EMI传导与辐射超标整改方案
开关电源EMI辐射超标整改方案
开关电源EMI辐射超标整改方案作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
具体各个频率点超标解决方案如下：1MHz以内：以差模干扰为主1.增大X电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）。
1M-5MHz：差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；5MHz：以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。
1M-5MHZ：差模共模混合，采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，1.对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
5MHz以上：以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20M-30MHz：1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
电源EMI传导辐射实际整改经验总结（绝对值得）
电源EMI传导辐射实际整改经验总结（绝对值得）第一篇：电源EMI传导辐射实际整改经验总结(绝对值得)1、在反激式电源中，Y电容接初级地与次级地之间在20MHZ时，会比Y电容接在高压与次级地之间高5dB左右。
当然也要视情况而定。
2、MOS管驱动电阻最好能大于或等于47R。
降低驱动速度有利于改善MOS管与变压器的辐射。
一般采用慢速驱动和快速判断的办法。
3、若辐射在40MHZ-80MHZ之间有些余量不够，可适当地增加MOS管DS之间的电容值，以达到降低辐射量的效果。
4、若在输入AC线上套上磁环并绕2圈，有降低40-60MHZ之间辐射值的趋势，那么在输入EMI滤波部分中串入磁珠则会达到同样的效果。
如在NTC电阻上分别套上两个磁珠。
5、在变压器与MOS管D极之间最好能串入一个磁珠，以降低MOS管电流的变化速度，又能降低输出噪音。
6、电源输入AC滤波部分，X电容放在共模电厂的那个位置并不重要，注意布线时要将铜皮都集中于X电容的引脚处，以达到更好的滤波效果，但X电容最好不要与Y电容连接在同一焊点。
7、在300W左右的中功率电源中，其又是由几个不同的电源部分组成，一般采用三极共模电感。
第一级使用100UH-3MH左右的双线并绕锰锌磁环电感，其后再接Y电容，第二级与第三级可使用相同的共模电感，需要使用的电感量并不要求很大，一般10MH左右就能达到要求。
若把Y电容放在第二级与第三级之间，效果就会差一些。
如果采用两级共模滤波，秕一级电感量适当取大些，1.5-2.5MH左右。
8、如果采用三级，第一级电感量适当取小些，在200UH-1MH 之间。
测试辐射时，最好能在初次级之间的Y电容套上磁珠。
如果用三芯AC输入线，在黄绿地线上也串磁环，并绕上两到三圈。
9、在二极管上套磁珠，一般要求把磁珠套在其电压变化最剧烈的地方，在正端整流二极管中，其A端电压变化最剧烈。
10、实例分析：一台19W的二合一电源，在18MH左右处有超过QP值7dB，前级采用两级共模滤波方法和一个X电容，无论怎样更改滤波部分，此处的QP值总是难以压下来。
emi辐射超标的解决方法
emi辐射超标的解决方法
当电磁辐射超标时，我们可以采取一些措施来减少辐射的影响。
首先，我们可以采取一些简单的个人防护措施，比如远离辐射源、
减少使用无线设备、保持距离等。
此外，我们也可以对辐射源进行
屏蔽，比如使用专门的屏蔽材料或器件来减少辐射的传播。
另外，
对于一些特定的辐射源，比如手机基站或微波炉等，可以采取技术
手段来优化设备，减少辐射的产生和传播。
同时，定期的辐射监测
和评估也是非常重要的，可以帮助我们及时发现辐射超标的问题，
并采取相应的措施加以解决。
最后，政府和相关部门也应该加强对
电磁辐射超标问题的监管和管理，确保公众的健康和安全。
综上所述，针对电磁辐射超标问题，我们可以通过个人防护、设备屏蔽、
技术优化、定期监测和政府监管等多种途径来解决。
