电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜_李兴华
07-P-110
电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜
李兴华，周 泊，朱俊杰*
南京大学化学化工学院,生命分析化学教育部重点实验室，210093，南京
E-mail: jjzhu@nju.edu.cn
硒化铋是一种半导体材料，因为其特殊的光、电特性，适用于制作光学或光敏设备，以及现代
的热电设备以及装饰渡膜，低维材料在热电性质方面应比其块材料有更大的优势。[1]
在各种沉积方
法中用电沉积制作薄膜是一种简单易行且成本低的方法，它的成膜速度很容易通过电流密度和电沉
积电位大小来控制[2]
。本文在In
2O
3-SnO
2(ITO)透明导电玻璃上实现了分布均匀、形状规则的一维硒化铋薄膜的合成，并得到最佳电位和最佳溶液浓度，对于在其它基底上沉积该材料具有指导性。
Fig 1. The XRD patterns of Bi
2Se
3 thin films by Fig 2. SEM image of Bi
2Se
3 thin films, the concentration of
electrodeposition in different concentration electrolyte electrolyte=0.025M
关键词：硒化铋；电化学沉积；热电材料；ITO
参考文献：
[1] Pejova, Biljana; Grozdanov, Ivan; Tanuševski, Atanas Mater. Chem.&Phys. 2004, 83, 245.
[2] N.S.Yesugade, C.D.Lokhande, C.H.Bhosale. Thin Solid Films. 1995, 263, 145.
Electrodeposition of Bi
2Se
3 thin films
Xing-Hua Li, Bo Zhou, Jun-Jie Zhu*
School of Chemistry and Chemical Engineering, Key Laboratory of Analytical
Chemistry for Life Science, Nanjing University, 210093, Nanjing
Semiconducting Bi
2Se
3 thin films have been prepared on ITO from an aqueous acidic bath by a simple,
inexpensive electrodeposition technique. The electrodeposition potentials for different bath compositions
and concentrations of solutions have been estimated. It has been found that Bi(NO
3)
3·5H
2O and Se with bath compositions in various volumetric proportions vary from 9:1 to 1:9.
电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜_李兴华
07-P-110
电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜
李兴华，周 泊，朱俊杰*
南京大学化学化工学院,生命分析化学教育部重点实验室，210093，南京
E-mail: jjzhu@
硒化铋是一种半导体材料，因为其特殊的光、电特性，适用于制作光学或光敏设备，以及现代
的热电设备以及装饰渡膜，低维材料在热电性质方面应比其块材料有更大的优势。[1]
在各种沉积方
法中用电沉积制作薄膜是一种简单易行且成本低的方法，它的成膜速度很容易通过电流密度和电沉
积电位大小来控制[2]
。本文在In
2O
3-SnO
2(ITO)透明导电玻璃上实现了分布均匀、形状规则的一维硒化铋薄膜的合成，并得到最佳电位和最佳溶液浓度，对于在其它基底上沉积该材料具有指导性。
Fig 1. The XRD patterns of Bi
2Se
3 thin films by Fig 2. SEM image of Bi
2Se
3 thin films, the concentration of
electrodeposition in different concentration electrolyte electrolyte=0.025M
关键词：硒化铋；电化学沉积；热电材料；ITO
参考文献：
[1] Pejova, Biljana; Grozdanov, Ivan; Tanuševski, Atanas Mater. Chem.&Phys. 2004, 83, 245.
[2] N.S.Yesugade, C.D.Lokhande, C.H.Bhosale. Thin Solid Films. 1995, 263, 145.
Electrodeposition of Bi
2Se
3 thin films
Xing-Hua Li, Bo Zhou, Jun-Jie Zhu*
School of Chemistry and Chemical Engineering, Key Laboratory of Analytical
以乙醇作溶剂电沉积制备CIGS薄膜
[Article]物理化学学报(WuliHuaxueXuebao)ActaPhys.-Chim.Sin.2011,27(12),2826-2830December
Received:July25,2011;Revised:September13,2011;PublishedonWeb:September23,2011.∗Correspondingauthor.Email:zld@,zldu66@;Tel:+86-378-3881358.TheprojectwassupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(20371015)andCultivationFundofKeyScientificandTechnicalInnovationProject,MinistryofEducationofChina(708062).国家自然科学基金(20371015)和教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(708062)资助项目ⒸEditorialofficeofActaPhysico-Chimica
Sinica以乙醇作溶剂电沉积制备CIGS薄膜
王信春胡彬彬王广君杨光红万绍明杜祖亮*
(河南大学特种功能材料教育部重点实验室,河南开封475004)
摘要:利用恒电位电沉积法在以乙醇为溶剂的溶液中制备了铜铟镓硒(CIGS)薄膜.并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计分别对薄膜的形貌、成分、晶体结构和吸收特性进行了表征.结果表明在-1.6V(相对于饱和甘汞电极电位)工作电位下沉积的薄膜经450°C退火后能够形成形貌均匀致密、结晶性良好、带隙约为1.17eV的黄铜矿结构CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.实验过程中发现,以乙醇为溶剂可以有效避免在水溶液中出现的析氢现象,减小了沉积电位的限制.
