封装
封装测试流程

封装测试流程
封装测试流程,通常包括以下几个主要步骤:
1. 晶圆准备。
晶圆经过一系列处理,包括表面贴膜、背面研磨和抛光、背面贴膜、表面去膜、烘烤等。
2. 切割和检查。
晶圆被切割成小的晶片(Die),并进行检查,以去除残次品。
3. 芯片贴装。
将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)上。
4. 键合。
使用超细的金属(如金、锡、铜、铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),构成所要求的电路。
5. 塑封。
用塑料外壳将独立的晶片加以封装保护,以防止外部物理、化学等环境因素的影响。
6. 后固化。
对塑封后的产品进行后固化处理,以增强其稳定性和可靠性。
7. 去飞边和电镀。
去除塑封后多余的边角料,并对引脚进行电镀处理,提高其导电性能和可焊接性。
8. 切片成型和检查。
对产品进行切片成型,并进行残次品检查。
9. 终测。
对封装完成后的产品进行功能和性能测试,以确保其满足设计要求。
10. 包装出货。
通过一系列包装和质量控制检查后,产品准备出货。
这个流程涵盖了从晶圆的准备到最终产品的包装和出货的整个过程,确保了半导体器件的质量和性能。
集成电路封装典型工作任务

集成电路封装典型工作任务集成电路封装,说白了就是把那些小小的芯片包裹起来,让它们在电路板上能够正常工作。
你想啊,那些芯片就像是个小小的“脑袋”,而封装就是给它戴个“头盔”,保护它不受外界环境的伤害,避免被损坏。
你不觉得很神奇吗?其实封装的工作任务可多了去了,分分钟让你觉得这是一个高大上的技术活。
封装的核心任务就是将那些微小的集成电路元件封入一个能让它们长期稳定工作的外壳。
看着那一个个微小的芯片,实在让人感叹:这小东西能做出来的工作,简直让人咋舌。
再加上,外部环境也不是那么友好,温度高低不定,振动也是常态,封装就得确保这些芯片不被外界的坏天气给打败,得有个“安全屋”。
所以,封装材料的选择就成了关键。
选得不好,芯片一旦碰到坏天气,就可能直接“罢工”。
有时候我们说到集成电路封装,可能有些人觉得这只是把东西包起来的事儿,哪有什么难的?其实不然。
封装的过程就像是给芯片做一件量身定制的衣服,材料、尺寸、形状都得精准无误。
你要是稍微偏差个几毫米,那可不行。
那芯片就可能在电路板上“打滑”,不好好工作。
就像你穿的衣服,合身与否直接决定了舒适度,衣服不合适,你穿着不舒服,甚至容易出问题。
这封装过程可是费了不少心思呢。
最有意思的部分,就是这个“焊接”。
这是一项绝对考验技术的活。
要把一个个微小的芯片引脚牢牢地焊接到电路板上,这手法得细腻,力度得掌握得刚刚好,不能大力,不能小力。
太大力了,引脚可能会断裂;太小力了,可能接触不良,芯片就得“罢工”了。
你想象一下,像这样一个小小的焊点,可能决定了整个电路板的生死。
有没有一种“命悬一线”的感觉?接下来的任务,就得关注“封装的类型”了。
你知道,集成电路的封装有好多种,有的像是一个小小的盒子,把芯片包得严严实实;有的像是薄薄的一层膜,直接把芯片盖住。
每种封装方式都有其独特的作用。
有些为了节省空间,封装做得超薄;有些则为了提高散热效果,封装特别注重导热材料的选择。
不同的需求,不同的封装方式,这也是集成电路封装任务中最具挑战性的一环。
ic封装术语

ic封装术语IC封装术语IC(集成电路)封装是将芯片封装成实际可应用的器件的过程。
在IC封装过程中,使用了许多术语来描述不同的封装类型、尺寸和特性。
本文将介绍一些常见的IC封装术语,以帮助读者更好地理解和选择合适的封装。
1. DIP封装(Dual In-line Package)DIP封装是最早也是最常见的IC封装类型之一。
它采用两排引脚,引脚以直线排列,适用于手工插入和焊接。
DIP封装通常用于较大的芯片,如微控制器和存储器芯片。
2. SOP封装(Small Outline Package)SOP封装是一种比DIP封装更小型的封装类型。
它采用表面贴装技术,引脚以直线或弯曲排列。
SOP封装适用于对空间要求较高的应用,如移动设备和计算机外围设备。
3. QFP封装(Quad Flat Package)QFP封装是一种较大的表面贴装封装类型。
它采用四个方向平均分布的引脚,具有较高的引脚密度和良好的散热性能。
QFP封装适用于需要处理大量信号的芯片,如通信芯片和图形处理器。
