模电童诗白清华第四版课件 第16讲(5.4～5.6) 单管放大电路的频率响应
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第5章 放大电路的频率响应
第5章 放大电路的频率响应习题5.1在图P5.1所示电路中，已知晶体管的'bb r、C μ、C π，i be R r ≈。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1)在空载情况下，下限频率的表达式L f ≈(112(//)s b be R R r C π+ )。
当R S 减小时，L f 将( ① )；当带上负载电阻后，L f 将( ② )。
(2)在空载情况下，若b-e 间等效电容为'C π，则上限频率的表达式H f ≈('''12[//(//)]b e bb b s r r R R C ππ+ )；当R S 为零时，H f 将( ① )；当R b 减小时, g m 将( ① ),'C π将( ① ), H f 将( ③ )。
图P 5.1 图P 5.25. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出uA 的表达式。
解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5532 3.210(1)(1)(1)(1)101010ujfA ff f j j j jf --≈≈++++5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出uA 的表达式。
图P5.3 图P5.4解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。
故电路uA 的表达式为： 25510010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010uf A f f f j jf j j jf jf -+==++++++⨯5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：(1)该电路的耦合方式；(2)该电路由几级放大电路组成；(3)当f =104H Z 时，附加相移为多少？当f =105H Z 时，附加相移又约为多少？（4）该电路的上限频率Hf 为多少？解：(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路；(2)因为在高频段幅频特性为−60dB ／十倍频，所以电路为三级放大电路；(3)当f =104Hz 时，'00453135φ=-⨯=-； 当f =105Hz 时，'903270o o φ=-⨯=-。
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集成运算放大器的分析和设计
• 分析 • 输入电阻和输出电阻的分析，以及频率特性的分析。 • 线性范围和非线性失真的分析。 • 直流和交流性能的分析。 • 设计 • 选择合适的晶体管和电阻器。 • 设计合适的偏置电路和反馈电路。 • 进行频率补偿和稳定性分析。
集成运算放大器的应用
作为通用放大器使用，用于各种不同的信号放大场合 。
THANK YOU.
反馈的极性
正反馈用“+”表示，负反馈用“-”表示 。
正反馈
使放大器的净输入信号增加。
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大倍数的稳定性
展宽频带
由于环境温度的变化，晶体管的放大倍数会 发生变化，加入负反馈后，可以减小这种变 化。
由于负反馈的作用，使得放大器的上限频率 有所降低，下限频率有所升高，这样频带就 展宽了。
减小非线性失真
负反馈对噪声的抑制作 用
当输入信号为正弦波时，晶体管的输出信号 由于管子的非线性而产生失真，加入负反馈 后，可以使这种失真减小。
在放大器中，噪声是不可避免的，负反馈可 以抑制噪声。
正反馈和自激振荡
自激振荡
在正反馈的作用下，放大器会自己产生信号而输出音调不变的音调。
消除自激振荡的方法
在放大器中引入负反馈来破坏自激振荡的条件。
直流电源及其应用
直流电源
01
它通常由交流电源经整流、滤波和稳压等环 节转换而来。
03
直流电源广泛应用于各种电子设备和系统中 ，如计算机、手机和电动车等。
05
02
直流电源是一种能够提供稳定直流电压的电 子器件。
04
直流电源电压， 保证其正常工作和延长使用寿命。
电子技术的起源与发展
模拟电子技术基础(第四版)课件童诗白
感谢观看
利用运放实现模拟信号的检测、处理和控制，如PID控制器等。
反馈放大电路
05
总结词
理解反馈放大电路的核心概念和类型是掌握模拟电子技术的基础。
详细描述
