极限流ICM参数1集电极最大允许电
德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌是一家知名的半导体公司，其晶体管参数包括以下方面：
1. 极间电压（Vce）：晶体管的最大工作电压差值，用于确定晶体管能否支持特定电路的工作电压要求。
2. 最大集电极电流（Ic max）：晶体管能够承受的最大集电极电流。
3. 最大功率（Pc）：晶体管可以承受的最大功耗。
4. 饱和电压（Vcesat）：当晶体管进行饱和工作时，集电极与发射极之间的电压。
5. 最大频率（fT）：晶体管能够工作的最高频率，通常用于射频放大器设计中。
6. 放大倍数（hFE）：晶体管在特定工作条件下的电流放大倍数。
7. 温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率，通常以温度系数负数来表示。
请注意，以上晶体管参数是一般性的示例，具体的参数取决于晶体管型号和规格。
如果您需要更具体的信息，建议直接参考英飞凌公司的官方资料或与他们联系。
1am三极管参数
1am三极管参数
1AM三极管是一个通用贴片NPN三极管，型号是MMBT3904LT1，丝印为1AM，可以用MMBTA05LT1进行代换。
以下是该型号的部分技术参数：
1.最大集电极电流(Icm)为200mA。
2.最大集电极-发射极击穿电压(Vcbo)是60V。
3.最大集电极-基极击穿电压(Vceo)是40V。
4.工作温度范围在-65℃ to +150℃。
此外，由于长年以来走访、交流优质的银河微一级代理商企业，多数的同行企业仓储备货充足，可供应贴片三极管、晶体三极管等系列热门型号产品，可根据客户不同要求提供各类晶体三极管。
以上信息仅供参考，建议查阅关于1AM三极管参数的资料获取更准确的信息。
三极管的极限参数
三极管的极限参数三极管是一种常用的半导体器件，具有电流放大、功率放大等作用，在电子电路中得到广泛的应用。
在使用三极管时，需要注意它的极限参数，这些参数规定了三极管的工作范围和承受能力，如果超过极限参数，三极管可能会损坏或性能下降。
以下是对三极管极限参数的详细描述。
一、集电极最大允许电流ICM集电极最大允许电流ICM是指三极管在正常工作状态下，集电极允许通过的最大电流值。
当集电极电流超过ICM时，三极管的电流放大系数β会下降，影响其正常工作。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极电流，确保其不超过ICM。
二、集电极最大允许耗散功率PCM集电极最大允许耗散功率PCM是指三极管在正常工作状态下，集电极允许消耗的最大功率值。
当集电极耗散功率超过PCM时，三极管会过热，可能会导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极耗散功率，确保其不超过PCM。
三、集电极-发射极反向击穿电压BVCEO集电极-发射极反向击穿电压BVCEO是指三极管在基极开路的情况下，集电极与发射极之间的最大允许电压值。
当集电极与发射极之间的电压超过BVCEO时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极与发射极之间的电压，确保其不超过BVCEO。
四、集电极-基极反向击穿电压BVCBO集电极-基极反向击穿电压BVCBO是指三极管在发射极开路的情况下，集电极与基极之间的最大允许电压值。
当集电极与基极之间的电压超过BVCBO时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极与基极之间的电压，确保其不超过BVCBO。
五、发射极-基极反向击穿电压BVebo发射极-基极反向击穿电压BVebo是指三极管在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的最大允许电压值。
当发射极与基极之间的电压超过BVebo时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。
因此，在使用三极管时，需要严格控制发射极与基极之间的电压，确保其不超过BVebo。
三极管的主要参数
三极管的主要参数直流参数1、直流参数 （1）集电极⼀基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在⼀定温度下是个常数，所以称为集电极⼀基极的反向饱和电流。
良好的三极管，Icbo很⼩，⼩功率锗管的Icbo约为1～10微安，⼤功率锗管的Icbo可达数毫安，⽽硅管的Icbo则⾮常⼩，是毫微安级。
（2）集电极⼀发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。
Iceo⼤约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极⼤，它们是衡量管⼦热稳定性的重要参数，其值越⼩，性能越稳定，⼩功率锗管的Iceo⽐硅管⼤。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放⼤系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输⼊时，集电极输出的直流电流与基极输⼊的直流电流的⽐值，即：β1=Ic/Ib交流参数 2、交流参数 （1）交流电流放⼤系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输⼊电流的变化量△Ib之⽐，即： β= △Ic/△Ib ⼀般晶体管的β⼤约在10-200之间，如果β太⼩，电流放⼤作⽤差，如果β太⼤，电流放⼤作⽤虽然⼤，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放⼤系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie 之⽐，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。
⾼频三极管的α＞0.90就可以使⽤ α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截⽌频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截⽌频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截⽌频率fαo fβ、fα是表明管⼦频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全⾯地反映晶体管的⾼频放⼤性能的重要参数。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全1.最大耐压（VCEO）：指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压，也是三极管工作的最高电压。
2.最大漏极电流（ICMAX）：指三极管的最大工作电流，超过该电流可能会导致器件损坏。
3. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致器件损坏。
4. 最大集电极-基极电压（VCEMax）：指三极管的集电极与基极之间的最大电压，通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。
