模电复习资料及答案
模拟电子技术复习题及答案
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
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基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。
A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模电复习资料及部分答案(终极版)
12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（B）
A．共射组态B．共集组C．Fra bibliotek基组态D．共源组态
13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（C）
A．电流串联B．电流并联C．电压串联D．电压并联
A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定
9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（）
A．-10VB．-6VC．-4VD．0V
10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（B）
A．UBE<0,UBC<0B．UBE>0,UBC>0C．UBE>0,UBC<0D．UBE<0,UBC>0
11．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（D）
4．用一个集成运放设计一个电路，满足u0=-3ui1-7ui2的关系，要求电路的最大输入电阻为40K。
(1)画出设计的电路图；
(2)计算电路的输入电阻R1和R2及反馈电阻RF。
相似题：
答案：
5．稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=7V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为200mW，限流电阻R=600 。试求：
C．截止状态D．不确定状态
4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B)
A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极
C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极
5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C)
A．共射极放大电路B．共集电极放大电路
模电复习资料及答案
设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。
（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。
根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。
因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。
由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。
（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。
现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。
由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。
为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。
现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。
由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。
一般为几千欧至几十千欧较合适。
因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。
然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。
对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。
模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。
（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。
（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用。
（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。
（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。
（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。
（对）第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模电复习题及答案
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e＝1kΩ，i U ＝20mV；静态时U B E Q＝0.7V，U C E Q＝4V，I B Q＝20μA。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
图P2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=u A （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=u A （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ） （7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）s U ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
模电复习题及部分答案
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和 (偏置)电路。
其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。
11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
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设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。
（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。
根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。
因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。
由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。
（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。
