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半导体工艺整理
三．热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应，在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。
这种方法的优点是：基片本身不参与形成氧化膜的反应，而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。
衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。
如果是硅片,获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅,而保持硅片厚度不变，这是与热氧化法最根本的区别。
因为这种方法可以在较低的温度下应用，所以被称作“低温淀积”。
常用的热分解淀积氧化膜反应源物质（硅化合物）有正硅酸乙脂和硅烷两种。
现分别介绍如下：1．正硅酸乙脂热分解淀积淀积源的温度控制在20 o C左右，反应在真空状态下进行，真空度必须在10—2×133.3Pa以上，淀积时间根据膜厚决定。
淀积得到的二氧化硅氧化膜不如热生长的致密。
但如果在真空淀积之后经过适当的增密处理可使其质量有所改善；方法是硅片在反应炉内加热升温到850~900o C半小时左右,之后再在干燥的氮、氩或氧气氛中继续加热一段时间即可.2．硅烷热分解淀积反应方程式：SiH4 + 2O2→SiO2↓+ 2H2O↑（300～400 o C) 以上两种热分解淀积氧化膜的方法实际上是一种化学气相淀积（CVD)工艺。
前一种是低压CVD（LPCVD）;后一种是常压CVD（APCVD）.特别是后一种硅烷加氧气淀积二氧化硅的方法，是目前生产中天天在用的常规工艺。
以后我们将有专门的章节讲解CVD工艺.第二节SiO2薄膜的质量与检测二氧化硅工艺质量是半导体器件质量的基础。
下面就氧化质量要求,工艺检测，常见质量问题及对策等几个方面进行讨论。
一．质量要求SiO2薄膜质量优劣对器件性能和产品成品率都有很大影响.通常要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等缺陷；厚度要求在指标范围内，且保持均匀一致；结构致密，薄膜中可动离子特别是钠离子量不得超标。
二．检测方法1．厚度测量要求精度不高时，可用比色法、磨蚀法测量；精度高时，可用双光干涉法,电容－电压法检测。
半导体制程工艺流程及设备
半导体制程工艺流程及设备嘿，你有没有想过，那些小小的芯片是怎么被制造出来的呢？今天呀，我就来给你讲讲半导体制程工艺流程以及用到的设备，这可真是个超级有趣又超级复杂的事儿呢！咱先从最开始的晶圆制造说起。
晶圆就像是盖房子的地基一样，是整个半导体的基础。
晶圆是由硅这种材料制成的，你可别小看硅，它就像半导体世界里的超级明星。
这硅啊，要经过一系列的处理。
首先是提纯，这过程就像是把一堆沙子里的金子给挑出来一样困难。
要把硅提纯到非常非常高的纯度，几乎没有杂质才行。
我有个朋友在硅提纯的工厂工作，他就经常跟我抱怨说：“哎呀，这提纯工作可真不是人干的呀，一点点的差错就可能毁了一整批硅呢！”提纯之后呢，就要把硅做成圆柱体的硅锭，然后再把这个硅锭切割成一片片薄薄的晶圆。
这个切割过程可得非常小心，就像切一块超级薄的豆腐一样，一不小心就碎了。
这时候就用到了专门的切割设备，那些设备就像是精密的手术刀，把硅锭精准地切成一片片的晶圆。
有了晶圆之后，就要开始在上面进行各种加工了。
这就像是在一张白纸上画画一样，只不过这个画画的过程超级复杂。
其中一个重要的步骤是光刻。
光刻呀，你可以想象成是用光照在晶圆上画画。
这时候就需要光刻设备了，光刻设备就像是一个超级厉害的投影仪。
它把设计好的电路图案通过光线投射到晶圆上，而且这个图案超级精细，就像头发丝的千分之一那么细呢！我记得我第一次看到光刻图案的时候，我都惊呆了，我就想：“我的天呐，这怎么可能做到这么精细呢？”我当时就问一个做光刻的工程师，他就很自豪地说：“这就是科技的力量呀，我们通过各种技术手段才能把图案刻得这么精细呢。
”光刻完了之后，就是蚀刻。
蚀刻就像是把光刻出来的图案进行雕刻一样，把不需要的部分去掉，只留下我们想要的电路图案。
这就好比是雕刻一个石像，把多余的石头去掉，留下精美的雕像。
蚀刻用到的设备会喷出一些化学物质，这些化学物质就像小雕刻家一样，把晶圆上的材料按照光刻的图案进行去除。
不过这个过程可危险了，那些化学物质可都是腐蚀性很强的东西，就像一群小恶魔，要是不小心泄露了，可就会造成大麻烦。
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。
超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。
超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。
CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。
CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。
恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。
反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。
纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。
净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。
风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备.抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。