5. 最大基极电流（IBmax）：指三极管的最大基极电流，超过该电流可能会导致器件损坏。
6. 饱和区电压下降（VCEsat）：指三极管在饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。
7. 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：指三极管在饱和区时，基极与发射极之间的电压降。
8. 输入电阻（hie）：指三极管的输入电阻，它与基极电流成正比。
9. 输出电阻（hoe）：指三极管的输出电阻，它与输出电流成正比。
10. 增大时间（tf）：指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。
11. 减小时间（tr）：指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。
12. 反向转换时间（tfr）：指三极管由关断状态转换为导通状态时，极化电容反向充电所需的时间。
13. 正向转换时间（tff）：指三极管由导通状态转换为关断状态时，极化电容正向放电所需的时间。
14.最大效率：指在特定工作条件下，三极管从输入功率到输出功率的转换效率。
15.电流放大倍数（β）：指三极管中电流放大的倍数，即集电极电流与基极电流之比。
16.最大工作频率（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。
上述参数都是三极管常用的重要参数，不同型号的三极管具体数值会有所不同。
在选择三极管时，根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。
此外，这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。
常用三极管数据
常用三极管数据引言概述：三极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
了解常用三极管的数据参数对于正确选择和使用三极管至关重要。
本文将详细介绍常用三极管的数据参数，帮助读者更好地了解和应用三极管。
一、电流参数1.1 最大集电电流（ICmax）：指三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。
该参数决定了三极管的功率承受能力。
1.2 最大基极电流（IBmax）：指三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。
超过该电流会导致三极管损坏。
1.3 最大发射极电流（IEmax）：指三极管正常工作时允许通过发射极的最大电流。
该参数与最大集电电流和最大基极电流之间的关系为IEmax = ICmax - IBmax。
二、电压参数2.1 最大集电极-发射极电压（VCEO）：指三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。
超过该电压会导致三极管损坏。
2.2 最大集电极-基极电压（VCBO）：指三极管正常工作时允许的最大集电极-基极电压。
超过该电压会导致三极管损坏。
2.3 最大基极-发射极电压（VBE）：指三极管正常工作时允许的最大基极-发射极电压。
超过该电压会导致三极管损坏。
三、功率参数3.1 最大耗散功率（PDmax）：指三极管正常工作时允许的最大耗散功率。
超过该功率会导致三极管过热损坏。
3.2 热阻（θJA）：指三极管在单位功率耗散时，导热器件与环境之间的热阻。
热阻越小，三极管的散热性能越好。
3.3 热稳定系数（θJC）：指三极管在单位功率耗散时，导热器件与芯片之间的热阻。
热稳定系数越小，三极管的散热性能越好。
四、放大参数4.1 直流放大倍数（hFE）：指三极管在直流工作状态下，输出电流与输入电流之间的比值。
该参数决定了三极管的放大能力。
4.2 最大输出功率（Poutmax）：指三极管在最大输出功率时能够提供的最大输出功率。
4.3 频率响应范围（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。
超过该频率会导致三极管的放大能力下降。
全系列三极管参数
全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件，主要由三个控制电极组成：基极、发射极和集电极。
它可以将小信号放大成大信号，并具有放大和开关两种应用。
下面将详细介绍三极管的各种参数。
1.DC参数：（1）E-B击穿电压：控制电极到基极之间的击穿电压，通常是5V。
（2）集电极饱和电压：集电极电压和基极电压之间的差，通常是0.2V。
（3）极化电压：基极与发射极之间的电压，一般为0.6V。
（4）漂移电流：无输入信号时集电极电流，通常为1μA。
2.小信号参数：（1）共射放大参数：-电流放大倍数：基极电流和集电极电流之比，通常为20。
-输入电阻：基极电阻，通常为50kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为100Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为300。
-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（2）共集放大参数：-电流放大倍数：发射极电流和集电极电流之比，通常为1-输入电阻：发射极电阻，通常为10Ω。
-输出电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为1-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（3）共基放大参数：-电流放大倍数：基极和集电极电流之比，通常为0.99-输入电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为0.1Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为0.99-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
3.大信号参数：（1）最大集电极电流：集电极电流的最大值。
（2）最大功率：集电极电流和集电极电压之积的最大值。
（3）最大集电极电压：集电极电压的最大值。
（4）开关时间：从信号输入到放大器开关的时间，一般小于1μs。
4.噪声参数：（1）噪声系数：直流电流吸收后引起的输出噪声。
（2）输出噪声电压：由于内部噪声而引起的输出电压。
以上是三极管的一些重要参数，这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全1. 最大集电极电流（IC max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极电流。
这个参数决定了三极管能够驱动的负载电流的最大值。
2. 最大功率耗散（PD max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大功率耗散。
这个参数决定了在特定工作条件下，三极管能够承受的最大功率，超过这个功率则可能会损坏。
