大容量NAND Flash在多媒体手机中的应用
基于eMMC的大容量存储技术研究
Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。
1988年，Intel首次发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM， 以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。
eMMC4.5协议中主要新增了HS200Mode，时钟频率提高到200Mhz，数据传输速率达到了200MB/s（八根数据线的情况）。
表1eMMC引脚接口说明
2.4特性及优势(与传统存储设备比较)
eMMC与传统存储设备相比，有很多良好的特性。
2.4.1系统宽电压范围
2.4.2十根总线结构
2.4.3完善的数据保护机制
图1eMMC系统架构
图2 主从设备结构框图
2.3规格
eMMC传输速度高达52MB/s，电压范围为1.8v至3.3v，具备高速且可升级的特性。制定规格上，eMMC 4.2制订了eMMC接口速度及容量，接口速度为52MB/s、容量规格则大于2GB。
eMMC 4.3则新增Booting Function、Explicit Sleep Mode、Reliable Write等功能。
未来几年eMMC出货量将继续上升，预计2015年达到7.791亿个。手机将是eMMC市场的最大领域，2015年该领域的出货量将达到5.601亿个，占72%。平板电脑将是第二大eMMC应用市场，四年内该领域的出货量将从今年的1800万个剧增到1.48亿个。
eMMC的发展非常迅速，性能几乎逐年提升。IHS iSuppli公司的研究显示，作为一种成本划算的高密度闪存，eMMC已成功打入智能手机和平板电脑等高端市场，这些产品要求较高的存储密度，同时要求低功耗和较小的引脚。
使用的NandFlash为三星的K9F2G08U0M
使用的Nand Flash为三星的K9F2G08U0M，存储为256M，数据宽度为8bit.具体的资料可以参考datasheet.由于S3C2440里面包括了Nand FLash 控制器，所以，我们的工作就是根据芯片手册配置一下寄存器。
包括的寄存器如下：NFCONF; NFCONT;NFCMD;NFADDR;NFDATA; NFMECCD0; NFMECCD1;NFSECCD; N FSTAT; NFESTAT0; NFESTAT1;NFMECC0；NFMECC1;NFSECC;NFSBLK;NFEBLK;(1) 对于每个寄存器的地址，每一位的功能可以参考S3C2440芯片手册！对于目前的编程主要涉及到如下五个寄存器：NFCONT;NFCMD;NFADDR;NFDATA；NFSTAT；使用宏定义：#define rNFCONF (*(volatile unsigned *)0x4E000000)#define rNFCONT (*(volatile unsigned *)0x4E000004)#define rNFCMD (*(volatile unsigned *)0x4E000008) #define rNFADDR (*(volatile unsigned char*)0x4E00000C)#define rNFDATA8 (*(volatile unsigned char*)0x4E000010)#define rNFSTAT (*(volatile unsigned *)0x4E000020)特别注明：对于NFCONF寄存器，特别要说明的是TACLS，TWRPH0，TWRPH1，这三个参数。
如何设置这三个参数，主要得看K9F2G08U0M 手册上的时序表，参数表，上面已经写好了CLE ，ＡＬＥsetup时间，WE_N的Pulse WiDth,WE_N HIGH HOLD TIME .根据这些参数，设置个合适的TACLS，TWRPH0，TWRPH1值！(2) 命令！ Nand Flash编程时涉及到很多命令，其实这些命令帮助我们完成了很多的工作，我们现在只需做发送命令的工作。
Nand Flash 原理简介
Nand Flash 原理简介NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术，具较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，具有很快的写入和擦除速度，主要功能是存储资料，目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
nand_flash读写工作原理_概述说明
nand flash读写工作原理概述说明1. 引言1.1 概述NAND Flash是一种非常常见和重要的存储设备，被广泛应用于各种电子产品中。
它的独特设计使得它成为一种高性能、低功耗、擦写可靠且具有较大容量的存储器解决方案。
由于其许多优点，NAND Flash在移动设备、个人电脑、服务器以及其他许多领域都有着广泛的应用。
1.2 文章结构本文将详细介绍NAND Flash的读写工作原理，并探讨其在存储领域中的优势与应用场景。
首先，我们将简要介绍NAND Flash的基本概念和特点，包括其结构和组成部分。
然后，我们将重点讲解NAND Flash进行读操作和写操作时所涉及的工作原理和步骤。
通过对这些原理的详细阐述，读者将能够全面了解NAND Flash如何实现数据的读取和写入。
除此之外，我们还将探讨NAND Flash相对于其他存储设备的优势，并介绍几个典型应用场景。
这些优势包括快速读写速度、低功耗、体积小且轻便、强大的耐久性以及较大的存储容量。
