基本放大电路参考答案

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第15章习题 基本放大电路

第15章习题 基本放大电路

第15章基本放大电路15-001、在题图中,若将图中的发射极交流旁路电容C E除去。

(1)试问静态工作点有无变化;(2)画出微变等效电路;(3)求放大倍数、输入电阻、输出电阻,并说明发射极电阻R E对电压放大倍数的影响。

解:(参考答案:(1)无(2)略(3)-1.3 降低)15-002、乙类互补对称功率放大器输出波形产生失真属于何种失真?应如何消除?答:截止失真。

可以用两个管子,使之都工作在已类放大状态,一个在正半周工作,另一个在负半周工作,两管的输出波形都能加到负载上,则负载上能够得到一个完整的波形,这样既能提高效率,又能消除失真15-003、在图P2.7所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图P2.8(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。

图P2.8解:(a)饱和失真,增大R b,减小R c。

(b)截止失真,减小R b。

(c)同时出现饱和失真和截止失真,应增大V C C。

15-004、测得某放大电路中晶体管的三个电极A、B、C的对地电位分别为V A =-9 V,V B=一6 V,Vc=6.2 V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此晶体管是NPN管还是PNP管。

解:由于锗晶体管的|V BE|≈0.2V,硅晶体管的|V BE|≈0.7V,已知用晶体管的电极B的V B=一6 V,电极C的Vc=–6.2 V,电极A的V A=-9 V,故电极A是集电极。

又根据晶体管工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电极B是发射极,电极C是基极,且此晶体管为PNP管。

15-006、测量某硅晶体管各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。

(a)V C=6 V V B=0.7 V V E=0 V(b)V C=6 V V B=2 V V E=1.3 V(c)V C=6 V V B=6V V E=5.4 V(d)V C=6 V V B=4V V E=3.6 V(e)V C=3.6 V V B=4 V V E=3. 4 V解:(a)放大区,因发射结正偏,集电结反偏。

#《模拟电子技术基础》版习题解答基本放大电路题解

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第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

<1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;< )<2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;< )<3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;< )<4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;< )<5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;< )<6)因为放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;< )<7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

< )解:<1)×<2)√ <3)× <4)×<5)√ <6)×<7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解:<a)不能。

因为输入信号被V B B短路。

<b)可能。

<c)不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

<d)不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

<e)不能。

因为输入信号被C2短路。

<f)不能。

因为输出信号被V C C短路,恒为零。

<g)可能。

<h)不合理。

因为G-S间电压将大于零。

<i)不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中,已知V C C=12V,晶体管的 =100,=100k Ω。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

<1)当=0V时,测得U B E Q=0.7V,若要基极电流I B Q=20μA,则和R W之和R b=≈kΩ;而若测得U C E Q=6V,则R c=≈kΩ。

<2)若测得输入电压有效值=5mV时,输出电压有效值=0.6V,则电压放大倍数=≈。

基本放大电路习题(含问题详解)

基本放大电路习题(含问题详解)
18放大电路如图13所示。已知图中Rb1=10kΩ,Rb2=2.5kΩ,Rc=2kΩ,Re=750Ω,RL=1.5kΩ,Rs=10kΩ,VCC=15V,β=150。设C1、C2、C3都可视为交流短路,用小信号模型分析法可计算
得电路的电压增益AV为_____。 A. -85.7 B. 78 C. 80 D. 60
则 和RW之和Rb=≈kΩ;
而若测UCEQ=6V, 则Rc=≈kΩ。
(2)若测得输入电压有效值 =5mV时,输出电压有
效值 =0.6V, 则电压放大倍数 =≈。 图4.3
若负载电阻RL值与RC相等,则带上负载后输出电压有效值 ==V。
4、已知图4.3所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载
10 根据放大电路的组成原则,在下图5所示各电路中只有图_________具备放大条件。
A. a) B. b) C. c) D. d)
图5
11在下图6所示的各放大电路中,能实现正常放大的电路是_________。
图6
12在如图7所示射级偏置电路中,若上偏流电阻Rb1短路,则该电路中的三极管处于______。
用小信号模型可计算Ri为_________。A. 0.852kΩ B. 0.6kΩ C. 10kΩ D. 2.5kΩ
用小信号模型可计算Ro为_________。A. 2kΩ B. 1kΩ C. 1.5kΩ D. 2.5kΩ
19图14所示由PNP型锗三极管组成的共射放大电路的β=150,VCES=0.2V,用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为________。 A. -158 B. 78 C. -180 D. 120
A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共极输入特性 D.共基极输出特性

