模拟电子线路期末试题及其答案(两套)[1]
(完整版)模拟电路考试题及答案
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。
(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。
（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
中职中专《电子线路》期末考试试卷和答案一
XXXX 学院（XX 中专）2020-2021学年度第一学期期末考试XX 级《电子线路》试卷使用班级：XX 计算机一、选择题（15小题，每题2分，共计30分）1.如图所示，V 为理想二极管，则A 、B 两端的电压为（ ） A.6V B.-6VC.12VD.-12V2.单相全波整流电路中，负载电阻R L 上平均电压等于 （ ） A.0.9V 2 B.0.45V 2 C.V 2 D.1.1V 23.某三极管有A 、B 、C 三个电极，工作在放大状态，且测得各电极的电位分别为：V A =-4V ，V B =-3.3V ，V C =-8V ，则该三极管为（ ）。
A.PNP 型锗管B.NPN 型硅管C.PNP 型硅管D.NPN 型锗管4.晶体二极管从反向截止到正向导通所需时间为t 1从正向导通到反向截止所需时间为t 2，则t 1与t 2的关系是( )。
A.t 1=t 2B.t 1>>t 2C.t 1<<t 2D.不能确定 5.如图所示电路，从电灯亮的角度出发实现的功能是 。
（ ） A. Y=A ·B B.Y=A+B C. B A Y •= D.B A Y +=6.与非门的输入和输出的逻辑关系是 。
（ ） A.有1出0，全0出1 B.有0出1，全1出0 C.相同出1，不同出0 D.不同出1，相同出07.逻辑函数式C B A ABC F +++=的化简后的表达式或逻辑值为 。
（ ） A. ABC B. ABC C. 0 D. 1系部 专业 班级 姓名 考试号 ―――――――――――――――――――――――――装―――――――订―――――――线――――――――――――――――答 题 不 得 超 过 此 装 订 线≥1 &8.与非逻辑对应的逻辑图是。
（）A. B.C. D.9.如图所示的波形图表示的逻辑关系是。
（）A.F=BA⋅B.F=A+BC.F=BA⋅D.F=BA+10. 二进制数字“10110”用十进制表示为。
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
模拟电子线路期末试题和答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1 •由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 ___________________ 性。
2、 双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 ________________________________ 。
3. _______________________________________________ 从信号的传输途径看，集成运放由 ___________________________________________________ 、 _____________________ 、_________________ 、 ____________________ 这几个部分组成。
4•某放大器的下限角频率 L ，上限角频率H ,贝U 带宽为Hz。
5. 共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 ________ 才能起振。
7. 电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 _____ 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 _________ 次跃变。
8. _______________________________________________ 直流稳压电源的主要组成部分是 ______________________________________________________ 、 ___________ 、、单项选择题（15分）1. ________________________________________________________ 当温度升咼时，二极管反向饱和电流将 _______________________________________________ 。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子线路期末考试题库
《模拟电子线路》题库一、判断题（每题2分，共20分）1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。
（）4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（）6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（）7、运算放大电路中一般引入正反馈。
（）8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。
（）11、晶体管的参数不随温度变化。
（）12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。
（）13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。
（）14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（）15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（）16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。
（）17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。
（）18、理想运放的共模抑制比为无穷大。
（）19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。
（）20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。
（）21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（）22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。
（）23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（）24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。
（）26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。
（）27、通常采用图解法分析功率放大电路。
（）28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。
【强烈推荐】电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。
A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。
A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。
模拟电子线路基础考试题库含答案
模拟电子线路基础考试题库含答案1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()正确错误(正确答案)2.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
()正确荀吴(正确选项)3.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
() 正确(V)琢吴4•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
()正确(正确选项)琢吴5.晶体管的参数不随温度变化。
()正确荀吴(正确答案)6•集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
（）正确葡吴（正确选项）7•理想运放的共模抑制比为无穷大。
（）正确（正确答案）荀吴8•产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（）正确（正确选项）琢吴9.运算放大电路中一般引入正反馈（）正确荀吴3）10电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（）正确荀吴（正确答案）口.本征半导体遍度升高后,两种载流子浓度还是相等。
（）正确（V）琢吴12•参数理想对称的差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。
