模电复习资料及答案(003)
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模电复习资料及答案
设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。
（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。
根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。
因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。
由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。
（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。
现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。
由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。
为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。
现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。
由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。
一般为几千欧至几十千欧较合适。
因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。
然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。
对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电⼦技术》复习题10套及答案《模拟电⼦技术》复习题⼀⼀、填空题1、在N 型半导体中，多数载流⼦是；在P 型半导体中，多数载流⼦是。
2、场效应管从结构上分为结型和两⼤类，它属于控制性器件。
3、为了使⾼阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接⼊（共射、共集、共基）组态放⼤电路。
4、在多级放⼤器中，中间某⼀级的电阻是上⼀级的负载。
5、集成运放应⽤电路如果⼯作在线性放⼤状态，⼀般要引⼊____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
⼆、选择题1、利⽤⼆极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加⼊（）后形成的杂质半导体。
A 空⽳B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所⽰，其类型为( )场效应管。
A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型图2－104、有⼀晶体管接在放⼤电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管⼦的三个管脚分别是（）。
+++----D1RL C1CeC1C2L15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRR R 2R Uo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5+++++-----D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C215V 8V 50K 2.5K B=50UoUi+5V Rf Re1Re2UccUccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRR2RUo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作⽤是（）。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模电复习资料
总复习第1章 直流电路一、电流、电压、电位参考方向与实际方向关系在电路分析中，我们常在电路中选择一个点作为参考点，电路中某一点到参考点的电压就称谓这个点的电位。
参考点又称零电位点。
电路中a 、b 点两点间的电压等于a 、b 两点的电位差。
b a ab u u u -= 二、电功率电场力在单位时间内所做的功称为电功率，简称功率。
dtdWp =关联方向时：p ＞0时吸收功率，p ＜0时放出功率。
三、电压源与电流源等效变换：为了便于分析电路，常常用等效变换的方法简化或变换电路结构，但变换后的电路与原电路伏安特性不变。
实际电源模型及其等效变换 o IR U U s -=oR U I I s -= 四、简单的电阻电路串联电阻具有分压作用 并联电阻具有分流作用 五、基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL ）——基尔霍夫第一定律 在任一瞬时，通过任一节点电流的代数和恒等于零。
0i =∑2、基尔霍夫电压定律（KVL ）——基尔霍夫第二定律 在任一瞬时，沿任一回路电压的代数和恒等于零。
0u =∑任意设定回路绕行方向，电压参考方向与回路绕行方向一致时取正号，相反时取负号。
六、支路电流法支路电流法是以支路电流为未知量，直接应用KCL 和KVL ，分别对节点和回路列出所需的方程式，然后联立求解出各未知电流。
一个具有m 条支路、n 个节点的电路，根据KCL 可列出（n －1）个独立的节点电流方程式，根据KVL 可列出m －(n －1)个独立的回路电压方程式。
1、支路电流法2、节点电位分析法七、叠加定理：适用于线性电路八、戴维南定理、诺顿定理：适用于线性电路 九、受控源分类及表示方法第3章 交流电路一、正弦交流电：)sin(u m t U u θω+=，)sin(i m t I i θω+=振幅、角频率和初相称为正弦量的的三要素。
周期、频率、角频率：f 2T2ππω== 相位、初相和相位差 交流电的有效值、振幅：2I I m =，2U U m =二、正弦量的相量表示法)sin(i m t I i θω+=，im j m m I e I I i θθ∠==&，I I m &&2=，U U m &&2=三、KCL 、KVL 的相量形式：KCL ：0=∑I&，KVL ：0=∑U & 四、 单一元件参数电路在以下的推导过程中，设元件两端的电压和流过元件的电流均采用关联参考方向。
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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
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12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B ） A．共射组态 B．共集组 C．共基组态 D．共源组态
13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（C ） A．电流串联 B．电流并联 C．电压串联 D．电压并联
14．电流放大系数为β 1 和β 2 的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β 值约为（D） A．β 1 B．β 2 第 2 页，共 2 页 C．β 1+β 2 D．β 1·β 2
7,下图由 4 个理想运算放大器组成的电路如图所示，求输出电压 u0.
