国内外碳化硅的研究和发展、
碳化硅的现状及未来五至十年发展前景
碳化硅的现状及未来五至十年发展前景引言：在当今高科技行业中，碳化硅材料因其在高温、高频、高压和高功率等条件下的出色性能而备受追捧。
本文将重点介绍碳化硅的现状，并探讨其未来五至十年的发展前景。
1. 碳化硅的特性与应用：碳化硅是一种由碳素和硅原子构成的化合物，具有优异的热导性、耐高温性和耐化学腐蚀性能。
其宽带隙特性使得碳化硅材料在高温条件下具有低电阻率和高电场饱和速度，适用于电力电子器件、光电子器件、半导体材料等领域。
例如，碳化硅功率器件可用于电动车、太阳能逆变器和电网稳定器等领域，提高能源利用效率和系统可靠性。
2. 碳化硅产业的现状：目前，碳化硅材料产业已进入快速发展期。
全球范围内，日本、美国、欧洲和中国等国家和地区成为碳化硅产业的主要参与者。
在制备技术方面，包括化学气相沉积、热解法、热压法和反应烧结法等多种方法得到了广泛应用。
此外，碳化硅材料的制备也在不断优化，尤其是单晶碳化硅的大面积生长技术的突破，使得碳化硅材料的市场应用得以扩大。
3. 碳化硅产业的发展前景：未来五至十年，碳化硅产业有望进一步迎来快速发展。
首先，碳化硅材料具有良好的可控性和可复制性，有利于大规模商业化生产。
其次，碳化硅材料在新一代通信技术、新能源技术和新材料技术等领域具有广阔的应用前景。
特别是在5G通信技术、新能源汽车和工业自动化等领域，碳化硅材料将发挥重要作用。
此外，碳化硅材料的研发和应用也得到了政府和企业的大力支持，为产业的快速发展提供了有力保障。
结论：碳化硅作为一种有着广阔应用前景的材料，在高科技领域中扮演着越来越重要的角色。
未来五至十年，碳化硅产业有望迎来快速发展，推动高温、高频、高压和高功率领域的创新发展。
随着制备技术的不断完善和应用领域的扩大，碳化硅将成为推动高科技产业进步的重要力量。
碳化硅的应用现状及展望
碳化硅的制造方法
碳热还原法
将硅粉和炭黑（或焦炭）混合，在高温下 反应制得碳化硅。
物理气相沉积法
利用物理方法在气相状态下沉积出碳化硅 。
化学气相沉积法
利用化学反应在气相状态下沉积出碳化硅 。
激光诱导法
利用激光诱导反应在液态或固态表面上沉 积出碳化硅。
02
碳化硅的应用现状
电力领域的应用
总结词
随着电力系统的不断发展，碳化硅（SiC）材料在电力 领域的应用逐渐广泛，主要应用于电力电子器件，如 二极管、晶体管等，以其高耐压、低能耗、高效率等 优点，在电力转换和输配电领域发挥着重要作用。
05
碳化硅的可持续发展前景
提高能源利用效率
碳化硅作为高效能、高温特性的半导体材料，在电力电子器件、高温大功率电子 器件等方面有着广泛的应用。
在新能源领域，碳化硅可以用于制造太阳能电池，提高光电转换效率，从而提升 能源利用效率。
在电动汽车领域，碳化硅可以用于制造快速充电桩，缩短充电时间，提高能源利 用效率。
汽车领域的应用
总结词
碳化硅（SiC）在汽车领域的应用也日益增多，主要应 用于汽车电子控制系统和电机驱动系统，以其高效率、 低能耗和高温特性，提高了汽车的燃油经济性和排放性 能。
详细描述
随着新能源汽车和智能汽车的快速发展，SiC在汽车领 域的应用逐渐增多。在汽车电子控制系统方面，SiC可 以用于制造功率半导体器件，如MOSFET、IGBT等， 提高电力转换效率和可靠性。此外，SiC还可以用于电 机驱动系统，如电动汽车的电机控制器和混合动力汽车 的发动机控制系统。SiC的高温特性使其能够在高温环 境下工作，提高了汽车的燃油经济性和排023-10-27
目录
• 碳化硅简介 • 碳化硅的应用现状 • 碳化硅的未来展望 • 碳化硅市场分析 • 碳化硅的可持续发展前景
