多铁性材料的自旋起源

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《双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学研究》范文

《双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学研究》范文

《双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学研究》篇一一、引言近年来,随着纳米科学和自旋电子学的快速发展,双层铁磁系统成为了研究自旋动力学的热门领域。

这种系统在电子设备中有着广泛的应用,尤其是在自旋电子器件和磁存储器中。

在双层铁磁系统中,自旋动力学表现为自旋极化电流的传播、磁畴壁的移动以及交换耦合等过程。

本文旨在研究双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学的行为和特性,为相关应用提供理论支持。

二、双层铁磁系统的基本原理双层铁磁系统由两层铁磁材料组成,两层之间通过非磁性材料隔开。

在这种系统中,自旋动力学主要受到交换耦合作用的影响。

交换耦合是一种量子力学效应,使得两层铁磁材料中的自旋方向趋于一致。

这种一致性不仅影响着自旋极化电流的传播,还对磁畴壁的移动有着重要的影响。

三、交换耦合式自旋动力学的理论基础在双层铁磁系统中,交换耦合作用对自旋动力学起着关键作用。

这种作用不仅决定了自旋的取向,还影响着自旋的传播和运动轨迹。

本文通过分析系统的能量状态和自旋之间的相互作用,揭示了交换耦合式自旋动力学的本质。

在理论上,我们建立了一套模型和方程,用以描述这种动力学的行为和特性。

四、双层铁磁系统中自旋传播的研究在双层铁磁系统中,自旋极化电流的传播是研究重点之一。

通过研究电流与磁矩的相互作用以及磁矩间的交换耦合作用,我们发现电流能够诱导磁矩的自旋极化传播。

同时,自旋的传播速度、传播路径等受到温度、电流大小以及两层铁磁材料间交换耦合强度的共同影响。

五、交换耦合对磁畴壁移动的影响磁畴壁是描述磁化矢量在不同区域中分布的一种结构。

在双层铁磁系统中,交换耦合对磁畴壁的移动起着重要的影响。

我们通过实验发现,在两层铁磁材料间存在强交换耦合时,磁畴壁的移动速度更快,且移动方向更稳定。

这为优化自旋电子器件的性能提供了理论依据。

六、实验结果与讨论我们通过实验验证了上述理论分析的正确性。

实验结果表明,在双层铁磁系统中,交换耦合确实对自旋动力学产生了显著影响。

多铁性材料的发展与挑战

多铁性材料的发展与挑战

一、多铁性材料的研究背景与现状
早在1894年P·居里就利用对称性的理论预测自然界中存在磁电效应。1960年科学家们发现了单晶Cr2O3在80 K到330 K的温度范围内存在磁电效应,由此引发了寻找磁电效应的热潮,并相继在混合钙钛矿型磁性铁电材料,反铁磁材料和亚铁磁材料中发现了极弱的磁电效应。 1970年,Aizu根据铁电、铁磁、铁弹三种性质有一系列的相似点将其归结为一类,提出了铁性材料(ferroics)的概念。1994年瑞士的 Schmid明确提出了多铁性材料(multi-ferroic)的概念,指具有两种或两种以上初级铁性体特征的单相化合物。
专家指出将组合方法用于多铁性材料的筛选有望极大地加速新型多铁性材料地发展和优化。利用国家同步辐射实验室同步辐射光源地高亮度、高准直和波长连续可调的特性,可以用来研究多铁性材料磁电耦合的机理,为新型多铁性材料的设计提供理论基础。
㈢磁介电材料及相关问题
专家指出,磁介电效应与电子铁电性及磁电效应一样,是多铁性材料的重要物理特性。在含有可变价磁性元素的复合钙钛矿与层状钙钛矿系统中,由于缺陷序、离子序、电荷序、自旋序及轨道序之间耦合导致异常的介电效应-多介电弛豫及巨介电常数台阶。磁介电效应、电子铁电性和巨介电效应的发现,给铁电物理与材料领域注入了新的活力与生机。专家特别强调了界面在材料研究中的重要性。
专家从国家及数据科技发展对高速度、高密度、高稳定性的存储设备的需求与目前主流市场的RAM的易失性、易受电磁干扰的突出矛盾出发,指明了新型的电阻型存储器(ReRAM)发展的必然趋势。列举了国际上科研机构以及公司(如三星、夏普等)在ReRAM上研究的一些进展,并且通过比较指明了我国此领域的在材料开发、器件研究、工艺摸索等方向上的研究机遇。
专家指出,8 nm BaTiO3陶瓷仍然具有铁电性,与大晶粒微米级BaTiO3陶瓷相似随温度降低存在多个低对称结构的相,但同时表现出多相共存的特点。通过对铁电BaTiO3尺寸效应的研究,启发我们可以在更小尺寸上去进行复合、耦合,从而实现各种尺寸的多铁性复合。

