物理冶金法多晶硅的成本分析与技术壁垒
多晶硅生产成本解析和成本控制方法浅谈
多晶硅生产成本解析和成本控制方法浅谈作者：贺晴来源：《财会学习》 2018年第18期贺晴陕西天宏硅材料有限责任公司摘要：新能源产业中的多晶硅产业经历了从暴利时代到微利甚至无利时代的迅速演化，从整个产业的发展中可以追踪到成本控制从不被重视到被企业重视到步步为赢的身影。
这一戏剧性的过程反应出宏观经济的变幻莫测，更反映出成本核算体系、成本内部控制过程对企业生存的重要性。
它不仅反应生产活动中各项指标耗费的结果，进一步分解后更可以反应出耗费是否必要、是否过量或不足，从而帮助管理者找到控制耗费、分配耗费的方法。
我们这么做的最终的目的只有一个就是让企业更好的利用资源实现利润的最大化。
关键词：成本构成；成本分解；成本内控及方法一、多晶硅行业背景十年前由于新能源产业的迅速崛起，太阳能作为清洁能源的代表而受到追捧，太阳能的迅速发展导致了多晶硅价格的大幅上涨，价格一度飙升至 300 万元 / 吨，再加上当时我国各省发改委即可立项审批项目，投资的热度高涨造成全国上下都在开工建设。
但随后的几年，朝阳不再，价格不断滑落，投产早的企业抓住了黄金期，积累了巨额财富，这些财富有的用于企业增加产能来摊低成本，有的用于转型投产新型产业。
但更多的企业是在摸索中求生存，成本初步成为企业决胜的关键。
十年后的近期，多晶硅的最新价格已跌至 11 万元 / 吨，许多做大做强的企业无一不是在低成本的企业运营中，在价格上占领了优势，保障了充足的现金流。
那些最终销声匿迹又或者艰难前行的企业，哪一家又不是被高昂的成本拖累致残致死，成本最终成为企业生存的命脉。
二、多晶硅成本构成和分解多晶硅的生产制造过程从原材料的进入到成品的出炉，是一个封闭循坏、不可间断且分步实施的过程，适用于成本核算中的分步法。
简单的说，多晶硅是通过硅粉和三氯氢硅的化学反应还原出来的。
这一化学反应中会生产出包括四氯化硅、氢气、氯化氢及其他杂质的化学混合物，这些化学物质会以精馏的方式进行分离，分离后的各种化学物质可以再利用或者重新返回到反应中进行再循环利用。
多晶硅成本构成
多晶硅成本构成
多晶硅的成本主要由以下几个方面构成：
1. 原材料成本：多晶硅的主要原材料是硅石，硅石的价格波动会直接影响多晶硅的成本。
此外，制备多晶硅还需要添加一定的溶剂和助剂，这些成本也需要计入到多晶硅的成本中。
2. 能源成本：制备多晶硅需要消耗大量的电力和热能。
电力成本和燃料成本都会直接影响多晶硅的成本。
3. 设备成本：多晶硅的制备过程需要使用特殊的设备，如高温电炉、气体传输系统等。
这些设备的购置和维护成本也是多晶硅成本中的一部分。
4. 劳动力成本：多晶硅制备过程需要经过多道工序，涉及到操作员和技术人员的参与。
劳动力成本包括工资、福利和培训等费用。
5. 环境保护成本：多晶硅制备过程中会产生一些废气、废水和固体废弃物，处理这些废物需要一定的成本。
此外，多晶硅的制备也可能产生一些对环境有害的物质，如氯化氢等，对这些物质进行处理也需要成本。
6. 其他费用：多晶硅的生产还需要考虑一些其他费用，如管理费用、税费、保险费用等。
总体来说，多晶硅的成本受到多个因素的影响，原材料、能源
和劳动力是主要的成本构成部分。
此外，设备和环境保护成本也是重要的考虑因素。
国内外多晶硅生产和生产技术现状与发展及成本核算
2.1 西门子工艺
1955年由西门子公司开发, 1957年开始工业化生产。其主要工艺是用H2还原SHiCl3,在硅芯发热体上沉积多晶硅。由于 能耗高,效率低,不能实现闭路循环生产,有污染等问题很快便被改良西门子法所替代。2Fra bibliotek2 改良西门子工艺
改良西门子工艺也称闭环式SHiCl3氢还原工艺,是在西门子工艺基础之上,增加了还原尾气干法回收系统和SiCl4氢化工艺, 实现了闭路循环。
1.2 国内多晶硅产业发展的背景