现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。
由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。
为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。
现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。
由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。
一般为几千欧至几十千欧较合适。
因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。
然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。
对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。
对于高通级可作同样的计算。
由于已知C=0.1uF和FL=90Hz,可求R7=R8=18KΩ。
考虑到已知Avf1=1.586，同时尽量要使运放同相输入端和反相输入端对地的直流电阻基本相等，现选择标准电阻值R5=68KΩ，R10=82KΩ,由此可算出R4=(Avf1-1)R5=39.8KΩ,R9=(Avf1-1)R10=48KΩ,其容差为1%。
设计完成的电路如图所示。
信号源VI通过R1和R2进行衰减，它的戴维宁电阻是R1和R2并联值，这个电阻应当等于低通级电阻R3=14KΩ。
因此，有(R1R2/R1+R2)=R3=14KΩ,由于整个滤波电路通带增益是电压分压器比值和滤波器部分增益的乘积，切应等于单位增益，故(R2/R1+R2)×(Avf1)*2=(R2/R1+R2)×2.515=1,根据上面两个等式可以计算出R1=35.7KΩ和R2=23.2KΩ，并选择容差为1%电阻阻值。
（三）电路分析二．线性直流稳压电源原理框图：经过变压、整流、滤波、稳压四个环节。
把降压后的交流电经过整流变成脉动的直流电，然后通过滤波稳压，转换成稳定的直流电实际电路图：三．设计正弦波振荡电路，用最少的元器件并判断是否振荡分析题一．基极分压式射极偏置电路二设图所示电路满足（1＋AF）>>1的条件，试说明反馈组态并写出该电路的闭环电压增益表达式．三集成运算放大器四．差分式放大电路283页7.2.1第一次过程考1、（18分）回答下列问题①在电压放大电路的上限频率点处，电压增益比中频区增益下降了3db，在相同输入电压条件下，该频率点处的输出功率是中频区输出功率的多少倍？等于多少？②集成运放在理想情况下，输出电压的最大幅值±Vom③ PN结加反向电压时，耗尽层发生什么样的变化。
U。
④设题1图所示电路中的二极管性能均为理想，试求电路中的电压AB题1图⑤能否将BJT的发射极e、集电极c交换使用？2、（15分）试比较BJT 三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是____电路；输出电阻较小的是____电路；输出信号与输入信号同相位的是_____电路；带负载能力强的是______电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是____电路。
3、（9分）用示波器观察NPN 管共射单级放大电路输出电压得到题3图所示三种削波失真的波形，请分别写出失真的类型：图（a ）为 ；图（b ）为 ；图（c ）为 。
A ．饱和失真；B ．截止失真；C ．交越失真；D ．i u 过大出现双向失真。
（a ） （b ） （c ）题3图4、（3分）某场效应管的转移特性曲线如右图所示， 则场效应管的类型是 。
A. N 沟道结型管B. P 沟道耗尽MOS 管C. N 沟道增强MOS 管D.P 沟道增强MOS 管5、（12分） 在双极型晶体管放大电路中，测得三只管子各电极电位如题5图所示。
试判断各晶体管的类型、材料和电极。
（a ） （b ） （c ）题5图6、（12分）共基极电路如图所示。
设β＝100，R s ＝0，R L ＝∞，则电路的电压增益约为_______，输入电阻约为________，输出电阻约为________。
A ．268B ．288C ．28ΩD ．20ΩE ．7.5k ΩF ．5.5kΩ题6图7、（4分）某放大电路中的幅频响应波特图如下图示。
那么该电路的中频电压增益、下限频率f L 、上限频率f H 分别为______。
题7图A. 60，1Hz ，10GHzB. 60dB ，100Hz ，100MHzC. 1000，100Hz ，100MHzD. 60，100Hz ，100MHz8、（12分）电路如题8图示，计算电路中的电压增益。
题8图v o第十章网上作业•. 1若信号频率低于20Hz，应选用______滤波器。
A. 高通B. 低通C. 带阻D. 带通•您的答案：正确答案：B• 2. 希望抑制50Hz的交流电源干扰，应选用______滤波器。
A. 带阻B. 带通C. 高通D. 低通•您的答案：正确答案：A• 3. 信号频率覆盖500Hz~50kHz，应选用______滤波器。
A. 高通B. 低通C. 带通D. 带阻•您的答案：正确答案：C• 4. 单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。
A. 2，3B. 1，2C. 2，1D. 1，1•您的答案：正确答案：B• 5. 若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
A. 同相迟滞B. 同相单门限C. 反相单门限D. 反相迟滞•您的答案：正确答案：D• 6.电路如图示。
已知f H = 500Hz，电容C取1微法，则电路的巴特沃斯低通滤波器参数：R ≈________，A VF =________。
••A. 3.18kΩ，B. 318.5 Ω，C. 318.5 kΩ，D. 318.5 kΩ，•您的答案：正确答案：B•7.••A. 大于2.7kΩ，1kHzB. 小于1.3kΩ，1kHzC. 小于1.3kΩ，100HzD. 大于1.3kΩ，1kHz•您的答案：正确答案：D•8.图示电压比较器的门限电压为。
（图中V Z＝9V）。
••A. 0VB. +6V和-6VC. +5V和-5VD. +3V和-3V•您的答案：正确答案：D•9.方波-三角波产生电路如图示，但是该电路有错误，其错误是。
••A. 不能用D2B. 电容参数不合适C. A2的两个输入端接反了D. C1的两个输入端接反了•您的答案：正确答案：D•10. 有源滤波电路通常由集成运放和电阻、电容组成。
正确错误正确答案：正确•11. 带通滤波器的Q值越大，它的通带宽度就越窄（设它的中心频率远大于带宽）。
正确错误正确答案：正确•12. 低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。
正确错误正确答案：错误•13. 在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为ϕf，放大电路的相移为ϕa，那么只有，才能满足相位平衡条件。
正确错误正确答案：错误•14. 只要满足相位平衡条件，且，就能产生自激振荡。
正确错误正确答案：正确•15. 在放大电路中，只要具有正反馈，就会产生自激振荡。
正确错误正确答案：错误•16. 在RC桥式正弦波振荡电路中，实现稳幅的指导思想通常是，使负反馈随着输出电压幅值的增加而加强（即电压增益下降）。
正确错误正确答案：正确•17.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
••正确错误正确答案：错误•18.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
••正确错误正确答案：正确•19. 非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。
正确错误正确答案：错误•20. 用于电压比较器的运放总是工作在开环状态或正反馈状态下。
正确错误正确答案：正确。