Czochralski方法（CZ法）来培养单晶硅。
这种方法涉及将
硅材料置于高温的石英坩埚中，并利用加热元件加热至硅的熔点以上。
通过缓慢提拉坩埚和/或旋转加热元件，我们成功地生长了一根直径均匀、无明显缺陷的单晶硅锭。
在实验过程中，我们严格控制了温度梯度和生长速率，以确保单晶的
质量。
我们还监测了氧气和碳的含量，因为这些杂质会对单晶的性能
产生显著影响。
通过优化生长参数，我们得到了具有较低氧含量和碳
含量的单晶硅。
此外，我们还对单晶硅的结构和性能进行了详细分析。
利用X射线衍
射（XRD）技术，我们确认了单晶硅的晶体结构。
通过扫描电子显微镜（SEM）观察，我们发现单晶表面光滑，无宏观缺陷。
电学性能测试显示，单晶硅的载流子迁移率和电阻率均符合预期，表明其适合用于高
性能电子器件。
最后，我们探讨了通过改变生长条件来进一步改善单晶硅性能的可能性。
例如，通过调整提拉速率和温度梯度，我们可以控制晶格中的掺
杂剂分布，从而优化电子特性。
未来的工作将集中在这些方面的优化，以及探索新的单晶生长技术，如浮区法（FZ法）和磁控溅射法。
总结来说，本次实验成功地生长了高质量的单晶硅，并对其结构和性
能进行了全面评估。
这些成果为进一步研究和开发高性能硅基电子材
料奠定了坚实的基础。
单晶实习报告
一、实习目的通过本次单晶硅实习，了解单晶硅的生产工艺流程，掌握单晶硅的生产技术，熟悉单晶硅生产设备，提高自己的实际操作能力，为今后从事相关工作打下基础。
二、实习时间及地点实习时间：2023年X月X日至2023年X月X日实习地点：XX科技有限公司三、实习内容1. 单晶硅生产工艺流程（1）硅料熔化：将高纯度的硅粉和硼粉按一定比例混合，放入单晶炉中进行熔化。
（2）单晶生长：将熔化后的硅液倒入籽晶杆上，通过单晶炉的冷却系统，使硅液缓慢凝固，形成单晶硅棒。
（3）单晶硅棒切割：将生长出的单晶硅棒进行切割，得到所需尺寸的单晶硅片。
（4）单晶硅片清洗：对切割出的单晶硅片进行清洗，去除表面杂质。
（5）单晶硅片扩散：将清洗后的单晶硅片进行扩散处理，形成PN结。
（6）单晶硅片蚀刻：对扩散后的单晶硅片进行蚀刻，形成太阳能电池的电极。
（7）太阳能电池片封装：将蚀刻后的单晶硅片进行封装，形成太阳能电池片。
2. 单晶硅生产设备（1）单晶炉：用于熔化硅料和生长单晶硅棒。
（2）切割机：用于切割单晶硅棒，得到所需尺寸的单晶硅片。
（3）清洗设备：用于清洗单晶硅片，去除表面杂质。
（4）扩散炉：用于扩散处理单晶硅片，形成PN结。
（5）蚀刻机：用于蚀刻单晶硅片，形成太阳能电池的电极。
（6）封装机：用于封装单晶硅片，形成太阳能电池片。
3. 实习操作（1）观察单晶炉熔化硅料的过程，了解熔化温度、时间等因素对硅料熔化的影响。
（2）学习单晶生长过程中的冷却系统操作，掌握冷却速度、温度等参数的调整方法。
（3）观察切割机切割单晶硅棒的过程，了解切割速度、压力等因素对切割质量的影响。
（4）学习清洗设备清洗单晶硅片的方法，掌握清洗液的配比、清洗时间等参数。
（5）观察扩散炉扩散处理单晶硅片的过程，了解扩散温度、时间等因素对PN结形成的影响。
（6）学习蚀刻机蚀刻单晶硅片的方法，掌握蚀刻液配比、蚀刻时间等参数。
（7）观察封装机封装单晶硅片的过程，了解封装材料、封装工艺等因素对太阳能电池片性能的影响。
