集成电路制造工艺原理
集成电路工艺基础及版图设计
氧化环境中使硅表面发生氧化, 生成SiO2 薄膜。
滤气 球 O2
流量 控制
二通
温度 控制
硅片 氧化 炉
石英 管 温度 控制
图2 - 1 热氧化示意图
❖
根据氧化环境的不同， 又可把热
氧化分为干氧法和湿氧法两种。 如果氧
化环境是纯氧气， 这种生成SiO2薄膜的 方法就称为干氧法。 干氧法生成SiO2薄 膜的机理是： 氧气与硅表面的硅原子在
（2 -4）
SiH4+2O2→SiO2↓+2H2O
❖ 2.2.2 掺杂工艺
❖
集成电路生产过程中要对半导体
基片的一定区域掺入一定浓度的杂质元
素， 形成不同类型的半导体层， 来制作
各种器件， 这就是掺杂工艺。 由此可见，
掺杂工艺也是一种非常重要的基础工艺。
掺杂工艺主要有两种： 扩散工艺和离子
注入工艺。
间测试之前的所有工序。 前工序结束时，
半导体器件的核心部分——管芯就形成了。
前工序中包括以下三类工艺：
❖
（1） 薄膜制备工艺： 包括氧化、工艺： 包括离子注入和
扩散。
❖
（3） 图形加工技术： 包括制版和
❖
2) 后工序
❖
后工序包括从中间测试开始到器
❖
1. 扩散工艺
❖
物质的微粒总是时刻不停地处于
❖
扩散的机理有两种： 替位扩散和
填隙扩散。 在高温的情况下， 单晶固体
中的晶格原子围绕其平衡位置振动， 偶
然也可能会获得足够的能量离开原来的
位置而形成填隙原子， 原来的位置就形
成空位, 而邻近的杂质原子向空位迁移，
这就是杂质的替位扩散方式。 杂质原子
集成电路的工作原理
集成电路的工作原理集成电路是现代电子技术的重要组成部分，它的出现使得电子设备变得更加小型化、高效化和可靠化。
本文将详细介绍集成电路的工作原理，从晶体管、逻辑门到集成电路的制造过程等方面进行探讨。
1. 晶体管的基本原理晶体管是集成电路的基本单元，其基本原理是利用半导体材料的特性来实现信号放大和开关控制。
在晶体管中，一般由两个PN结构组成：N型半导体和P型半导体。
当控制端施加适当电压时，PN结的导电性发生变化，使得电流可以通过或被阻断。
2. 逻辑门的构成和功能逻辑门是由晶体管组成的电路，用于处理数字信号。
常见的逻辑门有与门、或门、非门等。
以与门为例，当输入端1和输入端2同时为高电平时，输出端才为高电平；否则输出端为低电平。
逻辑门的功能是根据输入信号的逻辑条件，产生相应的输出信号。
3. 集成电路的分类和特点集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路。
模拟集成电路主要用于信号的放大和处理，数字集成电路用于处理离散的二进制信号。
集成电路的特点包括体积小、功耗低、性能稳定和可靠性高等，这使得它在电子产品中得到广泛应用。
4. 集成电路的制造过程集成电路的制造过程主要包括晶圆制备、光刻、扩散、腐蚀和封装等环节。
首先，通过化学物质对硅晶片进行处理，形成所需的零件结构。
然后，利用光刻技术将图形投射到硅片上，并进行刻蚀。
接着，通过扩散和腐蚀等工艺步骤，形成晶体管和逻辑电路等功能。
最后，将集成电路封装到外壳中，以便安装和连接。
5. 集成电路的应用领域集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子、汽车电子和医疗器械等领域。
在计算机领域，中央处理器和内存芯片等都是基于集成电路技术的。
在通信领域，手机和网络设备等都需要借助集成电路来实现信号处理和通信功能。
总结：集成电路是利用晶体管和逻辑门构成的电路，通过制造工艺将它们集成到一个小的芯片上。
它的工作原理基于晶体管的特性和逻辑门的功能，实现信号的放大、处理和控制。
集成电路具有体积小、功耗低、性能稳定和可靠性高等特点，广泛应用于各个领域。
集成电路工作原理
集成电路工作原理
集成电路是将多个电子器件和元件集成在一块半导体材料上，通过布线和各种连接方式相互连接组合而成的电路，它是现代电子技术的基础。
