思考题与习题
习题与思考题
第一章金属切削基本知识习题与思考题1-1何谓金属切削加工？切削加工必须具备什么条件？1-2形成发生线的方法有哪几种？各需要几个成形运动？1-3何为简单成形运动和复合成形运动？各有何特点？1-4切削加工由哪些运动组成？它们各有什么作用？1-5什么是主运动？什么是进给运动？各有何特点？分别指出车削圆柱面、铣削平面、磨外圆、钻孔时的主运动和进给运动。
1-6什么是切削用量三要素？在外圆车削中，它们与切削层参数有什么关系?1-7车刀正交平面参考系由哪些平面组成？各参考平面是如何定义的？1-8刀具的基本角度有哪些？它们是如何定义的？角度正负是如何规定的？1-9用高速钢钻头在铸铁件上钻φ3与φ30的孔，切削速度为30m/min。
试问钻头转速是否一样？各为多少？1-10工件转速固定，车刀由外向轴心进给时，车端面的切削速度是否有变化？若有变化，是怎样变化的？1-11切削层参数包括哪几个参数？1-12切削方式有哪几种？1-1345º弯头车刀在车外圆和端面时，其主、副刀刃和主、副偏角是否发生变化？为什么？如图1-22所示，用弯头刀车端面时，试指出车刀的主切削刃、副切削刃、刀尖以及切削时的背吃刀量、进给量、切削宽度和切削厚度。
1-14试绘出外圆车刀切削部分工作图。
已知刀具几何角度为：90=rκ，10'=rκ，15=oγ， 8'==ooαα， 5+=sλ。
1-15试述刀具的标注角度与工作角度的区别。
为什么横向切削时，进给量不能过大？1-16影响刀具工作角度的主要因素有哪些?1-17在CA6140机床上车削直径为80mm，长度180mm 的45钢棒料，选用的切削用量为a p=4mm；f=0.5mm/r；n=240r/min。
试求：①切削速度；②如果kr=45º, 计算切削层公称宽度b D、切削层公称厚度h D、切削层公称横截面积A D。
图1-22 题1-13第二章金属切削过程习题与思考题2-1金属切削过程的本质是什么?2-2如何划分切削变形区？三个变形区各有何特点？它们之间有什么关联?2-3切削变形用什么参数来表示?2-4常见的切屑形态有哪几种？一般在什么情况下生成？如何控制切屑形态？2-5什么是积屑瘤？积屑瘤形成的原因和条件是什么？积屑瘤对切削过程有哪些影响？如何抑制积屑瘤的产生？生产中最有效的控制积屑瘤的手段是什么？2-6金属切削过程中为什么会产生切削力？车削时切削合力为什么常分解为三个相互垂直的分力来分析？试说明这三个分力的作用。
习题和思考题答案
习题和思考题答案习题和思考题答案第⼀章单⽚机概述1. 第⼀台电⼦数字计算机发明的年代和名称。
1946年、ENIAC。
2. 根据冯·诺依曼提出的经典结构，计算机由哪⼏部分组成？运算器、控制器、存储器、输⼊设备和输出设备组成。
3. 微型计算机机从20世纪70年代初问世以来，经历了哪四代的变化？经历了4位、8位、16位、32位四代的变化。
4. 微型计算机有哪些应⽤形式？系统机、单板机、单⽚机。
5. 什么叫单⽚机？其主要特点有哪些？单⽚机就是在⼀⽚半导体硅⽚上，集成了中央处理单元（CPU）、存储器（RAM、ROM）、并⾏I／O、串⾏I／O、定时器/计数器、中断系统、系统时钟电路及系统总线的⽤于测控领域的微型计算机，简称单⽚机。
单⽚机技术易于掌握和普及、功能齐全，应⽤⼴泛、发展迅速，前景⼴阔、嵌⼊容易，可靠性⾼。
6. 举例说明单⽚机的应⽤？略7. 当前单⽚机的主要产品有哪些？各⾃有何特点？MCS是Intel公司⽣产的单⽚机的系列符号，MCS-51系列单⽚机是Intel公司在MCS-48系列的基础上于20世纪80年代初发展起来的，是最早进⼊我国，并在我国应⽤最为⼴泛的单⽚机机型之⼀，也是单⽚机应⽤的主流品种。
其它型号的单⽚机：PIC单⽚机、TI公司单⽚机、A VR系列单⽚机。
8. 简述单⽚机应⽤系统的开发过程。
（1）根据应⽤系统的要求进⾏总体设计总体设计的⽬标是明确任务、需求分析和拟定设计⽅案，确定软硬件各⾃完成的任务等。
总体设计对应⽤系统是否能顺利完成起着重要的作⽤。
（2）硬件设计根据总体设计要求设计并制作硬件电路板（即⽬标系统），制作前可先⽤仿真软件（如Proteus软件）进⾏仿真，仿真通过后再⽤硬件实现并进⾏功能检测。
（3）软件设计软件编程并调试，⽬前⼀般⽤keil软件进⾏设计调试。