铁磁性材料的磁性激发机制

铁磁性材料的磁性激发机制

铁磁性材料的磁性激发机制铁磁性材料是一类具有高度自旋极化和长程自旋有序的材料,其磁性激发机制是研究磁性材料的基础和关键。

这篇文章将讨论铁磁性材料的磁性激发机制,重点介绍自旋波、畸变和蠕变等机制的原理和应用。

磁性激发机制主要包括自发磁矩、自旋波、畸变和蠕变等机制。

其中,自旋波是最为普遍的一种机制,其是一种量子激发,常常在铁磁性材料中出现。

自旋波通常被视为反对称场和交换相互作用之间相互竞争的结果。

如图1所示,自旋波的产生可以类比于我们普遍熟知的水波。

在铁磁性材料中,自旋符号是沿各个维度的矢量。

当磁场作用于铁磁性材料时,自旋矢量将沿磁场方向运动,产生自旋波。

自旋波的产生和传播需要满足一定的条件。

首先,理论预测,相邻自旋之间的交换作用必须是反平行的才能引起磁性激发。

其次,磁场的方向也必须有所考虑。

当磁场沿着交换场的方向时,自旋波将沿垂直于该方向的轴方向传播。

此外,自旋波的传播速度也依赖于磁场和交换相互作用的强度。

除了自旋波,铁磁性材料中还存在其他重要的磁性激发机制,例如畸变和蠕变。

图2示意了畸变和自旋波的区别。

与自旋波不同,畸变是一个空间异性的激发,其主要来源于局部非中心对称性或价键异性。

蠕变是一种相变,通常涉及体积分数和温度的变化。

例如,在随温度升高的Ferromagnet中,磁场将由相变的无序相渐进地过渡到有序相。

这种相变的原因主要是磁性激发和晶格振动之间的相互作用。

理论和实验表明,这些磁性激发机制相互作用并相互重叠,因此单一机制无法描述铁磁性材料的全部磁性特点。

例如,即使相对比较简单的铁磁性材料也采用了多种磁性激发机制,因此仅研究单一机制不能全面理解铁磁性材料的磁性。

总之,磁性激发机制是研究铁磁性材料的一个重要方面,其被广泛用于铁磁性材料的纯理论及应用研究中。

除了自旋波、畸变和蠕变外,还有许多其他机制,例如无序系统、Spin glass和偏斜镜等。

将这些机制研究深入,将为我们更好地理解和掌握铁磁性材料的特性提供指导。

D-02.多铁性材料

D-02.多铁性材料

主题:氧化物功能调控 主持人:郭杭闻 15:35-16:05 D02-34(Invited) 功能氧化物的离子调控 于浦 清华大学 16:05-16:35 D02-35(Invited) Ionic liquid gel gating control of magnetism for flexible spintronics 刘明 西安交通大学 16:35-17:05 D02-36(Invited) 铁谷性的多种起源和相关奇特物性 段纯刚 华东师范大学 17:05-17:17 D02-37(Oral) 光栅结构锰氧化物超晶格的光磁电调控 裴环宇,张云婕,郭蜀晋,任丽霞,闫虹,陈长乐,金克新, 罗炳成 西北工业大学 17:17-17:29 D02-38(Oral) 共掺杂 TiO2 的巨介电机理探究及储能应用 魏贤华 1,杨超 1,郝建华 2 1.西南科技大学 2.香港理工大学 单元 D02-6:7 月 16 日上午 主题:畴及多场耦合 主持人:郑仁奎 地点:会议中心1G02会议室
15:30-17:30
墙展
西北工业大学 单元D02-5:7月15日下午 主题:铁电陶瓷 主持人:柴一晟 地点:会议中心1G02会议室 13:30-14:00 D02-29(Invited) Ruddlesden-Popper 结构 Sr3Sn2O7 基陶瓷的一级杂化非本 征铁电相变 刘小强,鲁涓涓,陈湘明 浙江大学 14:00-14:30 D02-30(Invited) 铁酸铋陶瓷的铁电与应变性能研究 吴家刚 四川大学 14:30-15:00 D02-31(Invited) AgNbO3 无铅反铁电陶瓷及其储能性能 李敬锋 清华大学 15:00-15:12 D02-32(Oral) Nd 置换 BiFeO3 多铁性陶瓷的结构演变以及铁电、磁性能 陈静,高庭庭,陈湘明 浙江大学 15:12-15:24 D02-33(Oral) Ca3Mn2O7 的铁电与光学性质研究 刘美风 1,王煜 1,张杨 2,王秀章 1,董帅 2,刘俊明 13 1.湖北师范大学 2.东南大学 3.南京大学 15:24-15:35 茶歇

