NANDFLASH 常见问题汇总
对于nandflash坏块的一些处理办法(2)
对于nandflash坏块的一些处理办法（2）2012年02月16日12:22:15
有时候系统启动发生问题，我们还疑nand有坏快，那我们就对nand来进行读写的操作，我们先在制定的内存地址给nand写入一些数据，然后再读出来。
如果写入和读出的数据一样，那么我们就能确定nand这一片区域是没有坏块的，具体操作如下：
首先启动开发板，按空格键进入uboot状态，输入md命令来显示内存c0008000处的数据，当然这个地址随便你选择，你想测试哪里你就选哪里。
然后我们把数据写入到nandflash，nand write c0008000 80000 500000
这里我解释一下，c0008000是内存的地址，80000是我们要写入的nandflash的地址，500000是我们要写入的数据的长度
然后呢，我们把这c0008000的数据修改一下，用mm命令,我这里把c0008000处的数据修改成了12121212，把c0008004的数据修改成了21212121.然后你若是不想再修改其他的，按一下空格键，再按一下enter键，退出修改。
下面我们看一下修改的结果
然后呢，我们再把nandflash上的内容读回来，nand read c0008000 80000 500000
和刚开始的时候是一样的，OK，那说明nand这里没有问题。
flash技术问题和解决办法
flash技术问题和解决办法
Flash技术遇到的问题和解决办法主要包括以下几个方面：
1. 浏览器兼容性问题：由于Flash技术逐渐被淘汰，一些
现代的浏览器已经不再支持Flash或者默认禁用了Flash插件。
解决此类问题的方法是在网站中使用
5技术替代Flash技术，例如使用
5的视频和音频标签来代替Flash播放器。
2. 性能问题：Flash技术在运行时可能消耗大量的系统资源，导致网页加载缓慢，甚至出现卡顿现象。
解决此类问题的
方法是优化Flash的编码和设计，减少不必要的资源消耗。
3. 安全问题：Flash技术由于其历史悠久和广泛使用，成为黑客攻击的目标，容易受到各种安全漏洞的攻击。
解决此
类问题的方法是尽量不使用Flash技术，转而使用更安全的5技术。
4. 移动设备不支持问题：Flash技术在移动设备上的支持有限，苹果公司的iOS设备甚至从一开始就不支持Flash。
解
决此类问题的方法是在开发网站时不依赖于Flash技术，而是使用基于
5的解决方案。
5.
不再更新问题：Adobe公司于
年停止了对Flash技术的更新和维护，绝大多数浏览器也计划在
年之后彻底禁用Flash插件。
解决此类问题的方法是尽早停止依赖Flash技术，转向使用更现代化且长期支持的技术。
解决Flash技术问题的关键是逐步转向使用更为现代化、安全和稳定的
5技术，
进行优化和安全措施的加强。
存储模块常见故障处理方法
存储模块常见故障处理方法
存储模块是计算机中的重要组件之一，常常用于存储数据和程序。
然而，有时存储模块可能会出现故障，影响计算机系统的正常运行。
本文将介绍一些常见的存储模块故障处理方法供参考。
1. 检查连接
首先，当存储模块出现故障时，需要检查连接是否正常。
确保存储模块与计算机之间的连接线缆插紧，并且接口无松动。
2. 重新启动计算机
有时，存储模块故障可以通过重新启动计算机来解决。
尝试将计算机完全关机，等待一段时间后再重新启动。
这个简单的操作有时可以重新初始化存储模块，解决一些常见的故障问题。
3. 清理存储模块
存储模块内部的灰尘和污垢可能会导致故障。
使用压缩气罐或
软刷轻轻清理存储模块表面和接口部分，确保它们干净无尘。
4. 检测硬件问题
如果以上方法都不能解决故障，那么可能是存储模块本身出现
了硬件问题。
可以使用硬件检测工具来检测存储模块是否存在故障。
如果发现问题，可能需要更换存储模块或者修复硬件故障。
5. 寻求专业帮助
如果以上方法都无法解决存储模块的故障，建议寻求专业的技
术支持。
联系计算机维修人员或存储模块制造商，让专业人员来处
理故障。
他们有更专业的知识和工具，可以帮助诊断和解决存储模
块故障。
以上是一些常见的存储模块故障处理方法，希望对你有所帮助。
记住，在处理故障时，始终要确保安全，避免产生更多的问题。
如
果你不确定如何处理故障，请咨询专业人员。
NandFLash分析与总结