反馈放大电路是一种通过引入反馈网络来控制放大器性能的电路。根据反馈信号的性质，可以分为正反馈和负反馈。正反馈是指反馈信号加强输入信号，使放大器增益提高；而负反馈则是削弱输入信号，使放大器增益降低。
有源滤波器
用于提高电路的输入阻抗，减小信号源内阻对电路的影响。
电压跟随器与缓冲电路
集成运算放大器的线性应用
比较器
波形发生器
功率放大器
自动控制电路
集成运算放大器的非线性应用
01
02
03
04
将模拟信号转换为数字信号，用于信号的阈值检测和脉冲整形。
利用运放实现正弦波、方波、三角波等波形发生。
利用运放实现音频信号的功率放大，用于扬声器驱动等场合。
晶体管时代
随着集成电路的诞生，电子设备进一步微型化，智能手机、平板电脑等便携式智能设备成为人们生活的重要组成部分。
集成电路时代
近年来，人工智能和物联网技术的迅猛发展，使得智能家居、自动驾驶等成为现实，进一步推动了电子技术的进步。
人工智能与物联网时代
电子技术的发展
医疗电子技术
医疗电子设备如心电图机、超声波诊断仪、医疗影像系统等都离不开电子技术的支持，为医疗诊断和治疗提供了重要的技术支持。
电阻是导体对电流的阻碍作用，电容是储存电荷的元件。电阻和电容是电子电路中最基本的被动元件。
二极管与晶体管
电感与变压器
半导体器件
02
如硅和锗，是半导体的基本组成材料。
元素半导体
模拟电子技术基础(第四版)第五章 童诗白主编
Fundamentals of Analog Electronics
华成英、童诗白 主编
—多媒体教学课件
华北科技学院 电子信息工程学院
主讲人：林亭生
第5章 放大电路的频率响应
重点：
1.频率响应的基本概念、波特图。 2.晶体管（场效应管）的高频等效模型
（混合模型）。 3.单管放大电路的频率响应。 4.多级放大电路的频率响应。
小结
（1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数τ ，即决定了fL和fH。
（2）当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降 3dB，且产生+450或-450相移。
（3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性。
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合 模 型
20lg Au / dB
对数幅频特性：
0
0.1 fH fH 10 fH
f
3dB
20
20dB/十倍频
40
对数相频特性：
在高频段， 0
低通电路产生
45º
0~ 90°的滞后
相移。
90º
0.1 fH fH 10 fH
f
5.71º
45º/十倍频
5.71º
图 5.1.3(b) 低通电路的波特图
二、简化的混合模型 通常情况下，rce远大于c--e间所接的负载电
阻，而rb/c也远大于Cμ 的容抗，因而可认为rce和 rb/c开路。
Cμ 跨接在输入与输出回路之间，电路分析变得相当复杂。 常将Cμ 等效在输入回路和输出回路，称为单向化。单向 化靠等效变换实现。
因极型为总图负C（π载C＞）电＞。阻CRu/／/ Ｌ，，且C一u//般中情的况电下流。可C忽u// 略的不容计抗远，大得于简集化电模
模拟电路童诗白第四版习题配套答案
//模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
【图文】《模拟电子技术基础》第四版-童诗白-第16讲 反馈的
分立元件放大电路中的净输入量和输出电流•
在判断分立元件反馈放大电路的反馈极性时，净输入电压常指输入级晶体管的b-e（e-b）间或场效应管g-s（s-g）间的电位差，净输入电流
常指输入级晶体管的基极电流（射极电流）或场效应管的栅极（源极）电流。
•
在分立元件电流负反馈放大电路中，反馈量常
取自于输出级晶体管的集电极电流或发射极电
流，而不是负载上的电流；此时称输出级晶体
管的集电极电流或发射极电流为输出电流，反馈的结果将稳定该电流。
清华大学华成英hchya@。
模拟电路(童诗白第四版)习题解答
！模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编（童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院|目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60<第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √) 】(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽《(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)