在应用场景方面，我们将重点介绍NAND Flash 在移动设备领域、物联网和服务器等各个行业中的广泛应用。
最后，我们将进行本文的小结，并对NAND Flash未来的发展进行展望。
通过全面了解NAND Flash的工作原理和优势，读者将能够更好地理解其在现代科技领域中的重要性，并对其未来发展趋势有一个清晰的认识。
1.3 目的本文的目的是通过对NAND Flash读写工作原理进行详细说明，使读者能够全面了解NAND Flash是如何实现数据读写操作的。
此外，我们还旨在向读者展示NAND Flash在存储领域中所具有的优势和广泛应用场景，使其意识到这一存储设备在现代科技产业中所扮演的重要角色。
希望通过本文，读者能够加深对NAND Flash技术的理解，并为相关领域或产品的研发与设计提供参考依据。
2. NAND Flash读写工作原理：2.1 NAND Flash简介：NAND Flash是一种非易失性存储器，采用了电子闪存技术。
NAND flash和NOR flash的区别详解
NAND flash和NOR flash的区别详解ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDRRAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
三星K9F1G08U0E（128MB,NANDFLASH）STM32平台驱动程序（模拟时序）
三星K9F1G08U0E（128MB,NANDFLASH）STM32平台驱动程序（模拟时序）STM32平台下模拟时序驱动K9F1G08U0E，主要⽬的为了解、学习NAND FLASH的功能特性，没有使⽤STM32的FSMC（⽕龙开发板硬件为模拟时序驱动），纯粹⾃娱⾃乐，如对你有帮助，不胜荣幸，呵呵。
C⽂件内容：1 #include "NAND512W3A2C.h"2/*3作者:毕⼩乐4⽇期:2019.01.245版本:V1.0067驱动代码针对K9F1G08U0E时序⽽写，K9F1G08U0E与NAND512W3A2C,Pin to Pin兼容。
8驱动运⾏平台STM32F103。
9驱动实现功能：101）Page Read112) Page Program123) Block Erase134) Read Status145) Read ID15PE0~PE7 -> DB00~DB0716PD6 -> CL17PD5 -> AL18PD14 -> W19PD15 -> R20PD7 -> CS21PB5 -> R/B22*/23static void NAND512_Delay_uS(int tick)24 {25int i;26while(tick>0)27 {28 tick--;29for(i=0;i<10;i++)30 __nop();31 }32 }33void NAND512_DB_OutPut(void)34 {35 GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;3637 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_338 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_6 | GPIO_Pin_7;39 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;40 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP;41 GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);42 }43void NAND512_DB_InPut(void)44 {45 GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;4647 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_348 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_6 | GPIO_Pin_7;49 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;50 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN_FLOATING;51 GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);52 }53char NAND512_DB_Read(void)54 {55char dat;56 NAND512_DB_InPut();57 __nop();58 dat = GPIO_ReadInputData(GPIOE) & 0x00FF;59return dat;60 }61void NAND512_DB_Write(char Data)62 {63 u16 temp;64 NAND512_DB_OutPut();65// __nop();71void NAND512_IO_Init(void)72 {73 GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;7475 RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOB | RCC_APB2Periph_GPIOD76 | RCC_APB2Periph_GPIOE, ENABLE);7778/*CL*/79 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = NAND512_CL_PIN;80 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;81 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP;82 GPIO_Init(NAND512_CL_PORT, &GPIO_InitStructure);8384/*AL*/85 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = NAND512_AL_PIN;86 GPIO_Init(NAND512_AL_PORT, &GPIO_InitStructure);8788/*W*/89 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = NAND512_W_PIN;90 GPIO_Init(NAND512_W_PORT, &GPIO_InitStructure);9192/*R*/93 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = NAND512_R_PIN;94 GPIO_Init(NAND512_R_PORT, &GPIO_InitStructure);9596/*CE*/97 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = NAND512_CE_PIN;98 GPIO_Init(NAND512_CE_PORT, &GPIO_InitStructure);99100/*R/B*/101 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = NAND512_RB_PIN;102 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;103 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IPU;104 GPIO_Init(NAND512_RB_PORT, &GPIO_InitStructure);105106 NAND512_CL_LOW;107 NAND512_AL_LOW;108 NAND512_R_HIGH;109 NAND512_W_HIGH;110 NAND512_CE_HIGH;111 }112113//读状态寄存器信息114char NAND512_Read_Status(void)115 {116char dat;117118 NAND512_CL_LOW;119 NAND512_W_HIGH;120 NAND512_R_HIGH;121 NAND512_CE_HIGH;122 NOP;123124 NAND512_Delay_uS(5);125 NAND512_CL_HIGH;126 NOP;127 NOP;128 NAND512_CE_LOW;129 NOP;130 NOP;131 NOP;132 NAND512_W_LOW;133 NAND512_DB_Write(0x70);134 NOP;135 NAND512_W_HIGH;136137 NAND512_Delay_uS(5);138 NAND512_CL_LOW;139 NOP;140 NOP;141//CE状态保持不变142143 NAND512_Delay_uS(10);144 NAND512_R_LOW;145 NOP;146 dat = NAND512_DB_Read();147 NAND512_Delay_uS(5);148 NAND512_R_LOW;149 NAND512_Delay_uS(5);155156void NAND512_Read_ID(char* Buf)157 {158char i = 0;159160 NAND512_CL_LOW;161 NAND512_AL_LOW;162 NAND512_R_HIGH;163 NAND512_W_HIGH;164 NAND512_CE_HIGH;165 NAND512_Delay_uS(5);166167 NAND512_CL_HIGH;168 NAND512_W_LOW;169 NAND512_Delay_uS(5);170 NAND512_CE_LOW;171 NAND512_DB_Write(0x90);172 NAND512_Delay_uS(5);173 NAND512_W_HIGH;174 NAND512_Delay_uS(5);175176 NAND512_CL_LOW;177 NAND512_Delay_uS(20);178 NAND512_AL_HIGH;179 NAND512_Delay_uS(20);180 NAND512_W_LOW;181 NAND512_DB_Write(0x00); //写地址0182 NAND512_Delay_uS(5);183 NAND512_W_HIGH;184 NAND512_Delay_uS(10);185 NAND512_AL_LOW;186 NAND512_Delay_uS(20);187188for(i=0;i<5;i++)189 {190 NAND512_R_LOW;191 