集成电路通过在半导体晶片上制作不同的电子器件，如晶体管、二极管、电阻器、电容器等，然后将它们连接在一起形成完整的电路。
这些器件和元件通过微细的金属线或多层金属层电路互连起来，从而实现复杂的功能。
集成电路的工作原理可以大致分为三个步骤：制作、封装和测试。
首先，制作集成电路需要通过光刻等工艺将电子器件和元件制作在半导体晶片上。
这一步骤涉及使用特殊的光刻机、化学溶液和掩模等工具进行精细的加工，将电子器件的结构和形状准确地制作在半导体晶片的表面上。
然后，经过制作完成的半导体晶片需要进行封装。
封装是将半导体晶片用外壳保护起来，并通过金属引脚连接到外部电路中。
这一过程包括将半导体晶片倒装封装或芯片封装到保护盒中，并通过焊接或其他连接方式将引脚与晶片内的金属线连接起来，形成完整的芯片。
最后，封装完成的集成电路需要进行测试以确保其正常工作。
测试目的是检测芯片是否存在制造缺陷、故障或其他问题。
测试包括电学测试、功能测试和可靠性测试等，通过这些测试，
确认集成电路的质量和性能是否符合要求。
总的来说，集成电路利用半导体材料和微细制造工艺将多个电子器件和元件集成在一起，通过连线互连形成完整电路，能够实现复杂的功能。
制作、封装和测试是集成电路工作的三个主要步骤，每一步都需要高度的精确性和技术要求，以确保集成电路的质量和性能。
cmp工作原理
CMP工作原理详解1. 概述CMP（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一种集成电路制造工艺，用于制造大规模集成电路（VLSI）的互补金属氧化物半导体器件。
CMP工艺是目前最常用和成熟的半导体制造工艺之一，广泛应用于处理器、存储器、通信芯片等领域。
本文将详细解释CMP工作原理的基本原理，包括CMP工艺的步骤、CMP机理以及相关设备和材料。
2. CMP工艺步骤CMP工艺通常包括以下步骤：2.1 表面准备CMP工艺开始前，需要对晶圆表面进行准备，以去除残留物、平整表面并提供良好的衬底。
这一步通常包括化学清洗和机械抛光等操作。
2.2 涂覆在CMP工艺中，需要在晶圆表面涂覆一层薄膜，通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术。
这一层薄膜可以作为CMP过程中的衬底，保护晶圆表面。
2.3 机械抛光机械抛光是CMP工艺的核心步骤，通过旋转的抛光盘和抛光液，将晶圆表面的材料进行抛光，以达到平整的效果。
抛光液通常包括磨料、腐蚀剂和缓冲液等成分。
抛光盘和晶圆之间的压力和速度可以调节，以控制抛光过程中的材料去除速率。
2.4 清洗和检测抛光后的晶圆需要进行清洗，以去除抛光液和残留物。
清洗通常使用化学溶液和超纯水等。
清洗后，需要对晶圆进行检测，以评估CMP工艺的效果和质量。
3. CMP机理CMP工艺的核心机理涉及磨料、腐蚀剂、缓冲液等多个方面。
3.1 磨料磨料是CMP过程中用于去除晶圆表面材料的重要组成部分。
磨料通常是固体颗粒，可以是氧化铝、二氧化硅等硬度较高的材料。
这些颗粒在抛光过程中与晶圆表面发生摩擦和磨损，去除表面材料。
3.2 腐蚀剂腐蚀剂是CMP过程中用于溶解晶圆表面材料的化学物质。
腐蚀剂可以与晶圆表面的材料发生化学反应，使其溶解或转化为易于去除的物质。
腐蚀剂的选择和浓度对CMP过程的效果有重要影响。
3.3 缓冲液缓冲液是用于调节CMP过程中pH值和离子浓度的溶液。
集成电路的基本原理和工作原理
集成电路的基本原理和工作原理集成电路是指通过将多个电子元件（如晶体管、电容器、电阻器等）和互连结构（如金属导线、逻辑门等）集成到单个芯片上，形成一个完整的电路系统。
它是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统和各种电子设备中。
本文将介绍集成电路的基本原理和工作原理。
一、集成电路的基本原理集成电路的基本原理是将多个电子元件集成到单个芯片上，并通过金属导线将这些元件互连起来，形成一个完整的电路系统。
