大学电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答-第7章习题解答
电路与模拟电子技术(第二版)第7章习题解答
第七章 基本放大电路7.1 试判断题7.1图中各电路能不能放大交流信号，并说明原因。
解： a 、b 、c 三个电路中晶体管发射结正偏，集电结反偏，故均正常工作，但b 图中集电极交流接地，故无交流输出。
d 图中晶体管集电结正偏，故晶体管不能正常工作，另外，交流输入信号交流接地。
因此a 、c 两电路能放大交流信号，b 、d 两电路不能放大交流信号。
7.2 单管共射放大电路如题7.2图所示，已知三极管的电流放大倍数50=β。
（1）估算电路的静态工作点； （2）计算三极管的输入电阻be r ；（3）画出微变等效电路，计算电压放大倍数； （4）计算电路的输入电阻和输出电阻。
解：（1）A A R U U I B BE CC B μ40104103007.01253=⨯≈⨯-=-=-CC +o -题7.2图C CC (a)题7.1图mA A I I B C 210210405036=⨯=⨯⨯==--βV I R U U C C CC CE 61021031233=⨯⨯⨯-=-=-（2）Ω=+=+=9502265030026300C Cbe I r β （3）放大电路的微变等效电路如图所示 电压放大倍数7995.03||350||-=-=-=be L C u r R R A β（4）输入电阻：Ω≈⨯==950950||10300||3be B i r R r输出电阻 Ω==k R r C 307.3 单管共射放大电路如题7.3图所示。
已知100=β（1）估算电路的静态工作点；（2）计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 （3）估算最大不失真输出电压的幅值；（4）当i u 足够大时，输出电压首先出现何种失真，如何调节R B 消除失真？解：电路的直流通路如图所示，CC BQ E BEQ BQ B U I R U I R =+++)1(βAmA R R U U I EB BEQ CC BQ μβ435.010130015)1(=⨯+≈++-≈由此定出静态工作点Q 为 mA I I BQ CQ 3.4==β，V R R I U U E C C CC CEQ 3.4)5.02(3.415)(≈+⨯-=+-=（2）Ω=⨯+=9053.426100300be r 由于R E 被交流傍路，因此16690.05.1100||-=⨯-=-=be L C u r R R A β+u o -CC +u o -题7.3图CCRΩ≈==k r R r be B i 9.0905.0||300||Ω==k R R C O 2（3）由于U CEQ =4.3V ，故最大不饱和失真输出电压为 V U U CEQ 6.37.03.47.00=-=-=' 最大不截止失真输出电压近似为V R I U L CQ 4.65.13.40=⨯='⋅='' 因此，最大不失真输出电压的幅值为3.6V 。
模拟电子技术基础2 6 7章课后答案
第二章 习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V ，用于电话机通话时的直流电源。
话机内部电路对电压有极性的要求。
话机电路中有一个导向电路，如题2-1图所示。
外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。
试说明其工作原理。
答：当外线与话机引线相接时，如果话机引线的上端接正、下端接负，则电源正端经过D 1，话机内的其他电路、D 4到电源负端，形成电流回路，此时二极管D 1、D 4正向导通，D 2、D 3截止。
如果话机引线的下端接正、上端接负，则电源正端经过D 2、话机内的其他电路、D 3到电源负端，形成电流回路。
由此或见，无论话机引线的上端接正还是下端接正，对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求，这就是导向电路所起的作用。
2-2 已知硅和锗PN 结的反向饱和电流分别为10-14A 和10-8A 。
若外加电压为0.25V 、0.45V 、0.65V 时，试求室温下各电流I ，并指出电压增加0.2V 时，电流增加的倍数。
解：根据式（1-2-4） ()1/-=T v v S e I I ，室温时mV V T 26≈对于硅PN 结：A I S 1410-=，则外加电压V0.25V 0.45V 0.65V TV V e/I14993.7A 10105.1-⨯3285 7556 AA μ33.0103.37=⨯-7.20×1010mAA72.0102.74=⨯-电压增加0.2V 时电流增加的倍数为倍219126/20026/2.0≈=mV mv mV V e e对于锗PN 结，A I S 810-=，则 外加电压V0.25V 0.45V 0.65V T V V e /14993.73285 7556 7.20×1010ImAA15.0105.14=⨯-A 33.0A 2102.7⨯电压增加0.2V 时电流同样增加2191倍。
2-3 在室温时锗二极管和硅二极管的反向饱和电流分别为1μA 和0.5pA ，若两个二极管均通过1mA 正向电流，试求它们的管压降分别为多少。
电工与电子技术基础第7章答案
电工与电子技术基础第7章答案第7章直流稳压电源习题参考答案7.1单相半波整流电路如图7.1所示。
已知负载电阻RL＝600Ω，变压器副边电压U2＝20V。
试求输出电压UO、电流的平均值IO及二极管截止时承受的最大反向电压UDRM。
解：U0=0.45U2=0.45某20=9（V）I0= 9U0==15（mA）RL600UDRM=2U2=2某20=28.2（V）7.2有一电压为110V、负载电阻为55Ω的直流负载，采用单相桥式整流电路（不带滤波器）供电。
