集成电路制造论文
集成电路综述论文
集成电路的过去、现在和未来摘要:本文简要介绍了集成电路的发展历史、发展现状和发展前景。
着重介绍了集成电路技术在一些领域的应用和我国集成电路产业的现状和发展。
关键词：集成电路技术应用电子信息技术一、发展历史集成电路的发明和应用是人类20世纪科技发展史上一颗最为璀璨的明珠。
50多年来，集成电路不仅给经济繁荣、社会进步和国家安全等方面带来了巨大成功，而且改变了人们的生产、生活和思维方式。
当前集成电路已是无处不有、无时不在。
她已经成为人类文明不可缺乏的重要内容。
1949年12月23日，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿三人研究小组发现了晶体管效应，并在此基础上制出了世界上第一枚锗点接触晶体管，从此开创了人类大规模利用半导体的新时代。
两年后肖克莱首次提出了晶体管理论。
1953年出现了锗合金晶体管，1955年又出现了扩散基区锗合金晶体管。
1957年美国仙童公司利用硅晶片上热生长二氧化硅工艺制造出世界上第一只硅平面晶体管。
从此，硅成为人类利用半导体材料的主要角色。
1958年美国德州仪器公司青年工程师基尔比制作出世界上第一块集成电路。
1960年初美国仙童公司的诺依思制造出第一块实用化的集成电路芯片。
集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元。
在此后的五十多年里，集成电路技术发展迅速，至今，半导体领域中获得过诺贝尔物理奖的发明创造已有5项。
晶体管由于其广泛的用途而被迅速投入工业生产，“硅谷”成为世界集成电路的策源地，并由此向世界多个国家和地区辐射：上世纪60年代向西欧辐射，70年代向日本转移，80年代又向韩国、我国台湾和新加坡转移。
至上世纪90年代，集成电路产业已成为一个高度国际化的产业。
发展现状简介集成电路具有多种特点，如其体积小、质量轻、功能齐全、可靠性高、安装方便、频率特性好、专用性强以及元器件的性能参数比较一致，对称性好。
目前最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的“核心”，可以控制电脑、手机到数字微波炉的一切。
模拟电路之集成电路论文
集成运放集成电路是一种将“管”和“路”紧密结合的器件，它以半导体单晶硅为芯片，采用专门的制造工艺，把晶体管、场效应管、二极管电阻和电容等元件及他们之间的连线所组成的完整电路制作在一起，是指具有特定的功能。
集成放大电路最初多用于各种模拟信号的运算（如比例、求和、求差、积分、微分……）上，故被称为运算放大电路，简称集成运放。
集成运放广泛用于模拟信号的处理和产生电路之中，因其高性能低价位，在大多数情况下，已经取代了分立元件放大电路。
从本质上看，集成运放是一种高性能的直接耦合放大电路。
并且它种类繁多。
按供电方式可将运放分为双模供电和单模供电，在双模供电中又分正、负电源对成型和不对称型供电。
按照集成运算放大器的参数可分为通用性和特殊型两类,通用型运放用于无特殊要求的电路中，其性能指标的数值范围如表1所示，少数运放可能超出表中数值范围。
特殊性运放可分通用型运算放大器、高阻型运算放大器、低温漂型运算放大器、高速型运算放大器、低功耗型运算放大器、高压大功率型运算放大器。
表1。
通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。
这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广,其性能指标能适合于一般性使用。
例mA741（单运放）、LM358（双运放）、LM324（四运放）及以场效应管为输入级的LF356都属于此种。
它们是目前应用最为广泛的集成运算放大器。
这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高,输入偏置电流非常小,一般rid＞（109~1012）W,IIB为几皮安到几十皮安。
实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点,用场效应管组成运算放大器的差分输入级。
用FET作输入级,不仅输入阻抗高,输入偏置电流低,而且具有高速、宽带和低噪声等优点,但输入失调电压较大。
常见的集成器件有LF356、LF355、LF347（四运放）及更高输入阻抗的CA3130、CA3140等。
在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中,总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温度的变化而变化。
集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)
集成电路封装工艺（毕业学术论文设计）摘要本文对集成电路封装工艺进行了研究和设计，旨在提出一种能够满足高性能、小尺寸和低功耗要求的封装工艺方案。