希望这些方法
能够对你有所帮助。
pcb辐射超标的整改例子
在PCB（印刷电路板）设计中，辐射超标指的是电路板在工作时发出的电磁干扰（EMI）超出了规定的标准。
电磁兼容（EMC）问题会影响电路的正常工作，甚至可能对周围设备产生干扰。
因此，设计时需采取一系列措施来降低辐射并确保产品符合相关EMC法规。
整改PCB辐射超标的例子包括：1. 优化布局和布线减少高速信号的回路面积：高速信号的布线应该尽量短并且避免大回路，因为大的回路面积会增加辐射。
使用地平面：在高速信号线下方使用地平面可以大幅降低辐射。
差分信号：使用差分信号对进行高速数据传输，因为差分信号的电磁场会互相抵消，从而降低辐射。
2. 使用去耦和旁路电容在电源线路上使用去耦电容，可以降低电源噪声和开关噪声，减少辐射。
3. 控制阻抗和终端匹配确保信号线的阻抗连续，并且在线路的两端使用恰当的终端匹配，以减少反射和辐射。
4. 屏蔽金属屏蔽罩：对高辐射的元件或区域使用金属屏蔽罩。
屏蔽层：在多层PCB中，使用内部层作为屏蔽层可以降低辐射。
5. 过滤设计合适的滤波器：在信号进出口处使用滤波器可以抑制高频噪声，防止其辐射出去。
6. 控制时钟信号时钟信号是辐射的主要来源，应当尽量减少时钟线路的长度，避免时钟线路与I/O 线路并行。
7. 分区将模拟和数字部分分开，并且使它们的地平面分开连接到主地，以减少相互干扰。
实施案例假如有一款PCB产品在测试时发现辐射超标，工程师可能会采取以下步骤进行整改：1. 识别问题源：使用频谱分析仪识别产生辐射的主要频段。
2. 测量和评估：确定辐射超标的严重程度和辐射源的位置。
3. 修改设计：根据上述整改措施，修改PCB设计，重点关注高速信号的布局和布线。
4. 原型测试：制作修改后的PCB原型，并进行EMC测试。
5. 验证整改效果：如果测试结果符合标准，则继续进行生产；如果仍有问题，则需要进一步修改和测试。
每一个整改措施都需要在设计的早期阶段考虑，以避免在后期需要进行昂贵的重新设计和测试。
此外，整改过程可能涉及多次迭代，每次都需要重新测试来验证改进的效果。
emi整改小结
EMI整改小结一、引言随着电子设备的广泛应用，电磁干扰（EMI）问题日益严重，对人们的生活和工作产生了不良影响。
为了保障电子设备的正常运行和降低电磁辐射对人体的危害，我们进行了一系列的EMl整改工作。
本文将对整改过程、成果及经验教训进行简要总结。
二、整改背景近年来，我公司生产的电子设备在市场上反映存在电磁干扰问题，客户投诉率较高，影响了公司声誉和市场占有率。
经过初步分析，我们发现电磁干扰主要来源于电源设计、线路布局和接地处理等方面。
为了提高产品质量和客户满意度, 我们决定对EMI 问题进行全面整改。
三、整改目标本次整改的主要目标是降低电子设备的电磁辐射水平，使之符合国家相关标准和客户要求。
具体目标包括：1.优化电源设计，降低电源噪声；2.改进线路布局，减少信号干扰；3.完善接地处理，提高接地效果；4.确保整改后的产品能够通过相关认证和测试。
四、整改过程为了实现整改目标，我们采取了以下措施：1.成立专门的EMl整改小组，负责方案的制定和实施；2.对电源设计进行深入研究，采用低噪声电源芯片和滤波器等措施降低电源噪声;3.对线路布局进行重新规划，采用差分信号传输、增加屏蔽层等方式减少信号干扰；4.加强接地处理，采用多点接地、降低接地阻抗等措施提高接地效果；5.引入先进的电磁仿真软件，对整改方案进行模拟验证，确保方案的可行性；6.定期对整改过程中的问题进行汇总分析，及时调整方案并解决问题。
五、整改成果经过一系列的整改工作，我们取得了显著的成果：1.电磁辐射水平明显降低，符合国家相关标准和客户要求；2.产品质量得到显著提高，客户投诉率大幅下降；3.提升了公司在行业内的声誉和竞争力。
六、经验教训与改进建议在EMl整改过程中，我们获得了一些宝贵的经验教训：1.重视前期调研和分析工作，充分了解电磁干扰的来源和影响因素；2.制定科学合理的整改方案，确保方案的针对性和可行性；3.加强团队协作和沟通，确保整改工作的顺利进行；4.引入先进的测试设备和仿真软件，提高整改效率和准确性。
传导与辐射超标整改方案
可以解决问题
,
但垂直方向就很无奈了
开关电源的辐射一般只会影响到
100M
以下的频段
.