NAND512_Delay_uS(10);192 Buf[i] = NAND512_DB_Read();193 NAND512_R_HIGH;194 NAND512_Delay_uS(10);195 }196197return ;198 }199200void NAND512_Page_Read(char* Buf,int Len,int Add)201 {202int Bank_Index,Page_Index,Page_Start_Add;203int Add_New,j;204char i;205206 Bank_Index = Add / BANK_SIZE;207 Page_Index = (Add % BANK_SIZE) / PAGE_SIZE;208 Page_Start_Add = Add % PAGE_SIZE;209 Add_New = (((Bank_Index<<6) | Page_Index)<<16) | Page_Start_Add; 210211 NAND512_CL_LOW;212 NAND512_AL_LOW;213 NAND512_W_HIGH;214 NAND512_R_HIGH;215 NAND512_CE_HIGH;216 NAND512_Delay_uS(10);217218 NAND512_CE_LOW;219 NAND512_Delay_uS(5);220 NAND512_CL_HIGH;221 NAND512_W_LOW;222 NAND512_DB_Write(0x00);223 NAND512_Delay_uS(5);224 NAND512_W_HIGH;225 NAND512_Delay_uS(5);226 NAND512_CL_LOW;227 NAND512_Delay_uS(5);228 NAND512_AL_HIGH;229 NAND512_Delay_uS(5);230231//发送地址232for(i=0;i<4;i++)233 {239 NAND512_Delay_uS(10);240 }241 NAND512_AL_LOW;242 NAND512_Delay_uS(5);243 NAND512_CL_HIGH;244 NAND512_Delay_uS(5);245 NAND512_W_LOW;246 NAND512_Delay_uS(5);247 NAND512_DB_Write(0x30);248 NAND512_Delay_uS(5);249 NAND512_W_HIGH;250 NAND512_Delay_uS(5);251 NAND512_CL_LOW;252 NAND512_Delay_uS(5);253254while(NAND512_RB_STATUS == 0);255 NAND512_Delay_uS(5);256257for(j=0;j<Len;j++)258 {259 NAND512_R_LOW;260 NAND512_Delay_uS(5);261 Buf[j] = NAND512_DB_Read();262 NAND512_Delay_uS(5);263 NAND512_R_HIGH;264 NAND512_Delay_uS(10);265 }266267return;268 }269270char NAND512_Page_Write(char* Buf,int Len,int Add)271 {272int Bank_Index,Page_Index,Page_Start_Add;273int Add_New,j;274char i,Status;275276 Bank_Index = Add / BANK_SIZE;277 Page_Index = (Add % BANK_SIZE) / PAGE_SIZE;278 Page_Start_Add = Add % PAGE_SIZE;279 Add_New = (((Bank_Index<<6) | Page_Index)<<16) | Page_Start_Add; 280281 NAND512_CL_LOW;282 NAND512_AL_LOW;283 NAND512_W_HIGH;284 NAND512_R_HIGH;285 NAND512_CE_HIGH;286 NAND512_Delay_uS(10);287288 NAND512_CE_LOW;289 NAND512_Delay_uS(5);290 NAND512_CL_HIGH;291 NAND512_W_LOW;292 NAND512_DB_Write(0x80);293 NAND512_Delay_uS(5);294 NAND512_W_HIGH;295 NAND512_Delay_uS(5);296 NAND512_CL_LOW;297 NAND512_Delay_uS(5);298 NAND512_AL_HIGH;299 NAND512_Delay_uS(5);300301//发送地址302for(i=0;i<4;i++)303 {304 NAND512_W_LOW;305 NAND512_Delay_uS(5);306 NAND512_DB_Write(Add_New>>8*i);307 NAND512_Delay_uS(10);308 NAND512_W_HIGH;309 NAND512_Delay_uS(10);310 }311 NAND512_AL_LOW;312 NAND512_Delay_uS(5);313314for(j=0;j<Len;j++)315 {316 NAND512_W_LOW;317 