碳化硅陶瓷材料的发展历史
碳化硅陶瓷材料的发展历史
碳化硅陶瓷材料是一种高性能的陶瓷材料，具有优异的高温强度、耐腐蚀性、抗氧化性、高温稳定性和机械性能等特点。
以下是碳化硅陶瓷材料的发展历史：
20世纪50年代初，美国GE公司和日本电气公司开始研究碳化硅陶瓷材料。
1960年代，碳化硅陶瓷材料开始用作航空发动机喷气嘴和火箭发动机喷嘴等高温结构件。
1970年代后期，碳化硅陶瓷材料开始用于制造热交换器、机械密封件、高温炉具等工业设备和零部件。
1980年代后期，随着碳化硅陶瓷材料对高温、耐腐蚀、抗氧化等性能要求的提高，其应用范围得到进一步扩展。
1990年代，碳化硅陶瓷材料逐渐用于半导体制造、太阳能电池制造、光电子技术等领域，成为高科技领域中的重要材料之一。
21世纪以来，碳化硅陶瓷材料的应用范围不断扩大，例如用于制造高温电子器件、高功率半导体器件、纳米材料等。
碳化硅陶瓷材料的发展历史可以追溯到上世纪50年代初，经过多年的研究和应用，已成为高性能材料领域中的重要代表之一。
随着科技的进步和应用需求的变化，碳化硅陶瓷材料有望在更广泛的领域得到应用。
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展一、本文概述碳化硅陶瓷材料，作为一种高性能的无机非金属材料，因其出色的物理和化学性能，如高强度、高硬度、高热稳定性、良好的化学稳定性以及低热膨胀系数等，在航空航天、汽车、能源、电子等多个领域具有广泛的应用前景。
本文旨在全面综述国内外碳化硅陶瓷材料的研究现状、发展趋势和应用领域，以期为相关领域的科研人员和技术人员提供有价值的参考。
本文首先回顾了碳化硅陶瓷材料的发展历程，并分析了其独特的物理和化学性质，以及这些性质如何使其在众多领域中脱颖而出。
随后，文章重点介绍了国内外在碳化硅陶瓷材料制备工艺、性能优化、结构设计等方面的研究进展，包括新型制备技术的开发、复合材料的制备与应用、纳米碳化硅陶瓷的研究等。
文章还讨论了碳化硅陶瓷材料在航空航天、汽车、能源、电子等领域的应用现状及未来发展趋势。
通过本文的综述，我们期望能够为碳化硅陶瓷材料的研究与应用提供更为清晰和全面的视角，推动该领域的技术进步和创新发展。
我们也期待通过分享国内外的研究经验和成果，为国内外科研人员和技术人员搭建一个交流与合作的平台，共同推动碳化硅陶瓷材料的发展和应用。
二、碳化硅陶瓷材料的制备技术碳化硅陶瓷材料的制备技术是决定其性能和应用领域的关键因素。
经过多年的研究和发展，目前碳化硅陶瓷的主要制备技术包括反应烧结法、无压烧结法、热压烧结法、气相沉积法等。
反应烧结法：反应烧结法是一种通过碳和硅粉在高温下反应生成碳化硅的方法。
这种方法工艺简单，成本较低，但制备的碳化硅陶瓷材料致密度和性能相对较低，主要用于制备大尺寸、低成本的碳化硅制品。
无压烧结法：无压烧结法是在常压下，通过高温使碳化硅粉末颗粒之间发生固相反应，实现烧结致密化。
这种方法制备的碳化硅陶瓷材料具有较高的致密度和优良的力学性能，但烧结温度较高，时间较长。
热压烧结法：热压烧结法是在加压和高温条件下，使碳化硅粉末颗粒之间发生固相反应，实现快速烧结致密化。
这种方法制备的碳化硅陶瓷材料具有极高的致密度和优异的力学性能，但设备成本高，生产效率较低。
2024年碳化硅(SiC)市场环境分析
2024年碳化硅（SiC）市场环境分析引言碳化硅（SiC）是一种广泛应用于电子、能源和化工等领域的材料，其特有的性能使其在高温、高频和高功率应用中具有广泛的用途。
本文将对碳化硅（SiC）市场环境进行分析，包括市场规模，竞争格局和发展趋势等方面，以便更好地了解碳化硅（SiC）市场的现状和未来发展。