通过集成电路的制造工艺，可以将电子元件和互连结构制造到芯片的表面上，从而实现芯片的压缩和轻量化。
常见的集成电路包括数字集成电路（Digital Integrated Circuit，简称DIC）、模拟集成电路（Analog Integrated Circuit，简称AIC）和混合集成电路（Mixed Integrated Circuit，简称MIC）等。
集成电路的基本原理包括以下几个关键要素：1. 材料选择：集成电路芯片的制造材料通常选择硅材料，因为硅材料具有良好的电子特性和热特性，并且易于形成晶体结构。
2. 晶圆制备：集成电路芯片的制造过程通常从硅晶圆开始。
首先，将硅材料熔化，然后通过拉伸和旋转等方法制备成硅晶圆。
3. 掩膜制备：将硅晶圆表面涂覆上光感光阻，并通过光刻机在光感光阻表面形成图案。
然后使用化学溶液将未曝光的部分去除，得到掩膜图案。
4. 传输掩膜：将掩膜图案转移到硅晶圆上，通过掩膜上沉积或蚀刻等方法，在硅晶圆表面形成金属或电子元件。
5. 互连结构制备：通过金属导线、硅氧化物和金属隔离层等材料，形成元件之间的互连结构，实现元件之间的电连接。
6. 封装测试：将芯片放置在封装材料中，通过引脚等结构与外部电路连接，然后进行测试和封装。
集成电路的基本原理通过以上几个关键步骤实现电子元件和互连结构的制备和组装，最终形成一个完整的电路系统。
二、集成电路的工作原理集成电路的工作原理是指通过控制电流和电压在电路系统中的分布和变化，从而实现电子元件的工作和电路系统的功能。
集成电路的工作原理
集成电路的工作原理集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是由许多电子元件（如晶体管、电阻、电容等）以微型化的形式集成在一个芯片上的电子电路。
它是电子技术领域的重要成果，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。
集成电路的工作原理基本上可以用“半导体材料的PN结”的工作原理来解释。
PN结是指由P型半导体与N型半导体相接构成的结。
在PN结的两侧，由于P型半导体中的电子集中，形成带正电荷的区域，称为“P区”；而N型半导体中电子较多，形成带负电荷的区域，称为“N区”。
PN结两侧电荷的不平衡会形成电势差，使电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动。
这种电子和空穴的移动形成了一个载流子的流动，即电流的产生。
在集成电路中，一般通过掺杂等工艺制造出P区和N区，形成PN结。
此外，还需要添加金属接触点，使外部电源可以接入，以控制电流的流动方向和大小。
这样，当外部电源加上正向电压时，即使PN结两侧电势差增大，使电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动。
通过控制电源的电压，可以控制电流的大小。
集成电路的工作原理是依托于晶体管的工作原理，晶体管是能控制电流的一个重要电子元件。
晶体管可以根据输入信号的强弱来控制输出电流的大小。
在集成电路中，晶体管被大量应用，形成了各种不同的逻辑门，如与门、或门、非门等。
通过将许多逻辑门相互连接，可以构成更加复杂的电路，实现各种不同的功能。
集成电路的工作原理还包括数字信号和模拟信号的处理。
数字信号是用离散的数值来表示信息的信号，而模拟信号是用连续的数值来表示信息的信号。
集成电路可以将输入的模拟信号转换为数字信号，通过逻辑电路进行处理，再将数字信号转换为输出的模拟信号。
这样，可以实现各种复杂的信号处理功能。
总之，集成电路的工作原理是基于PN结和晶体管的工作原理。
通过控制电源的电压和控制信号的输入，实现了电子元件之间的相互作用，从而实现各种功能。
集成电路的微型化、高集成度、可靠性高等特点，使得它成为现代电子技术的基础和核心。
集成电路基本原理与工艺技术
集成电路基本原理与工艺技术作为现代电子技术的核心和基础，集成电路在各个领域中都发挥着重要作用。