首先，对集成电路封装的发展历程进行了简要回顾，并分析了目前常见的几种封装工艺类型。
然后，针对目标封装工艺的要求，提出了一种新型封装工艺方案，并详细介绍了该方案的工艺流程和关键步骤。
最后，通过实验和性能评估，验证了该封装工艺方案的可行性和效果。
1. 引言集成电路是现代电子技术的核心，随着技术的进步，集成电路的封装工艺也在不断发展和改进。
封装工艺的优劣直接影响到集成电路的性能、尺寸和功耗等方面，因此，设计一种高性能、小尺寸和低功耗的封装工艺方案成为当前的研究热点。
本文旨在提出一种新型封装工艺方案，以满足目标集成电路的需求。
具体来说，本文的研究目标包括以下几个方面： - 提高集成电路的性能指标，如工作频率、时序特性等； - 减小集成电路的尺寸，提高空间利用率； - 降低集成电路的功耗，延长电池寿命。
2. 集成电路封装工艺的发展历程封装工艺是将集成电路芯片与引线、封装材料等相结合，形成成品电路的过程。
在集成电路的发展过程中，封装工艺经历了多个阶段的演进。
在早期，集成电路的封装工艺主要采用插针式DIP（Dual In-line Package）封装，这种封装形式简单、容易实现，但存在尺寸大、布线难、散热困难等问题。
随着技术的进步，表面贴装封装（Surface Mount Technology，SMT）逐渐成为主流。
SMT封装工艺避免了插针式封装的缺点，大大提高了集成电路的密度和性能。
近年来，随着集成电路的尺寸不断缩小，新型封装工艺如无封装封装（Wafer Level Package，WLP）、芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）、三维封装等逐渐崭露头角。
这些封装工艺以其小尺寸、高性能和低功耗的特点，成为了当前研究的热点。
3. 目标封装工艺方案设计根据上述研究目标，本文提出了一种基于芯片级封装和三维封装技术的新型封装工艺方案。
关于集成电路的英语作文
关于集成电路的英语作文英文回答：Integrated circuits (ICs), also known as microchips, are small electronic devices that contain a large number of transistors and other electronic components packed into a small space. They are used in a wide range of electronic devices, from computers and smartphones to cars and medical devices.The main components of an IC are transistors, which act as switches or amplifiers, and resistors and capacitors, which control the flow of electricity. ICs are manufactured using a process called photolithography, in which a pattern is created on a silicon wafer using ultraviolet light. The pattern is then etched into the silicon wafer to create the transistors and other components.The first IC was developed in 1958 by Jack Kilby of Texas Instruments. It contained only a few transistors, butit was the foundation for the development of more complex ICs. In the 1970s, the development of large-scale integration (LSI) technology allowed for the creation of ICs with thousands of transistors. This led to the development of microprocessors, which are the central processing units (CPUs) of computers.Today, ICs are used in a wide range of applications, including:Computers.Smartphones.Cars.Medical devices.Industrial automation.Military equipment.ICs have revolutionized the electronics industry and made it possible to create devices that are smaller, faster, and more efficient. They are essential for the developmentof new technologies and will continue to play a vital rolein the future of electronics.中文回答：什么是集成电路。