市场规模碳化硅（SiC）市场在过去几年间呈现出快速增长的趋势。
主要驱动因素包括科技进步、环境意识增强以及新型应用的不断涌现。
根据市场研究机构的数据，碳化硅（SiC）市场在2020年的规模达到了X亿美元，并预计年复合增长率将超过X％。
这一增长主要得益于碳化硅在新能源、电动汽车和电子消费产品等领域的广泛应用。
竞争格局碳化硅（SiC）市场存在着较为激烈的竞争。
当前，全球范围内有多家知名碳化硅制造商。
其中，美国、日本和中国等地的企业在碳化硅领域拥有较强的技术实力和市场份额，它们在产品研发和生产工艺方面具有相对优势。
此外，由于碳化硅材料的特殊性，市场上还存在着一些小型企业和初创公司，它们专注于开发不同应用领域的定制化碳化硅产品。
发展趋势未来碳化硅（SiC）市场有望继续保持快速增长，并呈现出以下几个发展趋势：1.技术创新与应用拓展 - 近年来，碳化硅技术得到了极大的改善和发展，不断推动着市场的增长。
随着电动汽车和可再生能源等领域的快速发展，对高温、高频和高功率设备的需求也在增加，这将进一步推动碳化硅在新兴应用领域的拓展。
2.市场地域扩大 - 亚太地区、北美和欧洲等地的碳化硅市场规模正在不断扩大。
在亚太地区，中国和日本是碳化硅市场增长最为迅速的两个国家。
随着技术进步和产业政策的支持，亚太地区未来将成为碳化硅市场的主要增长驱动力。
3.绿色可持续发展需求 - 碳化硅作为一种具有优异热传导性和耐高温性能的材料，被广泛应用于能源领域。
随着对可再生能源和能效的要求不断增加，碳化硅在太阳能光伏、风能转换和电力输配等方面的应用前景十分广阔。
2023年碳化硅行业政策分析：国家政策推动碳化硅行业迈进更高水平
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02
Policy Environment for Silicon Carbide Industry
未来，国家将继续加大对碳化硅行业的支持力度，促进碳化硅行业的快速发展。具体来说，以下几个方面值得关注：
2023年碳化硅行业政策分析
1.2023年碳化硅行业受国家政策大力支持，有望迎来更广阔发展空间
2. 研发支持：国家科技部在《关于加快先进制造业研发中心建设的通知》中提出，支持碳化硅等重点领域建设先进制造业研发中心，提升产业创新能力和核心竞争力。
碳化硅行业发展趋势
1.碳化硅行业政策分析
2.碳化硅行业迎来政策推动和技术创新发展机遇
3.碳化硅行业获政策扶持，新材料产业成投资重点
05
The challenges faced by the silicon carbide industry
碳化硅行业面临的挑战
碳化硅行业面临的挑战
2023年碳化硅行业政策分析：国家政策推动碳化硅行业迈进更高水平
2. 财政支持：国家财政对碳化硅行业给予了大力支持，包括对碳化硅企业的贷款贴息、研发投入补贴、税收优惠等。2021年，国家财政对碳化硅行业的投入达到2.8亿元，比2020年增长了20%。
3. 产业规划：国家出台了多项产业规划，旨在推动碳化硅行业的发展。例如，《中国制造2025》明确提出，到2025年，碳化硅功率器件的产量要达到100亿只，年均增长率达到20%。
发展趋势
1.2023年碳化硅行业获国家政策大力扶持，涵盖生产、应用和研发
碳化硅研究报告
碳化硅研究报告碳化硅是一种重要的陶瓷材料，具有高硬度、高强度、高温稳定性和化学稳定性等优良性能。
本文综述了碳化硅的制备方法、物理性质、化学性质、微观结构以及应用领域等方面的研究进展，并对碳化硅未来的发展方向进行了展望。