试求变压器副边电压和输出电流的平均值，并计算二极管的电流ID和最高反向电压UDRM。
如改用半波整流电路，重新计算上述各量。
解：采用单相桥式整流电路时∵U0=0.9U2∴U2=U0110==122（V）0.90.9110=2(A)I0=5511ID=I0=某2=1(A)22UDRM=2U2=2某122=173（V）当采用单相半波整流电路时U2=110U0==244（V）0.450.45110=2(A)I0=55ID=I0=2(A)UDRM=2U2=2某244=346（V）7.3单相桥式整流电路中，不带滤波器，已知负载电阻R＝360Ω，负载电压UO＝90V。
试计算变压器副边的电压有效值U2和输出电流的平均值，并计算二极管的电流ID和最高反向电压UDRM。
解：采用单相桥式整流电路时∵U0=0.9U2∴U2=U090==100（V）0.90.915590=0.25(A)36011ID=I0=某0.25=0.125(A)22I0=UDRM=2U2=2某100=141.2（V）7.4单相桥式整流电路如图7.4所示。
已知负载电阻RL＝360Ω，变压器副边电压U2＝220V。
试求输出电压UO、电流的平均值IO及二极管的电流ID二极管截止和最高反向电压UDRM。
解：U0=0.9U2=0.9某220=198（V）I0=ID=U0198==0.55（mA）RL36011IO=某0.55=0.275(mA)22UDRM=2U2=2某220=311（V）7.5在单相桥式整流电容滤波电路中，若发生下列情况之一时，对电路正常工作有什么影响？①负载开路；②滤波电容短路；③滤波电容断路；④整流桥中一只二极管断路；⑤整流桥中一只二极管极性接反。
电子技术基础 第2版 习题答案作者 陈振源 褚丽歆 褚老师习题答案.docx
思考与练习答案第1章半导体器件一、填空题1.过热烧毁击穿2.单向导电性3.放大区截止区饱和区放大区4.发射结集电结放大区截止区饱和区5.100 2.5mA6.正偏反偏7.几~几十1.5〜3V8.光电反偏9.放大10.100 4mA11.集电极发射极12.⑴集电基发射(2)50 ⑶PNP13.电压电场效应14.结绝缘栅15.源极漏极16.控制极触发P N栅极反向维持二、选择题1. B2.B3.B A4.B5.C6.C7.A8. B9. B 10. B 11.B 12.C A B三、综合题1.图(a)“Ao = 6V；图(b)”Ao = 0V;图(C)U A0=12V；图(d)U A0=-6V2,两只稳压值不等的稳压管串联使用，有4种接法，结果分别为13. 5V、6. 7V、8. 2V、1.4V；两只稳压值不等的稳压管并联使用，有4种接法，只是得到的稳压值只有两种，结果为6V 和0. 7V；四、实训题1.答：⑴黑笔接的是万用表内部电源的正极，红笔接的是万用表内部电源的负极。
在万用表测得的阻值小的情况下，说明此时二极管外加的电压是正向电压(正向偏置)，所以黑笔(电源正极)接的是二极管的正极，红笔接的是二极管的负极。
⑵若将红、黑笔对调后，万用表指示的方向与⑴相反，即阻值很大，近似为无穷大。
(3)如正向、反向电阻值均为无穷大，二极管内部为断路。
(4)如正向、反向电阻值均为零，二极管内部短路。
(5)如正向和反向电阻值接近，说明此时二极管已不具有单向导电的性能。
2.答：⑴基极 (2)基极NPN 型PNP 型第2章 三极管放大电路一、填空题1.静态 Q /BQ /CQ U BEQ U CEQ2.动态 输入信号 电源直流交流3.不失真地放大输入信号4.开路 短路 短路5.基极 射极 集电极6.相反7,同 减小 低提高8.截止失真减小饱和失真增大输入信号过大 9.截止饱和R B10.集电 共集电极11. 1电压 电流和功率 相同 12.共射组态 共集组态 共射组态 13.阻容耦合 变压器耦合直接耦合14.减小增大 15. 30 P A 3mA16. (1) 48u A,2.4mA, 5.2V,放大(2) 1000uA,50mA, 0V,饱和 (3) 10 V, 截止二、选择题1. C2. B3.B4. B5. A C6. C四、实训题 1.答：用万用表测量静态工作点/CQ 时，应选择万用表的电流挡位(具体挡位应根据被测电 路的参数来选择)，将万用表串联接在电路中。
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20XX年复习资料大学复习资料专业：班级：科目老师：日期：习 题 77.1 确定图7.1所示电路的漏极电流。
VTR D+DDV V P = -6V I DSS =3mA VTR D-DDV V P = 6V I = -12mA(a)(b)图7.1 习题7.1图(a) U GSQ =－2V ，mA)(33.1)621(3)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (b) U GSQ =3V ，I D =－20XXXX ×(1－3/6)=－3(mA)7.2 电路如图7.2所示，MOSFET 的U T = 2V ，K = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ和U DSQ 值。
)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U)mA (9.63)213.3(50)(22T GSQ DQ =-⨯=-=U U K I)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V U7.3 试求图7.3所示每个电路图的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。
