极限流ICM参数1集电极最大允许电

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德国英飞凌晶体管参数

德国英飞凌晶体管参数

德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌是一家知名的半导体公司,其晶体管参数包括以下方面:
1. 极间电压(Vce):晶体管的最大工作电压差值,用于确定晶体管能否支持特定电路的工作电压要求。

2. 最大集电极电流(Ic max):晶体管能够承受的最大集电极电流。

3. 最大功率(Pc):晶体管可以承受的最大功耗。

4. 饱和电压(Vcesat):当晶体管进行饱和工作时,集电极与发射极之间的电压。

5. 最大频率(fT):晶体管能够工作的最高频率,通常用于射频放大器设计中。

6. 放大倍数(hFE):晶体管在特定工作条件下的电流放大倍数。

7. 温度系数(TC):晶体管参数随温度变化的变化率,通常以温度系数负数来表示。

请注意,以上晶体管参数是一般性的示例,具体的参数取决于晶体管型号和规格。

如果您需要更具体的信息,建议直接参考英飞凌公司的官方资料或与他们联系。

1am三极管参数

1am三极管参数

1am三极管参数
1AM三极管是一个通用贴片NPN三极管,型号是MMBT3904LT1,丝印为1AM,可以用MMBTA05LT1进行代换。

以下是该型号的部分技术参数:
1.最大集电极电流(Icm)为200mA。

2.最大集电极-发射极击穿电压(Vcbo)是60V。

3.最大集电极-基极击穿电压(Vceo)是40V。

4.工作温度范围在-65℃ to +150℃。

此外,由于长年以来走访、交流优质的银河微一级代理商企业,多数的同行企业仓储备货充足,可供应贴片三极管、晶体三极管等系列热门型号产品,可根据客户不同要求提供各类晶体三极管。

以上信息仅供参考,建议查阅关于1AM三极管参数的资料获取更准确的信息。

三极管的极限参数

三极管的极限参数

三极管的极限参数三极管是一种常用的半导体器件,具有电流放大、功率放大等作用,在电子电路中得到广泛的应用。

在使用三极管时,需要注意它的极限参数,这些参数规定了三极管的工作范围和承受能力,如果超过极限参数,三极管可能会损坏或性能下降。

以下是对三极管极限参数的详细描述。

一、集电极最大允许电流ICM集电极最大允许电流ICM是指三极管在正常工作状态下,集电极允许通过的最大电流值。

当集电极电流超过ICM时,三极管的电流放大系数β会下降,影响其正常工作。

因此,在使用三极管时,需要严格控制集电极电流,确保其不超过ICM。

二、集电极最大允许耗散功率PCM集电极最大允许耗散功率PCM是指三极管在正常工作状态下,集电极允许消耗的最大功率值。

当集电极耗散功率超过PCM时,三极管会过热,可能会导致损坏或性能下降。

因此,在使用三极管时,需要严格控制集电极耗散功率,确保其不超过PCM。

三、集电极-发射极反向击穿电压BVCEO集电极-发射极反向击穿电压BVCEO是指三极管在基极开路的情况下,集电极与发射极之间的最大允许电压值。

当集电极与发射极之间的电压超过BVCEO时,三极管可能会被击穿,导致损坏或性能下降。

因此,在使用三极管时,需要严格控制集电极与发射极之间的电压,确保其不超过BVCEO。

四、集电极-基极反向击穿电压BVCBO集电极-基极反向击穿电压BVCBO是指三极管在发射极开路的情况下,集电极与基极之间的最大允许电压值。

当集电极与基极之间的电压超过BVCBO时,三极管可能会被击穿,导致损坏或性能下降。

因此,在使用三极管时,需要严格控制集电极与基极之间的电压,确保其不超过BVCBO。

五、发射极-基极反向击穿电压BVebo发射极-基极反向击穿电压BVebo是指三极管在集电极开路的情况下,发射极与基极之间的最大允许电压值。

当发射极与基极之间的电压超过BVebo时,三极管可能会被击穿,导致损坏或性能下降。

因此,在使用三极管时,需要严格控制发射极与基极之间的电压,确保其不超过BVebo。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数直流参数1、直流参数 (1)集电极⼀基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在⼀定温度下是个常数,所以称为集电极⼀基极的反向饱和电流。