关键词：碳化硅；制备方法；物理性质；化学性质；微观结构；应用领域正文一、引言碳化硅（SiC）是一种广泛应用于高温、高压、高速、高频、高辐射环境下的陶瓷材料，具有高硬度、高强度、高温稳定性和化学稳定性等优良性能。
碳化硅在电力、冶金、航空航天、半导体、新能源等领域有着广泛的应用。
本文将综述碳化硅的制备方法、物理性质、化学性质、微观结构以及应用领域等方面的研究进展，并对碳化硅未来的发展方向进行了展望。
二、碳化硅的制备方法碳化硅的制备方法主要包括固相反应法、液相反应法、气相反应法和热分解法等。
其中，气相反应法是目前应用最广泛的制备方法。
1、固相反应法固相反应法是指将碳源和硅源混合后，在高温条件下进行反应得到碳化硅。
碳源主要包括石墨、焦炭等，硅源主要包括二氧化硅、硅粉等。
固相反应法的优点是反应过程简单，成本低廉，但是其缺点是反应速度慢，需要高温长时间反应，且产品质量不稳定。
2、液相反应法液相反应法是指在高温下，将碳源和硅源混合在有机溶剂中进行反应得到碳化硅。
液相反应法的优点是反应速度快，反应温度低，但是其缺点是反应过程中易受到溶剂的影响，且需要进行后续的溶剂脱除处理。
3、气相反应法气相反应法是指将硅源和碳源在高温下，经过气相反应得到碳化硅。
气相反应法的优点是反应速度快，反应温度低，且可以得到高纯度的碳化硅。
气相反应法的缺点是设备复杂，需要高温高压气氛，且产品粒度较小。
4、热分解法热分解法是指将有机硅化合物在高温下分解得到碳化硅。
热分解法的优点是反应速度快，反应温度低，且可以得到高纯度的碳化硅。
热分解法的缺点是需要使用有机硅化合物，成本较高。
三、碳化硅的物理性质碳化硅具有很高的硬度和强度，其硬度达到了莫氏硬度9.5，比钢铁还要硬。
国内外碳化硅的研究和发展
国内外碳化硅的研究和发展碳化硅（Silicon Carbide, SiC）是一种具有广泛应用前景的先进材料，在电子、光电、能源和化工等多个领域都显示出了出色的性能和潜力。
研究和发展碳化硅材料，不仅有助于推动材料科学的进步，还能为未来高科技产业的发展提供核心支持。
在国内外，在碳化硅研究和发展方面已经取得了很多重要进展。
首先，碳化硅材料在电子技术领域具有广泛应用前景。
它具有高电子迁移率、高电场饱和漂移速度等优异电子性能，可用于制备高频、高功率的半导体器件。
碳化硅晶体管是近年来研究热点之一，它可以替代传统的硅晶体管，具有更好的热传导性能和更高的工作温度。
此外，碳化硅还可以用于制备高压功率器件和射频功率放大器等电子元器件，其应用前景广阔。
其次，碳化硅材料在光电领域也有重要应用。
由于碳化硅的宽能隙特性，它具有较高的光电转换效率和较低的漏电流密度，因此可以用于制备高效率的太阳能电池。
碳化硅纳米线光电探测器也因其高响应速度和低噪声而备受关注。
此外，碳化硅材料还可以用于制备高功率激光器、高亮度LED照明等。
同时，碳化硅材料在能源领域也有广泛应用。
由于碳化硅的高热导率和化学稳定性，它可以用于制备高温热交换器和燃烧室等高温设备。
此外，碳化硅陶瓷膜层还可以提高燃料电池和锂离子电池的性能，具有很高的应用潜力。
此外，在化工领域，碳化硅材料的耐腐蚀性、耐磨性和高硬度等特点使其成为热处理工业中的重要材料。
碳化硅涂层可以提高金属零件的耐磨性和耐蚀性，延长设备的使用寿命。
此外，碳化硅耐高温和耐腐蚀的特性也使其成为化学反应器和耐用陶瓷等化工设备的理想材料。
综上所述，国内外在碳化硅研究和发展方面取得了显著进展。
碳化硅作为一种先进材料，在电子、光电、能源和化工等领域都具有广阔的应用前景。
未来，随着技术的不断进步和应用领域的拓展，碳化硅材料的研究和开发将持续深入，为各行业带来更多的创新机遇和经济效益。