《双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学研究》范文

《双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学研究》范文

《双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学研究》篇一一、引言随着现代材料科学和凝聚态物理的不断发展,铁磁材料及其相关系统的物理性质与动力学行为得到了广泛的关注。

特别是在双层铁磁系统中,由于交换耦合效应,自旋动力学呈现出丰富而复杂的特性。

本文将围绕双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学进行深入研究,通过理论分析、模拟实验等方法,探讨其物理机制和潜在应用。

二、双层铁磁系统简介双层铁磁系统由两层铁磁材料构成,两层之间通过交换耦合相互作用。

这种相互作用源于电子自旋的交换作用,使得两层铁磁材料的磁化方向产生耦合效应。

在双层铁磁系统中,自旋动力学的研究具有重要意义,涉及到磁畴结构、磁化翻转、磁性材料性能等多个方面。

三、交换耦合式自旋动力学理论分析在双层铁磁系统中,自旋动力学主要受到交换耦合相互作用的影响。

这种相互作用导致两层铁磁材料的自旋发生相互影响,形成特定的自旋结构。

通过对该系统的哈密顿量进行分析,我们可以得出自旋运动的数学表达式。

在理论分析中,我们考虑了系统的边界条件、自旋之间的相互作用以及外磁场的影响等因素。

四、模拟实验研究方法为了更好地研究双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学,我们采用了模拟实验的方法。

通过构建适当的模型,利用计算机进行数值模拟,从而获得自旋运动的动态过程。

在模拟实验中,我们考虑了不同材料参数、温度、外磁场等因素对自旋动力学的影响。

此外,我们还通过扫描隧道显微镜等实验手段对模拟结果进行验证。

五、结果与讨论通过理论分析和模拟实验,我们得到了双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学的相关结果。

首先,我们发现两层铁磁材料之间的交换耦合相互作用对自旋运动产生了显著影响,导致自旋在空间中形成特定的排列结构。

其次,外磁场和温度等因素也会对自旋动力学产生影响,从而改变系统的磁化状态。

此外,我们还发现不同材料参数对自旋动力学的影响具有明显的差异。

在讨论部分,我们进一步分析了双层铁磁系统中交换耦合式自旋动力学的物理机制和潜在应用。

自旋模型简述

自旋模型简述

自旋模型简述1、自旋的基本概念与表述自旋是电子的基本性质之一,是电子内禀运动量子数的简称。

电子自旋的概念是由Uhlenbeck 和Goudsmit 为了解释碱金属原子光谱的精细结构以及反常Zeeman 效应而提出的。

他们认为电子的运动与地球绕太阳运动相似,电子一方面绕原子核运动,从而产生了相应的轨道角动量;而另一方面它又有着自转,其自转的角动量为ħ/2,并且它在空间任何方向的投影都只能取两个值,即±ħ/2(也就是自旋向上和向下两个状态↑↓),与自旋相对应的磁矩则是eħ/2mc 。

当然,这样带有机械性质的概念是不正确的,而自旋作为电子的内禀属性,是标志电子等各种粒子(如质子、中子等)的一个重要的物理量。

对于自旋这个自由度,我们一般用算符ŝ表示(这里的记号^表示算符,在下文中为了简便我们将略去这一记号)。

因为自旋角动量与轨道角动量有着相同的特征,所以一般也认为它们具有相同的对易关系,即s ⨯s =iħs 。

在这里我们引入泡利算符s =σħ/2。

由于s 沿任何表象的投影都只能取±ħ/2两个值,即σ沿任何方向的投影只能取±1这两个值,所以泡利算符σ的每个分量都可以用2⨯2的矩阵来表示。

我们一般采用σz 分量对角化的表象,得到其矩阵表示:i i z y x ,1001,00,0110⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=σσσ (1-1) 这样的表示就是著名的Pauli 矩阵。