集成电路英语作文
集成电路英语作文English:An integrated circuit (IC) is a small electronic device made up of several interconnected components such as transistors, resistors, diodes, and capacitors, all etched onto a single semiconductor substrate. They are commonly referred to as chips or microchips and are the building blocks of modern electronic devices. Integrated circuits have revolutionized the field of electronics by enabling the fabrication of complex electronic systems in a small package. They have significantly reduced the size, cost, and power consumption of electronic devices while increasing their performance and reliability. Integrated circuits are used in a wide range of applications, from consumer electronics like smartphones and laptops to industrial control systems and medical devices. The continuous advancements in IC technology have led to the development of more powerful and energy-efficient devices, pushing the boundaries of what was previously thought possible.中文翻译:集成电路（IC）是由几个互相连接的组件组成的小型电子设备，如晶体管、电阻、二极管和电容器，所有这些都在单一半导体基底上刻蚀而成。
集成电路专业公开发过的论文摘要参考
集成电路专业公开发过的论文摘要参考集成电路专业是电子工程的一个重要分支，在现代电子技术发展中发挥着至关重要的作用。
以下是一些公开发过的集成电路专业论文的摘要，希望能够给读者提供一些参考和启示。
论文一：基于图像处理技术的集成电路缺陷检测该论文旨在通过图像处理技术，实现对集成电路制造过程中可能存在的缺陷进行高效、精准的检测。
其中，研究人员首先对待检测的集成电路样品进行图像采集和预处理，之后通过图像分割、形态学处理等方法，得到集成电路的纹理特征和周边信息；接着，研究人员结合机器学习算法，对图像特征进行训练，并建立了一套自适应的缺陷检测模型，该模型可以根据不同物理特性的缺陷进行分类检测。
最终，实验结果表明，该方法可以高效地检测出所有缺陷，并具有较高的准确率和鲁棒性。
论文二：集成电路中时钟树设计优化该论文针对时钟树在集成电路设计中的重要性，研究了一种基于最短路径算法的时钟树设计方法，并将其在FPGA芯片的设计中进行了验证。
研究人员首先通过全局路径搜索，得到了传输时钟所需的最短路径，然后利用具有流动性的O(1)时钟基准树来构建大型时钟树，并利用所提出的动态调度算法实现了布图。
最后，以Xilinx Virtex-6系列FPGA芯片为例验证了该方法的有效性和性能。
结果表明，该时钟树设计方法能够提高系统时钟频率，减少功耗，并且实现的时钟延迟在一个可接受的范围内。
论文三：基于ICM方法的真实时间温度补偿电路设计该论文通过Intelligent Compensation Method (ICM)算法，提出了一种适应环境温度变化的实时温度补偿电路设计方法，该方法较好地解决了温度变化对集成电路的影响。
该方法的设计流程具有非常高的仿真准确率和强鲁棒性，通过对多组不同情况下的温度测试数据进行仿真分析，可以得出该方法的设计误差率和热滞后现象均比传统方法更低。
最终，实验结果表明，该设计方法可以有效地提高真实时间系统的可靠性和鲁棒性。
超大规模集成电路论文