多晶 硅 被 誉为“微电子大厦的基石”，是跨化工、冶金、机械、电子等多学科、多领域的高新技术产品，是半导体、 大规模集成电路和太阳能产业的重要基础原材料，具有投资规模大、科技含量高、产业链长等特点，经济效益和社会效益都 十分显著。随着全球电子信息产业和光伏产业的迅猛发展，多晶硅市场一直供不应求。现就国内多晶硅产业的发展现状进行 综述，并分析国内多晶硅产业巨大的经济效益，开发背景和研究现状，对存在的风险与隐忧，以及该行业发展的主要问题， 提出自己的对策和建议。
经济效益计算表 序号 1 2 3 4 5 6 项目 销售收入 总成本 销售税金及附加 利润总额 所得税 税后利润 单价/万元 41.5 24.75 2.74 14.01 4.62 9.39 产量/吨 1000 1000 1000 1000 1000 1000 合计/万元 41500 24751.22 2739 14009.78 4623.23 9386.55 备注
按销售收入 的 6.6%估算
1.4 行业发展的主要问题及其对策与建议
3
由于 多 晶 硅产业存在着产能发展规划过大，用量相对有限，国内没有掌握多晶硅核心技术，以及成本高利润空间较小 等风险和隐忧，目前我国各有关部门应冷静的把握好多晶硅产业发展布局，有关科研机构和相关企业应集中力量突破多晶硅 核心技术，为多晶硅发展创造条件。随着科学技术日益快速的发展和太阳能的大规模开发利用，多晶硅的用途越来越广，用 量也越来越大，价格也大幅度的提高。一场有关多晶硅产业开发、利用的“争夺战”在国内已经展开。 1.4.1 主要问题 同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在: (1)产能低，供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20%~30%，半导体用单晶硅企业开工率在 80%~90%，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国产 业发展。 (2)生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模为2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离 此规模仍有较大的距离。 (3)工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗、能耗高出1倍 以上，产品成本缺乏竞争力。 (4)千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完 善和改进。 (5)国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投人太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。 (6)地方政府和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐优。 1.4.2 对策与建议
多晶硅研究系列2：多晶硅生产成本的构成与控制
多晶硅研究系列2：多晶硅生产成本的构成与控制多晶硅研究系列2:多晶硅生产成本的构成与控制通过对多晶硅主要生产工艺(TCS改良西门子法、硅烷流化床法和冶金法)的比较我们发现:1.基于TCS的改良西门子法仍是多晶硅生产最主要的方法改良西门子法目前为全世界提供了85%以上的太阳能级多晶硅;截至2011年底，全球TOP4多晶硅供应商(保利协鑫、德国Wacker、美国Hemlock、韩国OCI)的18.165万吨产能中有18.1万吨是TCS改良西门子法，占比超过99.6%。