pH值对电沉积CuInSe_2薄膜的组份、结构及光电性能的影响
第２７卷第１２期 ２０１１年１２月 无 机 化 学 学 报 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＩＮＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ Ｖｏ１．２７ Ｎｏ．１２ ２４３７ ２４４２
ｐＨ值对电沉积ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的组份、结构及光电性能的影响
王信春 王广君 庞 山 万绍明 张兴堂 杜祖亮
ｆ河南大学特种功能材料教育部重点实验室，开封４７５００４）
摘要：本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物ｆｒｒ０）基底上制备ＣｕＩｎＳｅ 薄膜，研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及ｐＨ 值对ＣｕＩｎＳｅ，膜结构性能的影响 利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ１、Ｘ射线能谱仪ｆＥＤＳ）及Ｘ射线衍射仪（ｘＲＤ）研究了薄膜材料的结
构性能，结果发现ｐＨ值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响，通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量 富铟与富铜薄膜 利用表面光电压ｆＳＰＳ１技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究。结果发现富铟薄膜具有很强 的光电响应：而富铜薄膜由于Ｃｕ．Ｓｅ相的存在，在薄膜中形成了新的界面．电子一空穴对在其界面处因捕获而发生复合，从而导 致其光电响应的强烈降低 所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路
关键词：ＣｕＩｎＳｅ２；富铜；富铟；电沉积；太阳能电池 中图分类号：０４８４．１ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００１—４８６１（２０１１）１２—２４３７—０６
Ｉｍｐａｃｔ ｏｆ ｐＨ Ｖａｌｕｅ ｏｎ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ，Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏ－Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ＣｕｌｎＳｅ２ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ
ＷＡＮＧ Ｘｉｎ・－Ｃｈｕｎ ＷＡＮＧ Ｇｕａｎｇ－－Ｊｕｎ ＰＡＮＧ Ｓｈａｎ
ＷＡＮ Ｓｈａｏ—Ｍｉｎｇ ＺＨＡＮＧ Ｘｉｎｇ—Ｔａｎｇ ＤＵ Ｚｕ－Ｌｉａｎｇ
ｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｏｆＭｉｎｉｓｔｒｙ ｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，Ｈｅｎａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｋａｉｆｅｎｇ，Ｈｅｎａｎ ４７５００４，Ｃｈｉｎａ）
沉积电压对电化学合成纳米ZnO多孔薄膜的影响
第３１卷 ２ｏｏ８年 第１期 １月 兵器材料科学与工程 ０ＲＤＮＡＮＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＳＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ Ｖ０１－３ｌ Ｎｏ．１ Ｊａｎ．，２００８
沉积电压对电化学合成纳米ＺｎＯ多孔薄膜的影响
王春梅’，杨立荣 ，段满珍 ，靳正国
（１河北理Ｔ大学材料学院，河北唐山０６３００９；２天津大学，天津３０００７２）
摘要：采用电化学沉积法制备纳米ＺｎＯ多孔薄膜。并用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＰＳ等方法研究了沉积电压对薄膜表面形貌及薄膜 表面元素态的影响。结果表明：沉积电压越大，越有利于薄膜片状晶的长大，且形成多孔结构；随着沉积电压的增大，薄膜 表面从缺氧到富氧，再到缺氧：沉积电压为一１．ＯＶ时．薄膜为层状结构．其２１ｘｍ厚的薄膜在可见光范围内的光透射率为 ７５％，光学带隙宽度为３．６ｅＶ。 关键词：电化学沉积：ＺｎＯ薄膜：沉积电压 中图分类号：ＴＢ４３ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００４—２４４Ｘ（２０ｏ８）Ｏｌ一０ｏ６３—０４
Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｎ ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ ＺｎＯ ｍ瑚ｂｙ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ
ＷＡＮＧ Ｃｈｕｎ－ｍｅｉ ＹＡＮＧ Ｌｉ－ｒｏｎｇ ＤＵＡＮ Ｍａｎ－ｚｈｅｎ ＪＩＮ Ｚｈｅｎｇ－ｇｕｏ