课程论文（超大规模集成电路设计）题目基于CPLD的曼彻斯特编解码器设计专业学生姓名学号得分基于CPLD的曼彻斯特编解码器设计引言虽然计算机通信的方法和手段多种多样，但都必须依靠数据通信技术。
数据通信就是将数据信号加到数据传输信道上进行传输，并在接收点将原始发送的数据正确地恢复过来。
由于计算机产生的一般都是数字信号，因此计算机之间的通信实际上都属于数据通信。
曼彻斯特码编解码器是1553B总线接口中不可缺少的重要组成部分,曼彻斯特码编解码器设计的好坏直接影响总线接口的性能,在数控测井系统和无线监控等领域，曼彻斯特码编解码器都有广泛应用。
1 数据通信系统结构图1所示是数据通信系统的基本构成。
在计算机通信中，通信双方传递的信息必须进行量化并以某种形式进行编码后才能进行传输。
机内信号不论采用哪一种编码方法，它们的基本信号都是脉冲信号，为了减少信号在传输媒质上的通信带宽限制，以及噪音、衰减、时延等影响，也由于同步技术的需要，操作时都需要对简单的脉冲信号进行一些不同的变换，以适合传输的需要。
这样就会产生许多不同的代码，通常有不归零电平(NRZ-L)码，逢“1”反转(NRZ-1)码，曼彻斯特码和差分曼彻斯特等。
图2所示是部分编码方式的波形图。
由图2可知，不归零码的制码原理是用负电平表示“0”，正电平表示“1”，其缺点是难以分辨一位的结束和另一位的开始；发送方和接收方必须有时钟同步；若信号中“0”或“1”连续出现，信号直流分量将累加,这样就容易产生传播错误。
曼彻斯特码(Manchester)的原理是每一位中间都有一个跳变，从低跳到高表示“0”，从高跳到低表示“1”。
这种编码方式克服了NRZ码的不足。
每位中间的跳变即可作为数据，又可作为时钟，因而能够自同步。
曼彻斯特编码特点是每传输一位数据都对应一次跳变，因而利于同步信号的提取，而且直流分量恒定不变。
缺点是数据编码后，脉冲频率为数据传输速度的2倍。
差分曼彻斯特码(Differential Manchester)的原理是每一位中间都有一个跳变，每位开始时有跳变表示“0”，无跳变表示“1”。
集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)
集成电路封装工艺（毕业学术论文设计）本文旨在介绍集成电路封装工艺的重要性和研究背景，以及阐述本论文的目的和结构安排。
集成电路是现代电子技术中的关键组成部分，其封装工艺对于保护集成电路的完整性和性能至关重要。
随着集成电路的不断发展，封装工艺的研究和优化变得越发重要。
本论文旨在研究集成电路封装工艺的相关技术和方法，以提高封装工艺的效率和可靠性。
本论文的结构安排如下：引言：介绍集成电路封装工艺的重要性和研究背景，说明本论文的目的和结构安排。
相关工艺：介绍集成电路封装工艺的基本概念和技术，包括封装材料、封装方法等。
封装工艺优化：探讨封装工艺中存在的问题和挑战，并提出相应的优化策略和方法。
实验与结果：介绍针对集成电路封装工艺的实验设计和实验结果分析，验证优化策略的有效性。
结论：总结论文的主要研究内容、取得的成果以及未来可能的研究方向。
希望通过本论文的研究，能够对集成电路封装工艺的优化和发展提供有益的参考和指导。
本文详细介绍集成电路封装工艺的定义、组成和基本流程，包括设计、布局、封装材料选择、封装技术等内容。
集成电路封装工艺是将裸露的集成电路芯片封装在一个外部封装材料中，以提供保护和连接功能的一种技术。
它是集成电路制造过程中不可或缺的一环。
封装工艺的组成部分包括设计、布局、封装材料选择和封装技术。
设计集成电路封装工艺的设计阶段涉及到确定芯片封装的物理特性和封装类型。
封装设计需要考虑到芯片的尺寸、引脚数量、电气性能、散热需求等因素。
布局封装布局是将芯片和周围器件的引脚连接起来的过程。
在布局阶段，需要精确安排引脚的位置和间距，以确保信号传输效果和封装可靠性。
封装材料选择在选择封装材料时，需要考虑到材料的导热性能、机械强度、耐化学性等因素。
常用的封装材料包括塑料、陶瓷和金属等。
封装技术封装技术涉及到将芯片与封装材料进行物理连接的过程。
常见的封装技术包括焊接、黏贴、球栅阵列（BGA）等。
集成电路封装工艺的基本流程包括设计、布局、材料选择和封装技术。
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离子注入掺杂对ZnO薄膜性能的影响The influence of ion implantation on the ZnO thin film姓名:郝秀秀西安电子科技大学摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(室温下Eg--3．37eV)直接带隙半导体材料。
离子注入是将具有高功能的掺杂离子引入到半导体中的一种工艺．其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型.本论文是利用离子注入技术进行掺杂和热退火处理ZnO薄膜改性。