单晶运行工实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，半导体行业在我国得到了迅猛的发展。
单晶硅作为半导体行业的基础材料，其生产过程对技术要求极高。
为了深入了解单晶硅生产过程，提高自己的专业技能，我于2023年在某半导体企业进行了为期一个月的单晶运行工实习。
二、实习单位及岗位实习单位：某半导体企业实习岗位：单晶运行工三、实习内容1. 单晶硅生产原理及工艺流程在实习期间，我首先学习了单晶硅的生产原理及工艺流程。
单晶硅的生产主要包括以下几个步骤：（1）原料准备：将石英砂、焦炭等原料进行混合，制成硅料。
（2）还原：将硅料在高温下进行还原，得到多晶硅。
（3）熔炼：将多晶硅熔炼成硅锭。
（4）拉晶：将硅锭在高温下进行拉晶，得到单晶硅棒。
（5）切割、抛光：将单晶硅棒切割成硅片，并进行抛光处理。
2. 单晶生长设备操作及维护在实习期间，我学习了单晶生长设备的基本操作及维护方法。
单晶生长设备主要包括：（1）单晶炉：用于熔炼多晶硅和生长单晶硅。
（2）机械臂：用于操作硅锭、硅棒等。
（3）检测设备：用于检测硅锭、硅棒的质量。
（4）冷却系统：用于保证单晶生长过程中的温度稳定。
我跟随师傅学习了单晶炉的操作流程，包括设备启动、硅锭的放置、温度控制等。
同时，我还学习了设备的维护保养方法，确保设备正常运行。
3. 单晶硅质量控制单晶硅的质量直接影响到半导体器件的性能。
在实习期间，我学习了单晶硅的质量控制方法，包括：（1）外观检查：检查硅锭、硅棒的外观是否有裂纹、杂质等。
（2）化学成分分析：分析硅锭、硅棒的化学成分是否符合要求。
（3）电阻率测试：测试硅锭、硅棒的电阻率。
（4）晶向测试：测试硅锭、硅棒的晶向。
4. 安全生产及应急预案在实习期间，我学习了安全生产的基本知识和应急预案。
安全生产是企业发展的基础，作为一名单晶运行工，我深知安全生产的重要性。
我学习了如何正确佩戴个人防护用品，如何应对突发事件等。
四、实习收获1. 提高了自己的专业技能通过实习，我对单晶硅的生产过程有了更加深入的了解，提高了自己的专业技能。
单晶硅熔接实验报告(Diping Test Report)
使用上一炉的引晶部分进行熔接，因不需用母籽晶与熔液接触，这样母籽晶就没 有什么损耗，而且由于留取一段上一炉引晶部分，多次试温过程母籽晶也没有任 何的损耗。因此只要母籽晶与籽晶夹接触没有破损或母籽晶在生产中本身没有缺 陷的产生，那么一个母籽晶就可以N次的使用。
验设备）拉制次数、受率
与熔接试验拉制次数、受 率比较如下：
Pre-Test
Post-Test
Normal
Average Pre-Test Post-Test Normal
Att# 2.2 2.3 3.4
Yield
Avg. Yield (%)
Production Yield
82.49% 81.42% 72.94%
T2
1200℃
L
T1 : Dipping Position,
T2 : Seed Chuck & Weight k : Conductivity A : Cross-section Area L : Distance T1 ~ T2
1300℃ 1380℃ 1400℃
T1
Finally, the Dip Power is depend on Seed chuck & Weight cold or hot.