2.TCS 改良西门子法仍是综合成本最低的多晶硅生产方法由挪威REC(REC.OL)主导的硅烷流化床法尽管能耗更低，但在考虑折旧后的综合成本上并无优势(4Q11，REC硅烷流化床法多晶硅的综合成本是$26/kg，同期，保利协鑫的综合成本是$19.3/kg)，而且这个局面似乎在未来一段时间仍将保持(REC预计今年Q4将降至$23/kg，这个数值仍高于保利协鑫去年底实现的$18.6/kg)。
接下来，我们以改良西门子法为对象，研究太阳能级多晶硅生产成本的构成和控制。
一、多晶硅生产成本的构成以成本领先的$保利协鑫能源(03800)$为例，我们考察一下太阳能级多晶硅综合成本的构成情况。
(3Q11保利协鑫多晶硅综合成本的构成情况，来源:国泰君安国际评级报告) 如上图所示，电力成本、TCS(三氯氢硅)成本和折旧是多晶硅生产中最大的三项独立成本，分别占到总成本的32%、21%、16%;排在其后的是蒸汽成本和人力成本，占比降低到7%和6%;其他成本主要包括气体成本(如氢气、氯气)、用水成本、设备维护和保养成本等，占比达到18%。
不难看出，在产业层面上，降低多晶硅综合成本的关键是控制电力成本、TCS 成本和折旧成本。
二、多晶硅生产的成本控制和新工艺1.电力成本的控制多晶硅生产最主要的成本是电力成本。
要降低电力成本，办法无外乎两个:减少综合电耗和寻找便宜的电。
2020年多晶硅料市场需求与价格成本分析
内容目录1.多晶硅料供应在Q4将处于偏紧的局面 (3)1.1. 国内消纳空间明确，竞价项目落地，下半年需求远好于上半年 (3)1.2. 相对于2020Q1，2020Q4的硅料产能实质增长有限 (4)2.风险提示 (6)2.1. 装机量需求不及预期 (6)2.2. 多晶硅料再次扩产节奏远超预期 (6)图表目录图1：2020年光伏消纳空间达48.45 GW (3)图2：20年竞价项目总量好于去年，预期完成度也将好于去年 (3)图3：1-5月国内光伏装机仅并网6.15 GW (3)图4：2020年Q4国内需求有望超过20 gw (3)图5：海外疫情对于我国组件出口负面影响程度好于预期 (4)图6：前五月海外组件出口区域排名 (4)图7：前五月海外组件出口企业排名 (4)图8：瓦克多晶硅部门财务数据 (5)图9：OCI基础化学品部门财务数据 (5)图10：国内多晶硅在产企业数量呈下降趋势（单位：家） (5)图11：多晶硅料价格处于底部区间 (5)图12：2019-20年多晶硅供给情况 (5)图13：2020年Q1多晶硅料价格变化情况 (6)表1：5月以来海外招标陆续启动 (4)表2：硅料企业毛利率估算 (6)1.多晶硅料供应在Q4将处于偏紧的局面1.1. 国内消纳空间明确，竞价项目落地，下半年需求远好于上半年国内市场是2020年光伏市场的重要支柱： 2020年国内的光伏消纳空间于5月出台，共计48.45 GW ，较去年国内并网量30.11 GW 显著提升。
6月底2020年竞价项目结果出台，2020年光伏竞价项目共计25.97 GW ，比去年同期增加3.18GW ，国内光伏的市场环境好于去年。
根据中电联数据，今年1-5月国内实现光伏装机容量仅仅为6.15 GW ，意味着如果今年要将消纳空间用满，剩余7个月的装机量将超过42 GW ，实际上Q4国内单季度的需求大概率超过20 GW 。
图1：2020年光伏消纳空间达48.45 GW图2：20年竞价项目总量好于去年，预期完成度也将好于去年资料来源：全国新能源消纳监测预警中心，天风证券研究所 资料来源：国家能源局、天风证券研究所图3：1-5月国内光伏装机仅并网6.15 GW图4：2020年Q4国内需求有望超过20 gw资料来源：公司公告，天风证券研究所资料来源：发改委能源所，天风证券研究所组件出口数据好于预期，海外市场陆续复工，下半年出口数据预期将保持较高水平：从组件出口数据看，1-2月份由于疫情的影响，组件出口数据大幅下滑，此后海外疫情扩散远超预期，市场对于出口需求产生一定担忧；但3月出口数据创历史新高、4-5月的出口数据基本与去年同期持平的走向反映出海外光伏旺盛的需求，显著好于市场预期。
冶金提纯法制备太阳能级多晶硅研究