2、自旋模型的形式2.1 物质的磁性与自旋模型由于原子核的磁矩很小,物质的磁矩可以看成其轨道磁矩和自旋磁矩之和。

电子的总磁矩(轨道磁矩+自旋磁矩),直接体现为物质的宏观磁性。

而对于过渡金属的原子或离子,因为轨道角动量的冻结,其磁性主要来源于未配对电子的自旋磁矩。

对于物质的磁性,很早以来就有着广泛的研究,比如Langevin的顺磁理论,Wiess的分子场理论,Bloch的自旋波理论。

这些理论中,原子(离子)都具有磁矩,而磁矩之间存在着一定的相互作用。

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转王敦辉;杨艳婷;曹庆琪;都有为【摘要】电场调控的自旋翻转因在低能耗高密度的新型存储器件中有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注.在复相多铁材料中,利用磁电耦合效应有可能实现电场调控自旋的翻转.我们在CoPt/PMN-PT异质结中,利用电场调控矫顽力的变化,实现了电场调控自旋的翻转.在铁磁形状记忆合金Mn-Ni-Sn与0.7Pb(Mg1/3Nb2/3) O3-0.3 PbTiO3组成的复合材料中,通过电场调控交换偏置场的变化,无需偏置磁场就可以实现电场调控自旋的翻转.【期刊名称】《吉林师范大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2014(035)002【总页数】4页(P11-14)【关键词】自旋翻转;逆磁电效应;应力调控;偏置磁场【作者】王敦辉;杨艳婷;曹庆琪;都有为【作者单位】南京大学物理学院,江苏南京210093;南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏南京210093;南京大学物理学院,江苏南京210093;南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏南京210093;南京大学物理学院,江苏南京210093;南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏南京210093;南京大学物理学院,江苏南京210093;南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏南京210093【正文语种】中文【中图分类】O4690 引言电场对磁性的调控,又称为逆磁电效应,因其在传感器、高密度信息存储以及磁电子学等方面的潜在应用而受到人们广泛的关注[1-2].目前在复相多铁材料中,逆磁电效应主要表现为外电场对磁矩大小、磁晶各向异性、自旋翻转、磁畴和磁电阻等行为的调控.其中,电场对自旋翻转的调控不但有利于减少能源损耗,而且同时提高了存储密度[3-5],所以在“电写—磁读”式的新型信息存储技术中具有重要的科学意义.在复相多铁材料中,利用电场对材料矫顽力的调控有望能实现电场调控的自旋翻转[6-8].到目前为止,复相多铁材料中电场对磁性的调控从机制上可以分为三类[9]:第一,应力调控机制.这种机制是指在具有压电效应的铁电材料和具有磁致伸缩效应的铁磁材料所组成的铁磁/铁电复合材料中,通过界面应力的传递,最终实现电场对磁有序的调控.其磁电耦合系数可以表述为[6]:从上面公式可以得出,只要选择具有大磁致伸缩系数的铁磁层和优异压电特性的铁电层,就能在应力调控的复相多铁材料中取得较大的磁电耦合效应.第二,交换偏置机制.这种机制是指在单相多铁材料上生长铁磁薄膜,利用单相多铁材料的铁电性与反铁磁性的磁电耦合以及铁磁与反铁磁的界面耦合实现电场对磁性的调控.第三,界面电荷调制.这种机制是指利用电场调控磁性薄膜中载流子的富集或耗散进一步影响交换作用,从而实现对磁性的调控.近年来,利用应力传导机制的磁电耦合效应一直是国际上的研究热点.由于在室温下,具有压电特性和磁致伸缩特性的材料广泛存在,材料方便制备和获得,同时也容易在室温条件下获得大的磁电效应.所以通过铁磁/铁电两相之间的应力/应变传递来实现的磁电耦合效应,具有良好的发展前景[6,9].1 实验部分将CoPt和MnNiSn合金作为铁磁层,PMN-PT作为压电层,制备了磁电复合材料.采用振动样品磁强计(VSM,Microsense EV7)和超导量子干涉仪(SQUID,Quantum Design MPMS XL-7)对样品磁电耦合性能进行表征,电压源由电表(Keithley2410)提供.2 结果与讨论在以应力传导机制为媒介的复相多铁材料中,采用电场来调控磁化强度大小变化相对容易,但是利用电场来控制自旋翻转的报道还相对较少.我们选取具有大磁致伸缩系数二元合金CoPt、铁磁形状记忆合金(FSMA)作为铁磁层,选取具有优异压电特性的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)作为压电层,制备了铁磁/铁电复相多铁材料.在该类材料中,利用电场调控的矫顽力(HC)或偏置场(HE)的变化,实现了电场调控的自旋翻转.图1是铁磁/铁电复相多铁材料中,不同电场下的M-H曲线变化示意图.曲线1、2和3分别对应着E=0、正向电场和反向电场的M-H曲线.由于施加不同方向的电场,压电材料分别输出张应变和压应变,从而对材料的磁各向异性产生不同的影响.从图1中可以看出,对压电衬底加正向电场或反向电场后,磁性层的HC可以相应地增大或减小.利用电场对矫顽力的调控,在该材料中可以实现电场调控的自旋翻转.图1 铁磁/铁电复相多铁材料在不同电场下的M-H曲线示意图图2 (a)CoPt/PMN-PT异质结在不同电场下的M-H曲线;(b)临界场为167 Oe时电场调控的自旋翻转图2(a)是在CoPt/PMN-PT异质结中,当磁场平行于异质结表面时不同电场下的M-H曲线.