题 4.3 图
解：共射电路在中频带的相移为－180°，由波特图可看出中频放大倍数为 100，下限
频率为 1Hz 和 10Hz，上限频率为 250kHz。故电压放大倍数为：
Au
(1
1 jf
100 )(1 10)(1
jf
j
2.5
f 105
)
(1
jf
)(1
10 f 2 j f )(1 10
表 4-1-2 放大管高频等效电路
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三、单管放大电路的频率响应 1．频率响应 典型单管放大电路如图 4-1-1（a）所示，中频段交流等效电路如图（b），低频段如图 （c），高频段如图（d）。
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f
fL )(1 j
f
的折线化波特图如图 4-1-2 中
)
jf
fH
fL
fH
实线所示，虚线为实际曲线。
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图 4-1-2 单管共射放大电路折线化波特图 折线图中，截止频率为拐点，在截止频率处，增益与中频段相比下降 3dB，相移＋45° 或－45°。Βιβλιοθήκη 3．放大电路频率特性的改善•
•
（1）高频特性改善：一定条件下，增益带宽积|Aumfbw|或|Ausmfbw|约为常量。要改善高
频特性，首先选择截止频率高的放大管，然后选择参数，使 Cπ′所在回路等效电阻尽量小。
（2）低频特性改善：应采用直接耦合的方式。
四、多级放大电路的频率响应（见表 4-1-3）
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《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
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四、综述 1.中频段 中频段 2.低频段 ⋅ 低频段
⋅ ⋅ u R o = i A = ⋅ usm R +R S i u s
r b′e (−g R′ ) m L r be
1 1 f = Ausl = A ⋅ L 2π (R + R )C usm f C L L 1+ jf ⋅ 1 1 f = 3.高频段 AusH = A ⋅ 高频段 H 2πR C′ usm f eq π 1+ j f H
u
）求解Q点 解： （1）求解 点
−U V U 15 − 0.7 0.7 CC BEQ BEQ I = − =( − ) = 0.5mA BQ R R 20 1 b S
I
U
CQ
CEQ
= βI
BQ
= 100 × 0 . 015 = 1 . 5 mA
=V −I R = 7 .5V CC CQ C
（2）求解混合 模型中的参数 ）求解混合π模型中的参数
R = R // r ≈ 1.68k i b be
R i = −136× 1.68 ≈ −85 = −A ⋅ A usm us R + R 1.68 +1 i s
（4）求解上下限截止频率 ）
f H = 1 = 263KHZ 2π [r //( r + R // R )C ′ b′e bb′ s b π
⋅ ⋅ u R i A = o = ⋅ usH R +R S i u s
⋅ AusH = A ⋅ usm
1 jwR C ′ r eq π b′e (− g R ′ ) m L 1 r 1+ be jwR C ′ eq π
1
1+ j
f f H
三、中频段
b
Rs +
b′
c
Rc
r ′ bb
Rb
us _ e
⋅ (3) C ′ ≈ C + (1 − k)C π π u
⋅ ⋅ U 1 k = ce = −g R′ ) m L ⋅ U b′e
⋅ k, c , c ⇒ c′ π u π
2) c ≈ c u ob
C ob 可从手册查得
C′ = 1 2πr f b ′e β
相当于电压放大倍数
f 可从手册查得
β
f
（1）改善低频特性 ）
1 fH = ' 2 π [ rb' e ∥ ( rbb' + R b ∥ Rs )]C π
采用直接耦合 降低下限截止频率f 降低下限截止频率 L （2）改善高频特性 ） 提高上限截止频率f 提高上限截止频率 H
1 f = H 2π R C ′
C ′ ≈ C + (1+ g R′ )C g R′ ↓⇒C′ ↓⇒ f ↑ π π m L u m L π H
复习晶体管高频等效电路知识
⋅ I b ⋅
b′
I
c ′g U ′ π m be
+ ⋅ U be e-
b
c c
r bb ′
r U b′e b′e -
⋅+
⋅
r =? b′e
g
m
=?
C ′ =?