友善之臂K9F1208U0C PCB04-5位，12代表512M位，也就是64M字节熟悉一下NandFlash的硬件：1主要的引脚：I/O0 —I/O7:数据输入输出端，命令，数据，地址复用端口（LDATA0-LDATA7）R/B: 准备忙输出（RnB）CE：芯片使能（nFCE）CLE: 命令锁存使能（CLE）ALE：地址锁存使能（ALE）WE：写使能（nFWE）RE：读使能（nFRE）2Mini2440的一些引脚设置：和寄存器设置：(NCON(Advflash), GPG13(页大小), GPG14(地址周期), GPG15(总线宽度)–参考引脚配置）#define rGSTATUS0 (*(volatile unsigned *)0x560000ac) //External pin status3NandFlash启动时，代码小于4k与大于4k的情况：在三星的NAND Flash 中，当CPU从NAND Flash开始启动时，CPU会通过内部的硬件将NAND Flash开始的4KB数据复制到称为“Steppingstone”的4KB 的内部RAM中，起始地址为0，然后跳到地址0处开始执行。
这也就是我们为什么可以把小于4KB的程序烧到NAND Flash中，可以运行，而当大于4KB时，却没有办法运行，必须借助于NAND Flash的读操作，读取4KB以后的程序到内存中。
4NandFlash的存储结构以及读写原理：4.1NandFlash中的块，页，位宽：●NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell（存储单元）一般情况下，一个cell中只能存储一个bit。
这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line ,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Flash的位宽。
这些Line会再组成Pape（页）。
然后是每32个page形成一个Block，所以一个Block（块）大小是16k.Block是NAND Flash中最大的操作单元。
遇到Nand Flash坏块怎么处理？
遇到Nand Flash坏块怎么处理？
Nand Flash存储器是Flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。
1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。
只有真正了解NAND特性的工程师，才能在应用上得心应手，不会被Nand Flash所绊倒。
分区。
烧录器烧录NANDFlash注意事项
烧录器烧录NANDFlash注意事项烧录器烧录NAND Flash注意事项摘要：母片的数据读取出来，然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上，却无法正常运行呢？因为客户忽略了NAND flash里面是有坏块！芯片里面的坏块，就好像埋在芯片的“地雷”。
有效的“排雷”方法有哪些呢？日常工作场景：技术支持电话叮铃铃响了，客户在电话用非常紧急的语气说：“使用SmartPRO系列编程器，烧录某款NAND Flash，烧录成功之后，贴板却跑不起来，请紧急帮忙分析原因！”然后呢？…..然后就没有了…………耐心寻找疑点：通常遇到这种情况下，我们都会首先详细询问：“请将您的操作流程详细描述一下。
”发现问题的来源：客户的一五一十的说，他使用了最原始的办法：使用一颗能正常运行的NAND芯片作为母片，连接编程器之后，点击烧录软件上的“读取”按钮，把数据从芯片里面拷贝出来，然后再找几颗空白芯片，把数据拷贝进去。
从客户的描述当中，我们初步找到了原因：原来客户把NAND Flash当作普通Nor Flash 使用了！为了让读者更加愉快地阅读下文，先请本文的主角NAND Flash自我介绍一下1、Nand Flash有自我的存储结构：Nand Flash存储器由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，每个Page 又包含主区(Main Area)和备用区(Spare Area)两个域；2、NAND Flash是有坏块的：由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块的。