调试成功后将程序写⼊⽬标单⽚机芯⽚中。
（4）综合调试进⾏硬软件综合调试，检测应⽤系统是否达到设计的功能。
9. 说明单⽚机开发中仿真仪的作⽤。
第一章 思考题和习题
第一章思考题和习题1. 300K时硅的晶格常数a=5.43A，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。
3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。
4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。
5. 证明本征半导体的本征费米能级Ei位于禁带中央。
6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。
7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,kT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：（a）计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流子浓度。
（b） 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s，计算本征硅的电阻率是多少？8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷，求室温下的载流子浓度及费米能级E FN的位置（分别从导带底和本征费米能级算起）。
9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼，求室温下的载流子浓度及费米能级E FP的位置（分别从价带顶和本征费米能级算起）。
10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。
11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅，室温下计算：（a）光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子，是否为小注入？为什么？（b）附加光电导率△σ为多少？（c）画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置示意图。
（d）画出平衡下的能带图，标出E C、E V、E FP、E i能级的位置，在此基础上再画出光注入时，E FP’和E FN’，并说明偏离E FP的程度是不同的。
12. 室温下施主杂质浓度N D=4×1015cm-3的N型半导体，测得载流子迁移率μn=1050cm2/V·s，μp=400cm2/V·s, kT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少？。
C 语言 习题及思考题
习题及思考题1．思考题（1）请描述头结点、头指针、首元结点之间的区别？（2）顺序存储与链式存储有何异同？各适用于什么场合？（3）在多项式加法运算中，如果要求在创建时自动创建一个有序链表，应如何修改程序？2．选择题（1）以下关于链式存储结构的描述中，（）是不正确的。
A. 不必事先估计存储空间的大小B. 逻辑上相邻的结点物理上不必相邻C. 可以通过计算直接确定第i个结点的地址D. 插入删除方便，不必移动结点（2）某线性表中最常用的操作是存取序号为i的元素和在最后进行插入删除运算，则采用（）存储方式时间性能最好。
A.双向链表B.双向循环链表C. 单向循环链表D.顺序表（3）假设带头结点的单向循环链表的头指针为head,则该链表为空的判定条件是（）A.head= =NULLB.head–>next= =NULLC.head!=NULLD.head–>next= =head（4）已知一个单链表中，指针q指向指针p的前驱结点，若在指针q所指结点和指针p所指结点之间插入指针s所指结点，则需执行（）A. q→next=s；p→next=s；B.q→next=s；s→next=p；C. q→next=s；q→next=p；D.q→next=s；s→next=q；（5）设顺序表有19个元素，第一个元素的地址为200，且每个元素占3个字节，则第14个元素的存储地址为()A.236B.239C.242D.245（6）在线性表的下列运算中，不改变数据元素之间结构关系的运算是（）A．插入B．删除C．排序D．定位（7）在双向链表指针p的结点前插入一个指针q的结点操作是（）。