也可以在
MOS,
二极管上加相应吸收回路
,
但效率会有所降低。
1MHZ
以内
----
以差模干扰为主
1.
增大
X
电容量；
处产生的振荡是开关频率的
5
次谐波引起的干扰
;
0.35 MHz
处产生的振荡是开关频率的
7
次谐波引起的干扰
;
0.39 MHz
处产生的振荡是开关频率的
8
次谐波和
Mosfet
振荡
2
（
190.5KHz
）基波的迭加引起的干扰
;
8.
防止
EMI
滤波电感饱和。
9.
使拐弯节点和
次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或者开关管的散热片。
10.
保持初级电路的摆动的节点和元件本体远离屏蔽或者散热片。
11.
使高频输入的
EMI
滤波器靠近输入电缆或者连接器端。
RF
滤波器两端并联阻尼电阻。
17.
在
PCB
设计时允许放
1nF/ 500 V
陶瓷电容器或者还可以是一串电阻，跨接在变压器的初级的静端和辅助绕组之
间。
18.
保持
EMI
滤波器远离功率变压器
;
尤其是避免定位在绕包的端部。
19.
。
5M---
EMI传导与辐射超标整改方案
E M I传导与辐射超标整改方案集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#传导与辐射超标整改方案开关电源电磁干扰的产生机理及其传播途径功率开关器件的高额开关动作是导致开关电源产生电磁干扰(emi)的主要原因。
开关频率的提高一方面减小了电源的体积和重量，另一方面也导致了更为严重的emi问题。
开关电源工作时，其内部的电压和电流波形都是在非常短的时间内上升和下降的，因此，开关电源本身是一个噪声发生源。
开关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分,可分为尖峰干扰和谐波干扰两种;若按耦合通路来分,可分为传导干扰和辐射干扰两种。
使电源产生的干扰不至于对电子系统和电网造成危害的根本办法是削弱噪声发生源，或者切断电源噪声和电子系统、电网之间的耦合途径。
现在按噪声干扰源来分别说明：1、二极管的反向恢复时间引起的干扰交流输入电压经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压，经电容平滑后变为直流，但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波。
由电流波形可知，电流中含有高次谐波。
大量电流谐波分量流入电网，造成对电网的谐波污染。
另外，由于电流是脉冲波，使电源输入功率因数降低。
高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于pn结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化(di/dt)。
2、开关管工作时产生的谐波干扰功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。
例如正激型、推挽型和桥式变换器的输入电流波形在阻性负载时近似为矩形波,其中含有丰富的高次谐波分量。
当采用零电流、零电压开关时,这种谐波干扰将会很小。
另外,功率开关管在截止期间,高频变压器绕组漏感引起的电流突变,也会产生尖峰干扰。
3、交流输入回路产生的干扰无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复期间会引起高频衰减振荡产生干扰。
开关电源产生的尖峰干扰和谐波干扰能量，通过开关电源的输入输出线传播出去而形成的干扰称之为传导干扰；而谐波和寄生振荡的能量，通过输入输出线传播时，都会在空间产生电场和磁场。
电路板传导测试EMI超标的解决方案
电路板传导测试EMI超标的解决方案
案例1．系统直流供电控制盒；进行传导测试时，EMI超标；原理方案如下图：
电路板：原理方案是外部设计公司进行功能方案设计的；
输入X电容参数值103；
1．产品测试在待机状态下，没有问题测试数据如下：
2．带上24V的直流电机，系统EMI－传导测试超标如下图示：
通过上面的电控板及测试曲线的情况分析：
EMI测试超标在EMI的低频段，差模成份比较多，同时这种测试曲线图按照我的通过EMI－传导测试曲线的方法来解决问题就可以了！优化EMI滤波器是最快的方法！参考公众号的文章：《我们通过传导测试曲线就解决EMI传导问题！》。
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传导与辐射超标整改方案开关电源电磁干扰的产生机理及其传播途径功率开关器件的高额开关动作是导致开关电源产生电磁干扰(emi)的主要原因。
开关频率的提高一方面减小了电源的体积和重量，另一方面也导致了更为严重的emi问题。
开关电源工作时，其内部的电压和电流波形都是在非常短的时间内上升和下降的，因此，开关电源本身是一个噪声发生源。
开关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分,可分为尖峰干扰和谐波干扰两种;若按耦合通路来分,可分为传导干扰和辐射干扰两种。
使电源产生的干扰不至于对电子系统和电网造成危害的根本办法是削弱噪声发生源，或者切断电源噪声和电子系统、电网之间的耦合途径。
现在按噪声干扰源来分别说明：1、二极管的反向恢复时间引起的干扰交流输入电压经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压，经电容平滑后变为直流，但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波。