在正向电场作用下,CoPt矫顽力由零电场时的HC(0)=147 Oe的增大到HC(E)=185 Oe,增大了26%.如果在HC(0)和HC(E)之间选择一个合适的点HC(X),满足HC(0)<HC(X)<HC(E)的条件.在这点撤掉电场后,可以实现磁矩由正到负符号的变化;当磁场反向时,撤掉电场也会实现电场调控的磁矩由负到正的变化.为了实现这一电场调控自旋翻转的过程,我们选择临界场HC(X)=-167 Oe,如图2(b)所示.当异质结在正向电场作用下到达该临界场时,突然撤掉电场,磁矩发生了从A点到B点的跃变,其符号由正变负,即电场调控的自旋翻转[10].当磁场从-1000 Oe经过零磁场到达临界场167 Oe时,根据类似的原理,也可以实现电场调控的自旋由负到正的翻转.这种翻转不是简单的磁矩数值大小的变化,而是其符号发生了改变.在上述应力传导为媒介的铁磁/铁电复相多铁材料中,电场调控自旋翻转是通过矫顽力变化来实现的,但是它需要借助偏置磁场(Hbias)的辅助才能完成,从而给器件设计带来了不便[11].下面我们将介绍如何利用电场调控的交换偏置效应来实现无偏置磁场下的电控自旋翻转.我们在高锰含量的铁磁形状记忆合金Mn50.1Ni39.3Sn10.6(Mn-Ni-Sn)中,通过增加其反铁磁交换作用的成份,利用低温时反铁磁和铁磁耦合的共存,获得了较大的交换偏置场[12].有文献报道称应力可以对铁磁形状记忆合金中的磁交换作用产生影响[13].利用铁磁形状记忆合金这一特殊的性质,我们以PMN-PT作为压电层,制备了Mn-Ni-Sn/PMN-PT复合材料,研究了以应力为媒介情况下电场调控的交换偏置效应.图3(a)和(b)是不同温度下经过正向和负向磁场冷却后不同电场下Mn-Ni-Sn铁磁形状记忆合金的M-H曲线.通过给压电体施加电场,其产生的应力传导到Mn-Ni-Sn合金上,影响了反铁磁和铁磁的界面耦合,从而使Mn-Ni-Sn磁性能发生明显的变化.从图中看以看到,在电场作用下,Mn-Ni-Sn合金的M-H曲线沿外磁场方向平移,HE大小也发生了改变,同时伴随HC及饱和磁化强度的变化.电场调控的交换偏置效应是应力影响了合金的Mn-Mn间距以及铁磁反电磁界面处磁矩的相对排列所致[14-16].利用图3(b)所示的电控交换偏置结果,我们可以在零偏置磁场时实现电场调控的自旋翻转.图3 通过加某一电场X后,Mn-Ni-Sn铁磁形状记忆合金在不同温度(T1和T2)的交换偏置、矫顽力及饱和磁化强度发生明显变化图4 利用电场调控交换偏置效应在无偏置磁场时实现电场调控自旋翻转的示意图图4为利用电场调控交换偏置效应在无偏置磁场时实现电场调控自旋翻转的示意图.图4(a)是沿负外磁场冷却后所表现出的偏置效应.利用电场调控的交换偏置效应,我们在M1点对该材料施加电场,磁化强度将由M1点立刻跳变到M2点,磁化强度符号由负变正,如箭头所示.换句话说,我们可以在无偏置磁场的条件下就实现了电场调控的自旋翻转.类似地情况下,沿正外磁场冷却,也可以实现电场调控的由负到正的自旋翻转,如图4(b)所示.该结果有望在低能耗、高密度存储等领域有一定的应用价值[17].3 结论我们制备了CoPt/PMN-PT异质结,室温时表现出较强的磁电耦合.利用电场调控的矫顽力变化,实现了电场调控的自旋翻转.在高锰铁磁形状记忆合金MNS/PMN-PT复合材料中,矫顽力和偏置场在电场作用下均发生明显的变化.利用电场调控的偏置场变化,可以在无偏置磁场的条件下实现电场调控的自旋翻转.该结果可以在低能耗、高密度的新型存储器件中有一定的应用.参考文献【相关文献】[1]W.Eerenstein,N.D.Mathur,J.F.Scott.Multiferroic and magnetoelectric materials [J].Nature,2006,442:759 ~765.[2]M.Bibes,A.Barthélémy.Towards a magnetoelectric memory[J].Nature Mater.,2008,7:425 ~426.[3]N.A.Spaldin,S.W.Cheong,R.Ramesh.Multiferroics:Past,present,and future [J].Phys.Today,2010,63:38 ~43.[4]R.Ramesh,N.A.Spaldin.Multiferroics:progress and prospects in thin films[J].Nature Mater.,2007,6:21 ~29.[5]G.Srinivasan.Magnetoelectric Composites[J].Annu.Rev.Mater.Res.,2010,40:153 ~ 178.[6]C.W.Nan,M.I.Bichurin,S.X.Dong,et al.Multiferroic magnetoelectric composites:Historical perspective,status,and future directions[J].J.Appl.Phys.,2008,103:031101-1 ~35.[7]Y.J.Chen,T.Fitchorov,C.Vittoria,et al.Electrically controlled magnetization switching in a multiferroic heterostructure[J].Appl.Phys.Lett.,2010,97:052502-1~3. 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D-02.多铁性材料