4. BGA封装(Ball Grid Array)BGA封装是一种先进的表面贴装封装类型。
它采用小球形引脚,以网格状排列在芯片底部。
BGA封装具有更高的引脚密度和更好的散热性能,适用于高性能处理器和FPGA芯片。
5. LGA封装(Land Grid Array)LGA封装是一种类似于BGA封装的表面贴装封装类型。
它采用金属焊盘而不是小球形引脚,以更好地支持高频率和高速信号传输。
LGA封装适用于需要较高信号完整性的应用,如服务器和网络设备。
6. CSP封装(Chip Scale Package)CSP封装是一种尺寸更小的封装类型,接近芯片的尺寸。
它采用直接焊接或粘贴技术将芯片封装成器件。
CSP封装适用于对尺寸和重量要求极高的应用,如智能卡和便携式设备。
7. QFN封装(Quad Flat No-leads)QFN封装是一种无引脚的封装类型,引脚隐藏在芯片的底部。
芯片的封装形式

芯片的封装形式芯片的封装形式是指将芯片组件封装在外壳中,以保护芯片并便于安装和使用。
芯片的封装形式有多种类型,每种封装形式都有其特点和适应的应用领域。
下面将介绍几种常见的芯片封装形式。
1. DIP封装(Dual In-line Package):DIP封装是最早使用的一种芯片封装形式。
它的特点是引脚以两列直线排列在芯片的两侧,容易焊接和插拔。
DIP封装广泛应用于电子产品中,如电视机、音响等。
2. QFP封装(Quad Flat Package):QFP封装是一种表面贴装技术(SMT)的封装形式,是DIP封装的一种改进。
QFP封装将引脚排列在芯片的四边,并且引脚密度更高,能够容纳更多的引脚。
QFP封装适用于集成度较高的芯片,如微处理器、FPGA等。
3. BGA封装(Ball Grid Array):BGA封装是一种表面贴装技术的封装形式,与QFP封装类似,但是引脚不再直接暴露在外,而是通过小球连接到印刷电路板上。
BGA封装具有高密度、小体积和良好的电气性能等优点,广泛应用于高性能计算机、通信设备等领域。
4. CSP封装(Chip Scale Package):CSP封装是一种尺寸与芯片近似的封装形式,将芯片直接封装在小型外壳中。
CSP封装具有体积小、重量轻和引脚密度高的特点,适用于移动设备、无线通信和消费电子产品等领域。
5. COB封装(Chip On Board):COB封装是将芯片直接焊接在印刷电路板上的一种封装形式,是一种简化的封装方式。
COB封装具有体积小、可靠性高和成本低的特点,在一些低成本产品中得到广泛应用,如LED显示屏、电子称等。
除了以上几种常见的芯片封装形式,还有一些特殊封装形式,如CSP/BGA混合封装、QFN封装(Quad Flat No-leads)等。
这些封装形式的出现主要是为了应对芯片不断增加的功能需求和尺寸要求。
总的来说,芯片封装形式的选择取决于芯片的功能、尺寸和应用环境等因素。
半导体封装简介

EOL– Molding(注塑)
L/F L/F
Cavity
Molding Tool(模具)
➢EMC(塑封料)为黑色块状,低温存储,使用前需先回温。其特 性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。
➢Molding参数:
Molding Temp:175~185°C;Clamp Pressure:3000~4000N; Transfer Pressure:1000~1500Psi;Transfer Time:5~15s; Cure Time:60~120s;
半导体封装简介
一、半导体封装介绍 二、封装主要原材料 三、封装工艺流程—IC芯片 四、封装工艺流程—功率模块
一、半导体封装介绍
1.1 半导体工艺流程
目前半导体材料已经发展到第三代,第一代以硅(Si)为代表材料;第二代以砷化镓(GaAs)为代表材料; 第三代以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为主流材料。目前Si仍然是半导体行业使用最多的材料。
二、封装原材料简介 2.1 wafer(晶圆)
【Wafer】晶圆
2.2 【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用; ➢主要材料为铜,会在上面进行镀银、NiPdAu等材料; ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种; ➢易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame,BGA采用的是Substrate;