由电流波形可知，电流中含有高次谐波。
大量电流谐波分量流入电网，造成对电网的谐波污染。
另外，由于电流是脉冲波，使电源输入功率因数降低。
高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于pn结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化(di/dt)。
2、开关管工作时产生的谐波干扰功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。
例如正激型、推挽型和桥式变换器的输入电流波形在阻性负载时近似为矩形波,其中含有丰富的高次谐波分量。
当采用零电流、零电压开关时,这种谐波干扰将会很小。
另外,功率开关管在截止期间,高频变压器绕组漏感引起的电流突变,也会产生尖峰干扰。
3、交流输入回路产生的干扰无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复期间会引起高频衰减振荡产生干扰。
开关电源产生的尖峰干扰和谐波干扰能量，通过开关电源的输入输出线传播出去而形成的干扰称之为传导干扰；而谐波和寄生振荡的能量，通过输入输出线传播时，都会在空间产生电场和磁场。
这种通过电磁辐射产生的干扰称为辐射干扰。
4、其他原因元器件的寄生参数，开关电源的原理图设计不够完美，印刷线路板（pcb）走线通常采用手工布置，具有很大的随意性，pcb的近场干扰大，并且印刷板上器件的安装、放置，以及方位的不合理都会造成emi干扰。
这增加了pcb分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
flyback 架构noise 在频谱上的反应0.15 mhz处产生的振荡是开关频率的3次谐波引起的干扰。
0.2 mhz处产生的振荡是开关频率的4次谐波和mosfet 振荡2（190.5khz）基波的迭加，引起的干扰;所以这部分较强。
0.25 mhz处产生的振荡是开关频率的5次谐波引起的干扰;0.35 mhz处产生的振荡是开关频率的7次谐波引起的干扰;0.39 mhz处产生的振荡是开关频率的8次谐波和mosfet 振荡2（190.5khz）基波的迭加引起的干扰;1.31mhz处产生的振荡是diode 振荡1（1.31mhz）的基波引起的干扰;3.3 mhz处产生的振荡是mosfet 振荡1（3.3mhz）的基波引起的干扰;开关管、整流二极管的振荡会产生较强的干扰设计开关电源时防止emi的措施:1.把噪音电路节点的pcb铜箔面积最大限度地减小;如开关管的漏极、集电极，初次级绕组的节点，等。
2.使输入和输出端远离噪音元件，如变压器线包，变压器磁芯，开关管的散热片，等等。
3. 使噪音元件（如未遮蔽的变压器线包，未遮蔽的变压器磁芯，和开关管，等等）远离外壳边缘，因为在正常操作下外壳边缘很可能靠近外面的接地线。
4. 如果变压器没有使用电场屏蔽，要保持屏蔽体和散热片远离变压器。
5. 尽量减小以下电流环的面积：次级（输出）整流器，初级开关功率器件，栅极（基极）驱动线路，辅助整流器。
6.不要将门极（基极）的驱动返馈环路和初级开关电路或辅助整流电路混在一起。
7.调整优化阻尼电阻值，使它在开关的死区时间里不产生振铃响声。
8. 防止emi滤波电感饱和。
9.使拐弯节点和次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或者开关管的散热片。
10.保持初级电路的摆动的节点和元件本体远离屏蔽或者散热片。
11.使高频输入的emi滤波器靠近输入电缆或者连接器端。
12.保持高频输出的emi滤波器靠近输出电线端子。
13. 使emi滤波器对面的pcb板的铜箔和元件本体之间保持一定距离。
14.在辅助线圈的整流器的线路上放一些电阻。
15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻。
16.在输出rf滤波器两端并联阻尼电阻。
17.在pcb设计时允许放1nf/ 500 v陶瓷电容器或者还可以是一串电阻，跨接在变压器的初级的静端和辅助绕组之间。
18.保持emi滤波器远离功率变压器;尤其是避免定位在绕包的端部。
19.在pcb面积足够的情况下, 可在pcb上留下放屏蔽绕组用的脚位和放rc阻尼器的位置，rc阻尼器可跨接在屏蔽绕组两端。
20.空间允许的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器（米勒电容， 10皮法/ 1千伏电容）。
21.空间允许的话放一个小的rc阻尼器在直流输出端。
22. 不要把ac插座与初级开关管的散热片靠在一起。
开关电源emi的特点作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板 (pcb)走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了pcb分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