（１．Ｈｅｂｅｉ Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔａｎｇｓｈａｎ ０６３００９，Ｃｈｉｎａ；２．Ｔｉａｎｊｉｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ ３０００７２，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｌ ｔ：Ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ ｈａｄ ｂｅｅｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ Ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｎ ｓｕｒｆａｃｅ ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓ ａｎｄ ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｖａ１ｕｅｓ ｗａｓ ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｆｉｌ脚ｓ ｗｅｒｅ ｃｈａｒａｃｔｅ ｚｅｄ ｂｙ ＸＲＤ ＳＥＭ、ＸＰＳ ａｎｄ ｓ。。ｎ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕＩｔｓ ｓｈ。ｗ ｔｈａｔ ｈｉｇｈｅｒ ｖｏｌｔａｇｅ ｌｅａｄｅｄ ｔｏ ｂｉｇｇｅｒ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ ｆｌａｋｅｓ，ａｎｄ ｔｈｅ ｆｉｌｍ ｗａｓ ｐｏｒｏｕｓ；ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｖｏｌｔａｇｅ，ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ ｆｉｌｍ ｗａｓ ｆｒｏｍ ｌｏｗ ｏｘｙｇｅｎ ｔｏ ａｂｕｎｄａｎｔ ｏｘｙｇｅｎ ａｎｄ ａｌｓｏ ｔｏ ｌｏｗ ｏｘｙｇｅｎ．Ｔｈｅ ｆｉｌｍ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ａｔ ｖｏｌｔａｇｅ－１．ＯＶ ｗａｓ ｌａｍｅｌｌａｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ ｆｏｒ ２１ｘｍ ＺｎＯ ｆｉｌｍ ｉｓ ７５％ｉｎ ｖｉｓｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ ｒａｎｇｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｂａｎｄ ｇａｐ ｉｓ ３．６ｅＶ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ；ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ
硫脲对电沉积纳米晶镍的影响
２００７年４月 第３４卷第２期 云南化工 Ｙｕｎｎａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｒ．２００７ Ｖｏ１．３４，Ｎｏ．２
硫脲对电沉积纳米晶镍的影响
许姣姣，司云森
（昆明理工大学材料与冶金工程学院，云南昆明６５００９３）
摘要： 采用直流电沉积法制备了纳米晶镍，用ｘ射线衍射和阴极极化曲线的测定对比研究了硫脲对沉积
层晶粒尺寸以及阴极过电位的影响。结果表面。添加适量的硫脲，能够增大阴极极化，使镍沉积层晶粒尺寸变小。
另外。沉积层的择优取向不随硫脲浓度的变化而改变。
关键词： 电沉积；纳米晶镍；硫脲；阴极过电位 中图分类号：ＴＱ１５３．１ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００４—２７５Ｘ（２００７）０２—００１７—０３
Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｔｈｉｏｕｒｅａ ｏｎ Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｎｉｃｋｅｌ ｂｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
Ｘｕ ｊｉａｏｊｉａｏ，Ｓｉ ｙｕｎｓｅｎ
（Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ ａｎｄ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｋｕｎｍｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｋｕｎｍｉｎｇ ６５００９３，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ： Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｎｉｃｋｅｌ ｗａｓ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ｂｙ ｄｉｒｅｃｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ。ａｎｄ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｉｏｕｒｅａ ｏｎ ｇｒａｉｎ
ｓｉｚｅ ｏｆ ｓｅｔｔｌｅｄ ｌａｙｅｒ ａｎｄ ｃａｔｈｏｄｅ ｏｖｅｒｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｗａｓ ｓｔｕｄｉｅｄ ｂｙ Ｘ—Ｒａｙ ｄｉｆｒａｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｃａｔｈｏｄｉｃ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｃｕｒｖｅ．Ｒｅｓｕｌｔ
ｓｈｏｗｅｄ ｔｈａｔ ｃａｔｈｏｄｅ ｏｖｅｒｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｒｅｍａｒｋａｂｌｙ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ａｎｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒａｉｎｓ ｄｅｃｒｅａｓｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ａｄｄｉｔｉｏｎ ｏｆ ａｐｐｒｏｐｒｉａｔｅ ｔｈｉｏｕｒｅ－