➢磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域, 同时 研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
芯片的封装方式

芯片的封装方式
芯片的封装方式是指将芯片封装起来以保护芯片、提高芯片的耐久性和可靠性,同时也是为了便于芯片的安装和使用。
目前常见的芯片封装方式主要有以下几种:
1. DIP封装:DIP封装是最常见的一种封装方式,也是最早应用的一种封装方式。
它可以方便地插入到插座中,因此被广泛应用于电子产品中。
2. SOP封装:SOP封装是一种表面贴装封装方式,它通过将芯片直接粘贴在PCB板上,实现了高密度的布局。
同时,它也非常适合自动化生产,因此被广泛应用于电子产品中。
3. QFP封装:QFP封装是一种非常常见的高密度集成电路封装方式,它通过将芯片焊接在PCB板上,实现了高密度的集成。
同时,在高速数据传输领域也有着广泛的应用。
4. BGA封装:BGA封装是一种新型的封装方式,它通过将芯片焊接在PCB板的底部,实现了更高的集成度和更好的散热性能。
同时,在高性能计算机和服务器等领域也有着广泛的应用。
总之,不同的芯片封装方式适用于不同的应用场景,选择适合的封装方式可以提高芯片的性能和可靠性。
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封装需要的主要材料

封装需要的主要材料封装是一种将物品包裹、保护或整理的过程。
不同的封装任务需要使用不同的主要材料。
以下是一些常见的封装所需的主要材料:1.包装纸:包装纸是最基本的封装材料之一、它可以是普通的纸张,也可以是特殊的纸张,如包装纸、防水纸等。
包装纸可以用来包裹不同大小的物品,保护它们免受损坏或污染。
2.包装盒:包装盒是封装物品的另一个重要材料。
它可以是纸盒、塑料盒或木盒等。
包装盒可以提供更强的保护,尤其适用于脆弱或易碎的物品。
它们还可以用于分类或整理物品,方便存储和携带。
3.塑料袋:塑料袋是常见的封装材料之一、它们可以是透明的或有颜色的,可以用来包装食品、衣物、化妆品等各种物品。
塑料袋具有防潮、防虫和防尘的功能,可以保持物品的新鲜和清洁。
4.气泡膜:气泡膜是常见的保护封装材料之一、它由一层塑料薄膜和一层气泡纸组成,可以提供良好的缓冲效果,保护物品免受震动、碰撞和压力造成的损坏。
气泡膜通常用于包装易碎物品,如玻璃制品、陶瓷制品等。
5.封箱胶带:封箱胶带是将包装纸或包装盒封闭的必备材料。
它可以是普通的胶带或特殊的封箱胶带,如防水胶带、耐高温胶带等。
封箱胶带通常具有很强的粘性,可以确保包装物品的安全和完整。
6.缠绕膜:缠绕膜是一种用于封装大型或不规则物品的材料。
它通常是一层塑料薄膜,可以通过手工或自动包装机进行缠绕。
缠绕膜可以固定物品,保护其免受损坏或松动。
7.铁丝或绳子:铁丝或绳子可以用来绑扎封装物品,提供额外的保护和稳定性。
它们可以在包装纸、包装盒或塑料袋上进行绑扎,确保物品的安全和固定。
8.填充材料:填充材料是用来填充包装盒或包装纸的空隙,以减少物品在运输过程中的摇晃和碰撞。
常见的填充材料包括泡沫颗粒、泡沫板、纸箱、气泡纸等。
以上是封装过程中常用的主要材料。
根据封装的要求和物品的特性,还可能需要其他材料来提供额外的保护和安全。
封装的目的是保护物品,确保它们在运输、存储和使用过程中的安全和完整。
常用元件封装形式

常用元件封装形式常用的元件封装形式有多种,每种形式适用于不同的应用和需求。
下面将介绍一些常见的元件封装形式及其特点。
1. 圆柱形封装(Axial package):圆柱形封装适用于通过引脚连接的元件,例如二极管、电容器、电感等。
这种封装形式有一定的体积,较容易安装于面板或PCB上,并且容易进行焊接。
2. 表面贴装封装(Surface Mount Package):表面贴装封装是目前常见的封装形式,特点是体积小、重量轻、可以高密度安装于PCB上,适用于高速电路和小型电子设备的需求。
常见的表面贴装封装有QFP(Quad Flat Package)、BGA(Ball Grid Array)、SOT(Small Outline Transistor)等。