3. 最大集电极-基极电压（VCEO max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极-基极电压。
这个参数决定了三极管能够承受的最大电压，超过这个电压则可能会损坏。
4. 最大集电极-发射极电压（VCE sat）：三极管在饱和区的工作条件下，集电极-发射极之间的电压。
这个参数决定了三极管在饱和区时的电压控制能力。
5. 最大基极-发射极电压（VBE max）：三极管在特定工作条件下，基极-发射极之间能够承受的最大电压。
这个参数决定了三极管能够承受的最大电压，超过这个电压则可能会损坏。
6.直流电流放大倍数（hFE）：这个参数代表了三极管的放大能力。
它表示了当三极管的基极电流变化时，集电极电流变化的倍数。
7. 最大封装功率耗散（PC max）：三极管的封装能够承受的最大功率耗散。
这个参数与封装结构和材料有关，超过这个功率则可能会损坏封装。
8. 最大封装温度（Tj max）：三极管封装能够承受的最高温度。
超过这个温度则可能会导致封装失效。
9. 最大储存温度（Tstg max）：三极管能够承受的最高储存温度。
超过这个温度则可能会导致三极管性能退化。
10.最大工作频率（fT）：这个参数代表了三极管的最高工作频率。
在高频应用中，这个参数决定了三极管能够工作的最高频率。
通过了解和理解这些三极管参数，我们可以根据具体设计需求选择合适的三极管。
这些参数对于电子电路的设计和分析非常重要，因此研究这些参数并了解它们的意义是很有用的。
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4、温度对三极管参数的影
几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。 温度对下列的三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃， β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电 极电流IC随温度上升而增大。（2）对反向饱和电流ICEO 的影响：
由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。 常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管 子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一
极间反向饱和电流ICBO和ICEO
极间反向饱和电流ICBO和ICEO （1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系 很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO 将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管 ICEO的影响不大。
）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降 2～2.5mV。
综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，
1.2.4三极管的主要参数
1、共射电流放大系数 和β
在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子 各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和 基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。
当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的 作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化， 两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，上述两 个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特 性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做 近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互 相替代使用。
（3）反向击穿电压UBR（CEO）反向击穿电压UBR（CEO） 是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电 压。使用中如果管子两端的电压UCE＞UBR（CEO），集电 极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造 成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过 大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO） 导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路 的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。
PCM=ICUCE （5-7）
功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否 有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作 出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方 为安全工作区，右上方为过损耗区
册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结 的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注 意不要超过此值，否则管子
晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不 变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将 下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大 电路中能正常工作，IC不应超过ICM。
（2）集电极最大允许功耗PCM
晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生 热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即
测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常 可忽略。 （2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之 间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿大允许电
3、极限参数1）集电极最大允许电流ICM