NAND512_Delay_uS(5);324 NAND512_CL_HIGH;325 NAND512_Delay_uS(5);326 NAND512_W_LOW;327 NAND512_Delay_uS(5);328 NAND512_DB_Write(0x10);329 NAND512_Delay_uS(5);330 NAND512_W_HIGH;331 NAND512_Delay_uS(5);332333while(NAND512_RB_STATUS == 0);334 NAND512_Delay_uS(5);335336 Status = NAND512_Read_Status();337338if((Status & 0x01) == 0)339return1;340else341return0;342 }343344char NAND512_Block_Erase(int Add)345 {346int Bank_Index,Page_Index;347int Add_New;348char i,Status;349350 Bank_Index = Add / BANK_SIZE;351 Page_Index = (Add % BANK_SIZE) / PAGE_SIZE; 352 Add_New = (Bank_Index<<6) | Page_Index;353354 NAND512_CL_LOW;355 NAND512_AL_LOW;356 NAND512_W_HIGH;357 NAND512_R_HIGH;358 NAND512_CE_HIGH;359 NAND512_Delay_uS(10);360361 NAND512_CE_LOW;362 NAND512_Delay_uS(5);363 NAND512_CL_HIGH;364 NAND512_W_LOW;365 NAND512_DB_Write(0x60);366 NAND512_Delay_uS(5);367 NAND512_W_HIGH;368 NAND512_Delay_uS(5);369 NAND512_CL_LOW;370 NAND512_Delay_uS(5);371 NAND512_AL_HIGH;372 NAND512_Delay_uS(5);373374//发送地址375for(i=0;i<2;i++)376 {377 NAND512_W_LOW;378 NAND512_Delay_uS(5);379 NAND512_DB_Write(Add_New>>8*i);380 NAND512_Delay_uS(10);381 NAND512_W_HIGH;382 NAND512_Delay_uS(10);383 }384 NAND512_AL_LOW;385 NAND512_Delay_uS(5);386387 NAND512_CL_HIGH;388 NAND512_Delay_uS(5);389 NAND512_W_LOW;390 NAND512_Delay_uS(5);391 NAND512_DB_Write(0xD0);392 NAND512_Delay_uS(5);393 NAND512_W_HIGH;394 NAND512_Delay_uS(5);395 NAND512_CL_LOW;396 NAND512_Delay_uS(5);397398while(NAND512_RB_STATUS == 0);399 NAND512_Delay_uS(5);400401 Status = NAND512_Read_Status();H⽂件内容：1 #ifndef NAND512W3A2C__H2#define NAND512W3A2C__H34 #include "stm32f10x.h"56#define NAND512_CL_PORT GPIOD7#define NAND512_AL_PORT GPIOD8#define NAND512_W_PORT GPIOD9#define NAND512_R_PORT GPIOD10#define NAND512_CE_PORT GPIOD11#define NAND512_RB_PORT GPIOB12#define NAND512_WP_PORT /*GPIOD*/1314#define NAND512_CL_PIN GPIO_Pin_615#define NAND512_AL_PIN GPIO_Pin_516#define NAND512_W_PIN GPIO_Pin_1417#define NAND512_R_PIN GPIO_Pin_1518#define NAND512_CE_PIN GPIO_Pin_719#define NAND512_RB_PIN GPIO_Pin_520#define NAND512_WP_PIN /*GPIO_Pin_5*/2122#define NAND512_CL_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD23#define NAND512_AL_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD24#define NAND512_W_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD25#define NAND512_R_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD26#define