3、NAND Flash有专用的ECC算法：由于NAND Flash本身工艺的特性，在读取或者校验的时候，会出现一个或者多个bit 的出错；为了应对这种情况，NAND Flash引用一种比较专用的校验方法----ECC（Error Correcting Code）；4、NAND Flash容易出现位翻转：由于NAND Flash本身硬件的内在特性，在对Flash操作过程中，会偶尔地出现位反转的现象；所谓的位反转（bit flip）指的是原先NAND Flash中的某个位（bit），发生了变化，要么从1变成0了，要么从0变成1了；基于Nand Flash上述1、2、3、4点特性，我们还继续把它当作普通Nor Flash使用吗？NO！重新追溯问题的源头：为什么客户把母片的数据读取出来，然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上，却无法正常运行呢？因为客户忽略了NAND flash里面是有坏块！芯片里面的坏块，就好像埋在芯片的“地雷”，那么我们在读取数据的时候，会把母片里面的“地雷”当成数据！给出排除、解决方案：既然芯片里的“地雷”这么危险，那我们就想办法去躲开它吧，最简单最有效的方法就是：跳过！跳过“地雷”就真的能彻底解决问题了吗？NO！“地雷”是给被我们绕开了，原本写到“地雷”位置的数据，我们也安全转移到下一个块里，但是细心的人也会发现，数据存放的地址也发生了变化！用一个图来描述更清楚一点：很多客户使用NAND Flash来存储大量数据，而这些数据又是由多个文件分别组成，比如uboot、uImage、Logo、rootfs等烧录文件，每个文件在NAND Flash又给分配一定的存储区域，并且指定了每个文件存储的起始物理地址块；如果“地雷”出现在数据区域，为了避开它，势必需要把数据安全往下转移，引起的后果是后续烧录文件的起始物理地址也随着发生偏移了，这将会导致主控MCU无法准确完整地获取每个文件的数据，最终造成的结果是芯片无法跑起来！这样的话，就真的是没办法解决了吗？按分区烧录，完美解决问题按分区烧录，无论“地雷”出现在哪个地方，分区文件都是按照规则，来安排数据的存放的，很好的避开了“地雷”，也将根据客户预设方案存放在NAND Flash存储区内了。
NAND Flash烧录说明及注意事项
NAND FLASH烧录的复杂性(4)
烧录时的注意点（1）
1)使用哪一种坏块处理方式？ A.直接跳过（Skip Bad Block） B.保留替代 （Reserved） C.分区模式（Partition） D.XSR E.其他 2)要烧录的映像文件有多大？由几个文件构 成，对地址有没有定位要求？ 3)烧录程序中是否改变了坏块标志位，如果 改变了，重新存放在什么地方？
谢谢
北京兆易创新科技股份有限公司 北京市海淀区学院路30号 科大天工大厦A座12层 电话：+86-10-82881666 info@
NANБайду номын сангаас Flash常用的三种坏块处理方法
• A) 跳过坏块 (Skip bad block)。 这是一种最常用的坏块处理方法。它的实 现原理比较简单，顺序烧录，发现某一块 为坏块后，将相应数据烧录到下有个好块， 如果发现连续的坏块的话，也连续的跳过 这些坏块，并把数据烧录的下一个出现的 好块中。其原理如下图
烧录时的注意点（2）
4)是否使用Spare Area?（Spare Area：小页 Nand为每页的最后16个字节，大页Nand为 每页的最后64个字节，也有其他格式，具 体根据芯片） 5)Spare Area要存放的数据在准备烧录的数 据文件里，还是由编程器或者程序产生？
烧录时的注意点（3）
6)如果Spare Area要存放的信息由编程器或者程序 产生，需要客户提供它的数据结构。要求细致 到字节的含义。 7)如果在Spare Area中存放ECC信息，请问您使用 那种ECC算法？ A.512B ECC Code B.256W ECC Code C.4-bit ECC Code D.其他 8)客户是否可以提供ECC算法源程序？如果SPARE 区无须烧录器厂家提供。ECC可以不提供。
电子电路中常见的存储器问题及解决方法
电子电路中常见的存储器问题及解决方法在电子电路中，存储器是一种重要的组件，用于存储和检索数据。
然而，由于各种原因，常常会出现存储器问题，如数据损坏、读写错误等。
本文将讨论电子电路中常见的存储器问题，并提供相应的解决方法。
一、数据损坏问题及解决方法数据损坏是存储器中最常见的问题之一。
这可能是由于电磁干扰、电压波动或存储器本身的故障引起的。
当数据损坏发生时，可能导致数据读取错误或数据丢失。
以下是解决数据损坏问题的几种方法：1. 引入纠错码：纠错码是一种通过添加冗余数据来检测和纠正错误的技术。
通过使用纠错码，存储器可以检测到数据的错误并自动进行纠正。
这样可以大大提高存储器的可靠性。
2. 使用稳定的电源：电源波动是导致存储器数据损坏的常见原因之一。
因此，为了避免数据损坏，应尽量使用稳定的电源，或者使用电源稳压器来保持稳定的电压输出。
3. 防止电磁干扰：电磁干扰是导致存储器数据损坏的另一个主要原因。