（）正确（正确选项）荀吴13•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）正确（正确选项）撕吴14•运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。
（）正确葡吴3）15•放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（）正确（正确答案）荀吴16.负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）正确葡吴（正确答案）17•使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（）正确荀吴（正确选项）18•利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（）正确（正确选项）琢吴19•集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（）正确（正确选项）琢吴20•零点漂移就是静态工作点的漂移。
（）正确（正确答案）荀吴21.本征半导体遍度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（）正确（正确答案）23.场效应管的工作原理是输入电压控制输出电流。
（）正确（V）間天24.三极管放大电路共有两种组态，分别为共基组态和共射组态。
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《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。
[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小10[ ] A、C、D三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。
（12分）（A）（B）（C）四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。
（8分）（A）（B）五、综合题（50分）1．（6分）稳压管稳压电路如图所示。
已知稳压管稳压值为V Z =6V ，稳定电流范围为I Z =5～20mA ，额定功率为200mW ，限流电阻R=500Ω。
试求：（1） 当?1,200=Ω==V K R V V L i 时， （2） 当?100,200=Ω==V R VV L i 时，2、（14分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段C 1、C 2、C 3对交流短路， 已知：V CC =12V 、R 1=150K Ω 、R 2=150K Ω、R C =5.1K Ω、R e =2K Ω、R L =10K Ω、β=100、C 1=C 2=C 3=10μF 、C μ=5PF(即C bc ) 、 f T =100MH Z 、V BE =0.7V 、 r bb ’=200Ω， 试求：（1）放大电路的Q 点参数； （2）画出交流小信号等效电路，求O i V R R A ,,的值； （3）求电路上限频率H f ；（4）若C 2断开，将对Q 点，O i V R R A ,,产生何种影响？3、 （10分）OCL 功率放大电路如图，其中A 为理想运放。
已知V V V VCES CES 121==，R L =8Ω。
（1）求电路最大输出功率OMAX P （2）求电路电压放大倍数iOV V V A ==？ （3）简述D 1 、D 2的作用4、（10分）判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性地作出V O1，V O2处的波形。
D Z1，D Z2的稳压值均为V Z（注：各运放为理想运放，已加电）.5、（10分）如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设T1T2工作在放大区(忽略其直流偏置)，R C1=R C2=2KΩ，R1=2KΩ，R3=10KΩ，R b1=R b2=2KΩ，R e=5.1K Ω，R f=10KΩ，β1=β2=100，r be1=r be2=1kΩ试求：⑴当S断开时，电路的增益A V=V O/V I=？⑵当S闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益A VF=？《模拟电子技术基础》期末试题〔A〕参考答案一、填空题1、单向导电性2、V BE > 0V BC < 03、共集电极、共基极电路共集电极路 共基极电路4、输入级、中间级、输出级、偏置电路5、2H Lωωπ- 6、静态电阻小，交流电阻大 7、2n φπ=38、一次一次9、电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路 二、单项选择题1、（A ）2、（B ）3、（C ）4、（A ）5、（D ）6、（C ）7、（B ） 8、（B ）9、（D ）10、（C ）三、判断题（1） A 图 不能放大交流信号，改正：去掉C 1，将+V CC 改为-V CCB 图 能够放大交流信号 （2） A 图 电流串连负反馈B 图 电流并联正反馈 四、综合题1、解：① 假设D z 能稳压，设V 0 = 6V有2061428500500R V I mA -===Ω 062828221DZ R RL L V VI I I mA mA mA R K =-=-=-=Ω226132200DZ DZ DZ P I V mA V mA mW ∴=⋅=⋅=<∴D Z 能稳压，V 0 = 6V ②假设D z 能稳压，V 0 = 6V20628500R VI mA -==Ωcc 660100RLVI mA==286032DZ R RLI I I mA mA mA∴=-=-=-∴D Z不能稳压，又工作在反偏条件下，视为断路。
0210020 3.3500100LLRV V VR R∴==⨯=++2、解：①画出直流通路求Q点参数得：12(1)()()CC BQ C E BEQ BQV I R R V I R Rβ=+⋅++++12120.711.3(1)()()100(52)300CC BEQCCC EV V V VV AR R R R Kμβ-+∴===++++++(1)10011.3 1.13EQ BQI I A mAβμ=+=⨯=(1)()12 1.137 4.09CEQ CC BQ C EV V I R R V Vβ=-++=-⨯=26(1)100 2.31.13Tb eEQV mVr KI mAβ'=+=⨯=Ω200 2.3 2.5be bb b er r r K K''=+=Ω+=Ω②画出小信号等效电路如图所示，并据此求出A V、R i、R02////150//5//10991322.5C LVbeR R R K K KAr Kβ=-=-⨯=-1//150//2.5 2.46i beR R r K K K===ΩV V O2//150//5 4.84o C R R R K K K ===Ω③画出混合π等效电路，求上限载止频率f H ：99100,432.3T b ef MHz gm ms r Kβ'====且 64.368.52 6.2810010T gm msG pF f ππ∴===⨯⨯ (1)68(143150//5//10)578L C C gmR C pF K K K pF pFπμπ''=++=++⨯⨯=1//() 2.3//(0.2150) 2.3T b e bb R r r R K K K K ''=+=+=412118.775102 6.28 2.3860.51087.75H T f Hz R C K KHzππ-∴===⨯'⨯⨯⨯=④若C 2断开，对Q 点无影响，但R 1、R 2构成电压并联负反馈则V A ↓、i R ↓、0R ↓3、解：由电路看，A 为同相比例放大电路，后级为OCL 功率放大电路，则①22max()(121)7.56228CC CES o L V V V P W R --===⨯Ω②0010011(1)110(1)162F V i i V V V R A V V V R KK==⋅=+⋅=+⨯=③D 1、D 2的作用是消除交越失真V O -4、答：电路中A 1为方波发生器电路，后级A 2为反相积分电路，这一电路的功能是作波形产生与变换，可以将方波变换为三角波。
其中V 01、V 02的波形如下：5、解：① 当S 断开时，反馈不存在，电路为一差放和一反相放大器的级联其中：11111002//2202220.5L V b be R K K A R r K β'-⨯=⋅=-⨯=-++211052f V R KA R K=-=-=- 012100V V V iV A A A V ∴==⋅= ②当S 闭合时，R f 起电压串联负反馈作用，在温度负反馈条件下：1Vf fA R = 22212211b f b f R K R R R K ===+111V fA R ∴==《模拟电子技术基础（二）》期末试题〔A〕一、单项选择题（24分,每空1.5分）（请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内）1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。