它将数百万个晶体管、电阻、电容和其他被制造在单一芯片上的元件组合起来，实现高度集成和功能复杂化。
本文将介绍集成电路的基本原理和工艺技术，以及其在现代社会中的应用。
一、集成电路的基本原理集成电路是由大量的电子元件组成的电路，其基本构造单位是晶体管。
晶体管是现代电子技术的核心元件，通过控制电流的流动，实现信号的放大、开关和逻辑运算等功能。
在集成电路中，晶体管的尺寸变得非常小，同时集成更多的晶体管，从而提高集成电路的性能和功能。
二、集成电路的工艺技术集成电路的制造过程主要包括晶体管的制备、电路的图形化、电路的制造和封装测试等环节。
首先，晶体管的制备是整个集成电路制造过程的关键步骤。
它通常采用硅片作为基底，通过化学气相沉积等技术将不同类型的杂质掺入硅片中，形成PN结构的晶体管。
制备过程需要高温和高真空条件下进行，确保晶体管的高质量和稳定性。
其次，电路的图形化是将设计好的电路图形转化为硅片上的实际电路布局的过程。
这一步骤采用光刻技术，将电路图形按照一定比例缩小，并通过掩膜制作成好多层图形，形成电路的布局。
接下来是电路的制造过程，主要包括薄膜沉积、电路的形成和金属的连接等步骤。
在薄膜沉积过程中，通过化学气相沉积等技术在硅片表面形成绝缘层和导电层。
然后，通过光刻和蚀刻等工艺，在导电层上形成电路的布线连接，并形成所需的电路结构。
最后，需要对制造好的集成电路进行封装和测试。
封装是将硅片封装在塑料或陶瓷芯片上，并连接外部引脚，保护和固定集成电路。
测试是通过特定的测试设备对集成电路的性能和功能进行测试，确保其质量和可靠性。
三、集成电路的应用由于集成电路具有高度集成和功能复杂化的特点，因此在各个领域中都有广泛的应用。
在通信领域，集成电路被广泛用于移动通信、卫星通信和光纤通信等设备中，实现信号的处理、传输和调制解调等功能。
它不仅实现了通信设备的小型化，还提高了通信质量和传输速度。
集成电路制造技术——原理与工艺
集成电路制造技术——原理与工艺
7
2014年6月，《国家集成电路产业发展推进纲要》
1、集成电路定位
它是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性 和先导性产业，当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚 期。
2、发展目标
到2015年，集成电路产业销售超3500亿元。移动智能终端、网络通信等部分重点 领域集成电路设计技术接近国际一流水平。32/28纳米（nm）制造工艺实现规模量产， 中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到30%以上，65-45nm关键设备和 12英寸硅片等关键材料在生产线上得到应用。
集成电路制造技术——原理与工艺
《集成电路产业发展白皮书(2015版)》
世界创新三大重点：
一是14nm FinFET工艺芯片正式进入市场，英特尔公司在22nm的FinFET结构三栅 晶体管技术及IBM和意法半导体公司的22nm制程节点中采用的FD-SOI全耗尽技术。 二是3D-NAND存储技术走向商用。 三是可穿戴市场推动无线充电技术走向成熟。无线充电技术已经成为业界“抢攻”的重 点。
2018-2014全球集成电路市场规模及增速
1、2014年全球半导体市场规模达到3331亿美元，同比增长9%，为近四年增速之最。 2、从产业链结构看。制造业、IC设计业、封装和测试业分别占全球半导体产业整体营业收入 的50%、27%、和23%。 3、从产品结构看。模拟芯片、处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片2014年销售额分别442.1 亿美元、622.1亿美元、859.3亿美元和786.1亿美元，分别占全球集成电路市场份额的 16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。