NAND512_CE_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD27#define NAND512_RB_CLK RCC_APB2Periph_GPIOB28#define NAND512_WP_CLK /*RCC_APB2Periph_GPIOD*/2930#define NAND512_CE_LOW GPIO_ResetBits(NAND512_CE_PORT,NAND512_CE_PIN)31#define NAND512_CE_HIGH GPIO_SetBits(NAND512_CE_PORT,NAND512_CE_PIN)32#define NAND512_CL_LOW GPIO_ResetBits(NAND512_CL_PORT,NAND512_CL_PIN)33#define NAND512_CL_HIGH GPIO_SetBits(NAND512_CL_PORT,NAND512_CL_PIN)34#define NAND512_AL_LOW GPIO_ResetBits(NAND512_AL_PORT,NAND512_AL_PIN)35#define NAND512_AL_HIGH GPIO_SetBits(NAND512_AL_PORT,NAND512_AL_PIN)36#define NAND512_W_LOW GPIO_ResetBits(NAND512_W_PORT,NAND512_W_PIN)37#define NAND512_W_HIGH GPIO_SetBits(NAND512_W_PORT,NAND512_W_PIN)38#define NAND512_R_LOW GPIO_ResetBits(NAND512_R_PORT,NAND512_R_PIN)39#define NAND512_R_HIGH GPIO_SetBits(NAND512_R_PORT,NAND512_R_PIN)4041#define NAND512_RB_STATUS GPIO_ReadInputDataBit(NAND512_RB_PORT,NAND512_RB_PIN) 4243#define NOP __nop()44#define BANK_SIZE 13107245#define PAGE_SIZE 20484647extern void NAND512_IO_Init(void);48extern char NAND512_Read_Status(void);49extern void NAND512_Read_ID(char* Buf);50extern void NAND512_Page_Read(char* Buf,int Len,int Add);51extern char NAND512_Page_Write(char* Buf,int Len,int Add);52extern char NAND512_Block_Erase(int Add);53#endif。
Micron发布Managed NAND闪存,应对多媒体手机等存储需求
司称 ，这种 高度整合的解决 方案简化 擦除操作，实现缺陷管理功能 。
了制造商 产品设计流程 ，同时 使制造
越 多功能集成在一起 ， 高密度、 低成本
今年 五月 ，美 光科技联手 Ｈｙ ｉ ＮＡＮＤ闪存产品是实现高容量消费类 ｎｘ
商对于元 器件采购工程 中的物流 管理 Ｓ ｍｉｏ ｄ ｃｏ 、Ｉｔｌ、Ｓ ｎ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔｒ ｎｅ ｏ ｙ公 司以 及 电子存储的最佳选择。Ｏ Ｆ 的 目标是 Ｎ Ｉ 等更加方便 。美光科技战略营 销和产 Ｐ ｉ ｎＥｅｔ ｎ ｓ ｈｓ ｌ ｒ ｉ 等厂商成立 了开放式 提供一个Ｎ Ｎ ｏ ｃｏ ｃ Ａ Ｄ产品接 口 ◎ 下转８ ３
ｇｓ 为 Ａｃｕ ｉ、Ｅ ｅ ｅ 、Ｉｕｔ和 Ｏ ｉ ｃｐｘ ｙｎ ｏ ｃ ｉ ｉ ｒ ｃ等 Ｖｅａ举办的消费类 电子产品展将众人 费者选用视频 眼镜后 ，他们可 以沉浸 ｓ Ｅ 创新 ２ ０ 设计与工程奖授 在 电话 内置显示 器无法达到的高分辨 ０５ 公司提供 个人视 频 配镜 的核 心器 件。 觊觎的 Ｃ Ｓ ｃｉ。Ｉｕ ｉ ｒ． ｔ ｔＣ ａｌ． Ｅ ｅｅ ＡＳ （ ｙｔｐＤ Ｄ制造商，一 予了Ｉｕ ｉ ｃｉ ｏｐ的董事长Ｐ ｕ Ｊ 率 的视频 中。 ｙ ｎｏＳ Ｅ ｅｏ Ｖ 种 可佩戴 的 ＤＶＤ播放 器 ）的总经理 Ｔ ａｅｓ ，“ｃ ｉ Ｖ ２ 在小型电子产 ｒ ｒ说 ｖ Ｉｕｔ ９ ０ ｉ Ｋｏ ｉ ｐｎ的董事长和首席执行官 Ｄ ｒ
显示器。
通过Ｖ 微 显示器提供标 准的３ ＧＡ Ｄ立体 面 前。某些视频 眼镜 系统还可以插入
视频 。
到 Ｐｎ ｓｎｃ ９ ０ 照相 电话 上 ，该 电 ａａｏ ｉＰ ０ ｉ Ｖ
目前的应用
由于该系统具 有时髦的设计和高 话能进行静、 动态 图像的拍摄 、 存储和
Nandflash应用
NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的应用1 NAND FlaSh和NOR Flash闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点,被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。
NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。
与NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。