良好的三极管,Icbo很⼩,⼩功率锗管的Icbo约为1~10微安,⼤功率锗管的Icbo可达数毫安,⽽硅管的Icbo则⾮常⼩,是毫微安级。

 (2)集电极⼀发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。

Iceo⼤约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极⼤,它们是衡量管⼦热稳定性的重要参数,其值越⼩,性能越稳定,⼩功率锗管的Iceo⽐硅管⼤。

 (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流。

 (4)直流电流放⼤系数β1(或hEF)这是指共发射接法,没有交流信号输⼊时,集电极输出的直流电流与基极输⼊的直流电流的⽐值,即:β1=Ic/Ib交流参数 2、交流参数 (1)交流电流放⼤系数β(或hfe)这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输⼊电流的变化量△Ib之⽐,即: β= △Ic/△Ib ⼀般晶体管的β⼤约在10-200之间,如果β太⼩,电流放⼤作⽤差,如果β太⼤,电流放⼤作⽤虽然⼤,但性能往往不稳定。

 (2)共基极交流放⼤系数α(或hfb)这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie 之⽐,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1。

⾼频三极管的α>0.90就可以使⽤ α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截⽌频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截⽌频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截⽌频率fαo fβ、fα是表明管⼦频率特性的重要参数,它们之间的关系为:fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全⾯地反映晶体管的⾼频放⼤性能的重要参数。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全1.最大耐压(VCEO):指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压,也是三极管工作的最高电压。

2.最大漏极电流(ICMAX):指三极管的最大工作电流,超过该电流可能会导致器件损坏。

3. 最大功率(Pmax):指三极管能够承受的最大功率,超过该功率可能会导致器件损坏。

4. 最大集电极-基极电压(VCEMax):指三极管的集电极与基极之间的最大电压,通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。

5. 最大基极电流(IBmax):指三极管的最大基极电流,超过该电流可能会导致器件损坏。

6. 饱和区电压下降(VCEsat):指三极管在饱和区时,集电极与发射极之间的电压降。

7. 基极-发射极饱和电压(VBEsat):指三极管在饱和区时,基极与发射极之间的电压降。

8. 输入电阻(hie):指三极管的输入电阻,它与基极电流成正比。

9. 输出电阻(hoe):指三极管的输出电阻,它与输出电流成正比。

10. 增大时间(tf):指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。

11. 减小时间(tr):指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。

12. 反向转换时间(tfr):指三极管由关断状态转换为导通状态时,极化电容反向充电所需的时间。

13. 正向转换时间(tff):指三极管由导通状态转换为关断状态时,极化电容正向放电所需的时间。

14.最大效率:指在特定工作条件下,三极管从输入功率到输出功率的转换效率。

15.电流放大倍数(β):指三极管中电流放大的倍数,即集电极电流与基极电流之比。

16.最大工作频率(fT):指三极管能够正常工作的最高频率。

上述参数都是三极管常用的重要参数,不同型号的三极管具体数值会有所不同。

在选择三极管时,根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。

此外,这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。

常用三极管数据

常用三极管数据

常用三极管数据引言概述:三极管是一种常见的电子元件,广泛应用于电子电路中。

了解常用三极管的数据参数对于正确选择和使用三极管至关重要。

本文将详细介绍常用三极管的数据参数,帮助读者更好地了解和应用三极管。

一、电流参数1.1 最大集电电流(ICmax):指三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。

该参数决定了三极管的功率承受能力。

1.2 最大基极电流(IBmax):指三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。

超过该电流会导致三极管损坏。

1.3 最大发射极电流(IEmax):指三极管正常工作时允许通过发射极的最大电流。

该参数与最大集电电流和最大基极电流之间的关系为IEmax = ICmax - IBmax。

二、电压参数2.1 最大集电极-发射极电压(VCEO):指三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