Pre-Test
Post-Test
Normal
Ⅱ. 试验结果分析
试验结果分析
由以上数据及分析可以得知： 1. 新熔接方法单晶拉制工艺比较稳定，引晶次数都在1 －3之间，没有很大的波动； 2. 引晶的平均次数为2.3，低于12月份整个生产平均引晶次数3.4，相应的提高了产能 ； 3. 因为拉制的单晶棒都为完整的晶棒，很少拉二节，所以单晶的合格率远高于12月
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高级物理化学实验报告实验项目名称:X-射线单晶衍射实验:单晶结构分析及应用学生姓名与学号：指导教师：黄长沧老师成绩评定：评阅教师：日期：2014 年月日X-射线衍射法测定物质结构一. 实验目的1. 学习了解X 射线衍射仪的结构和工作原理。
2. 了解X-射线单晶衍射仪的使用方法。
3. 掌握X 射线衍射物相定性分析的方法及步骤。
二．实验原理根据晶体对X 射线的衍射特征－衍射线的位置、强度及数量来鉴定结晶物质之物相的方法，就是X 射线物相分析法。
利用晶体形成的X 射线衍射，对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。
将具有一定波长的X 射线照射到结晶性物质上时，X 射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射，散射的X 射线在某些方向上相位得到加强，从而显示与结晶结构相对应的特有的衍射现象。
利用单晶体对X 射线的衍射效应来测定晶体结构实验方法。
衍射X 射线满足布拉格（W.L.Bragg ）方程：2dsinθ=nλ式中：λ是X 射线的波长；θ是衍射角；d 是结晶面间隔；n 是整数。
波长λ可用已知的X 射线衍射角测定，进而求得面间隔，即结晶内原子或离子的规则排列状态。
将求出的衍射X 射线强度和面间隔与已知的表对照，即可确定试样结晶的物质结构。
样品X-射线衍射采集的数据采用Crystalclear 程序还原，使用multi-scan 或numberic 方式进行吸收校正。
结构解析使用SHELX-97程序包，用直接法解出。
非氢原子的坐标和各向异性温度因子采用全矩阵最小二乘法进行结构修正。
配合物的氢原子坐标由差傅里叶合成或理论加氢程序找出。
所有或部分氢原子的坐标和各向同性温度因子参加结构计算，但不参与结构精修。
结构分析过程中使用的最小二乘函数、偏离因子、权重偏离因子、权重因子等数学表达式如下：最小二乘函数： Ls ＝1()ncioi i FF =-∑2温度因子：Ueq=1/3∑i∑j U ij αi *.αj *.αi . αj偏离因子：11nci oii noii F F R F==-=∑∑权重偏离因子：()221/221221n i ci oi i noi i w F F wR F ==⎡⎤-⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎣⎦∑∑权重因子：()()2122o w F AP BP σ-⎡⎤=++⎣⎦，()222/3o c p F F =+每一种结晶物质都有各自独特的化学组成和晶体结构。
没有任何两种物质，它们的晶胞大小、质点种类及其在晶胞中的排列方式是完全一致的。
因此，当X 射线被晶体衍射时，每一种结晶物质都有自己独特的衍射花样，它们的特征可以用各个衍射晶面间距d 和衍射线的相对强度I ／I 0来表征。
其中晶面间距d 与晶胞的形状和大小有关，相对强度则与质点的种类及其在晶胞中的位置有关。
所以任何一种结晶物质的衍射数据d 和I ／I 0是其晶体结构的必然反映，因而可以根据它们来鉴别结晶物质的物相[1]。
X-射线衍射数据收集是在日本理学公司Rigaku Saturn 724 CCD 单晶衍射仪上完成。
在293K 条件下，采用石墨单色化的Mo K α射线 (λ=0.71073 Å )作为X 射线源，以ω扫描方式在一定的角度范围内收集衍射点，选取I>2σ(I)的独立衍射点用于单晶结构分析。
三. 实验仪器1. Rigaku Saturn 724 CCD 单晶衍射仪 日本理学公司2.XTS20体式变倍显微镜（×4.5倍） 北京泰克仪器有限公司四．实验步骤1.培养晶体 主要方法有：溶剂挥发法，溶剂热法（水热法）等2.挑选合适大小的单晶在显微镜下挑选晶体，晶体合适尺寸范围：金属配合物和金属有机化合物为0.1~0.5mm ；纯有机物为0.3~0.5mm;纯无机化合物0.1mm 左右。
3.仪器的开机3.1开墙上的电源和UPS 电源（包括冷却水的） 3.2开隔壁的冷却水系统3.3开衍射仪后左下角的主电源开关3.4开衍射仪前面左下门里面的三个电源开关 3.5开衍射仪后面地上的CCD 冷却系统Cryo Tiger3.6开衍射仪前面右下门里面的控制电脑3.7开桌上的PC机3.8开衍射仪左面板上的Power，开X－Ray。