《电工电子学》第3章习题答案

《电工电子学》第3章习题答案

第3章习题答案3.2.1 选择题1.晶体管能够放大的外部条件是___C______。

(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时,其__A_______。

(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。

则该管的为___C______。

(a) 40 (b) 50 (c) 604.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能___A______。

(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5.温度升高,晶体管的电流放大系数b___A______。

(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6.温度升高,晶体管的管压降|UBE|__B_______。

(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,__C______极的电位最低。

(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8.温度升高,晶体管输入特性曲线____B____。

(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9.温度升高,晶体管输出特性曲线___A_____。

(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔___C_____。

(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11.晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。

(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是__C_____。

(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13.对于电压放大器来说,___B____越小,电路的带负载能力越强。

(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位___B____。

基本放大电路习题解答

基本放大电路习题解答

第2章自测题、习题解答自测题2一、在括号内用“”或“X”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5 )放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()解:(1 )X (2)V (3)X (4)X (5)V (6)X (7)X试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

解:(a ) 不能。

因为输入信号被直流电源U BB 短路。

(b ) 可能。

(c ) 不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载(叠加)在静 态电压之上,必然失真。

(d ) 不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e ) 不能。

因为输入信号被C 2短路。

(f ) 不能。

因为输出信号被U CC 短路,恒为零。

(g ) 可能。

(h ) 可能。

(i ) 不能。

因为T 截止。

已知U cc = 12V ,晶体管的=100 , R b = 100k Q 。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

(1)当U j = 0V 时,测得U BEQ =,若要基极电流I BQ = 20 A ,则R b 和R W 之和R b = ____ k Q; 而右测得 U CEQ = 6V ,贝~ ____________________________ k Qo (2)若测得输入电压 有效值U i =5mV 时,输出电压(d> to m(g!1 (h) (0图 T2- 2在图T2 — 3所示电路中,有效值U ° =, 则电压放大倍数 A = __________________ 沁 ____ 。

第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。

它属于 型器件,其最大的优点是 。

(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。

MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。

(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。

耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。

(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。

(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。

(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。

(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。

(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。

(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。

答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。

(2)漏,源,源,漏,源。

(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。

(4)16mA ,4V 。

(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。

(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。

(7)自给,分压式。

(8)减小,减小,减小。

(9)m g ,s R 。

3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。

解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。

若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。

第2章 基本放大电路习题及答案

第2章 基本放大电路一、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) 1 在基本放大电路的三种组态中:①输入电阻最大的放大电路是 ;②输入电阻最小的放大电路是 ;③输出电阻最大的是 ;④输出电阻最小的是 ; ⑤可以实现电流放大的是 ;⑥电流增益最小的是 ;⑦可以实现电压放大的是 ;⑧可用作电压跟随器的是 ;⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是 ;⑩可以实现功率放大的是 。

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定 2 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 。

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真 3 晶体三极管的关系式i E =f(u EB )|u CB 代表三极管的 。

A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性 4 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是 。

A .饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真5 对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大,B.减小,C.不变),选择正确的答案填入空格。

1).R b 减小时,输入电阻R i 。

2).R b 增大时,输出电阻R o 。

3).信号源内阻R s 增大时,输入电阻R i 。

4).负载电阻R L 增大时,电压放大倍数||||o us sU A U 。

5).负载电阻R L 减小时,输出电阻R o 。

6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下测得A 的输出电压小。

这说明A 的 。

A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小7.三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. A. a B. 1+β C. β8.如图1所示的电路中的三极管为硅管,β=50,通过估算,可判断电路工作在______区。