半导体设备工艺简介ppt
总结词
详细描述
详细描述
企业应该加强与高校和科研机构的合作，通过产学研合作推动技术创新和成果转化，提高半导体设备工艺的研发能力和核心竞争力。
加强半导体设备工艺的研发与创新能力
总结词
人才培养、技术创新、产学研合作
详细描述
企业应该注重人才培养和技术创新，通过不断引进和培养高水平人才，推动技术创新和产品升级。
材料应具有良好的物理稳定性，以抵抗各种物理作用力的影响，如高温、高压、高速等。
半导体设备工艺材料的关键技术指标
稳定性
化学稳定性
物理稳定性
晶体质量
半导体设备工艺的挑战与解决方案
05
总结词
工艺复杂、高精度要求、技术更新快
详细描述
半导体设备工艺不仅需要高精度的制造和测量技术，还要求在微米甚至纳米尺度上实现精确控制。
半导体器件制造工艺需要精确控制，以确保最终产品具有良好的性能和可靠性。
半导体器件制造工艺概述
半导体器件制造工艺主要包括以下流程半导体材料制备：通过化学气相沉积、外延等方法制备高质量的半导体材料。晶圆制备：将半导体材料切割成一定尺寸的晶圆，以便进一步加工。图形转移：将半导体器件的结构和电路图案转移到晶圆上，常用的技术包括光刻和刻蚀。掺杂：通过离子注入或热扩散等方法将掺杂剂引入晶圆，以改变半导体的导电性质。薄膜制备：在晶圆表面沉积薄膜，常用的方法包括化学气相沉积和物理气相沉积。装配与封装：将晶圆上的半导体器件进行封装和测试，以确保其能在恶劣环境中稳定工作。
半导体器件制造工艺流程
半导体器件制造工艺中的关键技术
1. 化学气相沉积：通过化学反应在晶圆表面沉积薄膜，常用的反应包括氧化、还原、氮化等。
2. 外延：在半导体材料表面通过化学反应制备单晶体材料，以实现特定的电子学和光学性质。
很完整半导体制造工艺流程
半导体制造环境要求
主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例 子。
超净间：洁净等级主要由 微尘颗粒数/m3
I级 10 级 100级 1000级
0.1um 35 350 NA NA
HCl:H2O2:H2O
=1:1:5
溶液槽
除去表面颗粒
除去重金属粒 子
DI清洗
去离子水
溶液槽
除去清洗溶剂
光学显影
光学显影是在感光胶上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到感光胶下 面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。
关键技术参数:最小可分辨图形尺寸Lmin(nm) 聚焦深度DOF
二、晶圆针测制程
经过Wafer Fab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格 ，我们称之为晶方 或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是 也有可能在同一片晶圆 上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允 收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性， 而不 合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即 称之为晶圆针测制 程（Wafer Probe）。然後晶圆将依晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒
半导体制造工艺流程
半导体相关知识
本征材料：纯硅 9-10个9 250000Ω.cm
N型硅： 掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅： 掺入 III族元素—镓Ga、硼B PN结：
P
--
--
+++++
半导体工艺技术及设备设施(精品)
A、大直径硅片生产成本比较：
200mm
成本/片
成本/CM*CM
300MM
成本/片
成本/CM*CM
自200MM到300MM 成本/片
成本/CM*CM
$2122 $6.76 $3328 $4.71 +17% -30%
B。经济竞争。
投资成本指数增加：
700M（1995）
3B（2001） 24B（2010）
湿法刻蚀：
刻蚀硅和多晶硅的湿法刻蚀采用的是硝酸和氢氟酸的混 合液，也可以采用含KOH的溶液来刻蚀硅。
由于氢氟酸可以在室温下与二氧化硅快速地反应，而不 会刻蚀硅或多晶硅，因此是二氧化硅刻蚀的最佳选择。 在实际的应用中都是采用稀释过的氢氟酸溶液，或添 加了氟化氨（NH4F）作为缓冲剂的混合液。
氮化硅可以用加热的（约180℃）磷酸溶液来刻蚀。
铝或铝合金的湿法刻蚀主要是采用加热的磷酸、硝酸、 醋酸和水的混合液来进行。加热温度大约在30~60℃之 间。
干法刻蚀：就是利用辉光放电的方法，产生等离子体来 进行薄膜刻蚀的一种技术。
SiO2的刻蚀主要是靠氟碳化物的等离子体来完成的，反应 的产物是SiF4、CO和CO2。早期CF4应用最普遍，现在 通常用CHF3、C2F6、C3F8。
3．扩散技术：
用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半 导体材料中,达到改变材料的电学性质,形成半导体器 件的目的,称之为“掺杂”。
掺杂的方法很多，在IC制造中主要用扩散法和离子注入 法。
高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子 注入法。
半导体器件制造中常用的掺杂杂质有：P、B、As、Sb。
表3-1
三种方法的比较
由于溅射法可以同时达到极佳的 （1）淀积效率、（2） 大尺寸的淀积厚度控制、（3）精确的成分控制、（4） 较低的制造成本，所以溅射是现今硅基半导体工业中 所采用的方式溅射工艺及设备。