A. p->prior=q;q->next=p;p->next->prior=q;q->prier=q；B. p->prior=q;p->prior->next=q;q->next=p;q->prior=p->prior;C. q->next =p;q->prior=p->prior;p->prior->next=q;p->prior=q;D. q->prior=p->prior;q->next=q;p->prior=q;p->prior->nex=q;（8）线性表采用链式存储结构时，要求内存中可用存储单元的地址( )A. 必须是连续的B. 必须是部分连续的C. 一定是不连续的D. 连续和不连续都可以（9）带头结点的单链表head为空的判定条件是（）A．head == NULL B．head->next == NULLC．head->next == head D．head != NULL（10）在长度为n的顺序表的第i(1≤i≤n+1)个位置上插入一个元素，元素的移动次数为( )A.n-i+1B.n-iC.iD.i-1（11）对于只在表的首、尾两端进行插入操作的线性表，宜采用的存储结构为( )A.顺序表B.用头指针表示的单循环链表C.用尾指针表示的单循环链表D.单链表（12）在双向链表存储结构中，删除p所指结点时须修改指针（）A. p->next->prior=p->prior;p->prior->next=p->next;B. p->next=p->next->next;p->next->prior=p;C. p->prior->next=p;p->prior=p->prior->prior;D. p->prior=p->next->next;p->next=p-->prior->prior;（13）在双向循环链表中，在p指针所指的结点后插入一个指针所指向的新结点，其修改指针的操作是（）A. p->next=q;q->prior=p;p->next->prior=q;q->next=q;B. p->next=q;p->next->prior=q;q->prior=p;q->next=p->next;C. q->prior=p;q->next=p->next;p->next->prior=q;p->next=q;D. q->next=p->next;q->prior=p;p->next=q;p->next=q;3．判断题（1）通常单链表的存取必须从头指针开始。
思考题和习题解答
2-1 什么叫负荷曲线？有哪几种？与负荷曲线有关的物理量有哪些？答：负荷曲线是表征电力负荷随时间变动情况的一种图形，反映了用户用电的特点和规律。
负荷曲线按负荷的功率性质不同，分有功负荷和无功负荷曲线；按时间单位的不同，分日负荷曲线和年负荷曲线；按负荷对象不同，分用户，车间或某类设备负荷曲线。
与负荷曲线有关的物理量有：年最大负荷和年最大负荷利用小时；平均负荷和负荷系数。
2-2 什么叫年最大负荷利用小时？什么叫年最大负荷和年平均负荷？什么叫负荷系数？ 答：年最大负荷利用小时是指负荷以年最大负荷m ax P 持续运行一段时间后，消耗的电能恰好等于该电力负荷全年实际消耗的电能，这段时间就是最大负荷利用小时。
年最大负荷m ax P 指全年中负荷最大的工作班内（为防偶然性，这样的工作班至少要在负荷最大的月份出现2～3次）30分钟平均功率的最大值，因此年最大负荷有时也称为30分钟最大负荷30P 。
负荷系数L K 是指平均负荷与最大负荷的比值。
2-3 什么叫计算负荷？为什么计算负荷通常采用30min 最大负荷？正确确定计算负荷有何意义？ 答：计算负荷是指导体中通过一个等效负荷时，导体的最高温升正好和通过实际的变动负荷时产生的最高温升相等，该等效负荷就称为计算负荷。