基本放大电路习题(含答案)

基本放大电路一、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) 1 在基本放大电路的三种组态中:①输入电阻最大的放大电路是 ;②输入电阻最小的放大电路是 ;③输出电阻最大的是 ;④输出电阻最小的是 ; ⑤可以实现电流放大的是 ;⑥电流增益最小的是 ;⑦可以实现电压放大的是 ;⑧可用作电压跟随器的是 ;⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是 ;⑩可以实现功率放大的是 。

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定 2 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 。

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真 3 晶体三极管的关系式i E =f(u EB )|u CB 代表三极管的 。

A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性 4 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是 。

A .饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真5 对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大,B.减小,C.不变),选择正确的答案填入空格。

1).R b 减小时,输入电阻R i 。

2).R b 增大时,输出电阻R o 。

3).信号源内阻R s 增大时,输入电阻R i 。

4).负载电阻R L 增大时,电压放大倍数||||o us sU A U 。

5).负载电阻R L 减小时,输出电阻R o 。

6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下测得A 的输出电压小。

这说明A 的 。

A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小7.三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. A. a B. 1+β C. β8.如图1所示的电路中的三极管为硅管,β=50,通过估算,可判断电路工作在______区。

第2章-基本放大电路习题及答案

第2章-基本放大电路习题及答案第2章基本放大电路一、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论)1 在基本放大电路的三种组态中:①输入电阻最大的放大电路是;②输入电阻最小的放大电路是;③输出电阻最大的是;④输出电阻最小的是;⑤可以实现电流放大的是;⑥电流增益最小的是;⑦可以实现电压放大的是;⑧可用作电压跟随器的是;⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是;⑩可以实现功率放大的是。

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是。

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真 D.频率失真3 晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的。

A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性4 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,12当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是 。

A .饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真5 对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大,B.减小,C.不变),选择正确的答案填入空格。

1).R b 减小时,输入电阻R i 。

2).R b 增大时,输出电阻R o 。

3).信号源内阻R s 增大时,输入电阻R i 。

4).负载电阻R L 增大时,电压放大倍数||||ouss U A U 。

5).负载电阻R L 减小时,输出电阻R o 。

6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下测得A的输出电压小。

这说明A 的 。

A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大 D.输出电阻小7.三极管的穿透电流I CEO 是集-基反向饱和电流的 倍. A. a B. 1+β C. β8.如图1所示的电路中的三极管为硅管,β=50,通过估算,可判断电路工作在______区。

第7章 基本放大电路 习题参考答案

第11章基本放大电路习题参考答案一、填空题:1. 放大电路应遵循的基本原则是:发射结正偏;集电结反偏。

2. 射极输出器具有电压放大倍数恒小于1、接近于1,输入信号和输出信号同相,并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。

3. 放大器输出波形的正半周削顶了,则放大器产生的失真是截止失真,为消除这种失真,应将静态工作点上移。

4. 放大电路有两种工作状态,当u i=0时电路的状态称为静态态,有交流信号u i输入时,放大电路的工作状态称为动态态。

在动态态情况下,晶体管各极电压、电流均包含直流静态分量和交流动态分量。

放大器的输入电阻越大,就越能从前级信号源获得较大的电信号;输出电阻越小,放大器带负载能力就越强。

二、判断题1. 射极支路接入电阻R E的目的是为了稳定静态工作点。

(对)2. 射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。

(错)3. 分压式偏置共发射极放大电路是能够稳定静态工作点的一种放大器。

(对)三、选择题:1. 在共集电极放大电路中,输出电压与输入电压的关系是(C)A、相位相同,幅度增大;B、相位相反,幅度增大;C、相位相同,幅度相似。

2. 射极输出器是典型的(C)放大器。

A、电流串联负反馈;B、电压并联负反馈;C、电压串联负反馈。

四、问答题:1. 放大电路中为什么要设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响?答:为了不失真地放大交流信号,必须在电路中设置合适的静态工作点。