3. 转接式封装(Dual in-line package,DIP):转接式封装是早期常用的封装形式,特点是引脚两侧对称排列,并通过两个直插式插座安装于PCB上。
这种封装形式适用于需要频繁更换元件的应用,如实验室、教学等场合。
4. 焊接式封装(Through-Hole Package):焊接式封装是最早使用的封装形式,适用于需要较大功率处理和较高的可靠性要求的元件。
由于焊接的强度较高,这种封装形式通常用于工业领域的电子设备。
5. 塑料封装(Plastic package):塑料封装是一种经济实用的封装形式,适用于大批量生产和消费电子产品的需求。
常见的塑料封装有TO-92、SOP(Small Outline Package)、DIP等,具有体积小、稳定性好和可靠性高的特点。
6. 瓷封装(Ceramic package):瓷封装适用于高温和高频率电路的需求,因为瓷封装具有较好的绝缘性能和热传导性能。
常见的瓷封装有TO-3、TO-220等,适用于功率放大器、稳压器等高功率元件。
7. 裸露芯片封装(Chip Scale Package,CSP):裸露芯片封装是一种高密度封装形式,将芯片直接封装在PCB上,没有外部封装物。
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晶圆:由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片微电子封装技术特点:1:向高密度及高I/O引脚数发展,引脚由四边引出趋向面阵引出发展2:向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装(SMT)技术及生产要求3:向高频率及大功率封装发展4:从陶瓷封装向塑料封装发展5:从单芯片封装(SCP)向多芯片封装(MCP)发展6:从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术微电子封装的定义:是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片,并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳狭义的电子封装技术定义:是指利用膜技术及微细连接技术,将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接,引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。
(最基本的)广义的电子封装技术定义:是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能,转变为能适用于设备或系统的形式,并使之为人类社会服务的科学与技术。
(功能性的)微电子封装的功能:1:提供机械支撑及环境保护;2:提供电流通路;3:提供信号的输入和输出通路;4:提供热通路。
微电子封装的要点:1:电源分配;2:信号分配;3:机械支撑;4:散热通道;5:环境保护。
零级封装:是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路;更确切地应该叫未加封装的裸芯片。
一级封装:是指采用合适的材料(金属、陶瓷或塑料)将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装,同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合(wire bonding,WB)、载带自动焊(tape automated bonding,TAB)、倒装片键合(flip chip bonding,FCB)三种互联技术连接,使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。
二级封装技术:实际上是一种多芯片和多元件的组装,即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。
表面贴装技术SMTSMT主要工艺:波峰焊工艺和回流焊工艺互连技术定义:是指实现芯片与芯片间,芯片与封装衬底间以及器件与基板间的物理量(电信号、光信号和流体新号等)连接技术。
