电源完整性设计详解

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电源完整性理解与设计

电源完整性理解与设计

电源完整性理解与设计一、定义:电源完整性(Powerintegrity)简称PI,是确认电源来源及目的端的电压及电流是否符合需求。

电源完整性在现今的电子产品中相当重要。

有几个有关电源完整性的层面:芯片层面、芯片封装层面、电路板层面及系统层面。

在电路板层面的电源完整性要达到以下三个需求:1、使芯片引脚的电压噪声+电压纹波比规格要求要小一些(例如芯片电源管脚的输入电压要求1V之间的误差小于+/-50mV)2、控制接地反弹(地弹)(同步切换噪声SSN、同步切换输出SSO)3、降低电磁干扰(EMI)并且维持电磁兼容性(EMC):电源分布网络(PDN)是电路板上最大型的导体,因此也是最容易发射及接收噪声的天线。

1.1“地弹”:是指芯片内部“地”电平相对于电路板“地”电平的变化现象。

以电路板“地”为参考,就像是芯片内部的“地”电平不断的跳动,因此形象的称之为地弹(groundbounce)。

当器件输出端由一个状态跳变到另一个状态时,地弹现象会导致器件逻辑输入端产生毛刺。

对于任何形式封装的芯片,其引脚必会存在电感电容等寄生参数,而地弹主要是由于GND引脚上的阻抗引起的。

集成电路的规模越来越大,开关速度不断提高,地弹噪声如果控制不好就会影响电路的功能,因此有必要深入理解地弹的概念并研究它的规律。

我们可以用下图来直观的解释一下。

图中开关Q的不同位置代表了输出的“0”“1”两种状态。

假定由于电路状态装换,开关Q接通RL低电平,负载电容对地放电,随着负载电容电压下降,它积累的电荷流向地,在接地回路上形成一个大的电流浪涌。

随着放电电流建立然后衰减,这一电流变化作用于接地引脚的电感LG,这样在芯片外的电路板“地”与芯片内的地之间,会形成一定的电压差,如图中VG。

这种由于输出转换引起的芯片A的输出变化,产生地弹。

这对芯片A的输入逻辑是有影响的。

接收逻辑把输入电压和芯片内部的地电压差分比较确定输入,因此从接收逻辑来看就象输入信号本身叠加了一个与地弹噪声相同的噪声。

高速PCB中电源完整性的设计

高速PCB中电源完整性的设计

高速PCB中电源完整性的设计
中心议题:
* 电源噪声的起因及分析
* 去耦电容的应用
* 电源回路的设计
解决方案:
* 电源的分层设计来考虑
* 电容与芯片尽可能靠近芯片器件* 利用电源层和地层作为回路,减少了返回环路面积
一、引言
随着PCB 设计复杂度的逐步提高,对于信号完整性的分析除了反射,串扰以及EMI 之外,稳定可靠的电源供应也成为设计者们重点研究的方向之一。

尤其当开关器件数目不断增加,核心电压不断减小的时候,电源的波动往往会给系统带来致命的影响,于是人们提出了新的名词:电源完整性,简称
PI(powerintegrity)。

当今国际市场上,IC 设计比较发达,但电源完整性设计还是一个薄弱的环节。

因此本文提出了PCB 板中电源完整性问题的产生,分析了影响电源完整性的因素并提出了解决PCB 板中电源完整性问题的优化方法与经验设计,具有较强的理论分析与实际工程应用价值。