D-02.多铁性材料

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多铁性材料的自旋起源多铁材料由磁有序和铁电有序共同组成的,据信是在固体材料系统通过一个微小的能量消耗来完成磁与电的交叉控制的关键。

例如巨磁电效应在凝聚态物理中在很长一段时间内引起了大家强烈的兴趣,希望得到一个新兴自旋相关连电子的方程。

在这里我们以磁性材料中实现多铁性和自旋驱动铁的电性开始,以上已经通过精确地试验和理论被证实。

根据假设的机制,很多多铁性材料被开发与探索,最新的研究实现了巨磁电效应的控制,我们纵观多铁材料的各种基本机制的观点和基本的磁电特性。

多铁材料科学的一个最新的方向是动力学磁电效应,换句话说就是固体中动力学和电和磁偶极子快速交叉控制。

我们着重讨论多铁性畴壁的动力学有助于增大磁电响应,其可通过介电谱来显示。

另外的相关问题是活跃的电偶极子的磁共振,叫做电磁振子。

最后我们总结多铁材料从在固体中宽泛的新型电磁学何处可能对将来能量不耗散的电子的应用。

第一章多铁性材料1.1什么是多铁性材料在固体中,电场(E )诱导出电极化强度(P )并且磁场(H )诱导出磁化强度(M )。

E 与H 的运动关系可以由麦克斯韦方程描述,这使得P 和M 之间有了非常重要的联系,那就是P 与M 的耦合是通过晶格间的电子来传递的;换句话来说,电子的自旋、轨道和电荷的自由度在固体中是相关连的。