碳化硅材料的发展前景
碳化硅材料的发展前景碳化硅材料作为一种重要的结构陶瓷材料，在近年来得到了广泛的关注和应用。
由于其优异的高温稳定性、化学稳定性、硬度和耐磨性，碳化硅材料在多个领域展现出了巨大的潜力，有着广阔的发展前景。
一、碳化硅材料在电子领域的应用：在电子领域，碳化硅材料因其优异的导热性和绝缘性能，被广泛应用于半导体材料、功率电子器件、高压电力设备等方面。
随着电子产品的迅速发展，碳化硅材料在电子行业的需求量也在逐渐增加，因此碳化硅材料在电子领域有着较为广阔的市场前景。
二、碳化硅材料在航空航天领域的应用：在航空航天领域，碳化硅材料因其轻质、高强度、高温稳定性等特点，被广泛应用于航空发动机、航天器结构件等领域。
碳化硅材料的应用可以有效降低航空航天器材料的质量，提高设备的性能和使用寿命，因此碳化硅材料在航空航天领域有很大的发展空间。
三、碳化硅材料在化工领域的应用：在化工领域，碳化硅材料由于其良好的耐腐蚀性能和高温稳定性，被广泛应用于各种化工设备的制造。
碳化硅材料可以有效降低化工设备的维护成本和提高设备的使用寿命，因此在化工领域有着广阔的市场需求。
四、碳化硅材料在机械制造领域的应用：在机械制造领域，碳化硅材料因其硬度高、耐磨性好等特点，被广泛用于制造高速切削工具、轴承、密封件等零部件。
碳化硅材料可以有效提高机械零部件的耐磨性和使用寿命，因此在机械制造领域有着较大的市场需求。
综上所述，碳化硅材料由于其优异的性能特点，在电子、航空航天、化工、机械等领域都有着广泛的应用前景和市场需求。
随着科技的不断进步和工业的不断发展，碳化硅材料将会在更多领域展现出其巨大的潜力，成为未来材料领域的重要发展方向。
碳化硅纤维国内外研究进展
碳化硅纤维国内外研究进展作者：江洪陈亚杨来源：《新材料产业》 2017年第12期碳化硅纤维是一种以碳和硅为主要成分的高性能陶瓷材料，从形态上分为晶须和连续碳化硅纤维，具有高温耐氧化性、高硬度、高强度、高热稳定性、耐腐蚀性和密度小等优点。
与碳纤维相比，在极端条件下，碳化硅纤维能够保持良好的性能[1]。
由于其具有良好的性能，在航空航天、军工武器装备等高科技领域备受关注，常用作耐高温材料和增强材料。
此外，随着制备技术的发展，碳化硅纤维的应用逐渐拓展到高级运动器材、汽车废烟气收尘等民用工业方面[2]。
一、碳化硅纤维的制备方法碳化硅纤维的制备方法主要有先驱体转化法、化学气相沉积法（CVD)和活性炭纤维转化法3种。
3种制备方法各有优缺点，而且使用不同制备方法制备的碳化硅纤维也具有不同的性能。
1. 先驱体转化法先驱体转化法是由日本东北大学矢岛教授等人于1975年研发，包括先驱体合成、熔融纺丝、不熔化处理与高温烧结4大工序，具体工艺流程如图1所示。
先驱体转化法制备碳化硅纤维需要先合成先驱体——聚碳硅烷（P C S )，矢岛教授以二甲基二氯硅烷等为原料，通过脱氯聚合为聚二甲基硅烷，再经过高温（450 ～500℃）分解处理转化为P C S，采用熔融法在250 ～350℃下将PCS纺成连续PCS纤维，然后经过空气中约200℃的氧化交联得到不熔化P C S纤维，最后在高纯氮气保护下1 300℃左右裂解得到碳化硅纤维[3]。
先驱体转化法制备原理其实就是将含有目标元素的高聚物合成先驱体，再将先驱体纺丝成有机纤维，然后通过一些列化学反应将有机纤维交联成无机陶瓷纤维。
自矢岛教授在实验室利用先驱体转化法成功制备碳化硅纤维后，日本、美国等国家的材料制造公司尝试利用先驱体转化法将碳化硅纤维进行工业化生产。
日本碳公司在1980年首次采用先驱体转化法制备碳化硅纤维，但尚未形成工业化生产水平。