π
U U T = T (1) r = (1+ β ) b′e o I I EQ BQ
(2) g
m
=
0 ≈ EQ r U b′e T
+
Rc RL u o
-
适应于频率从零到无穷大的交流等效电路
b
Rs +
b′
c
Rc
r ′ bb
Rb
us _ e
⋅ c ′g U r b′e π m b′e
+
RL u o
-
适应于频率从零到无穷大的交流等效电路 输入频率为f的信号 s,输出信号 o,输出信号大小受到 输入频率为 的信号u 输出信号 输出信号大小受到 的信号 输出信号u 频率f的影响 的影响. 频率 的影响 将输入信号的频率范围分为:中频、 将输入信号的频率范围分为:中频、低频、高频
f → ω ↑⇒
1 jω c
b
Rs +
b′
c
Rc
r ′ bb
Rb
us _ e
⋅ c ′g U r b′e π m b′e
+
RL u o
高频段的交流等效电路
戴维南等效
R r i u ⋅ b′e , C / 开路 u =u = π oc b′e R + R s r S i be
/
R eq
R = r //( r + R // R ) eq b′e bb ′ b s
⋅ ⋅ u = −g U o m b ′e ⋅
R R C L 1 (R + R ) + C L jwc 1
= U (− g R ′ ) b ′e m L
1 1+ jw( R + R )C C L ⋅ jw( R + R )C C L = U (− g R ′ ) b ′e m L jw( R + R )C + 1 C L
⋅ R i u = o R +R S i
⋅ r jw(R + R )C b′e ⋅ u (−g R′ ) C L m L jw(R + R )C +1 s r be C L
⋅ ⋅ jw( R + R )C u R r b ′e (− g R ′ ) C L o = i A = m L jw( R + R )C + 1 ⋅ usL R +R r S i be C L u s ⋅ ⋅ u R r o= i b′e (−g R′ ) 令A = m L ⋅ usm R +R r S i be u s
u oc
C′
π
R eq
u oc
⋅ U
C′
π
低通回路
f
H
=
1 2πR C′ eq π
b′e
=u
oc
⋅
1 jwC ′
π π
1 R + eq jwC ′
⋅ ⋅ u o = − g U b ′e ( R // R ) m C L
1
⋅ uo = (
jwR C ′ R r eq π / i u b′e ) ⋅ × (− g m ∗ RL ) ∗ u s 1 R +R s r 1+ S i be jwR C ′ eq π
⋅ R i A = usm R + R S i r b′e (−g R′ ) m L r be
中频段：C短路，C 开路。
' 低频段：考虑C的影响，Cπ开路，相当于高通电路。
' π
' 高频段：考虑Cπ的影响，C短路, 相当于低通电路。
一、低频段
b
Rs +
b′
c
Rc
r ′ bb
Rb
us _ e
⋅ c ′g U r b′e π m b′e
+
RL u o
1 jω c ′
适应于频率从零到无穷大的交流等效电路
即：
⋅ Ausl = A ⋅ usm
1 1 = Ausm × f fL 1− j 1+ L f jf
二、高频段
b
Rs +
b′
c
Rc
r ′ bb
Rb
us _ e
⋅ c ′g U r b′e π m b′e
+
RL u o
-
适应于频率从零到无穷大的交流等效电路
f → ω ↑⇒ 1 jω c ′ ↓
π
c/π不可忽略 短路处理 ↓ C短路处理
f → ω ↓⇒ ↑
π
c/̟做开路处理。 开路处理。
f → ω ↓⇒
1 jω c
↑
电容C的阻抗必须考虑， 电容 的阻抗必须考虑， 的阻抗必须考虑 不可忽略。 不可忽略。
b
Rs +
b′
c
Rc
r ′ bb
Rb
us _ e
⋅ r gmUb′e b′e
+
RL u o
低频段的交流等效电路
R = R //( r + r ) = R // r i b bb ′ b ′e b be u s u = R be R + R i S i
高通回路 低通回路
下限截止频率f 下限截止频率 L 上限截止频率f 上限截止频率 H
六、举例说明： 举例说明：
VCC=15V，RS=1k，Rb=20k， RC=RL=5K，C=5uF; 晶体管的UBEQ=0.7V， rbb’=100Ω，β=100， fβ=0.5MHZ，Cob=5PF
⋅ 试估算电路的截止频率fH和fL，并求 A
R = r //( r + R // R ) eq b′e bb ′ b s
4.全频段电压放大倍数的表达式 全频段电压放大倍数的表达式
全频段放大倍数表达式： 全频段放大倍数表达式：
上限频率和下限频率
1 1 = 均可表示为: 均可表示为 f = 2πτ 2πRC
& & = Uo Aus & Us & (j f ) Ausm fL = f f (1 + j )(1 + j ) fL fH & Ausm = f f (1 + L )(1 + j ) jf fH
g
m
=
β
0
r b′e
⋅ A
R i = usm R + R S i
r β R β ′e (− 0 R′ ) = b i ⋅ (− 0 R′ ) L L r r R +R r be b′e S i be