二、电源噪声的起因及分析
对于电源噪声的起因我们通过一个与非门电路图进行分析。

图1 中的电路图为一个三输入与非门的结构图,因为与非门属于数字器件,它是通过1 和0 电平的切换来工作的。

随着IC 技术的不断提高,数字器件的切换速度也越来越快,这就引进了更多的高频分量,同时回路中的电感在高频下就很容易引起电。

电源完整性设计指导

电源完整性设计指导

电源、地平面的功能与设计原理............................................................................................. 20 2.1 电地平面的阻抗与滤波功能.....................................................................................21 2.1.1 电地平面地目标阻抗......................................................................................... 21 2.1.2 2.2 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 目标阻抗的获得..................................................................................................21 电地平面的信号参考功能......................................................................................... 26 电地平面的 EMI 抑制 ................................................................................................ 28 PCB 叠层的处理:.............................................................................................28 PCB 分割、布局、布线和电源平面分配问题 ...............................................28 地平面地划分和处理......................................................................................... 29 地电平面谐振地处理......................................................................................... 30 电源滤波的处理..................................................................................................31 其他与 EMI 密切相关的问题 ........................................................................... 31

电源完整性设计1

电源完整性设计1

电源完整性设计1
为什么要重视电源噪声问题
芯片内部有成千上万个晶体管,这些晶体管组成内部的门电路、组合逻辑、寄存器、计数器、延迟线、状态机、以及其他逻辑功能。

随着芯片的集成度越来越高,内部晶体管数量越来越大。

芯片的外部引脚数量有限,为每一个晶体管提供单独的供电引脚是不现实的。

芯片的外部电源引脚提供给内部晶体管一个公共的供电节点,因此内部晶体管状态的转换必然引起电源噪声在芯片内部的传递。

对内部各个晶体管的操作通常由内核时钟或片内外设时钟同步,但是由于内部延时的差别,各个晶体管的状态转换不可能是严格同步的,当某些晶体管已经完成了状态转换,另一些晶体管可能仍处于转换过程中。

芯片内部处于高电平的门电路会把电源噪声传递到其他门电路的输入部分。

如果接受电源噪声的门电路此时处于电平转换的不定态区域,那么电源噪声可能会被放大,并在门电路的输出端产生矩形脉冲干扰,进而引起电路的逻辑错误。

芯片外部电源引脚处的噪声通过内部门电路的传播,还可能会触发内部寄存器产生状态转换。

除了对芯片本身工作状态产生影响外,电源噪声还会对其他部分产生影响。

比如电源噪声会影响晶振、PLL、DLL 的抖动特性,AD 转换电路的转换精度等。

解释这些问题需要非常长的篇幅,本文不做进一步介绍,我会在后续文章中详细讲解。

由于最终产品工作温度的变化以及生产过程中产生的不一致性,如果是由于电源系统产生的问题,电路将非常难调试,因此最好在电路设计之初就遵循某种成熟的设计规则,使电源系统更加稳健。

电源完整性设计(2)电源系统噪声余量分析
绝大多数芯片都会给出一个正常工作的电压范围,这个值通常是。

板级电源完整性设计与分析

板级电源完整性设计与分析

影响旁路电容器工作性能因素
等效串联电阻(ESR):电容器电极是由电导率有限的导体组成, 所以电容器存在与其本身有关的阻抗成为等效电阻。 等效串联电感(ESL):时变电流流过电容器产生磁场所引起的 电感成为电容器的等效串联电感。 ESL与电容器电容之间的相互作用产生谐振。当频率低于谐振频 率时电容器表现为容性,而当频率高于谐振频率时则表现为感性。 谐振频率公式:f=1/(2π LC )
电路板级电源完整性设计
电源配送中的问题
供电电源(电压和电流的源端)通常体积很大,不能直接接到IC的Vdd 和Gnd端。因此,不得不用具有电阻和电感的连线互联到一起。流过这些导 线的电流在IC的Vdd和Gnd端 引发了包括直流压降和时变电压波动等问题, 这对IC内部晶体管电路都是有害的。所以,必须在供电电源和IC之间建立一 个合适的电源配送网络(PDN),及时调节供电电压,使得在要求的时间区间 内能够为IC提供足够的电流。IC端电源的电压波动成为电源噪声,IC工作过 程中内部晶体管处于开关工作模式,将会导致这种噪声,所以也叫开关噪声。 该噪声将会导致以下问题: IC端电压的降低将减慢或阻止内部晶体管状态切换; IC端电压的升高将引发可靠性问题; 导致时序电路波形失真;
Z频率曲线
处理器PDN目标阻抗发展趋势
电路板级电源完整性设计
PDN的设计 阻抗和噪声电压
如下图供电电压为2V,要满足5%容限、10A平均电流,则目标阻 抗为10mΩ 。电源到电容器的分布电阻和电感分别为3mΩ 和320pH。当 电流从电源流到电容器(通过互联)对电容器充电时,分布电阻和分 布电感导致阻性和感性压降。电容器参数为:等效串联电阻(ESR) =10mΩ ,等效串联电感(ESL)=1nH,C=100UF,其谐振频率 f=1/(2π LC )=0.5MHZ