导体通过电流达到稳定温升的时间大约为(3~4)τ，τ为发热时间常数。
对中小截面的导体，其τ约为10min 左右，故截流倒替约经 30min 后达到稳定温升值。
但是，由于较大截面的导体发热时间常数往往大于10min ，30min 还不能达到稳定温升。
由此可见,计算负荷 Pc 实际上与30min 最大负荷基本是相当的。
计算负荷是供电设计计算的基本依据。
计算负荷的确定是否合理，将直接影响到电气设备和导线电缆的选择是否合理。
计算负荷不能定得太大，否则选择的电气设备和导线电缆将会过大而造成投资和有色金属的浪费;计算负荷也不能定得太小，否则选择的电气设备和导线电缆将会长期处于过负荷运行，增加电能损耗，产生过热，导致绝缘体过早老化甚至烧毁。
习题和思考题
《无机材料科学基础》习题和思考题第一章晶体1.球体按立方最紧密堆积方式堆积，取出立方晶胞，画出立方晶胞中的四面体空隙和八面体空隙的位置分布图。
2.用鲍林规则分析氧化镁晶体结构。
已知镁离子半径为0.65Å，氧离子半径为1.40Å。
（1）确定晶胞中质点的位置坐标；（2）计算每个晶胞中含氧化镁“分子”数，（3）已知晶胞常数a=4.20 Å，求氧化镁堆积系数和密度，（4）氧化镁晶体中最邻近的两个镁离子中心距为多少？次邻近的两个镁离子中心距为多少？最邻近和次邻近的两个氧离子中心距为多少？（5）画出氧化镁晶胞的（111）、（110）、（100）面的质点分布图并在图上标出氧离子的密排方向，求个面的面密度。
3．已知纤锌矿结构中存在两套硫离子和两套锌离子的六方底心格子，并已知锌离子填充在硫离子最紧密堆积体的四面体空隙中，现以一套硫离子的等同点为基准取六方晶胞，画出晶胞中的质点分布图，计算晶胞中所含式量分子数。
4．完成下表5. 六方最紧密堆积与四方最紧密堆积的堆积密度相同，为什么许多氧化物是以氧离子的立方最紧密堆积为基础，而较少以六方最紧密堆积为基础？6. 用鲍林规则分析镁橄榄石的结构：P48 图2-18（1）标记为50的Mg2+与哪几个氧离子配位形成[MgO6]八面体？写出O2+的标高；（2）标记为25的两个O2+与哪几个镁离子配位？写出Mg2+离子的标高；（3）标记为75的O2+离子与哪几个镁离子配位？写出Mg2+离子的标高；（4）标记为0和50的两个Mg2+的[MgO6] 八面体共用几个顶点？写出O2+的标高；（5）[SiO4] 和 [MgO6] 之间、[MgO6]和[MgO6] 八面体之间有那些连接方式？（6）镁橄榄石的晶胞是什么形状？计算晶胞中含有的式量分子数。
第二章晶体缺陷1.氧化镁为氯化钠型结构，氧化锂为反萤石型结构，在两种结构中氧离子都作立方最紧密堆积，为什么在氧化镁中主要的热缺陷是肖特基型，而在氧化锂中却是弗伦克尔型？萤石型结构的氧化物晶体中常见的热缺陷估计主要是什么类型？为什么？2.已知氯化钠晶体中肖特基缺陷形成焓为2.2ev，而氧化镁晶体中肖特基缺陷形成焓为6ev，试分别计算400℃时氯化纳晶体与氧化镁晶体中肖特基缺陷的浓度。
习题及思考题
习题及思考题1.何谓热电现象？产生热电现象的原因是什么？热电偶回路中的总热电势如何表示？2.为什么要对热电偶的参比端温度进行处理？常用的处理方法有几种？3.何谓补偿导线？为什么要规定补偿导线的型号和极性？在使用中应注意哪些问题？4.试用热电偶原理分析：（1）补偿导线的作用；（2）如果热电偶已选择了配套的补偿导线，但连接时正负极接错了，会造成什么测量结果？5.铂铑10-铂热电偶配用动圈表测量炉温。
设动圈表内阻R内=300Ω，在常温下外线电阻R外=15Ω，其中R调=5Ω。
如果被测炉温是1000℃，此时热电偶电阻比常温增加了3Ω（即外线电阻变为18Ω）。
问此时测量指示值产生的相对误差（相对于被测炉温）是多少？怎样消除这一影响？6.用电子电位差计配热电偶（假定其热电特性是线性的）进行温度测量，室温为20℃，仪表指示300℃。
问此时测量桥路输出的电压等于下列情况中的哪一种？7.第一种情况：热电偶在300℃时的电势；8.第二种情况：热电偶在280℃时的电势；9.第三种情况：等于0。
10.镍铬-镍硅热电偶与电子电位差计配套测温，热电偶自由端温度t0=42℃；如果不采用补偿线而采用普通铜线进行热偶与表之间的连接，设仪表接线端子处（即自由端温度补偿电阻附近）的温度测得为t0=28℃。