(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 20XXXX －8×1=4(V)(b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 20XXXX －8×1.2=5.4(V) (c) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)R g1VT+V DD 24VR g2100k 15k ΩR d 200ΩVT+V DD 12VR g 10M ΩR d 1.0k ΩVT+V DD 15V R g 10M ΩR d 1.2k ΩVT+V DD -9V R g 10M ΩR d 560Ω(a)(b)(c)图7.2 习题7.2电路图 图7.3 习题7.3电路图7.4 某MOSFET 的I DSS = 20XXXXmA 且U P = －8V 。
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6.1确定图中晶体管其它两个电流的值
I
β=200
(a)(b)β
=100(c)β
=120
图6.1习题6.1图
(a) IC=βIB=200×0.125=25(mA) IE=IB+IC=25.125(mA)
(b) IB=IE/(1+β)=5/(1+100)=49.5(μA) IC=IE－IB=4.95(mA)
Rb100kΩ
Rb
300kR2k(c)
(+12V)
(a)(b)
图6.13习题6.13电路图
(a)发射结正偏导通
IBQ
50.7
8.57(μA)
1002012
假设处于放大区
ICQIBQ1.71(mA)
UCEQ5ICQ(RcRe)15.56(V)
∴假设错误，三极管处于饱和区。(b)发射结正偏导通
IBQ
120.7
6.5测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图6.5所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图6.5习题6.5图
(a) ①-e ②-c ③-b硅NPN (b) ①-b ②-c ③-e锗PNP (c) ①-b ②-e ③-c锗PNP
6.6在工作正常的放大电路中，测得四个晶体管相对于电路公共端的电压如图6.6所示，是判断各晶体管的类型及各管脚对应的电极名称。
1.65
+UUo－
(3) RiRb1//Rb2//[rbe(1)Re1]5.12(k) RoRc2(k)
R//RUIRL'1002//4obcL(4) Au6.04 [r(1)R]UIr(1)R1.891010.2ibbee1bee1
模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程(第二版)课后 习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A ， 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。
解：在20C 时的反向电流约为：2°x 10# A= 1.25卩A在80C 时的反向电流约为：2310」A = 80」A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少？② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，贝V 二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 二 U II 0.8A, U : 0.7V②电源电压为3V 时3二U II 2.2A, U ： 0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
1.5V 1k? (b)习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin® t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
《模拟与数字电子技术基础蔡惟铮》第7章习题解答a
第7章 直流电源习题解答习 题[7-1] 全波整流电路如题图7-1所示，变压器次级绕组的中心抽头接地，且t U u u sin ω222221=-=为已知，变压器绕组电阻和二极管正向压降可忽略不计。
试求：1.画出i L 、u o 及二极管反向电压u DR 的波形；2.求U O(AV)、I L(AV)和二极管平均电流I D(AV)、反向峰值电压U RM ；3.如果VD 2的极性接反，会出现什么问题？4.若输出端短路，会出现什么问题？u 1LD2u R L1题图7-1 题7-1电路图 题图7-2 题7-2电路图 解：1．见解图7-1。
R LD2uiiiuu图7-1 题7-1电路图解图7-1 题7-1电路的波形图2.2O(A V)9.0UU=；L2LO(AV)L(AV)9.0RURUI==；L2LO(AV)L(AV)D(AV)45.022RURUII===；RM2U=。
3．如果VD2的极性接反，那么变压器的二次绕组在输入信号的正半周被短路，造成回路电流过大，引起整流二极管和变压器的绕组损坏。
4．若输出端短路，结果同上。
[7-2] 题图7-2为桥式整流电容滤波电路。
已知R L=50Ω，C=1000μF，用交流电压表量得变压器次端电压的有效值U2=20V。
如果用直流电压表测得的U O(AV)有下列几种情况：①28V，②18V，③24V，④9V，试分析它们是电路分别处在什么情况下引起的（指电路正常或出现某种故障）。
解：1．2O(AV)2V 28U U ≈=，当负载电阻∞→L R ，即输出空载。
2．2O (A V )9.0V 18U U ==，当滤波电容C 断开，无滤波作用，相当纯阻负载整流电路，且负载电流不太大时。