冶金提纯法制备太阳能级多晶硅研究一、本文概述随着全球能源需求的日益增长和对可再生能源的迫切需求，太阳能作为一种清洁、可再生的能源形式，正受到越来越多的关注。
太阳能级多晶硅作为太阳能电池的主要原料，其质量对太阳能电池的光电转换效率具有决定性影响。
研究和开发高效、环保的太阳能级多晶硅制备技术，对于推动太阳能产业的发展具有重要意义。
本文旨在探讨冶金提纯法制备太阳能级多晶硅的研究。
我们将简要介绍太阳能级多晶硅的制备原理及其在太阳能电池中的应用。
我们将重点阐述冶金提纯法的原理、工艺流程及其优点，同时分析该方法在制备太阳能级多晶硅中的适用性。
我们将通过实验数据，详细分析冶金提纯法制备太阳能级多晶硅的效果，包括纯度、晶体结构、光电性能等方面的评价。
我们将对冶金提纯法制备太阳能级多晶硅的前景进行展望，并提出可能的改进方向和建议。
通过本文的研究，我们期望能够为太阳能级多晶硅的制备提供一种新的、高效的方法，为推动太阳能产业的发展做出贡献。
二、太阳能级多晶硅的制备方法与比较冶金法提纯：冶金法提纯多晶硅主要包括硅矿的破碎、熔炼、精炼等步骤。
通过高温熔炼，硅矿石中的杂质如铁、铝、钙等被氧化去除，得到较为纯净的硅液。
随后，硅液经过进一步的精炼处理，如定向凝固、区域熔炼等，以去除残余杂质，最终得到太阳能级多晶硅。
冶金法提纯具有原料丰富、成本低廉的优点，但其提纯效率相对较低，且对环境污染较大。
化学气相沉积法（CVD）：CVD法是通过在反应器中使含硅气体在高温下分解，生成硅沉积在基底材料上，再经过退火、切割等工艺得到多晶硅。
该方法提纯效率高，制备的多晶硅纯度高，适用于大规模生产。
CVD法所需的设备投资大，运行成本高，且制备过程中产生的废气处理难度较大。
硅烷法：硅烷法是通过硅烷气体的热分解制备多晶硅。
硅烷气体可通过氢化硅烷化反应制备，其纯度较高。
硅烷法制备的多晶硅纯度高，且制备过程相对简单。
硅烷气体具有毒性，储存和运输过程中需采取严格的安全措施，限制了其在大规模生产中的应用。
冶炼法生产多晶硅简述
“冶炼法”生产多晶硅简述一、工艺原理与优势“冶炼法''生产多晶硅是利用不同杂质元素与硅的不同物理化学性质而分步进行分离提纯的方法，它由爆杂——精炼一一滤污三步组成，每步分别除去相应杂质。
其优势：1、产品质量（电阻率最低在2欧以上）能满足太阳能电池制造要求；2、生产成本低，17-20万元/吨的单位制造成本；3、投资小，单条生产线设备投资在180万左右，其产能却能达到600-900kg/ 月4、能耗低（吨硅耗电20万度以下）、无污染、安全性好、建设周期短。
二、设备组成与投资设备主要由熔炼炉——精炼炉——提纯炉组成，其他包括腐蚀操作台、测试仪、石英用具、红外干燥箱等小型设备。
单条生产线各项设备的投资预算为：为配套生产尚需建设一个5m X 7m X 2m的循环水池，一个2m X 2m X 1m 的污水处理池，上述设备占地面积为16 （爆杂车间）+16X5 （精炼车间）+16 （提纯车间）+16 （腐蚀与干燥间）+16 （测试与包装车间）=144平方米。
对于建设40条该生产线，固定资产投资预算为:固定资产投资预算表流动资金预算为：月流动资金预算表每月产出多晶硅：24-36吨（20-30个工作日计算），其产品单位成本表:产品单位成本表三、电力消耗电力实际消耗，40台熔炼炉与40台提纯炉，每台功率30kw，按照正常开机每天需要功率2400kw，另外加上200台精炼炉，每台功率30KW，则需要6000kw，总电力需要量为9000kw。
但是如果错开使用时间（每次使用启用20 台，6小时后启用另外20台，如此类推），实际功率需要量可减少为1200kw+ 6000kw+其他用电600kw = 7800kw。
四、人员需求腐蚀间8人+熔炼车间16人+精炼车间80人+提纯车间4人+测试2人+ 包装2人= 112人。
物理冶金 多晶硅
物理冶金多晶硅物理冶金是一门研究金属材料的结构、性质和加工工艺的学科，是材料科学中的重要分支。