到2020年，全行业销售收入年均增速超过20%，移动智能终端、网络通信、云计 算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平，16/14nm制造工 艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系。
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集成电路制造工艺原理课程总体介绍：1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。
本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。
本课程开课时间暂定在第五学期。
2．参考教材：《半导体器件工艺原理》国防工业出版社华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》（上、下册）国防工业出版社成都电讯工程学院编著《半导体器件工艺原理》上海科技出版社《半导体器件制造工艺》上海科技出版社《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》电子工业出版社3．目前实际教学学时数：课内课时54学时4．教学内容简介：本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的，与微电子技术相关的器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理和技术；介绍了与光电子技术相关的器件（发光器件和激光器件）、集成电路（光集成电路）的制造工艺原理，主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。
5．教学课时安排：(按54学时)课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3学时第八章表面钝化工艺5学时第九章表面内电极与互连3学时第十章器件组装2学时课程教案:课程介绍及序论（2学时）内容：课程介绍：1 教学内容1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造1.3 参考教材2教学课时安排3学习要求序论：课程内容：1半导体技术概况1.1 半导体器件制造技术1.1.1 半导体器件制造的工艺设计1.1.2 工艺制造1.1.3 工艺分析1.1.4 质量控制1.2 半导体器件制造的关键问题1.2.1 工艺改革和新工艺的应用1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整1.2.4 工业化生产2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程2.2 典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程2.3 两工艺流程的讨论2.3.1 有关说明2.3.2 两工艺流程的区别及原因课程重点：介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向（微电子技术方向和光电子技术方向）相关的制造业，指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业，是国家远景规划中置于首位发展的工业。
介绍了与微电子技术方向相关的分离器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理的内容，指明微电子技术从某种意义上是指大规模集成电路和超大规模集成电路的制造技术。
由于集成电路的制造技术是由分离器件的制造技术发展起来的，则从制造工艺上看，两种工艺流程中绝大多数制造工艺是相通的，但集成电路制造技术中包含了分离器件制造所没有的特殊工艺。