互连技术的功能:1:保证芯片、器件与系统的电源、地和电信号的畅通;2:满足封装结构优化的需要;3:提供芯片的机械支撑和散热。
互连技术的分类三种:1:引线键合技术WB2:载带自动焊技术TAB3:倒装焊技术FCB引线键合定义:是指通过AU、Al等的微细线,将芯片电极与引线框架或布线板电路上对应的电极键合连接的技术。
引线键合技术根据键合装置的自动化程度高低分为手动、半自动和全自动根据键合工艺特点分为:超声键合、热压键合和热超声键合。
载带自动焊技术:是一种基于金属化柔性高分子载带将芯片组装到基板上的集成电路封装技术。
倒装焊定义:是指芯片面朝下、将芯片焊区与基板焊区直接互连的技术,它是一种无线芯片互连技术。
微电子封装形式分类按封装材料分,主要可分为四种形式:金属封装、陶瓷封装、塑料封装和金属陶瓷封装;按气密性分:气密封装和非气密性封装。
金属封装特点:精度高,尺寸严格;金属零件以冲、挤为主,便于大量生产;价格低廉,性能优良;芯片放置容易,应用灵活,可靠性高,可以得到大体积的空腔。
气密性封装塑料封装的主要特点:工艺简单,成本低廉,便于自动化大生产。
陶瓷封装的特点:1:气密性好,封装体的可靠性高;2:具有优秀的电性能,可实现多信号、地和电源层结构,并具有对复杂的器件进行一体化封装的能力;3:导热性性能好,可降低封装体热耗散体积限制和成本;4:烧结装配时尺寸精度差、介电系数高,价格昂贵。
SIP:单列直插式封装single in-line packageDIP:双列直插式封装dual in-lin packageZIP:Z型引脚直插式封装zigzag in-lin packageS-DIP:收缩双列直插式封装shink dual in-line packageSK-DIP:窄带双列直插式封装skinny dual in-line packagePGA:针栅阵列插入式封装pin grid arraySOP:小外形封装small out-line packageMSP:微型四方封装mini square packageQFP:四边引脚扁平封装quad flat packageFPG:玻璃(陶瓷)扁平封装flat package of glassLCCC:无引脚陶瓷封装芯片载体leadless chio ceramic carrierPLCC:塑封无引脚封装芯片载体plastic leadless chip carrierSOJ:J型引脚小外形封装small out-line J lead packageBGA:球栅阵列封装ball grid arrayCSP:芯片尺寸大小封装chio size package 芯片级封装chio scale packageTCP:载带封装tape carrier package基板技术将面临来自三个不同方面的挑战:1:微电子芯片发展的要求,即大面积化、针脚四边引出和表面贴装化、引脚阵列化和引脚间距密度化;2:元器件发展的要求,即无引线化、小型化、片式化和集成化都需要与基板一起设计和制造并制成埋入式结构;3:MEMS应用方面的要求,布线高密度化、层间互联精细化、机构的三维化/立体化。
基板选择与设计时需要重点考虑基板的材材料参数电参数热参数结构参数等,具体体现在一下方面:1:材料参数方面:介电常熟、热膨胀系数和热导率等重要参数;2:在结构方面,实现布线图形的精心化、层间互联小孔径化和电气参数最优化;3:在热性能方面,重点考虑耐热性与Si等芯片材料的热匹配和系统的良好导热性;4:电参数方面:a.减小信号传输延迟时间Tpd,b.系统内部分间特性阻抗的匹配;c.降低L、C和R的寄生效应,使引线间距最短化,使用低磁导率的导体材料、低介电常数的基板材料等;d.为了降低交调噪声,要尽量避免信号线之间距离太近和平行布置,同时为了减小此影响,应选用低介电常数的基板材料;e.电路图形设计要考虑到防止信号发射噪声。
在微电子封装中主要按照基板的集体材料来分,可以分为三类:1:有机基板:包括纸基板、玻璃布基板、复合材料基板、环氧树脂类、聚酯树脂类、耐热塑性基板和多层基板等;2:无机基板:包括金属类基板、陶瓷类基板、玻璃类基板、硅基板和金刚石基板等;3:复合基板:包括功能复合基板、结构复合基板和材料复合基板等。