求电子电位差计指示在385℃时，由于不用补偿导线所带来的误差是多少？11.热电阻温度计为什么要采用三线制接法？为什么要规定外阻值？12.对于现场已安装好的热电阻的三根连接导线，在不拆回的情况下，如何测试每根导线的电阻值？13.某电阻炉温度在450±50℃范围内波动，要求测量误差不超过±6℃，并能自动记录。
试选配一套测温仪表满足上述要求，应写出测量元件名称、分度号、显示仪表名称、测温范围和准确度等。
14.选择接触式测温仪表时，应考虑哪些问题？感温元件的安装应按照哪些要求进行？15.对管内流体进行温度测量时，测温套管的插入方向取顺流的还是逆流的？为什么？16.用双热电偶测量炉膛屏式过热器后的温度。
思考题及习题
思考题及习题一、解释名词晶体、晶格、晶胞、固溶体、过冷度、细晶强化、加工硬化、再结晶、组元、相、组织、固溶强化、弥散强化、铁素体、奥氏体、渗碳体、珠光体、莱氏体、马氏体、共析转变、共晶转变、淬透性、淬硬性、正火、退火、淬火、回火、渗碳，表面淬火。
二、填空题1．滑移的本质是( )。
2. 常见金属的晶体结构有（）、（）与（）。
3. 晶体缺陷主要可分为（）,（）和面缺陷三类。
4. 面缺陷主要指的是（）和（）。
5. 最常见的线缺陷有（）和（）。
6．细化晶粒的主要方法有（）和（）。
7．纯铁在1200℃时晶体结构为（），在800℃时晶体结构为（）。
8．金属的结晶过程是（）与（）的过程。
9．在工业生产中，金属的晶粒形状大都呈（）状。
10．晶粒的大小取决于（）速率与（）速率。
11．钨在1000℃变形加工属于（）加工，锡在室温下变形加工属于（）加工。
（钨的熔点3410℃、锡的熔点232℃）。
12．随着冷变形程度的增加，金属材料的强度、硬度（），塑性、韧性（）。
13．根据溶质原子在溶剂晶格中分布情况的不同，可将固溶体分为（）和（）。
14．固态合金的基本相结构有（）和（）两种类型。
15．工业金属材料大多是由两相组成，为获得良好的综合力学性能；其中用（）作为基体，以获得（）；用（）作为强化相，以获得（）。
16．珠光体是（）和（）混合在一起形成的机械混合物。
17．碳溶解在（）中所形成的（）称为铁素体。
18. 在Fe-Fe3C 相图中，共晶点的含碳量为（），共析点的含碳量为（），共晶转变温度是（），共析转变温度是（），共晶转变所得的组织是（），共析转变所得的组织是（）。
19. 低温莱氏体是（）和（）组成的机械混合物。
20. 高温莱氏体是（）和（）组成的机械混合物。
21．碳在奥氏体中的溶解度随温度而变化，在1148℃时溶解度为（）％，在727℃时达（）％。
22．奥氏体和渗碳体组成的共晶组织称为（），其含碳量为（）％，当温度低于727℃，转变为珠光体加渗碳体，又称为（）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
学习情景五思考与训练题
1. 轴类零件加工中，常以顶尖孔作为定位基准，试分析其优点。
对顶尖孔有哪些要求，若顶尖孔产生形状误差时对工件精度有什么影响，若工件是空心的，如何实现加工过程中的定位？
2. 轴类零件加工常采用哪些热处理工序，在加工过程中怎样安排热处理工序？
3. 车削时，克服细长工件的热变形可采取哪些措施？
4. 丝杠从毛坯到成品，在加工过程中，为什么需进行多次热处理？
5. 减小夹紧力对薄壁套筒变形影响的措施有哪些？
6. 齿轮加工中定位基准如何选择？精基准如何进行修整？
7. 齿轮的典型加工工艺过程由哪几个加工阶段所组成？其中毛坯热处理与齿面热处理各起什么作用？应安排在工艺过程的哪一阶段？
8. 根据箱体件的特点，粗基准选择时应考虑哪些主要问题？生产批量小时用划线工序能否满足上述要求？生产批量大时又应如何正确选用粗基准？
9. 箱体零件加工中安排热处理工序起什么作用？应安排在工艺过程的哪个阶段较合适？
10. 编写图2-55所示小轴零件的机械加工工艺过程。
生产类型：大批生产；零件材料：45钢
11. 编写图2-57所示双联齿轮零件机械加工工艺过程。
生产类型：单件小批生产；零件材料：45钢
12. 编写图2-58所示中型外圆磨床尾座机械加工工艺过程。
生产类型：中批生产；零件材料：HT200。
图1
图2
图2
图3
图3。