介绍了与光电子技术方向相关的分离器件、集成电路的制造工艺原理的内容。
指明这些器件（发光器件和激光器件）和集成电路（光集成电路）多是由化合物半导体为基础材料的，最常用和最典型的是砷化镓材料，本课程简单介绍了砷化镓材料及其制造器件时相关的工艺技术与原理。
在课程介绍中，指出了集成电路制造工艺原理的内容是随着半导体器件制造工艺技术发展而发展的、是随着电子行业对半导体器件性能不断提高的要求（小型化、微型化、集成化、以及高频特性、功率特性、放大特性的提高）而不断充实的。
综观其发展历程，由四十年代末的合金工艺原理到五十年代初的合金扩散工艺原理，又由于硅平面工艺的出现而发展为硅平面工艺原理、继而发展为硅外延平面工艺原理，硅外延平面工艺是集成电路制造的基础工艺；在制造分离器件和集成电路时，为提高器件和集成电路的可靠性、稳定性，引入了若干有实效的保护器件表面的工艺，则加入了表面钝化工艺原理的内容；在制造集成电路时，为实现集成电路中各元器件间的电性隔离，引入了隔离墙的制造，则又加入了隔离工艺原理的内容。
因此，集成电路工艺原理=硅外延平面工艺原理+表面钝化工艺原理+隔离工艺原理，而大规模至甚大规模集成电路的制造工艺，只不过是在掺杂技术、光刻技术（制版技术）、电极制造技术方面进行了技术改进而已。
介绍了半导体技术概况，指出半导体技术是由工艺设计、工艺制造、工艺分析和质量控制四部分构成。
工艺设计包含工艺参数设计、工艺流程设计和工艺条件设计三部分内容，其设计过程是：由器件的电学参数（分离器件电学参数和集成电路功能参数）参照工艺水平进行结构参数的设计；然后进行理论验算（结构参数能否达到器件的电学参数的要求）；验算合格，依据工艺原理和原有工艺数据进行工艺设计。
工艺制造包含工艺程序实施、工艺设备、工艺改革三部分内容。
工艺分析包含原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析和工艺条件分析等四部分内容，工艺分析的目的是为了工艺改进。
质量控制包含分离器件和集成电路的失效机理研究、可靠性分析和工艺参数控制自动化三部分内容。
在介绍、讨论、分析的基础上，指明了半导体器件制造中要注意的几个关键问题。
介绍了以典型硅外延平面工艺为基础的常规npn外延平面管管芯制造工艺流程和典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程，并分析了两种工艺的共同处和不同处。
课程难点：半导体器件制造的工艺设计所涉及的三部分内容中工艺参数设计所包含的具体内容；工艺流程设计包含的具体内容；工艺条件设计包含的具体内内容。
工艺制造涉及的具体内容，工艺线流程与各工序操作流程的区别。
半导体器件制造的工艺分析所涉及的四部分内容，进行原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析、工艺条件分析的意义何在；如何对应器件的不合格性能参数，通过上述四项分析进行工艺改进，从而得到合格性能参数。
半导体器件制造的质量控制须做哪些工作，为什么说通过质量控制，器件生产厂家可提高经济效益、可提高自身产品的竞争能力、可提高产品的信誉度。
什么是工艺改革和新工艺的应用？什么是环境条件改革和工艺条件优化？为什么要注重情报和及时调整产品结构？什么是工业化大生产？这些问题为什么会成为半导体器件制造中的关键问题？为什么说半导体器件制造有冗长的工艺流程？十几步的分离器件制造工艺流程与二十几步的集成电路制造工艺流程有什么区别？集成电路制造比分离器件制造多出了隔离制作和埋层制作，各自有哪几步工艺构成？各起到什么作用？基本概念：1 半导体器件-由半导体材料制成的分离器件和半导体集成电路。
2半导体分离器件-各种晶体三极管；各种晶体二极管；各种晶体可控硅。
3 半导体集成电路-以半导体（硅）单晶为基片，以外延平面工艺为基础工艺，将构成电路的各元器件制作于同一基片上，布线连接构成的功能电路。