陶瓷基板基本性能要求:1:电性能要求低介电常数、低介电损耗、高绝缘电阻、高绝缘击穿电压,以及高温高湿性能稳定;2:热性能要求高热导率、良好散热性、热膨胀系数与待装配器件匹配,以及优秀的耐热性能;3:机械性能要求高机械强度、良好的可加工性能、适合精细化和多层化制作工艺,以及表面光滑、变形小、无弯曲和无微裂纹等;4:其他性能要求包括:化学稳定性能好,易金属化;无吸湿性;无毒性和公害物质;成本低廉。
氧化铝基板特点:价格较低、综合性能最好。
气密性好、可靠性高应用:主要应用于HIC用基板、LSI封装用基板和多层电路基板/复合基板氮化铝基板特点:热导率高,热膨胀系数(CTE)与硅片相匹配高强度、轻质量密度应用:主要作为MCM封装的基板莫来石特点:有良好的化学稳定性、热稳定性。
高频电特性及轻质量等优点与氧化铝比其介电常数低热膨胀系数低碳化硅特点:是强共键化合物,硬度仅次于金刚石、氮化硼,而且具有优良的耐磨性、耐药品性。
热扩散系数大,而且热膨胀系数与Si更接近;但是介电常数偏高,绝缘耐压差。
应用:多用于耐压性要求不高又存在其他问题的低压电路以及VLSI高散热封装电路氧化铍特点:热导率高。
高熔点。
高强度、高绝缘性、低介电常数、低介质损耗以及良好的封装工艺适应性等特点应用:在微波技术、真空电子技术、核技术、微电子与光电子领域都收到了重视和应用,尤其是在大功率半导体器件与电路、大功率微波真空器件以及核反应堆中,他一直是制备导热元件的主流陶瓷材料。
低温共烧陶瓷LTCC 种类与特点:1:硼硅酸铅玻璃-AL2O3系特点:强度大但是含有铅2:硼硅酸玻璃+石英玻璃+堇青石系特点:具有低介电常数以及热膨胀系数可控制在于硅相近的水平。
3:硼硅酸玻璃-AL2O3-镁橄榄石系4:硼硅酸玻璃-AL2O3系5硼硅酸玻璃-AL2O3处理的氧化锆系特点是在相当宽的温度范围内,其热膨胀系数与GaAs 单晶的热膨胀系数相近,因此,可作为HEMP的实装基板。
LTCC多层基板的工艺流程:流延——生瓷片——打孔——通孔填充——金属化——叠层热压——切片——排胶烧结——测试——LTCC多层基板表面贴装技术SMT基本工艺流程:丝印——点胶——贴装——固化——回流焊接——清洗——检测——返修SMT的优点:1:由于基板不采用通孔二采用埋层互连布线技术,可以留出更多的空间来布线,从何提高了布线密度;在相同的功能情况下,可以减小面积、还可以减小层数以使整个组件成本降低。
2:质量减轻,特别适用于一些要求机动性高一级质量轻的电子设备3:比插入式更有利于实现自动化,安装速度提高,从而特高了劳动生产率,降低了组装的成本4:由于采用了焊膏材料及新的焊接技术,提高了焊接质量,避免了连线、虚焊和变形等问题。
5:由于面积减小而使布线长度大幅度缩短,寄生电感和寄生电容也相应降低,是信号传输速度成倍提高,噪声下降,从而提高了组件的电性能指标。
SMT的缺点:1:随着安装密度的提高,相应的测试难度也随之增加,检测成本上升;2:为了实现表面安装,必须将各种用于插装的元器件的封装结构加以改造;表面贴装元件(SMC)表面贴装器件(SMD)SMD优点:1:SMD的体积小、质量轻、所占基板面积小,因而封装密度高。
2:与DIP相比,具有优异的电性能。
3:适合自动化生产4:降低生产成本5:能提高可靠性6:更有利于环境保护SMD的缺点:由于封装密度高,线路板功率高,散热是个大问题。
BGA球状引脚栅格阵列封装技术,是一种高密度表面装配封装技术,在封装的地步,引脚成球状并排列成一个类似于格子的图案BGA的类型:塑料焊球阵列封装(PBGA)陶瓷焊球阵列封装(CBGA)载带焊球阵列封装(TBGA)BGA的焊球分布主要有全阵列和部分阵列两种方法全阵列是焊球均匀地分布在基板的整个底面部分阵列是焊球分布在基板的周边、中心部分,或周边、中心部位都有无铅焊料的弱点:1:侵润性差2:熔点高3:金属溶解速度快CSP:即芯片尺寸封装CSP封装的特点:1:体积小2:可容纳的引脚最多3:电性能良好4:散热性能优良CSP封装分类:1:柔性基板CSP2:刚性基板CSP3:引线框架式CSP4:焊球阵列CSP5:圆片级再分布CSPSiP 系统集成封装SiP有三种主要方法第一种是无源和分离元件与有源IC的集成,第二种是3D封装技术第三种是将电源与地线的分布于芯片分开,与某种WLP再分配技术一起用于FciP解决方案SoC 系统级芯片无铅焊料的分类1:Sn-In系焊料2:Si-Bi系焊料3:Sn-Znv 4:Sn-Cu系焊料5:Sn-Ag系焊料6:Sn-Ag-Cu系焊料7:Sn-Zn-Bi系焊料MCM多芯片模块的定义:俩个或更多的集成电路裸芯片电连接于共同电路基板上,并利用它实现芯片间互联的组件。