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9．设计由两个集成运放组成的电路，实现 u0=7ui1-8ui2 的关系，要求最小输入电阻 为 25KΩ ，其他各电路输入电阻尽量小，试： （1）计算所需要的各电阻值； （2）画出满足要求的电路图。 相似题：
答案：
10．差动放大电路，已知 RC=RE=10K ，RL=20K ，RB=1.5K ，rbe=1.5K ， =60。
(1)指出该电路的输入输出方式； (2)计算差模电压放大倍数 Ad，差模输入电阻 rid 及输出电阻 r0。
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模电考试内容： A 卷： 1、选择题 20 分， 2、判断题 20 分， 3、根据电路图判断 6 分（第一章的内容）， 4、16 分（第二章的内容）， 5、14 分（第二章的内容：画直流交流通路）， 6、14 分（第六章的内容：关于负反馈的）， 7、第七章的内容（关于输入输出电压的） B 卷： 前两题跟 A 卷一样， 3、根据电路图判断第一章的内容 6 分， 4、也是根据电路图判断第一章的内容 8 分， 5、关于静态工作点动态参数的 12 分， 6、第二三章的内容 12 分（判断电路）， 7、负反馈的判断 12 分， 8、第七章的内容 10 分 填空题没给，且以上题目参数已改，同学们好好复习消化，祝大家考试愉快，提前祝 大家新年快乐！
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3．电路如下图所示，已知 R1= 10 k ，RF = 40 k 。求：1. Auf 、R2 ；2..若 R1 不变，要 求 Auf 为 – 10，则 RF 、 R2 应为 多少？
RF + ui – R1 R2 – +
+
uo –
+
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4．用一个集成运放设计一个电路，满足 u0=-4ui1-6ui2 的关系，要求电路的最大输入电阻为 30K (1)画出设计的电路图； (2)计算电路的输入电阻 R1 和 R2 及反馈电阻 RF。
1．晶体三极管甲的 =200，ICBO=10 A，晶体三极管乙的 =80，ICBO=0.2 A，两管比较，可判定是晶 体三级管____乙____的性能好。 2．放大电路中的负反馈有 4 种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入___ __电流串联___负反馈。 3．晶体管 V1 的 =50，晶体管 V2 的 =30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的 p 约为____ _1500___． 4．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的__反向击穿_______区。 5．某放大状态晶体管，知 IB=0.02mA,β =50，忽略其穿透电流，则 IE=____1.02_____mA。 6．信号源的内阻 RS 越大，则放大电路的源电压放大倍数|Aus|将___越小______。 7．晶体管可工作在__截止______区、 __放大______区、___饱和_____区。 8、在放大区，发射结处于__正向偏置______、集电结处于__反向偏置____，晶体管工作于放大 状态。 9.半导体的导电能力随着温度的升高而 增强 。 10.比例运算电路有三种基本形式：_反相输入________、__同相输入___________ ___差分比例输入___________。 11.对于负反馈来说，根据反馈信号在输出端采样方式及输入回路中求和形式不同，共有四种组 态，分别是：__电流串联___、___电流并联__、___电压串联_____和__电压并联____。 第 3 页，共 3 页
9．理想二极管构成的电路如题 2 图，其输出电压 u0 为（ D ）C!!!!!! 10．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（B A．UBE<0,UBC<0 B．UBE>0,UBC>0 ）C!!!!! C．UBE>0,UBC<0 D．UBE<0,UBC>0
11．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位 U1=2.3V，②脚电位 U2=3V，③脚电位 U3=-9V，则可判定（ D ）C!!!! A．Ge 管①为 e B．Si 管③为 e C．Si 管①为 e D．Si 管②为 e
6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C A．串联负反馈 C．电压负反馈
B．并联负反馈 D．电流负反馈
7．已知某放大电路的电压放大倍数为 104，则该电压放大倍数用分贝表示为( C ) A．40dB C．80dB B．60dB D．100dB
8．PN 结加反向偏置时，其 PN 结的厚度将（ A ） A．变宽 B．变窄 C．不变 D．不能确定
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15.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻 RL 增大时，电压放大倍数将( A )B A.减少 B.增大 C.保持不变 D.大小不变，符号改变
16. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降 UCE 近似等于电源电压 UCC 时，则该管工作状态为( )B A.饱和 B.截止 C.放大 D.不能确定 )D 17.若图示运算放大电路的输出电压 U0=3V，则 P 点必须( A.接 n 点 B.接地 C.悬空 D.接 m 点
5．稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为 VZ=7V，稳定电流范围为 IZ=5～
20mA，额定功率为 200mW，限流电阻 R=600 。试求： （1） 当 Vi 20V （2） 当 Vi 20V
, RL 1K 时， V0 ? , RL 100 时， V0 ?
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1．N 型杂质半导体中，多数载流子是(D ) A．正离子 C．空穴 B．负离子 D．自由电子
2．理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则输出电压 U0 为( B) A．-5V C．+10V B．+5V D．+15V
3．测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位，如题 3 图所示，则可判定该管处在(C )，CC=12V，RB=140K ，RE=RL=4K ， =40， UBEQ=0.6V，rbe 为已知。 (1)画出等效电路图，指出该放大电路的名称； (2)计算静态量 IEQ、UCEQ； 写出输入电阻，输出电阻，电压放大倍数表达式。 (3)
2．理想运放构成的电路如图所示 (1)指出题图为何种运算电路；(2)写出 u0 与 ui 的表达式；(3)计算平衡电阻 R2；(4)指出电路中存在 何种负反馈组态。
C．截止状态
D．不确定状态
4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题 4 图所示，则可判定该管为( B) A．PNP 型管，①是 e 极 C．NPN 型管，①是 e 极 B．PNP 型管，③是 e 极 D．NPN 型管，②是 e 极
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5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C ) A．共射极放大电路 C．共基极放大电路 B．共集电极放大电路 D. 共源极放大电路 )