若静态工作点高时,易造成饱和失真;若静态工作点设置低了时,又易造成截止失真。

2. 共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么?答:共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是将集电极电流的变化转化为电压的变化,即让输出电压u0因R C上电压的变化而改变,从而使放大电路实现电压放大作用。

五、计算题2. 已知如图8.2所示电路中,三极管均为硅管,且β=50,试估算静态值I B、I C、U CE。

解:(a )751)501(1007.012=⨯++-=B I (μA ) 75.3==B C I I β(mA )825.3)1(=+=B E I I β(mA ) 75.01825.3275.312=⨯-⨯-=CE U (V) (b) BE B B C C B CC U R I R I I U ++⨯+=)( 1610)501(2007.012)1(=⨯++-=++-=Cb BECC B R R U U I β(μA )8.0==B C I I β(mA) 84.310)016.08.0(12=⨯+-=CE U (V)。

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练习七学院 班级 姓名 学号1.图示电路中,稳压管用来为三极管提供稳定的基极偏置电压。

已知稳压管的稳定电压U Z =,I ZM =50mA ,R B =220k Ω,R E =2k Ω,R C =1k Ω,U CC =12V ,三极管为硅管(U BE =),试求三极管的集电极电流和所消耗的功率。

若欲使给定的工作电流I C =1mA ,则R E 应选择多大解:227.07.4=-=-=≈kR U U I I E BE Z C E mA ;6)21(212)(=+⨯-=+-=E C C CC CE R R I U U V 1262=⨯==CE C C U I P mW 417.07.4=-≈E R k Ω 2.分压偏置共射放大电路如图所示,已知R B1=30k Ω,R B2=10k Ω,U CC =12V ,β=80,R E1=Ω,R E2=2k Ω,R L = k Ω,R C = k Ω,R S = k Ω,设U BE =。

⑴确定静态工作点。

⑵计算输入电阻r i 和输出电阻r o 。

⑶若U o =400mV ,求信号源电压为多大o⑷当R E1=0时,信号源电压保持不变,求此时的输出电压。

解:⑴312103010212=⨯+=+=CC B B B B U R R R V V ;1.121.07.0321=+-=+-=≈E E BE B E C R R U V I I mA ;75.1380/1.1/===βC B I I μA ;08.4)21.01.5(1.112)(=++⨯-=+-=E C C CC CE R R I U U V⑵微变等效电路如图。

1.220901.1268020026200≈Ω=⨯+=+=C be I r βk Ω 34.4]1.0811.2//[10//30])1(//[//121=⨯+=++=E be B B i R r R R r βk Ω; 1.5==C o R r k Ω⑶因为: 6.171.0811.21.5//1.58034.46.034.4)1(//1=⨯+⨯-⨯+=++-+==E be CL S i i s o US R r R R R R R e u A ββ所以:7.226.17400==s e mV ⑷当R E1=0时,7.22=s e mV ,求此时的输出电压 此时,15.127.032=-=-=≈E BE B E C R U V I I mA 0.2200815.1268020026200≈Ω=⨯+=+=C be I r βk Ω2////21=≈=be be B B i r r R R r k Ω;17817.2221.5//1.58034.46.034.4//=⨯⨯-⨯+=-+==s be C L S i i s US o e r R R R R R e A u βmV =3.图示电路中,已知R B=240kΩ,U CC=12V,β=40,R C=3kΩ,三极管为硅管。

试求:⑴估算静态工作点;⑵画出微变等效电路,计算晶体管的输入电阻r be;⑶计算电压放大倍数、输入输出电阻。

(设U BE=)解:⑴==≈24012BCCB RUI50μA;2==BCIIβmA;63212=⨯-=-=CCCCCERIUU V;⑵72.07202264020026200≈Ω=⨯+=+=Cbe Irβ kΩ;⑶36.2202.072.0340=⨯⨯-=-=ibeCoUrRUβV;⑷57.1202.072.06//340//=⨯⨯-=-='ibeLCoUrRRUβV,接上负载以后,输出电压降低了,说明放大器的输出电阻越大,带负载能力越低。