4 晶体三极管的电学参数-指放大倍数、结的击穿电压、管子的工作电压、工作频率、工作功率、噪声系数等。
5晶体三极管的结构参数-包括所用材料、电性区各层结构参数、器件芯片尺寸、外延层结构参数和工艺片厚度等。
6硅平面工艺-指由热氧化工艺、光刻工艺和扩散工艺为基础工艺构成的近平面加工工艺。
7硅外延平面工艺-外延工艺+硅平面工艺构成的器件制造工艺。
基本要求：要求学生了解本课程的性质，知道学好集成电路制造工艺原理对学习专业课的重要性。
掌握半导体器件制造技术中所涉及的四部分内容。
了解工艺设计所涉及的三部分内容中工艺参数设计所包含的具体内容；工艺流程设计包含的具体内容；工艺条件设计包含的具体内内容。
了解工艺制造涉及的具体内容，知道工艺线流程与各工序操作流程的区别是什么。
了解半导体器件制造的工艺分析所涉及的四个分析内容，知道进行原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析、工艺条件分析的指导意义；能够对应器件的不合格性能参数，通过上述四项分析进行工艺改进，从而得到合格性能参数。
知道半导体器件制造的质量控制须做哪些工作，能清楚知道通过质量控制，器件生产厂家可提高经济效益、可提高自身产品的竞争能力、可提高产品的信誉度的原因。
知道什么是工艺改革和新工艺的应用？什么是环境条件改革和工艺条件优化？为什么要注重情报和及时调整产品结构？什么是工业化大生产？清楚这些问题为什么会成为半导体器件制造中的关键问题？了解半导体器件制造有冗长的工艺流程，分离器件制造工艺至少有十几步的工艺流程，集成电路制造工艺至少有二十几步的制造工艺流程。
知道集成电路制造比分离器件制造多出了隔离制作和埋层制作两大部分，知道制作隔离区的目的何在？制作埋层区的目的何在？清楚隔离制作有哪几步工艺构成？知道隔离氧化、隔离光刻和隔离扩散工艺各自达到什目的；清楚埋层制作有哪几步工艺构成？知道埋层氧化、埋层光刻和埋层扩散工艺各自达到什目的。
绪论作业：思考题：2个第一章衬底材料及衬底制备(6学时)§1.1 衬底半导体材料3学时课程内容：1 常用半导体材料及其特点1.1常用半导体材料1.1.1元素半导体材料1.1.2化合物半导体材料1.2硅材料的特点1.2.1价格低、纯度高1.2.2 制成的器件能工作在较高温度下1.2.3 电阻率选择范围宽1.2.4 其特有的硅外延平面工艺1.3砷化镓材料的特点1.3.1 载流子的低场迁移率高1.3.2 禁带宽度更大1.3.3 能带结构更接近跃迁型2 硅、砷化镓的晶体结构及单晶硅体2.1 硅的晶体结构及特点2.1.1 硅的金刚石型晶胞结构2.1.2 硅原子沿〈111〉向的排列规律2.2 砷化镓的晶体结构及特点2.2.1 砷化镓的闪锌矿型晶胞结构2.2.2 砷化镓的〈111〉向六棱柱晶胞2.2.3 砷化镓的〈111〉向特点2.3 硅、砷化镓晶体的制备方法2.3.1 硅单晶体的制备方法2.3.2 砷化镓晶体的制备方法2.4 单晶硅体2.4.1 单晶硅体呈圆柱状2.4.2 单晶硅体上具有生长晶棱3 硅衬底材料的选择3.1 硅衬底材料的结构参数3.1.1 结晶质量3.1.2 生长晶向3.1.3 缺陷密度3.2 硅衬底材料的物理参数3.2.1 电阻率3.2.2 少数载流子寿命3.2.3 杂质（载流子）补偿度3.3 硅衬底材料的电性参数3.4 其它要注意的问题3.4.1 电阻率不均匀性问题3.4.2 重金属杂质和氧、碳含量问题课程重点: 本节主要介绍了半导体器件（半导体分离器件和半导体集成电路）制造中常用的半导体材料。
在硅、锗元素半导体材料中，普遍应用的是硅半导体材料；在锑化铟、磷化镓、磷化铟、砷化镓等化合物半导体材料中，最常应用的是砷化镓半导体材料。
分别介绍了硅半导体材料和砷化镓半导体材料各自的特点，相应的应用场合。
讨论了硅半导体材料和砷化镓半导体材料的晶体结构，从中可知，虽然硅晶体具有金刚石型晶胞结构，而砷化镓晶体具有闪锌矿型晶胞结构，但从晶胞的构成和某些性质有相似的地方，但应注意其性质上的根本区别。