而多晶硅则是一种用于制作太阳能电池等半导体器件的材料，具有高效能、长寿命、环保等优点，因此备受瞩目。
本文将从多晶硅的制备、结构和性质等方面进行探讨。
一、多晶硅的制备多晶硅的制备主要有两种方法，一种是气相沉积法，另一种是电化学沉积法。
气相沉积法是将气态硅气体通过化学反应沉积在衬底上，经过多次循环反应，形成多晶硅。
这种方法具有制备速度快、成本低等优点，但是硅气体的纯度要求较高，同时在反应过程中还需要控制温度、压力、流量等因素，以保证反应的稳定性和可控性。
电化学沉积法是将硅盐溶液通过电化学反应在电极上沉积，形成多晶硅。
这种方法具有制备过程中无需高温高压、设备简单等优点，但是制备速度较慢、成本较高。
二、多晶硅的结构多晶硅的晶粒是由许多单晶粒子拼接而成的，因此具有多晶结构。
多晶硅的结构对其性质具有重要影响，一般来说，晶粒越小，多晶硅的电阻率越高，光电转换效率越低。
多晶硅的结构也会受到制备方法的影响。
气相沉积法制备的多晶硅晶粒相对较大，晶界较少，因此具有较高的电导率和较低的电阻率；而电化学沉积法制备的多晶硅晶粒相对较小，晶界较多，因此具有较高的电阻率和较低的电导率。
三、多晶硅的性质多晶硅的性质取决于其结构和制备方法。
一般来说，多晶硅具有以下性质：1. 电学性质：多晶硅具有半导体的电学性质，具有较高的电阻率和较低的电导率，因此适合用于制作太阳能电池等半导体器件。
2. 光学性质：多晶硅具有良好的光学性质，具有高的吸收率和低的反射率，因此适合用于制作太阳能电池等光电器件。
3. 机械性质：多晶硅具有较高的硬度和强度，因此适合用于制作微机电系统（MEMS）等微纳技术领域的器件。
4. 热学性质：多晶硅具有较低的热膨胀系数和较高的热导率，因此适合用于制作高温传感器等高温器件。
四、多晶硅的应用多晶硅具有许多优良的性质，因此在半导体器件、光电器件、微纳技术领域等方面得到了广泛应用。
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陈朝**，罗学涛Chen Chao , Luo Xuetao(厦门大学物理系、材料系，Xiamen University）**E-mail :cchen@____________________________*获福建省重大专项/专题（2007ZH0005－2）资助Ø一、光伏产业的关键在于降低成本Ø二、物理冶金法简介Ø三、物理冶金法的成本分析Ø四、物理冶金法的技术壁垒Ø五、当前物理冶金法多晶硅的质量Ø六、对发展我国物理冶金法的建议一、光伏产业的关键在于降低成本Key problem is reduce cost for PV domain.ØLack of energy sources,serious pollution in the World，Ø光伏发电的优点：清洁，无机械运动，无污染，轻便，有阳光处就可用，能量回收期短，长寿命。
Ø光伏发电的各种应用：（1）并网发电：小电站，屋顶工程；（2）离网发电：移动通讯电源、手机直放站电源PV－LED（光伏－发光二极管）系统：电压、电流、功率、直流、安全等方面两者匹配最好！（庭园灯、夜景灯、路灯、交通指挥系统、灯塔、长久广告牌、夜景工程、照明等）可能成为光伏应用的亮点。
（3）建筑一体化Ø光伏发电一次性投入高，但使用寿命长（10～20年）电池：3－4$/Wp；模组：比电池高0.65$/Wp光伏电价约是风力电价3倍，常规电价的9倍。
Ø发展光伏产业的关键：除了各国政府推出鼓励性政策外，须大大降低原料成本（约占60％）和电池制备成本！Ø如果太阳电池成本降低到～1$/Wp, 则可风力发电相当，光伏产业就不需要政府的优惠政策而进入市场。
Ø如果太阳电池成本降低到～0.3$/Wp, 则可火力发电相当，光伏发电就可进入千家万户。