2.2 最大集电极-基极电压(VCBO):指三极管正常工作时允许的最大集电极-基极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

2.3 最大基极-发射极电压(VBE):指三极管正常工作时允许的最大基极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

三、功率参数3.1 最大耗散功率(PDmax):指三极管正常工作时允许的最大耗散功率。

超过该功率会导致三极管过热损坏。

3.2 热阻(θJA):指三极管在单位功率耗散时,导热器件与环境之间的热阻。

热阻越小,三极管的散热性能越好。

3.3 热稳定系数(θJC):指三极管在单位功率耗散时,导热器件与芯片之间的热阻。

热稳定系数越小,三极管的散热性能越好。

四、放大参数4.1 直流放大倍数(hFE):指三极管在直流工作状态下,输出电流与输入电流之间的比值。

该参数决定了三极管的放大能力。

4.2 最大输出功率(Poutmax):指三极管在最大输出功率时能够提供的最大输出功率。

4.3 频率响应范围(fT):指三极管能够正常工作的最高频率。

超过该频率会导致三极管的放大能力下降。

全系列三极管参数

全系列三极管参数

全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件,主要由三个控制电极组成:基极、发射极和集电极。

它可以将小信号放大成大信号,并具有放大和开关两种应用。

下面将详细介绍三极管的各种参数。

1.DC参数:(1)E-B击穿电压:控制电极到基极之间的击穿电压,通常是5V。

(2)集电极饱和电压:集电极电压和基极电压之间的差,通常是0.2V。

(3)极化电压:基极与发射极之间的电压,一般为0.6V。

(4)漂移电流:无输入信号时集电极电流,通常为1μA。

2.小信号参数:(1)共射放大参数:-电流放大倍数:基极电流和集电极电流之比,通常为20。

-输入电阻:基极电阻,通常为50kΩ。

-输出电阻:发射极电阻,通常为100Ω。

-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为300。

-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽:能够通过的频率范围。

(2)共集放大参数:-电流放大倍数:发射极电流和集电极电流之比,通常为1-输入电阻:发射极电阻,通常为10Ω。

-输出电阻:集电极电阻,通常为10kΩ。

-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为1-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽:能够通过的频率范围。

(3)共基放大参数:-电流放大倍数:基极和集电极电流之比,通常为0.99-输入电阻:集电极电阻,通常为10kΩ。

-输出电阻:发射极电阻,通常为0.1Ω。

-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为0.99-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽:能够通过的频率范围。

3.大信号参数:(1)最大集电极电流:集电极电流的最大值。

(2)最大功率:集电极电流和集电极电压之积的最大值。

(3)最大集电极电压:集电极电压的最大值。

(4)开关时间:从信号输入到放大器开关的时间,一般小于1μs。

4.噪声参数:(1)噪声系数:直流电流吸收后引起的输出噪声。

(2)输出噪声电压:由于内部噪声而引起的输出电压。

以上是三极管的一些重要参数,这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全1. 最大集电极电流(IC max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极电流。

这个参数决定了三极管能够驱动的负载电流的最大值。

2. 最大功率耗散(PD max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大功率耗散。

这个参数决定了在特定工作条件下,三极管能够承受的最大功率,超过这个功率则可能会损坏。

3. 最大集电极-基极电压(VCEO max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极-基极电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压,超过这个电压则可能会损坏。

4. 最大集电极-发射极电压(VCE sat):三极管在饱和区的工作条件下,集电极-发射极之间的电压。

这个参数决定了三极管在饱和区时的电压控制能力。

5. 最大基极-发射极电压(VBE max):三极管在特定工作条件下,基极-发射极之间能够承受的最大电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压,超过这个电压则可能会损坏。