等面板上的显示稳定后，先缓慢调整电压到50 KV，然后再缓慢调整电流到40 mA。
3.9打开PC电脑桌面上的Crystalclear程序开始收集和测试。
4.单晶安装及测试将挑选好的单晶置于单晶衍射仪的载晶台上，调整好晶体的位置，收集一定数量衍射画面的衍射点用于确定晶体的单胞参数和质量，精确度在90%以上即可进行数据测定。
根据晶体的类别、大小和衍射强弱，设定衍射实验所需的曝光时间。
5.收集衍射强度数据及还原数据通过CCDX-射线单晶衍射仪对数据进行采集，再进行数据吸收校正和还原。
五．单晶结构解析1．晶体的初始结构模型，在PC机上用SHELX-97结构解析程序，选用直接法或Patterson法解出。
2.利用SHELX-97结构解析程序，非氢原子的坐标和各向异性温度因子采用全矩阵最小二乘法进行结构修正。
化合物的氢原子坐标由差Fourier合成和理论加氢程序找出。
3.通过软件进行结构精修，画出结构图形。
如下图所示。
4.化合物的晶体学数据和衍射强度的收集条件见表。
六．配合物晶体结构描述和分析该[Cd2(OH)(Cl)(atz)(isonic)]n•nxH2O其中[(Hatz = 5-amino-tetrazolate), (Hisonic = isonicotinic acid)] 配合物属于单斜晶系，C2/m空间群。
不对称单元包括2个Cd(II)，Cd1处在镜面上，Cd2位于对称中心的特殊位置上，这个atz-以及isonic- 离子贯穿这个镜面。
Cl-以及羟基上的氧，游离的水也处在镜面上。
如图一所示，这个羟基桥联了三个Cd, 形成了一个以OH-为中心的等腰三角形Cd3(µ3-OH)，其中O偏离这个三角形平面0.5464 (22) Å。
这个三角形的每一条边桥联一个atz-,形成Cd3(µ3-OH)(atz)3单元。
因为Cd2位于对称中心，这个对称操作将Cd3(µ3-OH)(atz)3形成[Cd2(OH)(atz)]n沿a 方向的带子形状（如图二所示）。
这条带子的边缘有与Cd1配位的氯离子。
而层状带子之间通过弱的配位键Cd-Cl viii形成二维的波浪层状结构，再由柱撑的isonic- 构筑三维结构。
在这个配合物中Cd均为八面体的六配位模式，Cd1与µ3-OH，以及来自两个atz-的N [N2 与N2ii; 对称操作: (ii) x, -y+1, z], 一个Cl-。
轴向位置则由一个异烟酸中吡啶上的N [N1i, 对称操作: (i) x+1/2, y+1/2, z]以及一个Cl- [Cl1viii, 对称操作: (viii) -x, y,-z] 所占据。
Cd2 配位八面体中的赤道平面由两个羧基中的两个O [O1 and O1iii, 对称操作: (iii) -x+1/2, -y+1/2, -z+1] 以及两个µ3-OH 中的两个O [O2 and O2vii, 对称操作: (vii) -x+1/2, y-1/2, -z+1]占据。
轴向位置由两个atz-中两个N [N3, N3iii ] 占据。
Cd1-O2、Cd1—N1i、Cd1—N2、Cd1—Cl1、Cd2—O2、Cd2—O1和Cd2—N3键长分别是2.256(2) Å、2.362 (3) Å、2.3978 (18) Å、2.5086 (14)Å、2.2301 (14) Å、2.2832 (17)Å和2.3627 (18)Å，他们与相关配合物的文献[2,3]报道键长一致。
图1 配合物的配位环境图对称操作码：(i) x+1/2, y+1/2, z; (ii) x, -y+1, z; (iii) -x+1/2, -y+1/2, -z+1; (iv) -x+1/2, y+1/2, -z+1; (v) x, -y, z; (vii) -x+1/2, y-1/2, -z+1; (viii) -x, y, -z; (ix) x, y+1, z.图2 一维[Cd2(OH)(atz)]n带状图图3 通过层状间的Cd-Cl键连接而成的二维结构。
图四通过异烟酸桥联形成的二维结构。
图五通过Cd-Cl 与桥联的异烟酸形成的三维结构。