电源完整性设计

电源完整性设计

电容对于交流信号呈现低阻抗特性,因此加入电容,实际上就是 降低了电源系统的交流阻抗。 瞬态电流的剧变也要使得电压变化很小,这就要求阻抗足够低。 事实上,电源分配系统设计的原则便是使阻抗最小。
从储能的角度来理解电源退耦,非常直观易懂,但是对电路设计 帮助不大。从阻抗的角度理解电容退耦,能让我们的设计有章可 循。
从电源系统的角度进行去耦设计
不同容值的电容并联
反谐振
A.不同容值的电容并联,其阻抗特性曲线的底部要比相同容值并联阻 抗曲线的底部平坦,因而能更有效地在很宽的频率范围内减小阻抗。 B.在反谐振频率点处会产生EMI问题,合理的选择电容,尽可能的压低 反谐振点处的阻抗。
从电源系统的角度进行去耦设计
合理选择电容组合
相同容值的电容并联
使用很多电容并联能有效地减小阻抗。63 个0.0316uF的小电容(每个 电容ESL为1nH)并联的效果相当于一个具有0.159nH ESL 的1.9908uF 的电容。
从电源系统的角度进行去耦设计
单个电容
并联电容
单个电容及并联电容的阻抗特性如图所示。并联后仍有相同的 谐振频率,但是并联电容在每一个频率点上的阻抗都小于单个 电容。要在很宽的频率范围内满足目标阻抗要求,需要并联大 量的同值电容。
从电源系统的角度进行去耦设计
电容的去耦半径
理解去耦半径可以通过考察噪声源和电容补偿电流之间的相位关系感知源自压波动电源平面的电 压波动
去耦电容
放电补偿
去耦电容感知电压波动和放电到波动区域,都有时间延迟,因而便有相位 上的不一致。特定的电容,对与它自谐振频率相同的噪声补偿效果最好, 我们以这个频率来衡量这种相位关系。 补偿电流: 。自谐振频率为f,对应波长为λ,A是电流幅度, R为需要补偿的区域到电容的距离,C为信号传播速度。 R=λ/4时,电流和噪声源完全反相,补偿能量无法到达,去耦作用消失。 R=0时,全补偿。 要求R远小于λ/4,经验数据是λ/40~ λ/50.

电源完整性

电源完整性

引言电源完整性这一概念是以信号完整性为基础的,两者的出现都源自电路开关速度的提高。

当高速信号的翻转时间和系统的时钟周期可以相比时,具有分布参数的信号传输线、电源和地就和低速系统中的情况完全不同了。

与信号完整性是指信号在传输线上的质量相对应,电源完整性是指高速电路系统中电源和地的质量。

它在对高速电路进行仿真时,往往会因信号参考层的不完整造成信号回流路径变化多端,从而引起信号质量变差和产品的EMI性能变差,并直接影响信号完整性。

为了提高信号质量、产品的EMI性能,人们开始研究怎样为信号提供一个稳定、完整的参考平面,并随之提出了电源完整性的概念。

EDA厂商Cadence公司资深技术工程师曾指出,在未来的三到五年内,电源完整性设计将取代信号完整性设计成为高速PCB设计新的难点和重点。

电源完整性的影响因素及措施电源完整性的作用是为系统所有的信号线提供完整的回流路径。

但在技术高速发展以及生产成本的控制下,往往不能为所有的信号线提供理想而完整的回流路径,这就是说,在高速电路中,不能够简单地将电源和地当作理想的情况来处理。

这主要是因为地弹噪声太大、去耦电容设计不合理、回流影响严重、多电源/地平面的分割不当、地层设计不合理、电流分配不均匀、高频的趋肤效应导致系统阻抗变化等诸多因素都会破坏电源完整性。