6.直流电流放大倍数(hFE):这个参数代表了三极管的放大能力。

它表示了当三极管的基极电流变化时,集电极电流变化的倍数。

7. 最大封装功率耗散(PC max):三极管的封装能够承受的最大功率耗散。

这个参数与封装结构和材料有关,超过这个功率则可能会损坏封装。

8. 最大封装温度(Tj max):三极管封装能够承受的最高温度。

超过这个温度则可能会导致封装失效。

9. 最大储存温度(Tstg max):三极管能够承受的最高储存温度。

超过这个温度则可能会导致三极管性能退化。

10.最大工作频率(fT):这个参数代表了三极管的最高工作频率。

在高频应用中,这个参数决定了三极管能够工作的最高频率。

通过了解和理解这些三极管参数,我们可以根据具体设计需求选择合适的三极管。

这些参数对于电子电路的设计和分析非常重要,因此研究这些参数并了解它们的意义是很有用的。

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4、温度对三极管参数的影

几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视。 温度对下列的三个参数影响最大。
(1)对β的影响:
三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃, β值约增大0.5~1%,其结果是在相同的IB情况下,集电 极电流IC随温度上升而增大。(2)对反向饱和电流ICEO 的影响:
由于制造工艺的分散性,同一型号三极管的β值差异较大。 常用的小功率三极管,β值一般为20~100。β过小,管 子的电流放大作用小,β过大,管子工作的稳定性差,一
极间反向饱和电流ICBO和ICEO
极间反向饱和电流ICBO和ICEO (1)集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路,集电结加反向电压时
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系 很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO 将增加一倍。由于硅管的ICEO很小,所以,温度对硅管 ICEO的影响不大。
)对发射结电压ube的影响:
和二极管的正向特性一样,温度上升1℃,ube将下降 2~2.5mV。
综上所述,随着温度的上升,β值将增大,iC也将增大,
1.2.4三极管的主要参数
1、共射电流放大系数 和β
在共射极放大电路中,若交流输入信号为零,则管子 各极间的电压和电流都是直流量,此时的集电极电流IC和 基极电流IB的比就是 , 称为共射直流电流放大系数。
当共射极放大电路有交流信号输入时,因交流信号的 作用,必然会引起IB的变化,相应的也会引起IC的变化, 两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β,上述两 个电流放大系数 和β的含义虽然不同,但工作在输出特 性曲线放大区平坦部分的三极管,两者的差异极小,可做 近似相等处理,故在今后应用时,通常不加区分,直接互 相替代使用。
(3)反向击穿电压UBR(CEO)反向击穿电压UBR(CEO) 是指基极开路时,加在集电极与发射极之间的最大允许电 压。使用中如果管子两端的电压UCE>UBR(CEO),集电 极电流IC将急剧增大,这种现象称为击穿。管子击穿将造 成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过 大时,有可能会出现,当管子截止时,UCE>UBR(CEO) 导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下,三极管电路 的电源电压EC应小于1/2 UBR(CEO)。
PCM=ICUCE (5-7)
功耗与三极管的结温有关,结温又与环境温度、管子是否 有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作 出三极管的允许功耗线,如图5-8所示。功耗线的左下方 为安全工作区,右上方为过损耗区
册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结 的上限温度为150℃左右,锗管为70℃左右,使用时应注 意不要超过此值,否则管子
晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不 变,但当IC的数值大到一定程度时,电流放大系数β值将 下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大 电路中能正常工作,IC不应超过ICM。
(2)集电极最大允许功耗PCM
晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量,产生 热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM,即
测得的集电极电流。常温下,硅管的ICBO在nA(10-9)的量级,通常 可忽略。 (2)集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时,集电极与发射极之 间的反向电流,即穿透电流,穿透电流的大小受温度的影响较大,穿大允许电
3、极限参数1)集电极最大允许电流ICM
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