3．2O (A V )2.1V 24U U ==，有滤波电容，电路正常工作。
4．2O (A V )45.0V 9U U ==，整流桥中有一个整流管断开，电路在半波整流状态下工作，并且滤波电容C 断开，没有起到滤波作用。
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20XX年复习资料大学复习资料专业：班级：科目老师：日期：习 题 77.1 确定图7.1所示电路的漏极电流。
VTR D+DDV V P = -6V I DSS =3mA VTR D-DDV V P = 6V I = -12mA(a)(b)图7.1 习题7.1图(a) U GSQ =－2V ，mA)(33.1)621(3)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (b) U GSQ =3V ，I D =－20XXXX ×(1－3/6)=－3(mA)7.2 电路如图7.2所示，MOSFET 的U T = 2V ，K = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ和U DSQ 值。
)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U)mA (9.63)213.3(50)(22T GSQ DQ =-⨯=-=U U K I)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V U7.3 试求图7.3所示每个电路图的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。
(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 20XXXX －8×1=4(V)(b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 20XXXX －8×1.2=5.4(V) (c) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)R g1VT+V DD 24VR g2100k 15k ΩR d 200ΩVT+V DD 12VR g 10M ΩR d 1.0k ΩVT+V DD 15V R g 10M ΩR d 1.2k ΩVT+V DD -9V R g 10M ΩR d 560Ω(a)(b)(c)图7.2 习题7.2电路图 图7.3 习题7.3电路图7.4 某MOSFET 的I DSS = 20XXXXmA 且U P = －8V 。
(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？ (2) 计算U GS = －3V 是的I D ； (3) 计算U GS = 3V 时的I D 。
(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 7.5 图7.4所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。
-1012u GS / V-3i D / mA-4-2GS -i D / mA0123-3-1u GS / V i D / mA0-2(a)(b)(c)图7.4 习题7.5图(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。
7.6 图7.5所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N 沟道或P 沟道），说明它的夹断电压p U （或开启电压th U ）为多少。
51015DS -i D / mA 3V2V 1V (a)u GS = 0V51015DS i D / mA-1V 0V 1V(b)u GS = 2V图7.5 习题7.6图(a) JFET P 沟道 U P =3V ；(b) 耗尽型 N 沟道FET U P =－1.0V7.7 画出下列FET 的转移特性曲线。
(1)U P = －6V ，I DSS = 3mA 的JFET ； (2) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(3) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。
(1) i D /mA u GS /Vo－63 (2) i D /mAu GS /Vo－63 (3) i D /mA u GS /Vo8123.27.8 试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
i Du GSoJFET耗尽型FET增强型FETU P U PU TN 沟道i D u GSoU PU P U TJFET耗尽型FET增强型FETP 沟道7.9 判断图7.6所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
图7.6 习题7.9电路图(a) 能放大 (b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大7.20XXXX 试判断图7.7所示电路中，哪些具有电压放大作用，如不具有电压放大作用，如何改正才能使其有电压放大作用。
(a) 不能放大，缺少R d(b) 不能放大，共漏1 u A ，可增加R d ，并改为共源放大 (c) 不能放大，增强型不能采用自给偏压，须改为分压偏置(d) 能放大u i C1C2VTu o+VDDR gR S C3u iC1C2VTu o-V DDR gR Su iC1C2VT u o+V DDR gR S C3u iC1C2VTu o-V DDR gR S C3R d Rd(a) (b)(c) (d)图7.7 习题7.20XXXX电路图7.20XXXX 图7.8(a)所示电路中的场效应管的转移特性为图7.8(b)所示，试求解该电路的GSU、D I和DSU。