4.射级输出器如图所示,已知U CC=12V,β=60,R B=560kΩ,R E=10kΩ,R L=15kΩ,R S=600Ω。

试求:⑴静态工作点Q。

TRCB C21RC+U CCuiu o++⑵画出电路的微变等效电路。

⑶输入电阻r i 、输出电阻r o 。

⑷电路的电压放大倍数A u =U o /U i 、源电压放大倍数A us =U o /e s 。

解:⑴66.910)601(5607.012)1(=⨯++-=++-≈E B BE CC B R R U U I βμA ;58.0==B C I I βmA ;2.61058.012=⨯-=-=E C CC CE R I U U V ;⑵微变等效电路如图。

图中:89.258.0266020026200≈⨯+=+=C be I r βk Ω; ⑶222)]15//10(6189.2//[560)]//)(1(//[i =⨯+=++=L E be B R R r R r β k Ω2.58602890600=+=+≈βbeo r Rs r Ω⑷992.066189.2661)//)(1()//)(1(=⨯+⨯=+++==L E be L E i o u R R r R R U U A ββ 989.066189.26612226.0222)//)(1()//)(1(=⨯+⨯⨯+=+++⨯+==L E be L E i i s o es R R r R R R Rs R e U A ββ 5.图示放大电路中,已知U CC =10V ,β=50,R B1=24k Ω,R B2=13k Ω,R C =2k Ω,R E =2k Ω,信号源R S =100Ω,E S =200mV ,三极管为硅管。

试求:⑴静态工作点;⑵输入电阻r i ;⑶求自M 点和N 点的输出电阻r oM 和r oN ;⑷求自M 点和N 点的输出电压U oM 和U oN ;⑸若信号源E S 保持不变,用同一负载R L =2k Ω分别接到M 点和N 点,求输出电压U oM 和U oN 。

解:⑴51.310132413212=⨯+=+=CC B B B B U R R R V V ;4.127.051.3=-=-=≈E BE B E C R U V I I mA ;2850/4.1/===βC B I I μA ;4.4)22(4.110)(=+⨯-=+-=E C C CC CE R R I U U V⑵微变等效电路如图。

图中:1.14.1265020026200≈⨯+=+=C be I r βk Ω; 8.7]2511.1//[13//24])1(//[//21i =⨯+=++=E be B B R r R R r β k Ω⑶ 2==C OM R r k Ω;24501100100=+=+≈βbeoN r Rs r Ω⑷5.1912002511.12508.71.08.7)1(i i oM =⨯⨯+⨯-⨯+=++-⋅+=Es R r R R Rs R U E be C ββmV ;4.1952002511.12518.71.08.7)1()1(i i oN =⨯⨯+⨯⨯+=+++⋅+=Es R r R R Rs R U E be E ββmV ;⑸R L =2k Ω接到M 点:(等效电路如图a )76.952002511.1)2//2(508.71.08.7)1(i i oM =⨯⨯+⨯-⨯+=++'-⋅+=Es R r R R Rs R U E be L ββmV ;4.1952002511.12518.71.08.7)1()1(i i oN =⨯⨯+⨯⨯+=+++⋅+=Es R r R R Rs R U E be E ββmV ;(不变)R L =2k Ω接到N 点:(等效电路如图b )T C R +U CCiu R B1++2C 1C R ER B2+3C MNu oNu oM379200)2//2(511.12508.71.08.7)//)(1(i i oM =⨯⨯+⨯-⨯+=++-⋅+=Es R R r R R Rs R U L E be C ββmV ;3.193200)2//2(511.1)2//2(518.71.08.7)//)(1()//)(1(i i oN =⨯⨯+⨯⨯+=+++⋅+=Es R R r R R R Rs R U L E be L E ββmV 。

(a ) (b )。

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