半导体工艺流程所需设备及材料
半导体工艺流程所需设备及材料
一、工艺流程
1.氧化
氧化是一个重要的步骤，可以建立半导体的表面结构。
这一步骤包括
清洗表面，控制一定的温度和电压，形成薄的氧化层。
2.在氧化物上沉积金属
沉积金属可以形成金属膜，如铜或铝，然后形成连接电路，保证信号
的传输和连接。
3.层次化处理
通过层次化处理，可以形成复杂的半导体结构，如金属氧化物半导体
晶体管，通过不同的层次处理，可以实现不同的功能。
4.测试
测试是半导体制造的重要环节，可以对半导体材料的性能进行检测，
检查半导体制造过程中产生的缺陷，确保半导体产品质量。
二、设备及材料
1.氧化设备
a)氧化炉：采用国际先进的技术，温度精度高，热效率高，稳定可靠。
比如日本古野电子公司的T-82系列氧化炉，可满足各种氧化处理。
b)平板热压机：采用先进技术，温度精度高，热效率高，能够实现有效的氧化处理。
比如日本古野电子公司的KD-1000系列热压机，可以有效地进行氧化处理。
2.沉积金属设备
a)电镀设备：采用先进的技术，能够实现各种金属沉积，用于制造半导体器件，如铜铝等。
比如日本古野电子公司的SP-1000系列电镀设备。
史上最全的半导体材料工艺设备汇总
小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。
国：京运通、七星华创、京仪世纪、晶龙、理工晶科、华盛天龙、汉虹、华德、中国电子科技集团第四十八所、申和热磁、上虞晶盛、耐特克、晶阳、江南、科晶材料技术、科仪公司。
2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国：中国电子科技集团第四十八所、赛瑞达、科晶材料技术、金盛微纳、力冠电子科技。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVT Associates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。
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小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：国际：德国 PVA TePla AG 公司、日本 Ferrotec 公司、美国 QUANTUM DESIGN公司、德国 Gero 公司、美国KAYEX公司。
国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。
2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：ProtoFlex公司、国际：美国 CVD Equipment 公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：国际：法国 Riber 公司、美国Veeco 公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVTAssociates公司、美国NBM公司、德国 Omicron 公司、德国 MBE-Komponenten公司、英国 Oxford Applied Research（OAR）公司。
国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限公司、沈阳科友真空技术有限公司。
4、氧化炉（ VDF）设备名称：氧化炉。
设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。
主要企业（品牌）：国际：英国 Thermco 公司、德国Centrothermthermal solutions GmbH Co.KG公司。
国内：北京七星华创、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所。
5、低压化学气相淀积系统（LPCVD， Low Pressure Chemical Vapor Deposition System）设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。
主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司、国内：上海驰舰半导体科技有限公司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。
6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD， Plasma Enhanced CVD ）设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。
主要企业（品牌）：Lam Research ）公司、国际：美国 Proto Flex公司、日本Tokki 公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（荷兰 ASM国际公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。
7、磁控溅射台（MagnetronSputter Apparatus）设备名称：磁控溅射台。
设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。
主要企业（品牌）：国际：美国 PVD公司、美国 Vaportech 公司、美国 AMAT公司、荷兰 Hauzer 公司、英国 Teer 公司、瑞士 P latit 公司、瑞士 Balzers 公司、德国 Cemecon公司。
国内：北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所、科睿设备有限公司、上海机械厂。