1985年该公司开始利用该方法进行工业化生产。
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摘要：随着工业的发展和科学技术的进步，碳化硅的非磨削用途在不断扩大，在耐炎材料方面用于制作各种高级耐炎制品，如垫板、出铁槽、坩锅熔池等；在冶金工业上作为炼钢脱氧剂，可以节电，缩短冶炼时间，改善操作环境；在电气工业方面利用碳化硅导电、导热及抗氧化性来制造发热元件——硅碳棒。
碳化硅的烧结制品可作固定电阻器，在工程上还可作防滑防腐蚀剂。
碳化硅与环氧树脂混合可涂在耐酸容器中、蜗轮机叶片上起防腐耐磨作用。
SiC由于具有优良的耐高温、耐磨耗、耐腐蚀及高的热传导性能，近年来受到人们极大关注。
作为一种新型的非氧化物精细陶瓷材料，其研究与应用均取得了长足的发展。
关键词：碳化硅，结构，粉体合成，碳化硅制品正文：一、SiC的结构SiC晶型结构有αβ型二种，α型为六方晶型，β型为立方晶型。
α型SiC 的分解温度在2400度左右，称为高温异形体2在温度低于2000度时，SiC以β型方式存在，称为低温异形体。
立方晶型的β—SiC可在1450度左右由简单的硅和碳混合物制得，温度高时β—SiC 会转相生成α—SiC。
SiC没有一个固定的熔点，在密堆积系中，在1bar 总压力下，约在! 0.3!时分解成石墨和富硅熔融物，此温度是形成SiC晶体的最高温度。
在松散的堆积系中，SiC在2300度左右开始分解，形成气态硅和石墨残余物。
二、SiC粉体的制作方法SiC粉体的制作方法大体可分为两大类。
一是把由固相得到的粗粒子进行粉碎的分解方法；另一类是用气相法等直接合成SiC 细粉末的聚集方法。
这两大类方法根据原料的种类和加热方式的不同，又被分成几种。
（1）A cheson法这是一种最古老的工业化生产SiC的方法，把硅石和焦炭进行混合作为原料，充填在石墨炉芯的周围，给炉芯通电加热，使炉芯周围温度达2500度以上，反应生成物在此温度下反复进行再结晶，就得到了从晶粒成长起来达数cm厚度的α—SiC块状物。
其反应分两部进行：得到的块状物一般要选其紧靠炉芯的α—SiC部分，在粉碎后经精制、分级等步骤，最后得到α—SiC粉体。
（2）S iO2还原碳化法和Acheseon 法相同，把硅石和碳的混合粉末作为原料，在反应炉中加热到和碳进行气相及气固相反应，生成β—SiC粉末，这也1400~1800度，蒸发的SiO2是工业化生产β—SiC 的方法，合成原料的粒径越小，反应效率越高，这也是低温下进行微细粉末合成的一种方法。
在此基础上又开发了溶胶, 凝胶法和气相反应法等把合成的粒径在100nm下的超微粉混合粉作为原料的方法。
（3）金属硅碳化法该法是使用半导体用的高纯金属硅，使其和C直接进行固相反应的方法。
这是在硅的熔点（1414度）以下的低温条件下进行β—SiC的合成，再加上是固相反应，反应热和熔化热很高，难以进行反应体系控制。
在反应中一部分硅熔化，很难控制其粒径的大小，该方法的改良是把熔融的Si，在用喷嘴喷雾的同时使之碳化，得到粒径呈球状的SiC的合成方法及把Si和C 的混合物，用电子辐射等方式使其蒸发来收集SiC微粉体的方法。
（4）气相反应法该法是一种使气态Si和碳化物反应合成SiC 微粉的方法。
反应温度根据不同的气体，选择在1200~1300度，采用等离子体或激光作为加热源激发气体进行合成。
根据条件用等离子体或激光等的激发反应法，可得到非晶质粉末，其特征是可以得到高纯度、球形的超细粉体。
在原料气体阶段，可进行原料的精制和预混合的处理等。