1mhz以内----以差模干扰为主,增大x电容就可解决1mhz---5mhz---差模共模混合,采用输入端并一系列x电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;5m---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法.对于外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10mhz以上干扰有较大的衰减(diudiu2006);对于25--30mhz不过可以采用加大对地y电容、在变压器外面包铜皮、改变pcb layout、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并rc滤波器.30---50mhz 普遍是mos管高速开通关断引起,可以用增大mos驱动电阻,rcd缓冲电路采用1n4007慢管,vcc供电电压用1n4007慢管来解决.100---200mhz 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠100mhz-200mhz之间大部分出于pfc mosfet及pfc 二极管,现在mosfet及pfc二极管串磁珠有效果,水平方向基本可以解决问题,但垂直方向就很无奈了开关电源的辐射一般只会影响到100m 以下的频段.也可以在mos,二极管上加相应吸收回路,但效率会有所降低。
1mhz 以内----以差模干扰为主1.增大x 电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可采用pi 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1mhz---5mhz---差模共模混合，采用输入端并联一系列x 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，1.对于差模干扰超标可调整x 电容量,添加差模电感器，调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如fr107 一对普通整流二极管1n4007。
5m---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10mhz 以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20--30mhz，1.对于一类产品可以采用调整对地y2 电容量或改变y2 电容位置；2.调整一二次侧间的y1 电容位置及参数值；3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改变pcb layout；5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；6.在输出整流管两端并联rc 滤波器且调整合理的参数；7.在变压器与mosfet 之间加bead core；8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9. 可以用增大mos 驱动电阻.30---50mhz 普遍是mos 管高速开通关断引起，1.可以用增大mos 驱动电阻；2.rcd 缓冲电路采用1n4007 慢管；3.vcc 供电电压用1n4007 慢管来解决；4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；5.在mosfet 的d-s 脚并联一个小吸收电路；6.在变压器与mosfet 之间加bead core；7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；8.pcb 心layout 时大电解电容，变压器，mos 构成的电路环尽可能的小；9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---100mhz 普遍是输出整流管反向恢复电流引起，1.可以在整流管上串磁珠；2.调整输出整流管的吸收电路参数；3.可改变一二次侧跨接y电容支路的阻抗,如pin脚处加bead core或串接适当的电阻；4.也可改变mosfet，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡mosfet; 铁夹卡diode，改变散热器的接地点）。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.200mhz 以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过emi 标准。
传导方面 emi 对策传导冷机时在0.15-1mhz超标，热机时就有7db余量。
主要原因是初级bulk电容df值过大造成的，冷机时esr比较大，热机时esr比较小，开关电流在esr上形成开关电压，它会压在一个电流ln线间流动，这就是差模干扰。
解决办法是用esr低的电解电容或者在两个电解电容之间加一个差模电感。
.........辐射方面 emi 对策辐射在30～300mhz频段内出现宽带噪声超标通过在电源线上增加去耦磁环（可开合）进行验证，如果有改善则说明和电源线有关系，采用以下整改方法：如果设备有一体化滤波器，检查滤波器的接地是否良好，接地线是否尽可能短；金属外壳的滤波器的接地最好直接通过其外壳和地之间的大面积搭接。
检查滤波器的输入、输出线是否互相靠近。
适当调整x/y电容的容值、差模电感及共模扼流圈的感量；调整y电容时要注意安全问题；改变参数可能会改善某一段的辐射，但是却会导致另外频度变差，所以需要不断的试，才能找到最好的组合。
适当增大触发极上的电阻值不失为一个好办法；也可在开关管晶体管的集电极（或者是mos管的漏极）或者是次级输出整流管对地接一个小电容也可以有效减小共模开关噪声。
开关电源板在pcb布线时一定要控制好各回路的回流面积，可以大大减小差模辐射。