Table 1. Crystal data and structure refinement for compound 1.Empirical formula C7 H7 Cd2 Cl N6 O3.14Formula weight 485.68Temperature 293(2) KWavelength 0.71073 ÅCrystal system MonoclinicSpace group C2/mUnit cell dimensions a = 19.479(4) Å alpha = 90degb = 6.9971(14) Å beta = 132.52(3)degc = 13.235(3) Å gamma = 90degV olume 1329.5(5) Å3Z 4Density (calculated) 2.426 Mg/m3Absorption coefficient 3.413 mm-1F(000) 916Crystal size 0.35 x 0.25 x 0.20 mmTheta range for data collection 3.08 to 27.48 deg.Index ranges -25<=h<=25; -8<=k<=9; -17<=l<=17 Reflections collected 6579Independent reflections 1648 [R(int) = 0.0218]Reflections observed (>2sigma) 1560Data Completeness 0.998Absorption correction NoneRefinement method Full-matrix least-squares on F@2Data / restraints / parameters 1648 / 0 / 110Goodness-of-fit on F@2 1.058Final R indices [I>2sigma(I)] R1 = 0.0169 wR2 = 0.0390R indices (all data) R1 = 0.0184 wR2 = 0.0395Largest diff. peak and hole 0.500 and -0.706e. Å-3Table 2. Atomic coordinates (ｘ104) and equivalent isotropic displacement parameters (Å2 x 103) for 1.Atom x y z U(eq)Cd(1) 1421(1) 5000 1590(1) 17(1)Cd(2) 2500 2500 5000 16(1)Cl(1) 370(1) 5000 -970(1) 32(1)O(2) 1763(2) 5000 3594(2) 17(1)O(1) 1106(1) 1600(3) 4294(2) 39(1)N(1) -2091(2) 0 2310(3) 28(1)N(2) 1499(1) 1579(3) 1730(2) 20(1)N(3) 1992(1) 920(2) 3016(2) 20(1)N(4) 706(2) 0 -400(3) 36(1)C(1) -1637(2) -1605(4) 2569(4) 50(1)C(2) -736(2) -1669(4) 3106(4) 48(1)C(3) -265(2) 0 3404(3) 23(1)C(4) 739(2) 0 4051(3) 25(1)C(5) 1208(2) 0 960(3) 18(1)OW1 787(14) 5000 5240(20) 39(7)Table 3. Bond lengths [Å] and angles [deg] for 1.Cd1—O2 2.256 (2) Cd2—O2 2.2301 (14)Cd1—N1i 2.362 (3) Cd2—O1 2.2832 (17)Cd1—N2 2.3978 (18) Cd2—N3 2.3627 (18)Cd1—Cl1 2.5086 (14)O2—Cd1—N1i102.65 (10) N1i—Cd1—Cl1 101.76 (8)O2—Cd1—N2 87.50 (4) N2—Cd1—Cl1 93.18 (4)N1i—Cd1—N2 88.41 (4) O2—Cd2—O1 87.61 (8)N2ii—Cd1—N2 173.35 (8) O2—Cd2—N3iii96.34 (6)O2—Cd1—Cl1 155.59 (6) O1—Cd2—N3iii94.18 (7) Symmetry codes: (i) x+1/2, y+1/2, z; (ii) x, −y+1, z; (iii) −x+1/2, −y+1/2, −z+1.参考文献[1] 陈小明,蔡继文.单晶结构分析原理与实践（第二版）.北京:科学出版社,2007[2] Liu, D.-S., Huang, G.-S., Huang, C.-C., Huang, X.-H., Chen, J.-Z. & You, X.-Z. (2009). Cryst. Growth Des. 9, 5117–5127.[3] Liu, D.-S., Huang, X.-H., Huang, C.-C., Huang, G.-S. & Chen, J.-Z. (2009). J. Solid State Chem. 182, 489–498.。