晶体管型号命名方法
三极管型号判断
一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6二、晶体三极管的种类晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。
详见表5－6。
晶体三极管的种类划分如下。
①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。
②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。
③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。
④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。
三、三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。
①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。
此值越小说明晶体管温度稳定性越好。
一般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小。
集电极－发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。
此值越小说明晶体管稳定性越好。
过大说明这个晶体管不宜使用。
②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM；集电极最大允许耗散功率I CM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。
③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。
为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。
锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。
表5-7 部分三极管β值色标表示④特性频率f T：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。
也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。
四、常用晶体三极管的外形识别①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如图5-25 所示。
图5-25小功率晶体三极管电极识别②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如图5-26(a) 所示。
晶体管型号命名方法
管
D:＜0.6电子伏特 G:复合器件,其它
②类型/特性
H:磁敏二极管
K:开放磁路霍尔元件 L:高频大功率三极 管M:开放磁路霍尔元
件
P:光敏器件
Q:发光器件
R:小功率晶闸管
S:小功率开关管 T:大功率晶闸管 U:大功率开关管 X:倍增二极管 Y:整流二极管 Z:稳压二极管
R:复合材料
备注:小功率:RTJ＞15℃/W,大功率:RTJ＜15℃/W
美国电子工 业协会注册号
C
⑤分档
A
B C D . .
同一型号划分 的不同档次
B
T
①材料
A:锗(0.6-1.0
A:检波开关混频二极
管
电子伏特材料) B:变容二极管
B:硅(1.0-1.3
电子伏特材料)
C:低频小功率三极 管D:低频大功率三极
管
C:＞1.3电子伏特 E:隧道二极管
材料如砷化镓 F:高频小功率三极
F：P极控晶闸管
M：双向晶闸管
G：N极控晶闸管 H：N基极单结晶体
管
C
日本电子工业 协会（JEIA）
D
注册登记号
.
.
原型号的改进 产品
① JAN
J
（表示军用品）
无
（非军用）
1
②电极数目
1
（一个PN结）
2
（二个PN结）
3
（三个PN结）
N
n个PN结
N③ 注Βιβλιοθήκη 标志N美国电子工业协会注册标志
4148
④登记号码
A26
-600B
③登记号 ④分档标记
A
三位数字:通用
B
半导体器件
三极管命名及使用
同一器件的
不同档次
符 意义
号
A、 B、 C…
表 器 改 型
示 件 进
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。
2.3 日本半导体器件命名法
表 2-17 日本半导体器件命名法
第一部分
第二部分
用数字表示器件 用 字 母 表 示 半
的电极数目
导体器件
符 意义 符
号
号
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器 件的等级
符 意义
号 J 军品
非军品 无
用数字表示 PN 结 数目
符 意义
号 1 二极管 2 三极管
3 四极管
用字母表示材 料
符 意义
号
表示不加 热即半导 N 体器件
用数字表示器 件登记序号
符号 意 义
2～4 登 记 位 顺序 数字 号
用字母表示
CS9018 310 100 12
8050 1000 1500 25
0.5
0.6
0.5
0.6
0.05 0.3 0.5
0.05 0.7 0.05 0.3 0.05 0.5 0.05 0.5
64
78
96
118 150
144
64
78
96 118 150
144
60
60
100 200 150
400
60 50
60
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
晶体管的命名方法
晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或T（新）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。
第二位代表材料和极性。
A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C代表PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。
第三位表示用途，X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。
最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。
二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。
对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。
上面例子，具体说就是PNP型锗材料低频小功率管。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W) I cm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >1003DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >1003DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >3003DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >1003DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >1003DG130C SI-NPN 0.8 300 60 1503DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40C9013 SI-NPN 0.625 500 40C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1GC8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 2002N5551 SI-NPN 0.625 600 1802N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 1002N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300四、用万用表测试三极管（1）判别基极和管子的类型选用欧姆档的R×100（或R×1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
场效应管基础知识资料
场效应管基础知识一、场效应管的分类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、I DSS —饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、UP —夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT —开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM —跨导。