图7.8 习题7.20XXXX图由图(a) 可知：U GS= －1V，由图(b)可得I D=2mA，可求得：U DS=20XXXX－2×5=2V7.20XXXX 电路如图7.8所示，已知FET的I DSS= 3mA、U P= －3V、U(BR)DS= 20XXXXV。
试问在下列三种条件下，FET各处于哪种状态？(1) R d = 3.9kΩ；(2) R d = 20XXXXkΩ；(3) R d = 1kΩ。
U GSQ=0(V) ∴I DQ=I DSS=3mA(1) U DSQ=20XXXX－3×3.9=3.3(V) ∴处于恒流区；(2) U DSQ=20XXXX－3×20XXXX=－20XXXX(V) ∴处于可变电阻区；(3) U DSQ =20XXXX －3×1=20XXXX(V) ∴处于击穿区。
7.20XXXX 电路如图7.9所示，已知VT 在U GS = 5V 时的I D = 2.25mA ，在U GS = 3V 时的I D = 0.25mA 。
现要求该电路中FET 的V DQ = 2.4V 、I DQ = 0.64mA ，试求：(1) 管子的K 和U T 的值；(2) R d 和R S 的值应各取多大？ I D =K (U GS -U T )22.25= K (5-U T )2 0.25= K (3-U T )2→ U T1=3.5(V) (不合理，舍去)，U T2=2(V)求得：K =0.25mA/V 2，U T =2VV DQ =V DD -I DQ ·R d 2.4=20XXXX －0.64R d →R d =20XXXXk Ω2GSQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) U GSQ2=3.6(V) U GSQ =20XXXX －0.64·R s ∴R s =20XXXXk Ω7.20XXXX 电路如图7.20XXXX 所示，已知FET 的U T = 3V 、K = 0.1mA/V 2。
现要求该电路中FET 的I DQ = 1.6mA ，试求R d 的值应为多大？VT+V DD R g R dVT+V DD R SR dSS -10VVT+V DD R g R d1.2M图7.8 习题7.20XXXX 图 图7.9 习题7.20XXXX 图 图7.20XXXX 习题7.20XXXX 图1.6=0.1(U GSQ －3)2∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=－1(V)(不合理，舍去)U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =20XXXX －1.6×R d ∴R d =5k Ω7.20XXXX 电路如图7.20XXXX 所示，已知场效应管VT 的U T = 2V ，U (BR)DS = 20XXXXV 、U (BR)GS = 30V ，当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。
请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)？VTR g RS1.2M2kΩR d5kΩ15VVTR g1.2MR d5kΩ20V1VVT R g1.2MR d 5kΩ12V3VVTR g1.2MR d3kΩ12V3V(a)(b)(c)(d)图7.20XXXX 习题7.20XXXX图(a) 截止 (b) U DSQ=20XXV>U(BR)DS，击穿(c) I D=K(U GS-U T)2 9=K(4－2)2∴K=2.25mA/V2U GSQ=3V I DQ=2.25(3－2)2∴I DQ=2.25mA→U DSQ=20XXXX－2.25×5=0.75(V)<U GSQ－U T=1V∴处于可变电阻区(d) U DSQ=20XXXX－2.25×3=5.25(V)>U GSQ－U T=1V∴处于恒流区7.20XXXX 电路如图7.20XXXX所示，已知场效应管VT1的I DSS = 4mA、U P = －5V；VT2的K = 0.20XXXXmA/V2、U T = 3.5V；VT3的I DSS= －5mA、U P =4V；VT4的I DSS = －2mA、U P =2V。
试分析这四个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。
(a) U GSQ=－2V I DQ=4×(1－2/5)2=1.44mA→U DSQ=20XXXX－1.44×3=5.68(V)>U GSQ－U P=3V∴处于恒流区(b) U GSQ=2V<U T，截止(c)U GSQ=0V I DQ=I DSS=－5mA→U DSQ=－20XXXX+5×3=5(V)由电路图可知U DSQ<0 故假设错误，I DQ>I DSS∴处于可变电阻区(d) U GSQ=0V 假设处于恒流区，则I DQ=I DSS=－2mA→U DSQ=－20XXXX+2×3=－4(V)<U GSQ－U P=－2V∴处于恒流区VT 1R g 1.2M R d 3k Ω10VVT 2R g 1.2M R d 3k Ω10V2VVT 3R g 1.2M R d 3k Ω10VVT 4R g 1.2M R d 3k Ω10V(a)(b)(c)(d)2V图7.20XXXX 习题7.20XXXX 图7.20XXXX 电路如图7.20XXXX 所示(1) JFET 的U P = －8V ，I DSS = 20XXXXmA ，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。