地弹噪声地弹噪声也称为同步开关噪声(SSN),通常认为是由电路的感应引起的。

当电路中有较大的瞬态电流出现时(比如多条信号线上的信号同时翻转),会在电路分布参数所引起的感性阻抗上产生瞬态电压,进而便引起SSN。

芯片封装结构的SSN是由于突变的电流流过封装结构的引脚、引线和焊盘等寄生电感所导致。

如芯片的多个输出管脚同时触发时,将有一个较大的瞬态电流在芯片与板的电源平面流过,芯片封装与电源平面的电感和电阻会引发电源噪声,这样会在真正的地平面(0V)上产生电压波动,此波动对其他共电源/地总线的静态驱动将构成严重的干扰,甚至引起误触发。

电源完整性设计:需要多大的电容量

电源完整性设计:需要多大的电容量

电源完整性设计-需要多大的电容量 需要多大的电容量 有两种方法确定所需的电容量。

第一种方法利用电源驱动的负载计算电容量。

这种方法 没有考虑 ESL 及 ESR 的影响,因此很不精确,但是对理解电容量的选择有好处。

第二种方 法就是利用目标阻抗(Target Impedance )来计算总电容量,这是业界通用的方法,得到了 广泛验证。

你可以先用这种方法来计算,然后做局部微调,能达到很好的效果,如何进行局 部微调,是一个更高级的话题。

下面分别介绍两种方法。

方法一:利用电源驱动的负载计算电容量 设负载(容性)为 30pF,要在 2ns 内从 0V 驱动到 3.3V,瞬态电流为:(公式 5) 如果共有 36 个这样的负载需要驱动,则瞬态电流为:36*49.5mA=1.782A 。

假设容许电压波 动为:3.3*2.5%=82.5 mV,所需电容量为 C=I*dt/dv=1.782A*2ns/0.0825V=43.2nF 说明:所加的电容实际上作为抑制电压波纹的储能元件,该电容必须在 2ns 内为负载提供 1.782A 的电流, 同时电压下降不能超过 82.5 mV, 因此电容值应根据 82.5 mV 来计算。