P-M 耦合,若存在于材料中的话可促使磁电效应,其可定义为同时控制磁与电;转变M 通过用E 与之相反P 的改变通过用H 。

一个世纪以前通过对Cr 2O 3的研究,固体中的磁电效应在理论[1]推测上和实验[2]上被证实。

这个现象被通过用一个线性交差响应磁电系数α来描述。

例如从对称分析的观点有u uv v P E α=和u vu u M E α=。

与最近新观测的多铁性材料相比以前观测磁电效应非常小,虽然如此,关于多铁性样品的自旋微观起源的基本的组成已经被涉及在首次发现的磁电材料中。

例如一个存在相互作用的自旋与一个极化的化学晶格或存在相互作用的非共线的自旋在轨道耦合相互作用下耦合。

自此,巨磁电效应开始被广泛研究。

特别是在用E 高效的控制方面是一个需求函数在最小的能量耗散的二代电子自旋领域,因为能量损失产生H 或者用高电流来控制磁畴可以克服用电场的缺点[3-5]。

图1 多铁性材料中通过电磁场使P-M 交叉控制多铁性材料这个术语被杜撰出代表材料是因为其有两个或更多铁性有序,如目前的铁电性与铁磁性。

在一般的条件下,我们叫那些同时拥有铁电有序和磁有序的材料为多铁性材料。

用更直接了当的方式来增强磁电耦合已经超出上述的线性响应所以要把目标集中在多铁性材料上。

在多铁性材料中同时存在的P 与M 有非常弱的与之相关的H 与E 响应,如图1所示,经由场的诱导畴壁的运动引起了滞后。

当M 与P 共同耦合就会更强叫巨磁电效应。

也就是H 控制P 同时E 控制M 成为可能。

M-P 共同耦合不仅仅在准静态磁电耦合中非常重要,在动态磁电耦合中也是如此,它的时间尺度的范围能从千兆赫兹到紫外光的频率。

所以现在的问题是如何去设计和实现多铁性材料强的磁电耦合。

这是研究多铁性材料的一个基本方面。

1.2多铁性材料的三种模型在这篇文章中,我们集中注意力于多铁性材料自旋起源诱导的铁电性。

通过定义铁电与磁有序耦合是显而易见的。

换句话说,通过电激励改变铁电有序在多铁性样品的自旋起源应当伴随着磁结构和性质的改变。

各种形式的自旋起源可能打破反对称性并且自发的形成P 。

概括地说,自旋起源的铁电性的微观机制可以被总结为三种模型:图2 多铁性材料的三种模型(i )对称自旋交换收缩模型()ij i j S S ∏(图2(a)-(c));(ii )反对称自旋交换收缩模型()ij i j e S S ⨯⨯(图2(d)-(f));(iii ) 自旋流模型()2il i il e S e (图2(g)-(i))。

在这我们先简明的给出其各自产生P 的机制的先决条件。

(i )对称自旋交换收缩模型,相邻的自旋i S 和j S 之间的相互租用,可能引起沿一个特定的结晶方向伸缩ij ∏。

对于产生宏观的P ,自旋调节应当与晶格相称并且诱导的伸缩应当在对晶格的所有的键求和时不抵消。

例如,用上-上-下-下排布的自旋来代替其交替排布的A-B 晶格(如图2(b )所示)其可以打破反对称性,非同值得交换收缩在自旋方向都向上的部分和自旋上下排列之间可产生P 。

在反对称交换收缩相互作用中(ii ),自旋流被认为是流动在倾斜的自旋点i S 和j S 之间的,它在自旋轨道耦合(SOC )作用下可产生极化P (如图2(f)所示)。

这个P 是真正的电子来源,但是事实上交换收缩在决定P 的大小中扮演着重要角色。

因此,这个模型也叫做反Dzyaloshinskii –Moriya (DM )相互作用。

在最近自旋流模型对多铁性材料的探索与研究中是非常有效的,特别是对横向旋转自旋的研究,例如摆线的和横向圆锥的自旋有序总是能自发的产生P 与磁调节矢量无关。

总之,多铁性材料可以被描述通过反对称自旋交换收缩作用来描述。

(iii )自旋依靠p-d 杂化机制是基于局部极性键ij e 连接自旋点i 和配位点l可以通过自旋方向依靠杂化引起的自旋轨道耦合被调制这个事实。

当对整个晶格加和不抵消可以获得一个宏观的P 。

总之,交换收缩机制(i )不需要自旋轨道耦合除了同样的自旋有序、低对称性的特殊化学晶格和自旋流机制(ii)可以应用在各种晶格除了自旋轨道耦合和自旋依靠p-d 杂化机制(iii)同时需要自旋轨道耦合和和特殊晶格但是可发生在各种相同和不同的有序。

因此,我们可以通过了解材料的晶格和磁结构来鉴别哪几种机制出现在了多铁性材料中。

要注意的是一种实际的多铁性材料中可以有多种机制。

图3 螺旋磁结构为了增强多铁性材料中的磁电效应我们往往看到其伴随着多铁性材料的畴壁的运动,尤其是在分析铁磁体和铁电体中存在较大的滞后现象。

尽管磁有序和铁电有序微观的畴壁结构变化在实验上还有待解决,但是一些关于多铁性材料的畴壁重要的性质已经能够通过微观测量被研究。

多铁性材料科学的另一个重要的方向是动力学磁电响应。

磁电磁化率uv α可以被扩展到交流电和光频领域,例如(w)(w)H (w)u uv v P α=和(w)(w)E (w)u uv v M α=,(w)uv α呈现了磁电样品的共振结构。