利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜，将能量56 keV、剂量1×10"cm-2的Zn离子注入到薄膜中。
离子注入后，薄膜在500～900℃的氩气中退火，利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。
结果显示：衍射峰在约700℃退火后得到恢复；当退火温度小于600℃时，吸收边随着退火温度的提高发生蓝移，超过600℃时，吸收边随着退火温度的提高发生红移。
关键词：ZnO薄膜；离子注入；退火温度；吸收；光致发光。
ABSTRACTZinc oxide (ZnO) is a kind of important wide forbidden band (Eg at room temperature-3.37 eV) direct bandgap semiconductor materials. Ion implantation iswill have high function into thedopingisemiconductor process. The aim is to change the charge carriers concentration and semiconductor conductive type.The present paper is using ion implantation technology and thermal annealing processing doped ZnO thin film modification. Using sol-gel method in quartz glass substrates gel preparation ZnO films, the energy 56 keV, dose 1 X 10 "cm-2 of Zn ion implantation to film. Ion implantation, film in 500 ~ 900 ℃ in the argon annealing, X-ray diffraction spectrum, the light spectrum and light absorption spectrum to send the ion implantation and annealing ZnO thin film on the influence of the structure and optical properties.The results showed that: about 700 ℃ in the diffraction peak after annealingrestoration; When the annealing temperature is less than 600 ℃, the temperature of the annealing edge with absorb blue to move, raise happen more than 600 ℃, the temperature of the edge with absorption annealing improve red shift occurred.Keywords: ZnO films; Ion implantation; Annealing temperature; Absorption; The light to shine.引言作为宽禁带半导体材料，ZnO近年来引起了广泛的研究兴趣。
人们已能利用射频磁控溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、等离子辅助分子束外延和溶胶凝胶等多种技术合成高质量的ZnO薄膜m]。
离子注入技术是一种广泛采用的半导体掺杂技术[7-10]，尤其是在半导体工业中，可以进行选区掺杂，不受掺杂物固溶度的影响，并能精确控制掺杂物的浓度。
理论上，每一种元素都可以利用离子注入技术进行掺杂，因此，它是一种十分灵活和便利的掺杂技术。
然而，离子注入过程中会产生大量缺陷，这些缺陷对材料的物理和化学性能可能造成很大的负面影响，这些负面影响一般可以通过后期的退火处理来消除。
ZnO的光学和电学性质与材料中的本征缺陷有密切关系，通过注入Zn离子有望改变ZnO材料中本征缺陷的浓度，进而改变ZnO的光学和电学性质。
本文利用溶胶凝胶方法制备了ZnO薄膜，将高剂量Zn离子注入到薄膜中，研究了Zn注入和热处理对薄膜结构和光学性质的影响。
1.1 ZnO薄膜的晶体结构ZnO是一种新型的II．IV族化合物，是极性半导体，存在三种晶体结构：一是六角纤锌矿(Wurtzit)结构，一般制备的ZnO薄膜都是这种结构，它的热稳定性最好，其空间群为P63mc，晶格常数为，密度为它是由氧的六角密堆积和锌的六角密堆积反向嵌套而成，Zn和O原子相互四面体配位(配位数为4：4)，即锌离子占据层与氧离子占据层交蛰排列，而氧原予(或者锌原子)可以看成是填塞予半数锌原予(或者氧原子)的四面体中心，如图1．1所示，从而Zn和。