原料气体的种类及反应条件选择的范围宽，对有复合组织的粉末等具有微观构造控制的可能性。
表1 列出用于气相合成法的化学原料种类。
（5）热分解法是使有机硅化合物进行热分解合成SiC的方法。
原料是气体时，和气相合成法几乎相同，也可以使用由等离子体和激光进行的激发反应法；原料是固体或液体时，是把溶解在有机溶剂中的溶液进行喷雾实现热分解。
对于含碳量多的液体化合物，可改变聚合度（分子量），控制粘度，也可以把烧结助剂由共聚达到予混合，表2列出用于气相热分解法的化学原料种类。
（6）制作的粉体特征表3给出用不同方法制作的SiC粉体的特征值。
以上表中1~4是用分解方法，可以进行规模较大的生产制作，5~8还处于实验室规模。
用分解方法生产的SiC粉体，粒子形状是不定形的，含有粒内缺陷和微细裂缝等缺陷，易形成粒度分布大的粉体。
用聚集方法可得到球形微细粒子组成的粉体，但聚集方法也得到中空粒子和锁状结合连接的粒子，粒径越小，越不利于成形性，所以并非用气相法得到的粉体的几何学的特征就一定很优良。
不管哪种方法，都是以原材料的高纯化尽可能抑制金属不纯物的量。
但只保证原料的高纯化，并不能降低非金属不纯物的量，这是由于反应的不完全和粉体的氧化等原因造成的。
在非金属不纯物中，游离硅和游离碳是反应不完全造成的。
没有参加反应的原料，反应环境气氛的污染和粉碎时的氧化等原因造成含氧量的增加。
用聚集法的粉体，因反应性高的气体原料和反应容器内部的水和氧反应，一次合成的粉体的表面活性大，容易被氧化，这就造成比聚集法的粉体含氧量多。
表4给出粉体制作方法和粒子的形态及构造的特征。
以下图1和图2 分别描绘了采用（A）、（B）两种不同的方法J得到的不同结果。
三、SiC制品的制作方法SiC 成形体的制造工艺如图3 所示。
四、SiC制品的性能指标及评估SiC作为一种新型高温工程结构陶瓷，其主要特征是耐高温、高强度、耐腐蚀、耐磨耗、热传导率高、重量轻。
不同用途的产品有不同的性能要求，一般精细陶瓷传统的评价方法是从四个方面进行：力学性能，热学性能，电学性能和抗腐蚀性能。
五、SiC的应用（1）磨具、磨料研磨砂纸和砂轮的磨料及研磨抛光用材料，可得到精度很高的研磨面，可对各种材料进行精细和超精细加工。
SiC的磨具、磨料可对低张力材料如铸铁、黄铜、铝材、磁头材料等进行加工；对脆性材料如各种石材、玻璃、陶瓷等进行加工；对超硬材料如硬质合金、铁素体等进行加工；对硅半导体材料进行加工；对合成树脂系列非热传导性物质进行加工。
（2）耐火材料普通高温条件下使用的砖、板及高级特殊用途的耐火材料如烧结炉用棚板、箱、容器、发热管、炉芯管、半导体加工用的夹、挂具、支架等。
（3）炼铁、炼钢用添加剂熔炼铸铁时，加入SiC，有利于碳化、硅化，改善铸铁质量；炼钢时加入SiC作为脱氧剂有助于渣的熔化。
（4）耐热、耐磨耗、耐腐蚀的机械部件最为突出的用途是燃气轮机及柴油机用的零部件，现仍在开发研究中。
其它的还有SiC机械密封件，各种泵体滑动部份用的零部件，金属拉丝用的导辊，粉碎机用的混筒衬套，磨球及各种阀体部件，各种高压、高温、腐蚀液体的喷嘴等。
（5）电工材料高温热电能量转换的高温发热元件，利用其非线性导电物性作成的避雷器、继电器及SiC压敏感器等。
（6）化工设备利用其高导热率，制作化工、生物及食品工业用的各种类型热交换器。
（7）电子材料主要用于集成电路的基板材料，大功率二级管。
六、世界各国碳化硅企业分布Superior石墨公司Superior石墨有限公司是生产β-碳化硅的厂家，它们采用连续电热炉工艺在美国肯塔基的Hopkinsville厂生产。
产品适用于制造碳化硅细粉和超细陶瓷级碳化硅粉料。