NOR Flash的传输效率很高,但写入和擦除速度较低;而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。
结构：NOR Flash为并行,NAND Flash为串行。
总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线,而NANDFlash为复用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1／8。
坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的,需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。
位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多,建议使用NAND闪存时,同时使用EDC／ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在FIash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中;而NAND Flash则需I／O接口,因此使用时需要写入驱动程序。
通过以上的分析和比较,NAND Flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。
本设计选用Samsung公司生产的NAND Flash存储器芯片K9F1208作为存储介质,并应用在基于uPSD3234A增强型8051单片机的嵌入式系统中。
2 uPSD3234A简介uPSD3234A是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型Flash单片机,其结构如图1所示。
nand flash 工作原理
nand flash 工作原理
NAND Flash是一种非易失性存储器，常用于存储大容量数据，如固态硬盘（SSD）和闪存卡。
其工作原理基于电荷在浮栅的
积累和释放。
NAND Flash的核心组成部分是一系列存储单元，每个存储单
元包含了一个电荷在浮栅中的电晕晶体管。
浮栅是被绝缘层包围的金属层，可以储存电荷。
存储单元的状态通过控制浮栅中的电荷数量来表示，电荷的存在与否代表了存储单元的不同值。
当写入数据时，NAND Flash需要先擦除整个块。
擦除操作通
过将浮栅中的电荷量清零来完成。
然后，将要写入的数据存储为电荷的存在或不存在，通过施加电源电压来控制。
当电荷存在时，意味着对应存储单元的状态为“1”，电荷不存在时，状
态为“0”。
读取数据时，NAND Flash首先确定要读取的存储单元的位置。
然后，通过应用较低的电压来检测存储单元中是否存在电荷。
如果存在，表明数据为“1”，反之为“0”。
由于每个存储单元中的电荷会逐渐泄漏，因此NAND Flash需
要定期进行擦写操作来刷新数据。
这个过程需要将整个块的数据全部读出，然后擦除，最后将之前读出的数据与新数据一起重新写入。
NAND Flash的工作原理使其能够提供高密度、高速度和较低
的能耗。
然而，与传统的随机存取存储器（RAM）相比，它
的写入速度较慢，并且具有有限的擦写次数。
因此，在设计使用NAND Flash的系统时，需要充分考虑其特性和限制。
flash memory分类以及使用方法。
Flash Memory分类及使用方法一、引言在数字化时代，我们所使用的各种电子设备中，都离不开存储设备，其中一种常见的存储设备就是Flash Memory。
Flash Memory因其高速读写、便携性和高存储密度而备受青睐，广泛应用于闪存卡、固态硬盘、移动设备等领域。
本文将对Flash Memory进行全面评估，并探讨其分类和使用方法，以便读者能全面、深刻、灵活地理解这一主题。
二、Flash Memory分类1. 按照存储介质分类Flash Memory根据其存储介质不同可分为两类：NAND Flash和NOR Flash。
NAND Flash主要用于大容量数据存储，如固态硬盘；而NOR Flash则用于小容量数据存储，如闪存卡。
2. 按照接口分类根据接口的不同，Flash Memory可分为SATA接口、PCIe接口和USB接口。
其中，SATA接口适用于固态硬盘，PCIe接口适用于高性能存储设备，USB接口适用于便携性较强的闪存盘和移动设备。
3. 按照存储类型分类根据存储类型的不同，Flash Memory可分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）。
SLC 存储密度低，但读写速度快，寿命长；MLC存储密度中等，价格适中；TLC存储密度高，价格低廉，但寿命相对较短。
三、Flash Memory的使用方法1. 选择适合的存储介质根据实际需求，选择NAND Flash或NOR Flash，以满足不同的存储需求。
2. 根据设备接口选择Flash Memory在选购Flash Memory时，要根据设备的接口来选购，确保Flash Memory能够与设备兼容并发挥最佳性能。
3. 注意数据传输速度和读写次数在使用过程中，要注意Flash Memory的数据传输速度和读写次数，避免因频繁读写导致存储器老化。
4. 合理使用存储空间在使用Flash Memory时，要合理利用存储空间，避免存储碎片和浪费存储资源。