是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS —漏源击穿电压。
是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM —最大耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM —最大漏源电流。
是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过IDSM几种常用的场效应三极管的主要参数四、场效应管的作用2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
晶体管的命名方法
1 ．国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。
如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W) BNPN 型，锗材料K开关管C PNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)低， B 稍高D NPN 型，硅材料S隧道管E 化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1 表示二极管， 2 表示三极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表 5 · 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工AB该器件为原型号产品的改BNP 低频晶体管登记的半导体器件CNPN 高频晶体管业协会的注册登记号CD进产品1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
一、中国半导体器件型号命名方法
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、Eቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P- 光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
国际电子联合会晶体管型号命名
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。
如表11所示。
1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N2904 1N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。
例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。
例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。
因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。
3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N 开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。
三极管
1.3.4 T的主要参数 的主要参数
一、直数 β 2. 共基直流电流放大系数 直流电流放大系数 α 3. 极间反向电流
___
___
___
IC β ≈ IB ___ IC α ≈ IE
I CBO I CEO
I CBO — e极开路时 结的反向饱和电流 极开路时c结的反向饱和电流 极开路时
E
ICEO = (1 + β ) ICBO
二、交流参数 交流参数
1. 共射交流电流放大系数 2. 共基交流电流放大系数 交流电流放大系数 3. 特征频率
∆iC β≈ ∆iB
∆iC α≈ ∆iE
数值下降到1的信号频率称为 使 β 数值下降到 的信号频率称为 特征频率
例：UCE=6V时：IB = 40 µA, IC =1.5 mA； 时 ； IB = 60 µA, IC =2.3 mA。求共射极放大电路的直 。 流放大倍数和交流放大倍数
4 3 2 1
IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏， 集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ， 饱和区。 称为饱和区 称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
2011-10-13
1.3.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol)
一、结构 两种: 两种 NPN PNP
发射区 集电区
三极: 三极 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 三区: 三区 e,b,c 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 两节: 两节 Je,Jc
中国晶体管型号组成部分的符号及其意义
P型．锗材料
W
稳压管
A
高频大功率管
C
N型．硅材料
C
参量管
（fa≥3兆赫，Pc≥1瓦）
D
P型．硅材料
Z
整流管
T
半导体闸流管
L
整流管
（可控整流器）
S
隧道管
Y
体效应器件
N
阻尼管
B
雪崩管
3
三极管ABiblioteka PnP型，锗材料U
光电器件
J
阶跃恢复管
B
NPN型，锗材料
K
开关管
CS
场效应管
C
PnP型，硅材料
X
低频小功率
BT
半导体特殊器件
D
NPN型，硅材料化合物材料
fa＜3兆赫，Pc＜1瓦
FH
复合管
E
G
高频小功率管
PIN
PIN管
fa≥3兆赫，Pc＜1瓦
JG
激光器件
中国晶体管型号组成部分的符号及其意义
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用数字表示器
件的电极数目
用汉语拼音字母表示
器件的材料和极性
用汉语拼音字母表示器件的类型
用数字表示器件序号
用汉语拼音字母表示规格号
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
P
普通管
D
低频大功率管
2
二极管
A
N型，锗材料
V
微波管
fa＜3兆赫，Pc≥1瓦
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A26
-600B
③登记号 ④分档标记
A
三位数字:通用
Bபைடு நூலகம்
半导体器件
C
D
一字母二数字:
专用半导体器 件
. .
按某一参数进
行分档的标志
3
①电极数目
D
②材料、极性
D
③类型
A：N型锗管
P：普通管
V：混频/检波管
2（二极管）
B：P型锗管 C：N型硅管
W：稳压管 Z：整流管
L：整流堆 S：隧道管
D：P型硅管
N：阻尼管
U：光敏管
A：PNP锗管
A：高频大功率（f≥3MHz，Pc≥1W）
B：NPN锗管
3（三极管） C：PNP硅管
D：低频大功率（f＜3MHz，Pc≥1W） G：高频中小功率(f≥3MHz，Pc＜1W）
D：NPN硅管
X：低频中小功率(f＜3MHz，Pc＜1W）
E：化合物材料 T：晶闸管 Y：体效应管
备注：大功率--Pc≥1W，中功率--0.5W ≤Pc＜1W，小功率--Pc＜0.5W
F：P极控晶闸管
M：双向晶闸管
G：N极控晶闸管 H：N基极单结晶体
管
C
日本电子工业 协会（JEIA）
D
注册登记号
.
.
原型号的改进 产品
① JAN
J
（表示军用品）
无
（非军用）
1
②电极数目
1
（一个PN结）
2
（二个PN结）
3
（三个PN结）
N
n个PN结
N
③ 注册标志
N
美国电子工业协会注册标志
4148
④登记号码
美国电子工 业协会注册号
C
⑤分档
A
B C D . .
同一型号划分 的不同档次
B
T
①材料
A:锗(0.6-1.0
A:检波开关混频二极
管
电子伏特材料) B:变容二极管
B:硅(1.0-1.3
电子伏特材料)
C:低频小功率三极 管D:低频大功率三极
管
C:＞1.3电子伏特 E:隧道二极管
材料如砷化镓 F:高频小功率三极
1.晶体管型号命名方法
日本 美国 欧洲 中国
2
①PN结数目
0
（光敏器件）
1
（二极管）
2
（三极管）
3
（四电极器件）
S
C
5344
Y
②S
③材料、极性、类型
④注册登记 号
⑤改进序列
A：PNP高频
J：P沟道场效应管
A
B：PNP低频
K：N沟道场效应管
B
C：NPN高频
S
D：NPN低频
日本电子工业协会 （JEIA）注册标志
管
D:＜0.6电子伏特 G:复合器件,其它
②类型/特性
H:磁敏二极管
K:开放磁路霍尔元件 L:高频大功率三极 管M:开放磁路霍尔元
件
P:光敏器件
Q:发光器件
R:小功率晶闸管
S:小功率开关管 T:大功率晶闸管 U:大功率开关管 X:倍增二极管 Y:整流二极管 Z:稳压二极管
R:复合材料
备注:小功率:RTJ＞15℃/W,大功率:RTJ＜15℃/W
15
④序列号
数字
A
⑤规格
字母