Electro磨料公司Electro磨料公司是一家碳化硅加工厂。
该公司在纽约布法罗的一家生产厂从事水力分选黑色、绿色碳化硅粉料的生产。
他们生产的碳化硅含量为98%的粗、细粉用于磨料、耐火材料及其它行业，年生产能力为2.4万t。
BPI有限公司BPI公司分别在匹兹堡、宾西法尼亚、贝塞默和阿拉巴马州有碳化硅废料加工厂。
大多数废料都来自北美，包括回收的碳化硅耐火材料，这些产品主要用于冶金市场。
而且，这些产品的市场需求量很大。
Elmet公司Elmet公司在墨西哥北部的蒙特雷有一家年生产能力为2万t的碳化硅生产厂，该厂生产的冶金级(SiC 88%)和黑色(SiC 97%)碳化硅主要用于钢铁、铸造、磨料和耐火材料工业。
近期，该公司投资了300万美元用以降低成本和提高成品质量，这些资金主要用于破碎、筛分生产线及成型设备。
Elmet公司的产品主要用于国内市场，但也出口至中美和北欧。
自2000年以来，该公司就已看到当地铸造工业和海外某些耐火材料的发展前景。
同时，由于受到了象金刚石这种超级磨料竞争的冲击，使得磨料部门的需求量下降，但是，耐火材料工业的需求仍保持稳定。
巴西在巴西，圣－戈班集团公司所属的碳化硅生产厂将其生产能力增至6万t/年。
早在20世纪90年代初期，Alcoa世界化工公司就兼并了巴西圣保罗洲萨尔托的EMAS碳化硅生产厂，该厂的年生产能力为1.2万t左右。
ESK-SIC公司ESK-SIC在荷兰（世界最大的碳化硅生产厂）每年可生产6.5万t的冶金碳化硅和晶体碳化硅，并在德国的Frechen-Grefrath厂进行加工。
该公司的产品大约占了全球市场份额的10%。
ESK-SIC生产的碳化硅产品主要用于冶金、磨料、耐火材料和高级陶瓷领域。
Navarro SIC SA公司自1958年以来，Navarro SIC SA公司主要生产磨料和耐火材料工业用碳化硅细粉。
虽然该公司目前的年产量约为1.8万t，但有望达到2万t。
他们生产冶金级碳化硅(SiC 90%/92%)、三种耐火材料级碳化硅(SiC 92%、SiC 95%和SiC 98%)、磨料级碳化硅(SiC 97%和SiC 99%)。
其中，冶金级碳化硅的市场领域最大，占了总额的45%，其次是耐火材料级(30%)和磨料级(25%)。
近几年，Navarro已开始扩大生产绿色和黑色碳化硅微粉，年产量为800～1000t左右。
自2000年以来，Navarro的产品在国内和欧洲的市场销量虽然有所上升，但在亚洲、非洲和大洋洲的销售额却在下降。
从产品类型来看，冶金、耐火材料工业的用量在增长，而磨料工业的用量在减少。
ZAC公司ZAC公司是东欧著名的磨料生产厂，年生产能力为3万t，主要用于冶金、磨料、耐火材料和微粉工业。
该公司的产品主要出口捷克，从那里再销往西欧。
另外，在欧洲的其它国家，如俄罗斯、罗马尼亚、捷克、瑞士也都有碳化硅生产厂。
其中，瑞士的Timcal有限公司每年生产8000t的碳化硅生产石墨的副产品。
亚洲除了中国，亚洲的碳化硅产量主要集中在日本，Yakushima Denko和Pacific Rundum有限公司是日本两大著名的碳化硅生产厂，年产量分别为2万t和7000t。
其中，Pacific Rundum生产的碳化硅适用于半导体加工的特种领域，以及磨料和耐火材料工业。
1996年，它在美国的俄勒冈成立了合资公司（AGPR），主要生产高纯度碳化硅材料。
结束语：科学技术日新月异，对材料的要求也越来越高，所以碳化硅耐磨材料会受到更深的重视。
从20世纪70年代开始，通过对碳化硅耐磨材料各种烧结方法的研究与分析，已经逐步使SiC耐磨材料朝向轻质、高强、耐腐蚀、耐高温、耐磨耗、高韧性的方向发展。