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用的是 ＡＲＭ７ ，ＤＳ Ｐ部分 选用 了 ＡＤＩ自己 的 ＡＤ Ｐ ２ ８ Ｓ Ｓ － １ｘ Ｄ Ｐ核 。 ２３ Ｃ ８ Ｄ ８ Ａ 的操作方式 ． Ｔ ５Ｄ Ｍ ２ １ ＴＣ５ ＤＤＭ８ Ａｌ ８ ２ 的地址输入、命令输
入、数据输入 ＼输 出都是通过 Ｃ Ｅ、ＡＬ Ｌ Ｅ、
ＣＥ、Ｗ Ｅ、ＲＥ、ＲＳ Ｔ、Ｐ ＲＥｌ Ｐ ／ ＲＥ ２引
脚控制。控制逻辑如表 １所示 ；
＋ ：／ ＝０ １ ＷＰ ，则禁止 Ｔ ５ ＤＤ ２ Ｃ ８ Ｍ８ Ａ１ 的 Ｐ ｏ ｒｍ 和 Ｅ ａｅ ｒｇａ ｒｓ 操作 ＴＣ５ Ｄ ８ ＤＭ ８ Ａ１的各种工作 模式 ，如 ２ 读 、复 位 、 编程 等 ，都 是 通 过 命 令 字 来 进 行控 制的 。
Ｂ ｏ ｋ的大小 为 （ ６ ｌｃ １ Ｋ＋５ ２ ｙ ｅ 。 １ ）Ｂ ｔｓ （ ）ＮＡＮＤ 的 擦除 单 元更 小 ，相应 的 ２ １ 引脚 排列和功能 ５ ． 擦 除 电路 更 少 。 ＮＡＮＤ ｌ ｓ Ｆ ａ ｈ采用 高度复 用的访 问接 （ ）ＮＡＮＤ 闪存 中每个 块 的最大 擦 写 口 ，该 接 口既作地 址 总线 ，又作数据 总 线和 ６ 次数 是一 百万 次 ，而 ＮＯＲ 的擦 写次 数是 十 指令 输入接 口。ＮＡ ｌｓ ＮＤ Ｆａｈ的的接 口引脚 主 要 分 三类 ：数 据 引脚 ，控 制 引脚 ，状 态 万 次。 ５ ＤＤ ２ ＸＢ ５ 此外 ，ＮＡ ＮＤ 的使 用比 ＮＯＲ的使 用复 引脚 。ＴＣ ８ Ｍ８ Ａ１ Ｊ 的数 据 引脚 为
１引言
随着手机市场竞争的 日趋激烈，多媒体 手 机逐 渐成 为市场 的宠 儿 。 因为有 大量 的多 媒体数据，因此大容量存储是多媒体手机所 要 解 决 的 首 要 问题 。
ＮＯ 和 ＮＡＮＤ是现在 市场 上两种 主要 Ｒ 的非 易失 闪存 技术。ＮＯ 的特点是芯 片内执 Ｒ 行 （Ｉ ＸｅｕｅＩ ｌｃ） Ｘ Ｐ，ｅ ｃｔ ｎ Ｐａｅ，这样 应用程序 可以直接在 ｆ ｓ ｌ ｈ闪存 内运 行 ，不 必再把代码 ａ ｙｓ ｅ ｃｏ ｏｔ ｔ ｒ 读到 系统 ＲＡＭ 中。ＮＯＲ 的传输 效率很 高 ， Ｓ ｔ ｍ 、Ｍ ｉ ｒ ｓ ｆ 、ｑＮ Ｘ Ｓｏｆ ｗ ａ ｅ 在 ｌ Ｍ 的小 容量 时具 有 很 高 的成 本效 Ｓ ｓｅ ～４ Ｂ ｙ ｔｍ、Ｓ ｍｂａ ｙ ｉｎ和 Ｉｔｌ ｐ ｅ 等厂商所 采用 。 益 ，但 是很 低的 写入和 擦除 速 度大 大影 响 了 它的性能 。ＮＡ ＮＤ结 构能提供 极高的单 元密 ２Ｔ ５Ｄ Ｍ ２ １Ｂ５ Ｃ ８Ｄ ８Ａ Ｊ在多媒体手机中的应 ｘ 度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除 用 的速 度也 很 快 ， 是大 数 据 量存 储 的最 佳 选 在多媒体手 机 中 ，ＴＣ ８ ＤＭ８ Ａ１ ５Ｄ ２ ｘ 择 在选择存储方案的时候，设计师必须综 Ｂ Ｊ ５主要用来存储图片、声音文件等数据量 合考虑以下因素 ： 较大 的文件 。 ＴＣ ８ Ｄ ２ Ｂ ５ Ｔ ｓｉａ ５Ｄ Ｍ８Ａ１ Ｊ 是 ｏｈｂ 公司生 Ｘ （）Ｎ Ｒ的读速度比ＮＡ １ Ｏ ＮＤ稍快一些。 ５Ｍｂｔ ＮＡＮ Ｅ ＲＯ 。工作 电 ｓ Ｄ ＥＰ Ｍ （）ＮＡ ２ ＮＤ的写入速度比ＮＯ Ｒ快很多 产的 ２ ６ ｉ
杂的多 在ＮＯＲ器件上运行代码不需要任 ８位 ，即 Ｉ ０ｌ ／ ，用来输入 ／输出地 ／ Ｉ ０８ 何的软件支持，在 ＮＡ ＮＤ器件上进行同样操 址 ，数据和指令。有一个状态引脚 （ ＲＹ／ 作时 ，通 常需要 驱动 程序 ，也就是 内存 技 术 ＢＹ ）用 来表 示芯 片的状 态 ， 当芯 片进 行数 驱动程序 （ Ｄ ，ＮＡＮ ＭＴ ） Ｄ和 ＮＯ 器件在 进 据 写入 、擦除 、随机读取的时候 ，其输 出 Ｒ 行写入 和擦 除操 作时都 需要 Ｍ ＴＤ。 电平为高 ，表 明芯片正忙 ，否则输 出低 电 使用 ＮＯ Ｒ器件 时所需要 的 ＭＴ Ｄ要相对 平。／ ＷＰ引脚用来禁止获允许对芯片进行写 少一 些 ，许多厂 商都 提供 用 于 ＮＯＲ 器件 的 入操 作。当其为低 电平时禁止 写操作 ， 反之允 更高 级软 件 ，这其 中 包括 Ｍ —ｓ ｔ ｍ 的 许 写操 作。控制 引脚有 ６ ，见引脚定 义。 ＹＳ ｅ 个 ． Ｃ ８ Ｄ ８ Ａ 与 Ｄ ５８ Ｔｒ ｅ ＦＳ驱 动 ，该驱 动被 Ｗ ｉ ｄ Ｒｉ ｅ ２ ２ Ｔ ５Ｄ Ｍ ２ １ Ａ ６ ２ 的连接 ｕ Ｆ ｎ Ｖｒ
关 词 序以 在多 手机 的应ｓ 多媒体手机 ＡＮ ｌｓ Ｒ Ｆ ａｈ
ＴＣ ８ Ｄ ２ Ｘ Ｊ ５ Ｄ Ｍ８ Ａ１ Ｂ ５
中图分类号：ＴＰ ３ ８
文献标识码 ：Ａ
文章编号 ： ６ ３ ０ ３ （０ ７０ （） ０ ２ — ２ １ ７ — ５ ４２ ０ ）１ａ一 ０ ２ ０
维普资讯
ｌＴ 技 术
大容量 Ｎ Ｎ ｌ ｈ 在多媒体手机中的应用 Ａ Ｄ Ｆａ ｓ
杨玲 袁光涛
（ 山东省烟台第一职业中等专科学校 ２ ４ ０ ） ６ ０ ０ 摘 要： 以ＴＣ ８ ＤＭ８ Ａ１ Ｊ ５Ｄ ２ ＸＢ ５为例，对比了ＮＡＮ Ｄ和 ＮＯ Ｆ ａｈ的区别，介绍了ＮＡＮＤ ｌｓ Ｒ ｌｓ Ｆａ ｈ的基本结构，时序，驱动程
（） Ｎ ３ ＮＡ Ｄ的 ４ 擦 除速度远 比 Ｎ Ｒ的 压为 ２ ７ ￣ ．Ｖ或者 Ｉ ６ Ｖ Ｉ ９ Ｖ。 ｍｓ Ｏ ．Ｖ ３ ６ ．５ ．５ ５快 。 ｓ 操作 。 存 储结构 为 ５ ８ ｙ ｅ ２ ａ ｅ ２ ｂ ｔｓＸ３ ｐ ｇ ｓｘ （ ４）大 多 数 写 入操 作需 要 先 进 行 擦 除 ２ ４ ｂ ｏ ｋ 。Ｐ ｇ Ｏ ８ ｌ ｃ ｓ ａ ｅ的大小 为 ５ ８ ｔｓ ２ ＢＹ ｅ ，