8、化学机械抛光机（CMP，Chemical Mechanical Planarization）设备名称：化学机械抛光机设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。
主要企业（品牌）：国际：美国 Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtec 公司、。
国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、爱立特微电子。
9、光刻机（ Stepper ，Scanner ）设备名称：光刻机。
设备功能：在半导体基材上（硅片）表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。
主要企业（品牌）：国际：荷兰阿斯麦（ ASML）公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国德国 SUSS公司、美国MYCRO公司。
国内：中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、上海机械厂、成都南光实业股份有限公司。
10、反应离子刻蚀系统（RIE， Reactive Ion Etch System）设备名称：反应离子刻蚀系统。
设备功能：。
平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。
主要企业（品牌）：JuSung 公司、韩国TES公司。
国际：日本 Evatech公司、美国 NANOMASTER公司、新加坡REC公司、韩国国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所。
11、 ICP 等离子体刻蚀系统（ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System）设备名称： ICP 等离子体刻蚀系统。
设备功能：一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等离子体中的离子在偏压的作用下被引导和加速，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。
主要企业（品牌）：Pe 国际：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan 公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国lco公司。
国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、中国电子科技集团第四十八所、戈德尔等离子科技（香港）控股有限公司、中国科学院微电子研究所、北方微电子、北京东方中科集成科技股份有限公司、北京创世威纳科技。
12、离子注入机（IBI ， Ion Beam Implanting）设备名称：离子注入机。
设备功能：对半导体表面附近区域进行掺杂。
主要企业（品牌）：国际：美国维利安半导体设备公司、美国CHA公司、美国AT收购）。
AMAT公司、Varian半导体制造设备公司（被AM国内：北京仪器厂、中国电子科技集团第四十八所、成都南光实业股份有限公司、沈阳方基轻工机械有限公司、上海硅拓微电子有限公司。
13、探针测试台（VPT， Wafer prober Test）设备名称：探针测试台。
设备功能：通过探针与半导体器件的 pad 接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。
主要企业（品牌）：国际：德国 Ingun 公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、韩国Ecopia 公司、韩国Leeno 公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京七星华创电子有限公司、瑞柯仪器、华荣集团、深圳市森美协尔科技。
14、晶片减薄机（Back-sideGrinding）设备名称：晶片减薄机。
设备功能：通过抛磨，把晶片厚度减薄。
主要企业（品牌）：国际：日本 DISCO公司、德国G&N公司、日本 OKAMOTO公司、以色列Camtek 公司。
国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、深圳方达研磨设备制造有限公司、深圳市金实力精密研磨机器制造有限公司、炜安达研磨设备有限公司、深圳市华年风科技有限公司。
15、晶圆划片机（DS，Die Sawwing ）设备名称：晶圆划片机。
设备功能：把晶圆，切割成小片的Die 。
主要企业（品牌）：国际：德国 OEG公司、日本DISCO公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京科创源光电技术有限公司、沈阳仪器仪表工艺研究所、西北机器有限公司（原国营西北机械厂709 厂）、汇盛电子电子机械设备公司、兰州兰新高科技产业股份有限公司、大族激光、深圳市红宝石激光设备有限公司、武汉三工、珠海莱联光电、珠海粤茂科技。
16、引线键合机（Wire Bonder ）设备名称：引线键合机。
设备功能：把半导体芯片上的Pad 与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。
主要企业（品牌）：国际：美国奥泰公司、德国TPT 公司、奥地利奥地利FK 公司、马来西亚友尼森（UNISEM）公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京创世杰科技发展有限公司、宇芯（成都）集成电路封装测试有限公司（马来西亚友尼森投资）、深圳市开玖自动化设备有限公司。