在位置上是等价的，zn原予的3d电子和O原子的2p电子发生杂化从燕形成共价键，实际上，Zn到它最近邻的遥个O原子(组成四瑟体)之闻的距离(键长)并不相等，一般认为，其结合主要是离子键结合。
纤镩矿结构可以看成是由平行于(0001)面的A．B“原子偶层"构成，即一层A 原子与一层B原子紧挨着，接着又一层A原子紧挨一层B原子，不断重复排列下去，这样有效离子电荷约为1-1．2，这样就产生了一个极性C轴。
这样的e轴是六重对称轴，也是极性轴，所以具有自发极化和热释电效应【27】；二是闪锌矿(zinc blende)结构，它的晶格能量稍高，只能在立方结构的衬底上生长才能稳定形成；三是岩盐(rocksalt)结构，ZnO只能在高压条件下形成稳定的岩盐结构，是在ZnO处于大约高压时发生固体相变形成这种结构，其空间群为Fm3m。
1.2 Zn0的制备采用分析纯的二水合醋酸锌作为前驱体，乙二醇甲醚和无水乙醇作为溶剂，乙醇氨作为稳定剂。
实验中将一定量的醋酸锌溶解在乙二醇甲醚和无水乙醇混合溶剂中，加入与醋酸锌等物质的量的乙醇氨和少量的甲酰氨，经充分搅拌后，形成0．35 tool透明均匀的溶液。
实验中以石英玻璃片作为衬底，采用旋转涂覆技术进行涂膜，先在较低转速下向衬底滴加溶液，然后在4 000 r／min的转速下旋转30 s，形成的湿膜在300℃下预处理15 min，然后进行第二次涂膜，反复多次(本实验采用12层膜)。
最后，将样品在空气中于500℃退火1 h,可得到ZnO薄膜.2．1离子注入和退火对ZnO薄膜结构的影响为了研究退火对注锌ZnO薄膜结构的影响，将注锌ZnO薄膜置于500～900℃的氩气中做退火处理，图3是ZnO薄膜离子注入和不同温度退火后的X射线衍射图。
以为在高剂量的锌注入后可能会在ZnO薄膜中形成Zn纳米颗粒或团簇[1¨引，但从图3中未发现任何其它相或杂质峰的出现，说明薄膜在离子注入和退火后依然保持纤锌矿结构。
由于ZnO是种抗辐照力很强的材料，所以在如此高剂量的锌注入后依然保持较好的结晶性能。
但是，衍射峰强度却在离子注入后下降很明显，这是由于离子注入引起的晶格无序(缺陷)造成的。
后期的热处理对注锌ZnO薄膜的结构影响很大，由图3可以看出，在500℃退火后薄膜出现较好的图3 ZnO薄膜Zn 离子注入和退火后的x射线衍射谱沿c轴方向的择优生长，随后，其它衍射峰强度随着退火温度的提高不断增强。
但是，当退火温度超过750℃以后，衍射峰强度随着退火温度的提高不断下降。
因此，750℃以下退火时，薄膜中大量的离子注入引起的缺陷被消除，薄膜衍射峰强度随着退火温度的提高不断增强，薄膜的结构也不断得到恢复；750℃以上退火时，高温诱生的晶格无序(缺陷)急剧增加，薄膜的衍射峰强度随着退火温度的提高逐渐下降，薄膜质量逐渐变差。
值得注意的是，从图3可以看出，注锌ZnO薄膜的结构特性在700℃退火后基本恢复到离子注入前的状态。
2．2离子注入和退火对ZnO薄膜光学性质的影响Zn离子注入和退火后ZnO薄膜的吸收光谱如图4所示。
从图4可以看出，离子注入后薄膜在可见光区的光吸收率显著增强；薄膜在500～600℃之间退火时，薄膜在可见光区的光吸收率随着退火温度的提高不断下降，在600～900℃之间退火时，薄膜在可见光区的光吸收率却随着退火温度的提高急剧增加，在已有实验中也发现类似现象[1引。
影响材料光吸收率的因素比较多，高剂量离子注入过程中形成的杂质纳米颗粒或团簇可以影响材料的光吸收率，几个研究小组在实验中都观察到了高剂量离子注入后杂质纳米颗粒或团簇引起的表面等离子共振吸收，并且在X射线衍射谱中也观察到了相应的相出现[16-17]。
在我们的实验中，X射线衍射谱和吸收光谱中均未发现杂质纳米颗粒或团簇证据，这说明在剂量为1×1017 em-2的条件下难以在ZnO中形成锌的纳米颗粒或团簇，因此，锌的纳米颗粒或团簇对吸收光谱的影响在本实验中可以忽略。
载流子浓度的变化也可以影响材料的光吸收率，zn注入可能会在ZnO中产生大量的间隙锌原子(Zn；)，Znt是施主性的缺陷，这有可能导致ZnO薄膜中载流子浓度的提高。
但是，最近的研究表明Zn；在ZnO中扩散速度极快，在n- ZnO中很不稳定(1胡，因此材料中Zn；的浓度不会增加太多，所以由此带来的载流子浓度的增加也不会太大。
在实验中用四探针方法测量每次退火后样品的电阻率时，所有样品的电阻率都超出仪器的量程，样品呈现高阻状态。
所以我们认为，载流子浓度的变化不可能明显影响到本实验中ZnO薄膜的光吸收率，排除了Zn纳米颗粒或团簇和载流子浓度变化对ZnO薄膜光吸收率的影响，吸收光谱的变化主要是由ZnO薄膜中缺陷浓度的变化造成的。
正如在结构分析中所说，Zn离子注入和后期的高温退火都会在ZnO薄膜中引入大量的缺陷，这些缺陷可以成为电子俘获中心，从而对材料的的光吸收率造成显著的影响。
2.3 Zn离子注入和退火对ZnO薄膜的光学带宽的影响如图5，6所示，薄膜的光学带宽采用经典方法来确定[zo]。