第二章 多铁性的基本机制在这章,我们研究自旋起源的多铁性现象的机制。

在这我们不提及多铁性,因为磁性与铁电性本质上相互独立并且他们的耦合很弱。

2.1 一般的观点磁性和铁电性被认为是其各自独有的特性,因为其前者的形成需要部分的满d 和f 轨道但是后者首选被占据的带或存在孤对电子。

两者在很多方面存在区别,从对称的观点来看,前者与时间反演对称性有关Θ,后者与点群对称有关。

Θ是一个反幺正对称。

对于铁电性我们可以考虑一个经典的点电荷模型 ,尽管我们可以讨论经典自旋但磁性本质上是一个量子机制的现象。

这些本质上的不同阻碍了从事统一着两种现象的研究。

然而,麦克斯韦的电磁学统一了电磁场中的电场强度E 与磁感应强度B 的关系,它们可通过洛伦兹变换相互转化。

这个事实表明,磁与电的性质可以通过一个统一的方式被理解,并且他们之间的耦合一定是一个非常多产的研究领域。

尽管我们如此期望,但是其已经被居里[6]预测在有限的范围内磁矩与电极化强度的耦合非常弱。

这基本的原因是电子对电极化强度和磁矩的贡献是不同的,像上面所提到的那样。

如果它们由相同的电子携带并且长程有序的话,他们之间的耦合作用将会被增强。

因此多铁性材料成为了一个磁性与铁电性最大化的耦合的理想的材料。

根据朗道的观点,我们可以研究这个现象的理论根据磁化强度和电极化强度的晶格对称性来拓展自由能方程。

线性的磁电效应来自于交叉项uv u v M P β(1)其中uv β是张量1βα-=的一个分量,α是前面所提到的磁电磁化率张量。

这一项可以同时允许时间反演对称性和反对称性被打破,因为自由能方程应在对称性操作下保持系统地完整性从而不变。

另一个重要的发展与这个问题有关的是电子波函数的量子相位,如贝里相位。

贝里相位这个概念源于波函数被限制在希尔伯特空间内这个事实并且其普遍存在以带结构为基础凝聚态物理的各个分支中。

贝里相位关系和曲率对应着失势和U (1)规范场的场强。

这意味着我们可以考虑固体中突现的电磁场,它控制着凝聚态系统的电磁性质。

对于突现的电磁场其标识性的一个特点是光速c 不是一个耦合常数。

这意味着突现的电磁场中的电与磁的关系比麦克斯韦电磁场更合适,并且当使用突现的电磁场调节磁与电的耦合时可能会更强。

除了对U (1)规范场的讨论外,我们可以考虑非阿贝尔规范场。

这是与相对论自旋轨道相互作用密切相关的(SOI )。

首先我们从凝聚态物理中的狄拉克方程开始,通常非相对论的薛定谔方程被用来描述电子的能量解。

当电子的余下质能22mc 远超我们感兴趣的现象的能量尺度时其将被调整。

换句话说,正电子的产生可以被忽略。

这再次说明电子的波函数受希尔伯特空间的限制,也就是狄拉克方程的正的能量解。

这个被限制的波函数很自然的导致了规范场,但是在这里使用一个22⨯的矩阵是因为自旋的简并。

电子的耦合在()2SU 非阿贝尔规范场中是不存在的,但在自旋轨道相互作用中可以给出()()()()()()2222222 =2 =2SO e H p V r s m c e s p V r m c e V r s p m c =⨯∇⨯∇∇⨯(2) 方程的右边由于()A V r s α∝∇⨯所以可以写成A α这一22⨯的规范势。

更重要的是A α能被耦合为自旋流密度,当其被写成A aa a A αασ=∑ 其中a σ是泡利矩阵,在自旋轨道相互作用中可以写成A a a j αα而a j α就是沿α空间方向的自旋流密度,以上对后面我们讨论电极化强度的自旋流机制是十分重要的。

对于中心对称势()V r ,在自旋轨道相互作用中可以写为SO H s λ=(3)其中轨道角动量r p =⨯。

在这里我们让1=。

这里λ是自旋轨道耦合常量并且其正比于4Z ,这里Z 对应着原子序数。

电子的原子波函数随着原子序数Z 的增长越来越靠近原子核,并且自旋轨道耦合常量λ业逐渐增大。

相应的,束缚电子的速率也越来越快,并且自旋轨道相互作用(SOI )对于重原子来说更强。

增强的自旋轨道耦合相互作用与真空中的自由电子相比几乎相差610倍。

在周期表中,从3d 、4d 到5d 电子自旋轨道相互作用(SOI )增大同时与电子有关的能量U 减小。

过渡金属氧化物的3d 电子是我们研究的重点,其而λ的大小通常在10-20meV ,同时U 的大小在5-10meV 。

它小于晶场劈裂的能量,其大小在0.5-1eV ,但是它仍然有很大的作用,如上所述。

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