为了解决这个问题，可以采取以下措施：将存储器远离电磁辐射源，使用屏蔽材料来隔离存储器，或者使用防护设备来减少电磁辐射。
二、读写错误问题及解决方法在存储器的读写过程中，可能会出现读写错误的情况。
这可能是由于电压不稳定、存储器芯片老化或者接触不良等原因引起的。
以下是解决读写错误问题的几种方法：1. 检查电压稳定性：在存储器读写过程中，电压的稳定性非常重要。
如果电压不稳定，可能导致读写错误。
因此，应使用电压稳压器来保持稳定的电压输出，并定期检查电压输出的稳定性。
2. 定期检查存储器芯片：存储器芯片可能会随着使用时间的增长而老化，从而引起读写错误。
为了解决这个问题，可以定期检查存储器芯片，并及时更换老化的芯片。
3. 确保良好的接触连接：存储器的读写过程中，芯片与接触器之间需要良好的接触连接。
如果接触不良可能导致读写错误。
为了确保良好的接触连接，可以使用专门的清洁剂清洁接触器，并定期检查接触器的状态。
三、存储容量问题及解决方法存储器的容量是设计中的一个重要考虑因素。
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NAND flash常见问题汇总
掉程序（这里专指使用NAND flash的主板掉程序），这是一个让工程师浑身发毛的问题，特别是用着用着程序就没有了，往往这个时候很多工程师都无法下手，问题出现的时候你可能根本不在旁边，无法看到问题现象，而且通过测量信号也很难发现问题的原因，这个时候很多工程师可能会采用更换主板器件的方式，用排除法来定位问题，基本上换一个NAND flash就可以解决问题了。
这个时候很多工程师可能就会表示NAND flash有问题，需要换厂商，换品牌。
但其实还可以更加深入的去了解问题的原因，这里我总结一下我遇到过得NAND flash掉程序的情况及原因。
1.电源电压不稳导致的NAND flash程序错误
很多时候，产品在客户手中出现了问题，工程师把产品拿回来，重新烧录程序产品可以上电启动，反复测试并不会出现掉程序的情况。
如果这种产品是带有电池的产品，就可以考虑一下是否在客户实际使用中是用电池的情况，当电池的电量比较低，或者在极端情况下，程序对于电池电量的检测阈值较低，这个时候主控就有可能刚刚可以启动，但是很快电量不够，NAND flash内的程序乱掉，从而无法正常启动。
解决方法可以在程序中加入或者提高电池电量检测的阈值，保证所有芯片在这个阈值上均可以正常工作。
2.DRAM工作状态不正常导致的NAND flash程序错误
主控, DRAM和NAND flash基本构成了一个产品的最小系统。
当系统中的任何一环出现问题，整个系统就可能出现问题。
但是当DRAM出现问题时，有可能反映出来的是NAND flash 出错，掉程序或者查明NAND flash坏块过多。
对于这种情况，处理起来就会复杂一些。
如果直接重新烧录程序，系统又能正常工作，则说明之前存储在NAND flash中的程序确实乱了，但是NAND flash的功能正常，特别是SLC规格的1bit ECC 的NAND flash，出错概率非常小。
因为对于NAND flash来说，只有当写数据或者擦除数据时，数据可能产生坏块，当程序只是读取的状态时，由于不涉及电荷的改变，所以NAND flash一般不会出现问题。
但从程序的调试端口读到NAND flash坏块很多时，看是否有更深入的调试工具，例如JTAG等调试工具，可以深入调试NAND flash的情况。
有些时候，因为一些程序误操作，导致将原本good block的标志位标记成了bad block。
用过JTAG调试工具可以修改标志位，并且重新打标，重新烧录一遍程序，有可能主板又能重新启动了。
3.坏块管理未做好
因为NAND flash都面临着可能出现坏块的问题，所以必须应该对于坏块进行管理，在规格书中可以看到，坏块产生的三种情况，在编程的时候，在擦出的时候，在读取的时候。
对于这几种情况下，程序应该怎么操作，规格书中也有流程图来说明，在读取和擦除中，如果出现失败情况，就需要重新坏一个块进行目标块的转移，并且对于当前块进行标识，在坏块表中进行更新。
通过对于坏块表的维护，达到程序避免写入坏块中的情况。
在读取程序时，也需要对于ECC进行校验，保证读取的程度是真实可靠的。
但是很多工程师可能由于对于坏块管理做的不够仔细，导致产品在实际使用中，会出现掉程序的问题。
工程师也应该从程序方面着手，分析一下程序对于坏块部分管理是否完善。
从上面三种类型只是部分说明了关于掉程序这个问题的一些原因。
特别是对于1bit ECC 的SLC NAND flash大部分适用，工程师们可以进行参考。