二氧化钛的制备方法
纳米 !"#$光催化剂的制备方法
方世杰
徐明霞
（天津大学材料学院，天津
%&&&’$）
摘
要
介绍了二氧化钛粉体和薄膜的制备技术，比较了各种方法的优缺点。其中对液相法作
了较为全面的介绍。
关键词
纳米 !"#$催化剂
气相法
液相法
国家自然科学基金资助项目（(&&’$&)*）；天津市自然科学基金资助（&)%+&%,))）
作者简介：方世杰（)-’+ . ），男，硕士/
)
引言
纳米 !"#$光催化剂是一种新型的并且正在
迅速发展的高效光谱催化剂，成为近年来环保技
术中的一个研究热点。一种良好的催化剂必须具
有很大的催化表面，并且有很高的光子利用率。
当 !"#$达到纳米时，会表现出更优良的光催化降
解性能。关于纳米 !"#$的制备技术已有很多论
述，本文试图对近年来纳米二氧化钛的制备技术
作一个综述。
$
!"#$纳米粉体的制备
目前制备 !"#$纳米微粒的方法有很多种，根
据对所要求制备微粒的性状、结构、尺寸、晶型、用
途，采用不同的制备方法。按照原料的不同大致
分为 $ 类：气相法和液相法。但无论采用何种方
法，制备纳米粒子都有如下要求［)］：表面光洁；粒
子的形状及粒径、粒度分布可控，粒子不易团聚；
易于收集；热稳定性优良；产率高。
!/"
气相法
气相法是直接利用气体或通过各种手段将物
质变为气体，使之在气态下发生物理变化或化学
变化，最后在冷却过程中凝聚长大形成纳米粒子
的方法。气相法的特点是粉体纯度高、颗粒尺寸
小、颗粒团聚少、组分更易控制。
$/)/)
化学气相沉积法（012）
［$］ 化学气相法制备纳米 !"#$的初级过程包括：
气相化学反应、表面反应、均相成核、非均相成核、
凝结聚集或融合。气相反应所需的母体有 $ 类：
!"03*和钛醇盐。化学反应可分为 * 类。
（)）!"03*与 #$氧化，化学反应方程式为：
!"03* （4）5 #$ （4）6 !"#$5 $03$
电活性镍钴双金属氧化物高选择性去除回收水中磷酸盐离子
第36卷 第3期 无 机 材 料 学 报 Vol. 36 No. 3 2021年3月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2021
收稿日期: 2020-06-20; 收到修改稿日期: 2020-08-27; 网络出版日期: 2020-09-09
基金项目: 国家自然科学基金(21776191, 21706181); 上饶师范学院校级自选课题(202028); 山西省重点研发计划
(201803D421094); 国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项项目(2017YFE0129200) National Natural Science Foundation of China (21776191, 21706181); Project of Shangrao Normal University (202028); Key R&D project of Shanxi Province (201803D421094); National Key R&D Program of China (2017YFE0129200)
作者简介: 杨言言(1983–), 女, 博士, 讲师.E-mail:******************
YANGYanyan(1983–),female,PhD,lecturer.E-mail:******************
通信作者: 郝晓刚, 教授.E-mail:**************.cn;*********************
HAOXiaogang,professor.E-mail:**************.cn;*********************文章编号: 1000-324X(2021)03-0292-07 DOI: 10.15541/jim20200340
电活性镍钴双金属氧化物高选择性去除/回收水中磷酸盐离子
化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜
化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜
孙正亮;陈立东
【期刊名称】《材料科学与工程学报》
【年(卷),期】2010(028)002
【摘 要】近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法.本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜.以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由[001]取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜.薄片厚度在50～100nm.性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×10~3Sm~(-1)和-98μVK~(-1).该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础.
【总页数】4页(P248-250,231)
【作 者】孙正亮;陈立东
【作者单位】中国科学院,上海硅酸盐所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049
【正文语种】中 文
【中图分类】TB43;TB383
【相关文献】
1.硫化铋单晶纳米棒的模板法合成研究 [J], 罗防星;汤化伟;袁新松
2.硫化铋纳米结构的可控合成及其光催化性能 [J], 吴俊豪;崔哲;江宇璐;孙彦刚 3.片状碘化铋铺助液相法合成硫化镉纳米线的取向行为和场发射特性 [J], 李海燕;焦军
4.硫化铋单晶纳米棒的回流法合成与表征 [J], 袁新松;杨保俊;于炯;柴多里
5.氧氩流量比对氧化铋纳米薄膜微结构及光电性能的影响研究 [J], 陈真英;周际越;邓文;彭富平
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