Ø所以,在保证质量的前提下，低成本是光伏产业发展的必经之路！级成本的最有效方法之一！Ø如果不考虑当前市场抄作的因素, 改进西门子法生产的SoG-Si成本约20-25$/kg(未铸锭）; 物理冶金法成本约10$/kg（可不铸锭）以下, 最低仅仅5~7 $/kg.Ø所以推广物理冶金法有可能实现使电池成本降低于1$/Wp, 低于风力发电, 加上太阳电池发电的绿色、安全、方便等因素可以不需要政府的优惠政策而进入市场.二、物理冶金法简介Ø物理冶金法和含义和回顾Ø制备硅太阳电池材料的两条技术路线Ø两种提纯工业硅方法的比较Ø物理冶金法简介•用物理和冶金的原理对硅材料进行提纯的方法。
•其特点：硅在提纯的工艺过程中成分不变!•Si element does not change in purification process!Two Processes for Si Solar Cells materialsØ简便：方法、原理、设备、操作都简便，容易掌握和推广。
Ø可完全和工业硅的冶炼工艺兼容Ø大大节约能耗：可充分利用工业硅冶炼的余热Ø大大降低提纯的成本，太阳能级多晶硅成本<10$/kgØ投资少：年产千吨太阳能级多晶硅，投资约1～2亿元（西门子法约10亿元以上）Ø危险性和环境污染较小。
2.6目前物理冶金法的提纯水平Ø可根据需要将2N的工业硅纯度提高到5～6N；Ø用反复定向凝固的方法或其它方法可提高到6N以上；Ø但将纯度提高到9N～12N，成本要很大提高，不适用；Ø目前B、O、Fe含量偏高，存在光衰减现象，但可以克服。
本人看法：根据冶金法的优缺点，它适合于现阶段我国太阳能级多晶硅的制备！(Status of physical metallurgical method)Ø精细冶炼：选矿、造渣、吹气精炼（已成熟）Ø湿法(酸洗)冶炼（已成熟）Ø各种定向凝固（已基本成熟）：自然凝固、区域提纯、布里兹曼凝固、HEM、EMC 激光定向凝固（探索）等Ø各种单晶生长技术：CZ、FZ、MCZ（已成熟）Ø等离子体氧化除硼、湿汽氧化除硼（探索）Ø真空电子束去磷（探索）Ø等离子化学反应提纯（探索）Ø激光诱导化学反应提纯（探索）Ø金属溶液重结晶技术（探索）三、物理冶金法的成本分析Cost analysis of Physical Metallurgical Method（仅供参考！）Ø除单晶法外，各种物理冶金法成本都小于10$/kg;Ø单晶CZ法在生长速率小于20mm/hr时，有显著的提纯效果，但成本也显著增加，并引入氧；从长远观点看，不宜采用CZ法制备SOG－Si。
Ø定向凝固和真空熔炼的工艺中坩埚占成本约30％,如果坩埚能反复使用或代用，则成本将大大降低.Ø电子束除磷和等离子体氧化除硼，效果良好，但耗电量较大。
Ø从硅液提纯可利用冶炼时的余热，成本最低，可达到5－7$/kg。
四、物理冶金法的技术壁垒Technical barrier ofPhysical Metallurgical Method(1)生长方向：ØSOG-Si 的生长方向必须和入射光平行，切片方向必须和入射光方向垂直！否则因为多晶的晶界阻挡作用，不能用于制备太阳电池。
Ø所以，SOG-Si 制备的最后工序都必须定向凝固生长。
物理冶金法最后工序已进行了定向凝固除金属杂质，可直接制备电池，不必重复定向凝固。
不可用的多晶硅片可用的多晶硅片Ø金属杂质总量：Metal total＜0.1ppm主要是：Fe、Cr 等深能级过渡元素，影响效率和可靠性ØB含量：＜0.3ppm主要影响电阻率和可靠性(Fe-B s对，B s-O i2对产生光衰减)iØO含量：＜1.5x1018cm－3，ASTM 1188,IRFT检测极限，[O]<5x1017cm－3主要影响电阻率和可靠性ØP含量：＜0.1ppm主要影响电阻率和补偿度ØC含量：＜1x1017cm－3，ASTM 1391IRFT检测极限，[C]<8.2x1016cm－3主要影响吸收系数、电阻率、可靠性、过量将形成SiCØ导电类型：P－型（若N－型须改变现有器件制备工艺）Ø电阻率：0.5－3Ω•cm，3－6 Ω•cmØ少子寿命：≥2 μs , ≥10μs（这是影响多晶硅太阳电池效率的最主要因素）（4）几何参数Ø尺寸：125 ±0.5mm, 156 ±0.5mmØ厚度：200 ±30 μm, 180 ±20 μm（1）金属杂质的去除Ø金属杂质是影响效率的最主要因素Ø许多物理冶金方法都能去除金属杂质，定向凝固最有效。