记住: 电容放电给负载提供电流,其本身电压也会下降,但是电压下降的量不能超过 82.5 mV(容 许的电压波纹) 。

这种计算没什么实际意义,之所以放在这里说一下,是为了让大家对去耦 原理认识更深。

方法二:利用目标阻抗计算电容量(设计思想很严谨,要吃透) 为了清楚的说明电容量的计算方法,我们用一个例子。

要去耦的电源为 1.2V,容许电 压波动为 2.5%,最大瞬态电流 600mA, 第一步:计算目标阻抗第二步:确定稳压电源频率响应范围。

和具体使用的电源片子有关,通常在 DC 到几百 kHz 之间。

这里设为 DC 到 100kHz 。

在 100kHz 以下时,电源芯片能很好的对瞬态电流做出反应,高于 100kHz 时,表现为很高 的阻抗,如果没有外加电容,电源波动将超过允许的 2.5%。

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文章来源:于博士信号完整性研究网
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电源完整性设计详解
原创:于争 博士
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工艺的提高,现代的稳压芯片直流精度更高,可能会达到±1%以下,TI 公司的开关电源芯 片 TPS54310 精度可达±1%,线性稳压源 AMS1117 可达±0.2%。但是要记住,达到这样的精 度是有条件的,包括负载情况,工作温度等限制。因此可靠的设计还是以±2.5%这个值更把 握些。如果你能确保所用的芯片安装到电路板上后能达到更高的稳压精度,那么你可以为你 的这款设计单独进行噪声余量计算。本文着重电源部分设计的原理说明,电源噪声余量将使 用±2.5%这个值。
电源完整性设计详解
原创:于争 博士
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电源完整性设计详解
作者:于争 博士 2009 年 4 月 10 日
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电源完整性设计详解
目录
原创:于争 博士
1 为什么要重视电源噪声问题?.................................................................... - 1 2 电源系统噪声余量分析................................................................................ - 1 3 电源噪声是如何产生的?............................................................................ - 2 4 电容退耦的两种解释.................................................................................... - 3 -
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电源完整性设计详解
原创:于争 博士
1、为什么要重视电源噪声问题?
芯片内部有成千上万个晶体管,这些晶体管组成内部的门电路、组合逻辑、寄存器、计 数器、延迟线、状态机、以及其他逻辑功能。随着芯片的集成度越来越高,内部晶体管数量 越来越大。芯片的外部引脚数量有限,为每一个晶体管提供单独的供电引脚是不现实的。芯 片的外部电源引脚提供给内部晶体管一个公共的供电节点,因此内部晶体管状态的转换必然 引起电源噪声在芯片内部的传递。
2、电源系统噪声余量分析
绝大多数芯片都会给出一个正常工作的电压范围,这个值通常是±5%。例如:对于 3.3V 电压,为满足芯片正常工作,供电电压在 3.13V 到 3.47V 之间,或 3.3V±165mV。对于 1.2V 电压,为满足芯片正常工作,供电电压在 1.14V 到 1.26V 之间,或 1.2V±60mV。这些限制 可以在芯片 datasheet 中的 recommended operating conditions 部分查到。这些限制要考 虑两个部分,第一是稳压芯片的直流输出误差,第二是电源噪声的峰值幅度。老式的稳压芯 片的输出电压精度通常是±2.5%,因此电源噪声的峰值幅度不应超过±2.5%。当然随着芯片
4、电容退耦的两种解释
采用电容退耦是解决电源噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度, 降低电源分配系统的阻抗都非常有效。
对于电容退耦,很多资料中都有涉及,但是阐述的角度不同。有些是从局部电荷存储(即 储能)的角度来说明,有些是从电源分配系统的阻抗的角度来说明,还有些资料的说明更为 混乱,一会提储能,一会提阻抗,因此很多人在看资料的时候感到有些迷惑。其实,这两种 提法,本质上是相同的,只不过看待问题的视角不同而已。为了让大家有个清楚的认识,本 文分别介绍一下这两种解释。
4.1 从储能的角度来说明电容退耦原理。.............................................. - 3 4.2 从阻抗的角度来理解退耦原理。...................................................... - 4 5 实际电容的特性............................................................................................ - 5 6 电容的安装谐振频率.................................................................................... - 8 7 局部去耦设计方法...................................................................................... - 10 8 电源系统的角度进行去耦设计.................................................................. - 12 8.1 著名的 Target Impedance(目标阻抗).......................................... - 12 8.2 需要多大的电容量............................................................................ - 13 8.3 相同容值电容的并联........................................................................ - 15 8.4 不同容值电容的并联与反谐振(Anti-Resonance)...................... - 16 8.5 ESR 对反谐振(Anti-Resonance)的影响 ...................................... - 17 8.6 怎样合理选择电容组合.................................................................... - 18 8.7 电容的去耦半径................................................................................ - 20 8.8 电容的安装方法................................................................................ - 21 9 结束语.......................................................................................................... - 24 -
对内部各个晶体管的操作通常由内核时钟或片内外设时钟同步,但是由于内部延时的差 别,各个晶体管的状态转换不可能是严格同步的,当某些晶体管已经完成了状态转换,另一 些晶体管可能仍处于转换过程中。芯片内部处于高电平的门电路会把电源噪声传递到其他门 电路的输入部分。如果接受电源噪声的门电路此时处于电平转换的不定态区域,那么电源噪 声可能会被放大,并在门电路的输出端产生矩形脉冲干扰,进而引起电路的逻辑错误。芯片 外部电源引脚处的噪声通过内部门电路的传播,还可能会触发内部寄存器产生状态转换。
3、电源噪声是如何产生的?
电源系统的噪声来源有三个方面: 第一,稳压电源芯片本身的输出并不是恒定的,会有一定的波纹。这是由稳压芯片自身 决定的,一旦选好了稳压电源芯片,对这部分噪声我们只能接受,无法控制。 第二,稳压电源无法实时响应负载对于电流需求的快速变化。稳压电源芯片通过感知其 输出电压的变化,调整其输出电流,从而把输出电压调整回额定输出值。多数常用的稳压源
电源噪声余量计算非常简单,方法如下: 比如芯片正常工作电压范围为 3.13V 到 3.47V 之间,稳压芯片标称输出 3.3V。安装到 电路板上后,稳压芯片输出 3.36V。那么容许电压变化范围为 3.47-3.36=0.11V=110mV。稳 压芯片输出精度±1%,即±3.363*1%=±33.6 mV。电源噪声余量为 110-33.6=76.4 mV。 计算很简单,但是要注意四个问题: 第一,稳压芯片输出电压能精确的定在 3.3V 么?外围器件如电阻电容电感的参数也不 是精确的,这对稳压芯片的输出电压有影响,所以这里用了 3.36V 这个值。在安装到电路板 上之前,你不可能预测到准确的输出电压值。 第二,工作环境是否符合稳压芯片手册上的推荐环境?器件老化后参数还会和芯片手册 上的一致么? 第三,负载情况怎样?这对稳压芯片的输出电压也有影响。 第四,电源噪声最终会影响到信号质量。而信号上的噪声来源不仅仅是电源噪声,反射 串扰等信号完整性问题也会在信号上叠加噪声,不能把所有噪声余量都分配给电源系统。所 以,在设计电源噪声余量的时候要留有余地。 另一个重要问题是:不同电压等级,对电源噪声余量要求不一样,按±2.5%计算的话, 1.2V 电压等级的噪声余量只有 30mV。这是一个很苛刻的限制,设计的时候要谨慎些。模拟 电路对电源的要求更高。电源噪声影响时钟系统,可能会引起时序匹配问题。因此必须重视 电源噪声问题。
除了对芯片本身工作状态产生影响外,电源噪声还会对其他部分产生影响。比如电源噪 声会影响晶振、PLL、DLL 的抖动特性,AD 转换电路的转换精度等。解释这些问题需要非常 长的篇幅,本文不做进一步介绍,有兴趣的可以关注于博士信号完整性研究网,我会在后续 文章中详细讲解。
由于最终产品工作温度的变化以及生产过程中产生的不一致性,如果是由于电源系统产 生的问题,电路将非常难调试,因此最好在电路设计之初就遵循某种成熟的设计规则,使电 源系统更加稳健。
文章来源:于博士信号完整性研究网
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电源完整性设计详解
原创:于争 博士
调整电压的时间在毫秒到微秒量级。因此,对于负载电流变化频率在直流到几百 KHz 之间 时,稳压源可以很好的做出调整,保持输出电压的稳定。当负载瞬态电流变化频率超出这一 范围时,稳压源的电压输出会出现跌落,从而产生电源噪声。现在,微处理器的内核及外设 的时钟频率已经超过了 600 兆赫兹,内部晶体管电平转换时间下降到 800 皮秒以下。这要求 电源分配系统必须在直流到 1GHz 范围内都能快速响应负载电流的变化,但现有稳压电源芯 片不可能满足这一苛刻要求。我们只能用其他方法补偿稳压源这一不足,这涉及到后面要讲 的电源去耦。
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