Ø定向凝固的关键是：Ø热场设计：横向均匀，纵向上高下低Ø生长速率：可控、应慢，生长速率＜20mm/h 提高分凝效果A few methodsXXXØB是影响电阻率、电池效率和可靠性的主要因素ØB的分凝系数接近1（~0.8），分凝方法效果差Ø除硼的主要方法简介：①氧化成气体除硼：用湿氢氧化、等离子体氧化生成气态的硼氧化物和氢氧化物，抽气离开硅液体Si + H2O SiO+ H2(s) (g) (g) (g)SiO+ 1/2H2+ B HBO + Si(g) (g) (s) (g) (s)②氧化分凝除硼:当Si表面氧化后，B和Al可从Si体内向SiO2迁移③造渣除硼：用助渣剂放入硅液中，造渣将B被吸入渣中排除Ø氧可生成热施主、新施主影响电子浓度Ø氧是产生电池光致衰减的主要原因Ø氧沉淀可用于吸杂技术，提高少子寿命Ø除氧方法：吹Ar、吹N2；真空熔炼；防止石英坩埚在高温下和硅反应：ØP是影响掺杂浓度和补偿度的主要因素Ø为了控制电阻率而有意掺P是不合适的Ø除P的最有效方法是真空熔炼Ø目前已经能达到[P]＜0.1ppm（5）除碳C的方法ØC可作为异质核促进新施主的形成和氧的沉淀；ØC可促进B-O络合物的形成，造成光致衰减（LID）现象Ø除C方法吹氧氧化，真空熔炼，防止石墨坩埚沾污。
五、当前物理冶金法多晶硅的质量Quality of MC-Si by Physical Metallurgical MethodØ物理冶金法具有低成本、少污染、可具有自主知识产权、投资少、见效快的优点，经过努力可以达到SOG －Si的要求；Ø国外报道已经达到SOG－Si的要求，目前的工作在于进一步降低成本，用于电池制备；Ø国内接近6N水平，处于技术突破的前夕，重点的工作是：（1）达到并超过6N水平；（2）提高产品的质量稳定性和重复性；（3）从中试走向大批量生产；（4）解决物理冶金法太阳电池性能的光衰减问题。
——2006年日本国际晶体硅太阳电池研讨会介绍Ø会议：http://www.xtalphys.imr.tohoku.ac.jpInternational workshop on Science and Technology ofCrystalline Si Solar Cells2-3 October 2006Institute for Materials Research, Tohoku UniversitySendai, JapanØSupported by （日本学术振兴会161委员会）Japan Society for the Promotion of Science 161 Committee Institute for Materials Research, Tohoku University Sendai Tourism & Convention BureauØ报告：邀请：16篇；Poster ：11篇。
Advanced Metallurgical Purification Process for Solar Grade Si（CSSC－1）数据来源：Progress in Photovoltaics: Research and applications, 2001；9；203－209 Intern. Workshop on Sicience and Technology of Crystalline Si Solar Cells2-3 Oct. 2006, Sendai, Japan原料：MG－Si：99.5％；第一阶段：P<10ppmw, 其它杂质<0.1ppmw工艺：物理冶金法：电子束除P，酸洗，离子束氧化去B，定向凝固除金属等。